面光源及其制备方法和显示装置与流程

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种面光源及其制备方法和显示装置。

背景技术：

相关技术中，miniled与microled显示面板均利用红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片发光，但是，由于红光芯片的发光层的材料包括algainp(磷化铟镓铝)，因此，导致红光芯片良率较低，价格较贵，成本较高。

技术实现要素：

本发明提供一种面光源及其制备方法和显示装置，以解决相关技术中的不足。

根据本发明实施例的第一方面，提供一种面光源，包括：

基板；

第一发光二极管芯片，位于所述基板上，用于发射第一颜色的光；

第一光线调整结构，位于所述基板上，且与所述第一发光二极管芯片相邻，用于将从所述第一发光二极管芯片接收的第一颜色的光均匀地从远离所述基板的表面射出；

第一光转换结构，位于所述第一光线调整结构远离所述基板的一侧，用于将从所述第一光线调整结构接收的第一颜色的光转换为第二颜色的光，并从远离所述基板的表面射出，所述第一颜色的光的颜色与所述第二颜色的光的颜色不同。

在一个实施例中，所述第一发光二极管芯片为蓝光芯片，所述第一颜色的光为蓝光；所述第二颜色的光为绿光或红光。

在一个实施例中，所述第一光线调整结构的高度大于所述第一发光二极管芯片的高度；所述第一光线调整结构的高度大于或等于所述第一发光二极管芯片的高度的1.1倍；所述第一光线调整结构与所述第一发光二极管芯片之间存在间隙；所述第一光线调整结构包括多个网点，所述多个网点位于所述第一光线调整结构靠近所述基板的一侧。

在一个实施例中，所述第一光转换结构包括量子点、荧光粉和/或钙钛矿。

在一个实施例中，所述的显示面板还包括第一挡墙，所述第一挡墙位于所述第一发光二极管芯片远离所述第一光线调整结构的一侧，用于将来自所述第一发光二极管芯片的第一颜色的光反射至所述第一光线调整结构。

在一个实施例中，所述第一挡墙包括一个弧面，所述弧面所在球体的球心位于所述第一挡墙靠近所述第一发光二极管芯片的一侧；所述第一发光二极管芯片在所述基板上的投影位于所述弧面在所述基板上的投影内；所述第一挡墙的高度大于或等于所述第一光线调整结构的高度。

在一个实施例中，所述的显示面板还包括第二挡墙，所述第二挡墙位于所述第一挡墙远离所述基板的一侧，所述第二挡墙用于遮光；所述第二挡墙的高度小于或等于所述第一光转换结构的高度；所述第二挡墙远离所述基底的表面与所述第一光转换结构远离所述基底的表面齐平。

根据本发明实施例的第二方面，提供一种显示装置，包括：

基板；

至少一个像素，位于所述基板上；其中，所述像素包括第一子像素，所述第一子像素包括第一发光二极管芯片、第一光线调整结构与第一光转换结构，所述第一发光二极管芯片位于所述基板上，用于发射第一颜色的光，所述第一光线调整结构位于所述基板上，且与所述第一发光二极管芯片相邻，用于将从所述第一发光二极管芯片接收的第一颜色的光均匀地从远离所述基板的表面射出，所述第一光转换结构位于所述第一光线调整结构远离所述基板的一侧，用于将从所述第一光线调整结构接收的第一颜色的光转换为第二颜色的光，并从远离所述基板的表面射出，所述第一颜色的光的颜色与所述第二颜色的光的颜色不同。

在一个实施例中，所述第一发光二极管芯片为蓝光芯片，所述第一颜色的光为蓝光；所述第二颜色的光为红光。

在一个实施例中，所述像素还包括第二子像素，所述第二子像素包括第二发光二极管芯片、第二光线调整结构与第二光转换结构，所述第二发光二极管芯片位于所述基板上，用于发射第一颜色的光，所述第二光线调整结构位于所述基板上，且与所述第二发光二极管芯片相邻，用于将从所述第二发光二极管芯片接收的第一颜色的光均匀地从远离所述基板的表面射出，所述第二光转换结构位于所述第二光线调整结构远离所述基板的一侧，用于将从所述第二光线调整结构接收的第一颜色的光转换为第三颜色的光，并从远离所述基板的表面射出，所述第一颜色的光的颜色与所述第三颜色的光的颜色不同；所述第二发光二极管芯片为蓝光芯片，所述第三颜色的光为绿光。

在一个实施例中，所述像素还包括第二子像素，所述第二子像素包括第二发光二极管芯片、第二光线调整结构与第一散射膜，所述第二发光二极管芯片位于所述基板上，用于发射第三颜色的光，所述第二光线调整结构位于所述基板上，且与所述第二发光二极管芯片相邻，用于将从所述第二发光二极管芯片接收的第三颜色的光均匀地从远离所述基板的表面射出，所述第一散射膜位于所述第二光线调整结构远离所述基板的一侧，用于将从所述第二光线调整结构接收的第三颜色的光均匀地从远离所述基板的表面射出；所述第二发光二极管芯片为绿光芯片，所述第三颜色的光为绿光。

在一个实施例中，所述像素还包括第三子像素，所述第三子像素包括第三发光二极管芯片、第三光线调整结构与第二散射膜，所述第三发光二极管芯片位于所述基板上，用于发射第一颜色的光，所述第三光线调整结构位于所述基板上，且与所述第三发光二极管芯片相邻，用于将从所述第三发光二极管芯片接收的第一颜色的光均匀地从远离所述基板的表面射出，所述第二散射膜位于所述第三光线调整结构远离所述基板的一侧，用于将从所述第三光线调整结构接收的第一颜色的光均匀地从远离所述基板的表面射出；所述第三发光二极管芯片为蓝光芯片。

在一个实施例中，所述第一子像素还包括第一挡墙与第二挡墙；所述第一挡墙位于所述第一发光二极管芯片远离所述第一光线调整结构的一侧，用于将来自所述第一发光二极管芯片的第一颜色的光反射至所述第一光线调整结构；所述第二挡墙位于所述第一挡墙远离所述基板的一侧，所述第二挡墙用于遮光；所述第二子像素还包括第三挡墙与第四挡墙；所述第三挡墙位于所述第二发光二极管芯片远离所述第二光线调整结构的一侧，用于将来自所述第二发光二极管芯片的光反射至所述第二光线调整结构；所述第四挡墙位于所述第三挡墙远离所述基板的一侧，所述第四挡墙用于遮光；所述第三子像素还包括第五挡墙与第六挡墙；所述第五挡墙位于所述第三发光二极管芯片远离所述第三光线调整结构的一侧，用于将来自所述第三发光二极管芯片的第一颜色的光反射至所述第三光线调整结构；所述第六挡墙位于所述第五挡墙远离所述基板的一侧，所述第六挡墙用于遮光。

在一个实施例中，所述的显示面板还包括封装层，所述封装层位于所述像素远离所述基板的一侧。

根据本发明实施例的第三方面，提供一种面光源的制备方法，包括：

在基板上形成第一发光二极管芯片，所述第一发光二极管芯片用于发射第一颜色的光；

形成第一光线调整结构，所述第一光线调整结构位于所述基板上，且与所述第一发光二极管芯片相邻，用于将从所述第一发光二极管芯片接收的第一颜色的光均匀地从远离所述基板的表面射出；

形成第一光转换结构，所述第一光转换结构位于所述第一光线调整结构远离所述基板的一侧，用于将从所述第一光线调整结构接收的第一颜色的光转换为第二颜色的光，并从远离所述基板的表面射出，所述第一颜色的光的颜色与所述第二颜色的光的颜色不同。

根据上述实施例可知，由于第一发光二极管芯片位于基板上，用于发射第一颜色的光，第一光线调整结构位于基板上，且与第一发光二极管芯片相邻，用于将从第一发光二极管芯片接收的第一颜色的光均匀地从远离所述基板的表面射出，第一光转换结构位于第一光线调整结构远离基板的一侧，用于将从第一光线调整结构接收的第一颜色的光转换为第二颜色的光，并从远离基板的表面射出，这样，当发射第二颜色的光的发光二极管芯片良率低、成本高时，可以利用发射第一颜色的光的第一发光二极管芯片以及用于将第一颜色的光转换为第二颜色的光的第一光转换结构来获取第二颜色的光，而无需使用发射第二颜色的光的发光二极管芯片，因此，可以提高面光源的良率、降低面光源的成本，进而可以提高显示装置的良率、降低成本。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本发明。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。

图1是根据本发明实施例示出的一种面光源的结构示意图；

图2是根据本发明实施例示出的另一种面光源的结构示意图；

图3是根据本发明实施例示出的另一种面光源的结构示意图；

图4是根据本发明实施例示出的一种显示装置的结构示意图；

图5是根据本发明实施例示出的一种显示装置的光效示意图；

图6是根据本发明实施例示出的另一种显示装置的结构示意图；

图7是根据本发明实施例示出的一种面光源的制备方法的流程图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的装置和方法的例子。

本发明实施例提供一种面光源。该面光源，如图1所示，包括基板11、第一发光二极管芯片12、第一光线调整结构13与第一光转换结构14。

如图1所示，在本实施例中，第一发光二极管芯片12位于基板11上，用于发射第一颜色的光。第一光线调整结构13位于基板11上，且与第一发光二极管芯片12相邻，第一光线调整结构13用于将从第一发光二极管芯片12接收的第一颜色的光均匀地从远离基板11的表面射出。第一光转换结构14位于第一光线调整结构13远离基板11的一侧，第一光转换结构14用于将从第一光线调整结构13接收的第一颜色的光转换为第二颜色的光，并从远离基板11的表面射出，第一颜色的光的颜色与第二颜色的光的颜色不同。

在本实施例中，由于第一发光二极管芯片位于基板上，用于发射第一颜色的光，第一光线调整结构位于基板上，且与第一发光二极管芯片相邻，用于将从第一发光二极管芯片接收的第一颜色的光均匀地从远离基板的表面射出，第一光转换结构位于第一光线调整结构远离基板的一侧，用于将从第一光线调整结构接收的第一颜色的光转换为第二颜色的光，并从远离基板的表面射出，这样，当发射第二颜色的光的发光二极管芯片良率低、成本高时，可以利用发射第一颜色的光的第一发光二极管芯片以及用于将第一颜色的光转换为第二颜色的光的第一光转换结构来获取第二颜色的光，而无需使用发射第二颜色的光的发光二极管芯片，因此，可以提高面光源的良率、降低面光源的成本，进而可以提高显示装置的良率、降低成本。

以上对本发明实施例提供的面光源进行了简要的介绍，下面对本发明实施例提供的面光源进行详细的介绍。

本发明实施例还提供一种面光源。该面光源，如图1所示，包括：基板11、第一发光二极管芯片12、第一光线调整结构13、第一光转换结构14、第一挡墙15与第二挡墙16。

如图1所示，在本实施例中，第一发光二极管芯片12位于基板11上，用于发射第一颜色的光。其中，第一发光二极管芯片12可以是蓝光芯片，第一颜色的光为蓝光。即，第一发光二极管芯片12用于发射蓝光。蓝光芯片可以包括衬底以及位于衬底上的外延层。其中，外延层的材料包括gan(氮化镓)。蓝光芯片的良率比红光芯片的良率高，因此，蓝光芯片的成本也比红光芯片的成本低。

如图1所示，在本实施例中，第一光线调整结构13位于基板11上，第一光线调整结构13与第一发光二极管芯片12相邻，且第一光线调整结构13与第一发光二极管芯片12之间存在间隙。第一光线调整结构13用于将从第一发光二极管芯片12接收的第一颜色的光均匀地从远离基板11的表面s1射出。这样，可以将点光源变为面光源。

在本实施例中，第一光线调整结构13的高度大于第一发光二极管芯片12的高度。例如，第一光线调整结构13的高度等于第一发光二极管芯片12的高度的1.1倍。当然，第一光线调整结构13的高度也可大于第一发光二极管芯片12的高度的1.1倍。这样，可以尽可能多的接收第一发光二极管芯片发射的光，或者实现全部收光，提高提高第一发光二极管芯片的利用效率。

在本实施例中，如图2所示，第一光线调整结构13包括多个网点131，多个网点131位于第一光线调整结构13靠近基板11的一侧。如图2所示，每个网点131可以是半球体，且如图3所示，在基板11上的投影为圆形。当然，网点131也可以是其他三维结构，例如，网点131可以是椎体，网点131的剖面可以为三角形，多个网点131的高度相同，再如，多个网点131的剖面也可以为类锯齿形，多个网点131的高度可以不完全相同。

在本实施例中，第一光线调整结构13可以通过3d打印或喷墨打印的方式完成，网点131可通过mask(掩膜版)工艺曝光完成。考虑到与第一光转换结构14的结合力及粘附性，第一光线调整结构13的材料可以为聚酰亚胺或三聚氰胺树脂，但不限于此。

在本实施例中，第一光转换结构14位于第一光线调整结构13远离基板11的一侧，第一光转换结构14用于将从第一光线调整结构13接收的第一颜色的光转换为第二颜色的光，并从远离基板11的表面s2射出，第一颜色的光的颜色与第二颜色的光的颜色不同。

在本实施例中，第二颜色的光为红光。当然，第二颜色的光也可为绿光，或其他颜色的光。

在本实施例中，第一光转换结构14可以包括量子点。量子点的材料为cdse(硒化镉)或inp(磷化铟)，但不限于此。当第一光转换结构14用于将蓝光转换为红光时，量子点的粒径约为9纳米～10纳米。当第一光转换结构14用于将蓝光转换为绿光时，量子点的粒径约为3纳米。透过量子点的光的半波峰窄，有利于提高面光源发射的光的色纯度，也可以降低与其他颜色光的串扰。

在本实施例中，第一光线调整结构13出光均匀，第一光线调整结构13出射的光激发量子点时，可以大大降低蓝光的光照辐射密度，提升面光源的信赖性。

当然，在另一个实施例中，第一光转换结构14也可以包括荧光粉。例如，当第一光转换结构14用于将蓝光转换为红光时，第一光转换结构14也可以包括红色荧光粉，例如，红色荧光粉的材料可以为(sr,ca)alsin3∶eu²⁺。当第一光转换结构14用于将蓝光转换为绿光时，第一光转换结构14也可以包括绿色荧光粉，例如，绿色荧光粉的材料可以为γ-sialon。

在另一个实施例中，第一光转换结构14也可以包括钙钛矿。

在本实施例中，如图1所示，第一挡墙15位于第一发光二极管芯片12远离第一光线调整结构13的一侧，第一挡墙15用于将来自第一发光二极管芯片12的第一颜色的光反射至第一光线调整结构13。这样，可以提高第一发光二极管芯片12的利用率，提升光效。

在本实施例中，第一挡墙15可以为添加有反射粒子的透明胶层，反射粒子的材料为tio2或sio2，可以提升对蓝光波段460nm的反射率，但不限于此。

在本实施例中，如图1所示，第一挡墙15包括一个弧面s3，弧面s3所在球体的球心位于第一挡墙15靠近第一发光二极管芯片12的一侧，即弧面s3向远离第一发光二极管芯片12的方向弯曲。弧面s3所对应的圆心角小于或等于90度。第一发光二极管芯片12在基板11上的投影位于弧面s3在基板11上的投影内。第一挡墙15的高度大于第一光线调整结构的高度。当然，第一挡墙15的高度也可等于第一光线调整结构的高度。

在本实施例中，第一挡墙15可以通过打印的方式来实现，例如，可以通过层层堆叠来实现朝向第一发光二极管芯片12方向的弧面，弧面的曲率半径可随实际的第一发光二极管芯片12的尺寸调整。

在一个实施例中，第二挡墙16位于第一挡墙15远离基板11的一侧，第二挡墙16用于遮光。第二挡墙16的材料可以为掺杂有黑色素的环氧树脂，用于遮挡或吸收可见光。在面光源不亮时，避免第二挡墙16与基板11之间的结构被用户观察到，影响观感。

在本实施例中，如图1所示，第二挡墙16的高度小于第一光转换结构14的高度。当然，第二挡墙16的高度也可等于第一光转换结构14的高度。第二挡墙16远离基底11的表面与第一光转换结构14远离基底11的表面可齐平，但不限于此。

以上详细介绍了本发明实施例提供的面光源，下面以第一发光二极管芯片的宽度为89μm(微米)、长度为150μm的蓝光芯片为例进行介绍。其中，第一发光二极管芯片为miniled芯片，如图1所示，长度方向为x方向，宽度方向为y方向，高度方向为z方向，o为坐标系原点。

如图1所示，第一发光二极管芯片12与第一挡墙15之间存在间隙，第一发光二极管芯片12与第一挡墙15之间的间距l1为10μm，第一发光二极管芯片12与第一光线调整结构13之间的间距l2为20μm，由于第一发光二极管芯片的长度为150μm，因此，弧面s3的半弧宽度为190μm。

如图1所示，第一发光二极管芯片12的总高度为90μm，第一光线调整结构13的高度为100μm，第一光线调整结构13的高度比第一发光二极管芯片12的总高度大10μm，这样，可以实现全部收光。考虑到制作精度公差为±10μm，弧面s3高度比第一光线调整结构13的高度大20μm，即弧面s3高度为120μm，亦即，第一挡墙15的高度约为120μm，第一挡墙15的高度比第一光线调整结构13的高度大20μm。其中，第一发光二极管芯片12的总高度包括第一发光二极管芯片12的高度、焊锡的高度以及粘结剂的高度，粘结剂的材料可以是sap，但不限于此。

因此，在设计弧面s3时，弧面s3在第一发光二极管芯片12的长度方向上的尺寸为第一发光二极管芯片12的长度与30μm的和，弧面s3在第一发光二极管芯片12的宽度方向上的尺寸为第一发光二极管芯片12的宽度与30μm的和，弧面s3在第一发光二极管芯片12的高度方向上的尺寸为第一发光二极管芯片12的总高度与30μm的和。

其中，第二挡墙16的高度约为10～30μm，即考虑了量子点墨水的转换效率，第二挡墙16太厚的话出光反而会被量子点粒子吸收，亮度会下降，第二挡墙16太薄的话，量子点转色不充分，蓝光有剩余，会影响整体色点及色域。

下面以第一发光二极管芯片的宽度为15μm、长度为30μm的蓝光芯片为例进行介绍。其中，第一发光二极管芯片为microled芯片。

如图1所示，第一发光二极管芯片12与第一挡墙15之间存在间隙，第一发光二极管芯片12与第一挡墙15之间的间距l1可为2μm，第一发光二极管芯片12与第一光线调整结构13之间的间距l2为5μm，由于第一发光二极管芯片的长度为30μm，因此，弧面s3的半弧宽度可为37μm。

如图1所示，第一发光二极管芯片12的总高度为7～8μm，第一光线调整结构13的高度为9～10μm，第一光线调整结构13的高度比第一发光二极管芯片12的总高度大2μm，这样，可以实现全部收光。考虑到制作精度公差为±2μm，弧面s3高度比第一光线调整结构13的高度大4μm，即弧面s3高度为13～14μm，亦即，第一挡墙15的高度比第一光线调整结构13的高度大4μm。其中，第一发光二极管芯片12的总高度包括第一发光二极管芯片12的高度以及粘结剂的高度，粘结剂的材料可以是acf(异方性导电膜)，但不限于此。

因此，在设计弧面s3时，弧面s3在第一发光二极管芯片12的长度方向上的尺寸为第一发光二极管芯片12的长度与7μm的和，弧面s3在第一发光二极管芯片12的宽度方向上的尺寸为第一发光二极管芯片12的宽度与7μm的和，弧面s3在第一发光二极管芯片12的高度方向上的尺寸为第一发光二极管芯片12的总高度与6μm的和。

本实施例中，由于第一发光二极管芯片位于基板上，用于发射第一颜色的光，第一光线调整结构位于基板上，且与第一发光二极管芯片相邻，用于将从第一发光二极管芯片接收的第一颜色的光均匀地从远离基板的表面射出，第一光转换结构位于第一光线调整结构远离基板的一侧，用于将从第一光线调整结构接收的第一颜色的光转换为第二颜色的光，并从远离基板的表面射出，这样，当发射第二颜色的光的发光二极管芯片良率低、成本高时，可以利用发射第一颜色的光的第一发光二极管芯片以及用于将第一颜色的光转换为第二颜色的光的第一光转换结构来获取第二颜色的光，而无需使用发射第二颜色的光的发光二极管芯片，因此，可以提高面光源的良率、降低面光源的成本，进而可以提高显示装置的良率、降低成本。

本发明的实施例还提出了一种显示装置。如图4所示，该显示装置包括基板11、至少一个像素(未示出)以及封装层44。

如图4所示，上述的至少一个像素位于基板11上。每个像素包括第一子像素41、第二子像素42与第三子像素43。第一子像素41用于发射红光，第二子像素42用于发绿光，第三子像素43用于发射蓝光。

如图4所示，第一子像素41包括第一发光二极管芯片12、第一光线调整结构13与第一光转换结构14。本实施例中的第一子像素41与上述的面光源相似，第一发光二极管芯片12位于基板11上，用于发射第一颜色的光，第一光线调整结构13位于基板11上，且与第一发光二极管芯片12相邻，用于将从第一发光二极管芯片12接收的第一颜色的光均匀地从远离基板11的表面射出，第一光转换结构14位于第一光线调整结构13远离基板11的一侧，用于将从第一光线调整结构13接收的第一颜色的光转换为第二颜色的光，并从远离基板11的表面射出，第一颜色的光的颜色与第二颜色的光的颜色不同。

在本实施例中，第一发光二极管芯片12为蓝光芯片，第一颜色的光为蓝光，第二颜色的光为红光。亦即，第一发光二极管芯片12用于发射蓝光，第一光转换结构14用于将蓝光转换为红光。

如图4所示，第一子像素41还包括第一挡墙15与第二挡墙16；第一挡墙15位于第一发光二极管芯片12远离第一光线调整结构13的一侧，用于将来自第一发光二极管芯片12的第一颜色的光反射至第一光线调整结构13；第二挡墙16位于第一挡墙15远离基板11的一侧，第二挡墙16用于遮光。

如图4所示，第二子像素42与第一子像素41相似，第二子像素42包括第二发光二极管芯片22、第二光线调整结构23与第二光转换结构24，第二发光二极管芯片22位于基板11上，用于发射第一颜色的光，即，用于发蓝光。第二光线调整结构23位于基板11上，且与第二发光二极管芯片22相邻，用于将从第二发光二极管芯片22接收的第一颜色的光均匀地从远离基板11的表面射出，第二光转换结构24位于第二光线调整结构23远离基板11的一侧，用于将从第二光线调整结构23接收的第一颜色的光转换为第三颜色的光，并从远离基板11的表面射出，第一颜色的光的颜色与第三颜色的光的颜色不同。第二发光二极管芯片22为蓝光芯片，第三颜色的光为绿光。即，第二光转换结构24用于将蓝光转换为绿光。

如图4所示，第二子像素42还包括第三挡墙25与第四挡墙26。第三挡墙25与第一挡墙15结构相同，第四挡墙26与第二挡墙16结构相同。第三挡墙25位于第二发光二极管芯片22远离第二光线调整结构23的一侧，用于将来自第二发光二极管芯片22的光反射至第二光线调整结构23；第四挡墙26位于第三挡墙23远离基板11的一侧，第四挡墙26用于遮光。

如图4所示，第三子像素43包括第三发光二极管芯片32、第三光线调整结构33与第二散射膜34，第三发光二极管芯片32位于基板11上，用于发射第一颜色的光，即，第三发光二极管芯片32用于发射蓝光。第三光线调整结构33位于基板11上，且与第三发光二极管芯片32相邻，用于将从第三发光二极管芯片32接收的第一颜色的光均匀地从远离基板11的表面射出，第二散射膜34位于第三光线调整结构33远离基板11的一侧，用于将从第三光线调整结构33接收的第一颜色的光均匀地从远离基板11的表面射出。第三发光二极管芯片32为蓝光芯片。

在本实施例中，第二散射膜34为包括有散射粒子的透明胶层。其中，散射粒子的材料可以为tio2或sio2。第二散射膜34使第三子像素43发射的光的分布与第一子像素41发射的光的分布、第二子像素42发射的光的分布相同，均为高斯分布，有利于提升显示效果。

如图4所示，第三子像素43还包括第五挡墙35与第六挡墙36。第五挡墙35与第一挡墙15结构相同，第六挡墙36与第二挡墙16结构相同。第五挡墙35位于第三发光二极管芯片32远离第三光线调整结构33的一侧，用于将来自第三发光二极管芯片32的第一颜色的光反射至第三光线调整结构33；第六挡墙36位于第五挡墙35远离基板11的一侧，第六挡墙36用于遮光。

在本实施例中，第二挡墙16、第四挡墙26与第六挡墙36可以防止第一子像素41、第二子像素42与第三子像素43发射的光串色，降低显示装置的色域。

在本实施例中，第一光线调整结构13、第二光线调整结构23与第三光线调整结构33采用显示装置的制程中的工艺制备，而不是单独制备后放置在基板11上。

在本实施例中，蓝光芯片为倒装芯片。这样，蓝光芯片可向四周发射蓝光。

由于量子点的材料本身的特性，其对蓝光照射很敏感，长时间高能蓝光照射会对量子点的材料造成伤害，显示装置做成如图4所示的结构，一方面是可以增加光程，减少蓝光芯片对量子点的性能损坏，另一方面在图5中有示意，可以充分利用倒装芯片的侧面的光线，提升效率，减少整体功耗。

在本实施例中，封装层44位于像素远离基板11的一侧，用于隔离水氧。封装层44的材料可以是氮化硅。由于氮化硅的致密性比较好，因此，封装层44可以隔离水氧，保护像素，延长显示装置的寿命。

在本实施例中，封装层44通过磁控溅射实现或低温化学气相沉积(cvd)来实现。

在本实施例中，由于第一子像素41使用的是蓝光芯片而不是红光芯片，而蓝光芯片的良率比红光芯片的良率高，因此，可以提高显示装置的良率、降低成本。

在本实施例中，每个像素中第一子像素41、第二子像素42、第三子像素43均使用蓝光芯片，这样，可以提高产能及效率。

在本实施例中，第三挡墙25还可以将第一发光二极管芯片12发射的光反射至第一光线调整结构13，可以提升蓝光的利用效率。同理，第五挡墙35还可以将第二发光二极管芯片22发射的光反射至第二光线调整结构23，可以提升蓝光的利用效率。

本发明的实施例还提出了一种显示装置。本实施例与上述实施例不同的是，在本实施例中，第二发光二极管芯片22用于发射绿光。

如图6所示，第二子像素27包括第二发光二极管芯片22、第二光线调整结构23与第一散射膜27。第二发光二极管芯片22位于基板11上，用于发射第三颜色的光，第二光线调整结构23位于基板11上，且与第二发光二极管芯片22相邻，用于将从第二发光二极管芯片22接收的第三颜色的光均匀地从远离基板11的表面射出，第一散射膜27位于第二光线调整结构22远离基板11的一侧，用于将从第二光线调整结构23接收的第三颜色的光均匀地从远离基板11的表面射出。第二发光二极管芯片22为绿光芯片，第三颜色的光为绿光。即，第二子像素27用于发射绿光。第二发光二极管芯片22用于发射绿光。

在本实施例中，第一散射膜27与上述的第二散射膜34相似，为包括有散射粒子的透明胶层。其中，散射粒子的材料可以为tio2或sio2。

本发明的实施例还提出了一种面光源的制备方法，用于制备上述的面光源。如图7所示，包括以下步骤701～703：

在步骤701中，在基板上形成第一发光二极管芯片，第一发光二极管芯片用于发射第一颜色的光。

在步骤702中，形成第一光线调整结构，第一光线调整结构位于基板上，且与第一发光二极管芯片相邻，用于将从第一发光二极管芯片接收的第一颜色的光均匀地从远离基板的表面射出。

在步骤703中，形成第一光转换结构，第一光转换结构位于第一光线调整结构远离基板的一侧，用于将从第一光线调整结构接收的第一颜色的光转换为第二颜色的光，并从远离基板的表面射出，第一颜色的光的颜色与第二颜色的光的颜色不同。

在本实施例中，由于第一发光二极管芯片位于基板上，用于发射第一颜色的光，第一光线调整结构位于基板上，且与第一发光二极管芯片相邻，用于将从第一发光二极管芯片接收的第一颜色的光均匀地从远离基板的表面射出，以形成面光源，第一光转换结构位于第一光线调整结构远离基板的一侧，用于将从第一光线调整结构接收的第一颜色的光转换为第二颜色的光，并从远离基板的表面射出，这样，当发射第二颜色的光的发光二极管芯片良率低、成本高时，可以利用发射第一颜色的光的第一发光二极管芯片以及用于将第一颜色的光转换为第二颜色的光的第一光转换结构来获取第二颜色的光，而无需使用发射第二颜色的光的发光二极管芯片，因此，可以提高面光源的良率、降低面光源的成本，进而可以提高显示装置的良率、降低成本。

需要说明的是，本实施例中的显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

其中，上述流程所采用的形成工艺例如可包括：沉积、溅射等成膜工艺和刻蚀等构图工艺。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

在本发明中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本发明的其它实施方案。本发明旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。