显示装置的制作方法

显示装置
1.本技术要求于2020年12月24日提交的第10-2020-0183612号韩国专利申请的优先权和所有权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
2.一个或更多个实施例涉及一种显示装置。


背景技术：

3.显示装置被构造为可视地显示数据。显示装置可以用作诸如移动电话的小型产品或诸如电视的大型产品的显示器。
4.显示装置可以包括被划分为显示区域和非显示区域的基底，并且栅极线和数据线在显示区域中彼此绝缘。多个像素区域限定在显示区域中，并且多个像素区域中的每个中的像素从彼此交叉的栅极线和数据线接收电信号并发射光以向外部显示图像。薄膜晶体管和电连接到薄膜晶体管的像素电极设置在多个像素区域中的每个中，对电极公共地设置在多个像素区域中的每个中。在这样的显示装置中，可以在非显示区域中设置被构造为向显示区域中的像素传输电信号的各种线；可连接到栅极驱动器、数据驱动器和控制器的垫(pad，或被称为“焊盘”)等。
5.最近，显示装置的使用已经多样化。此外，显示装置已经变得更薄且更轻质，因此，显示装置的使用已经被扩展。随着显示装置被更广泛地使用在各种领域中，已经进行了研究以给予用户视觉满意度，诸如扩展显示装置的显示区域。正在尝试各种研究来扩展显示区域。


技术实现要素：

6.一个或更多个实施例包括一种其中非显示区域缩小的显示装置。
7.根据实施例，显示装置包括：基底，在基底中限定有透射区域、显示区域、非显示区域和外围区域，显示区域围绕透射区域的至少一部分，非显示区域在透射区域与显示区域之间，外围区域在显示区域外侧；多个像素，以像素行和像素列布置在显示区域中；多条初始化栅极线和多条补偿栅极线，分别沿着像素列延伸；多个栅极驱动电路，设置在外围区域中，并且布置在像素列的方向上；以及多条栅极连接线，设置在非显示区域中，其中所述多个栅极驱动电路之中的第k栅极驱动电路同时驱动所述多条初始化栅极线之中的第m初始化栅极线和第m+1初始化栅极线以及所述多条补偿栅极线之中的第n补偿栅极线和第n+1补偿栅极线，第m初始化栅极线和述第m+1初始化栅极线以及第n补偿栅极线和第n+1补偿栅极线中的每条包括被透射区域彼此物理地分开的第一部分和第二部分，并且第n补偿栅极线和第n+1补偿栅极线中的每条的第一部分和第二部分通过所述多条栅极连接线之中的第一栅极连接线彼此电连接，其中k和n是正整数，并且m是大于n+1的正整数。
8.根据实施例，偶数个像素行可以在第n+1像素行与第m像素行之间。
9.根据实施例，第m初始化栅极线和第m+1初始化栅极线中的每条的第一部分和第二
部分可以通过所述多条栅极连接线之中的第二栅极连接线彼此电连接。
10.根据实施例，第一栅极连接线可以使第m初始化栅极线和第m+1初始化栅极线中的每条的第一部分和第二部分彼此电连接。
11.根据实施例，两个像素行可以在第n+1像素行与第m像素行之间，所述多条初始化栅极线之中的第n初始化栅极线和第n+1初始化栅极线可以通过所述多个栅极驱动电路之中的第k-2栅极驱动电路同时驱动，并且所述多条补偿栅极线之中的第m补偿栅极线和第m+1补偿栅极线可以通过所述多个栅极驱动电路之中的第k+2栅极驱动电路同时驱动。
12.根据实施例，第m像素行可以是与第n+1像素行邻近的像素行。
13.根据实施例，第一栅极连接线可以使第m初始化栅极线和第m+1初始化栅极线中的每条的第一部分和第二部分彼此电连接。
14.根据实施例，第m初始化栅极线和第m+1初始化栅极线中的每条的第一部分和第二部分可以通过所述多条栅极连接线之中的第二栅极连接线彼此电连接。
15.根据实施例，所述多条初始化栅极线之中的第n初始化栅极线和第n+1初始化栅极线可以通过所述多个栅极驱动电路之中的第k-1栅极驱动电路同时驱动，并且所述多条补偿栅极线之中的第m补偿栅极线和第m+1补偿栅极线可以通过所述多个栅极驱动电路之中的第k+1栅极驱动电路同时驱动。
16.根据实施例，m+1可以等于2k。
17.根据实施例，第k栅极驱动电路可以包括：一侧栅极驱动电路，设置在外围区域的一侧上，其中一侧栅极驱动电路可以向第m初始化栅极线和第m+1初始化栅极线中的每条的第一部分以及第n补偿栅极线和第n+1补偿栅极线中的每条的第一部分输出第一栅极信号；以及另一侧栅极驱动电路，设置在外围区域的另一侧上，其中，另一侧栅极驱动电路可以向第m初始化栅极线和第m+1初始化栅极线中的每条的第二部分以及第n补偿栅极线和第n+1补偿栅极线中的每条的第二部分输出第二栅极信号。
18.根据实施例，显示装置还可以包括：多条扫描线，分别沿着像素行延伸；多个扫描驱动电路，在列方向上设置在外围区域中，其中所述多个扫描驱动电路可以顺序地驱动所述多条扫描线；以及多条扫描连接线，设置在非显示区域中，其中所述多条扫描线之中的第n扫描线和第n+1扫描线中的每条可以包括被透射区域彼此物理地分开的第一部分和第二部分，第n扫描线的第一部分和第二部分通过所述多条扫描连接线之中的第一扫描连接线彼此电连接，并且第n+1扫描线的第一部分和第二部分通过所述多条扫描连接线之中的第二扫描连接线彼此电连接。
19.根据实施例，第一扫描连接线可以包括：第一扫描连接电极，使第n扫描线的第一部分电连接到第n扫描线的第二部分；以及第二扫描连接电极，使第n扫描线的第一部分电连接到第n扫描线的第二部分。
20.根据实施例，显示装置还可以包括：第一导电层，包括第一扫描连接电极；半导体层，设置在第一导电层上；以及第二导电层，在半导体层上，并且包括第二扫描连接电极。
21.根据实施例，显示装置还可以包括：多条发射控制线，分别沿着像素行延伸；以及多个发射控制驱动电路，设置在外围区域中，并且布置在像素列的方向上，其中所述多条发射控制线之中的第n发射控制线和第n+1发射控制线中的每条包括被透射区域彼此物理地分开并电绝缘的第一部分和第二部分，第n发射控制线的第一部分和第n+1发射控制线的第
一部分可以通过所述多个发射控制驱动电路之中的在外围区域的一侧上的第一发射控制驱动电路同时驱动，并且第n发射控制线的第二部分和第n+1发射控制线的第二部分可以通过所述多个发射控制驱动电路之中的在外围区域的另一侧上的第二发射控制驱动电路同时驱动。
22.根据实施例，显示装置还可以包括：多条发射控制线，分别沿着像素行延伸；多个发射控制驱动电路，设置在外围区域中，并且布置在像素列的方向上；以及发射控制连接线，设置在非显示区域中，其中所述多条发射控制线之中的第n发射控制线和第n+1发射控制线中的每条可以包括被透射区域彼此物理地分开的第一部分和第二部分，并且第n发射控制线和第n+1发射控制线中的每条的第一部分和第二部分可以通过发射控制连接线彼此电连接。
23.根据实施例，所述多个像素之中的布置在第n像素行中的像素中的每个可以包括：发光元件；驱动晶体管，基于栅极-源极电压控制流到发光元件的电流；扫描晶体管，响应于扫描信号向驱动晶体管传输数据电压；栅极初始化晶体管，响应于通过所述多条初始化栅极线之中的第n初始化栅极线传输的信号而向驱动晶体管的栅极施加初始化电压；以及补偿晶体管，响应于通过第n补偿栅极线传输的信号使驱动晶体管的漏极连接到驱动晶体管的栅极。
24.根据实施例，栅极初始化晶体管和补偿晶体管中的每个的导电类型可以与扫描晶体管的导电类型相反。
25.根据实施例，显示装置还可以包括：第一半导体层，包括扫描晶体管的有源区；第二半导体层，包括栅极初始化晶体管的有源区和补偿晶体管的有源区；以及导电层，在第一半导体层与第二半导体层之间。
26.根据实施例，第一半导体层可以包括硅半导体材料，并且第二半导体层可以包括氧化物半导体材料。
27.根据实施例，通过第n补偿栅极线传输的信号的导通持续时长可以等于扫描信号的导通持续时长的两倍，或者大于扫描信号的导通持续时长的两倍。
28.根据实施例，通孔可以被限定为穿过基底以与透射区域对应。
29.根据实施例，显示装置包括：基底，在基底中限定有透射区域、显示区域、非显示区域和外围区域，显示区域围绕透射区域的至少一部分，非显示区域在透射区域与显示区域之间，外围区域在显示区域外侧；多个像素，以像素列和像素行布置在显示区域中；多条栅极线，分别沿着像素行延伸；以及多条栅极连接线，设置在非显示区域中，其中第m栅极线和第m+1栅极线以及第n栅极线和第n+1栅极线中的每条包括被透射区域彼此物理地分开的第一部分和第二部分，第m栅极线、第m+1栅极线、第n栅极线和第n+1栅极线中的每条的第一部分在外围区域中彼此连接，并且第m栅极线和第m+1栅极线中的每条的第一部分和第二部分通过所述多条栅极连接线之中的第一栅极连接线彼此电连接，其中，n是正整数，并且m是大于n+1的正整数。
30.根据实施例，第n栅极线和第n+1栅极线中的每条的第一部分和第二部分可以通过所述多条栅极连接线之中的第二栅极连接线彼此电连接。
31.根据实施例，第一栅极连接线可以使第n栅极线和第n+1栅极线中的每条的第一部分和第二部分彼此电连接。
32.根据实施例，第m栅极线、第m+1栅极线、第n栅极线和第n+1栅极线中的每条的第二部分在外围区域中彼此连接。
33.将通过附图、权利要求和详细描述更好地理解公开的其他特征。
附图说明
34.通过以下结合附图的详细描述，公开的特定实施例的以上和其他特征将变得更加明显，在附图中：
35.图1是根据实施例的电子设备的示意性透视图；
36.图2是沿着图1的线i-i’截取的电子设备的剖视图；
37.图3是根据实施例的显示装置的示意性放大平面图；
38.图4是根据可选实施例的显示装置的示意性放大平面图；
39.图5是根据实施例的显示装置的示意性放大平面图；
40.图6是根据实施例的显示装置的示意性放大平面图；
41.图7是根据可选实施例的显示装置的示意性放大平面图；
42.图8是根据实施例的显示装置的像素的示意性等效电路图；
43.图9是根据实施例的显示装置的示意性放大平面图；
44.图10是根据实施例的用于描述驱动多个像素的方法的信号时序图；
45.图11是根据可选实施例的用于描述驱动多个像素的方法的信号时序图；以及
46.图12和图13是沿着图9的线ii-ii’截取的显示装置的剖视图。
具体实施方式
47.现在，将在下文中参照其中示出了各种实施例的附图更充分地描述发明。然而，本公开可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为限于在这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域的技术人员充分传达发明的范围。同样的附图标记始终表示同样的元件。
48.由于本描述允许各种变化和许多实施例，所以特定实施例将在附图中示出并且在书面描述中详细描述。将参照下面参照附图详细描述的实施例来阐明公开的效果和特征以及实现它们的方法。然而，公开不限于以下实施例并且可以以许多不同的形式来实施。
49.将理解的是，当元件被称为“在”另一元件“上”时，该元件可以直接在所述另一元件上，或者在该元件和所述另一元件之间可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。
50.将理解的是，尽管可以在这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离在这里的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
51.这里使用的术语仅是出于描述具体实施例的目的，并非意图限制。如在这里使用的，除非上下文另外清楚地指出，否则单数形式的“一”、“一个(种/者)”和“所述/该”以及“至少一个(种/者)”不表示数量的限制，而意图包括单数和复数两者。例如，除非上下文另外清楚地指出，否则“元件”与“至少一个元件”具有同一含义。“至少一个(种/者)”不应被解释为限制“一”或“一个(种/者)”。“或”表示“和/或”。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任何组合和所有组合。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”时，说明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是不排除存在或附加一个或更多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
52.为了便于解释，可以夸大或缩小在附图中的元件的尺寸。例如，因为为了便于解释而任意地示出了附图中的组件的尺寸和厚度，所以公开不限于此。
53.当特定实施例可以被不同地实施时，可以与所描述的顺序不同地执行具体工艺顺序。例如，可基本上同时执行或者按照与所描述的顺序相反的顺序来执行两个连续描述的工艺。
54.此外，可以在这里使用诸如“下”或“底”以及“上”或“顶”的相对术语来描述如在附图中示出的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，相对术语意图包括装置的除了在附图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果附图之一中的装置被翻转，则被描述为在其他元件的“下”侧上的元件随后将被定向为在所述其他元件的“上”侧上。因此，根据附图的具体方位，术语“下”可以包括“下”和“上”两种方位。类似地，如果附图之一中的装置被翻转，则被描述为“在”其他元件“下方”或“之下”的元件随后将被定向为“在”所述其他元件“上方”。因此，术语“在
……
下方”或“在
……
之下”可以包括上方和下方两种方位。
55.还将理解的是，当层、区域或组件被称为彼此连接时，它们可以彼此直接连接，或者在中间层、中间区域或中间组件位于它们之间的情况下彼此间接连接。例如，当层、区域或组件被称为彼此电连接时，它们可以彼此直接电连接，或者在中间层、中间区域或中间组件位于它们之间的情况下彼此间接电连接。
56.x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴，并且可以以更广泛的意义来解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。
57.除非另有定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在这里如此明确定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关领域和本公开的上下文中的含义一致的含义，而将不以理想化或者过于形式化的意义来解释。
58.这里，参照作为理想化实施例的示意图的剖视图来描述实施例。如此，将预计由例如制造技术和/或公差导致的示出的形状的变化。因此，这里描述的实施例不应被解释为受限于如这里示出的区域的具体形状，而是将包括由例如制造导致的形状的差异。例如，被示出或被描述为平坦的区域通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，示出的锐角可以被倒圆。因此，附图中示出的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不意图示出区域的精确形状，并且不意图限制本权利要求的范围。
59.在下文中，将参照附图详细描述发明的实施例。
60.图1是根据实施例的电子设备1的示意性透视图。
61.参照图1，电子设备1的实施例被构造为显示动态图像或静态图像，并且可以限定
用于各种产品显示屏，不仅包括便携式电子设备(诸如移动电话、智能电话、平板个人计算机(“pc”)、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(“pmp”)、导航和超移动pc(“umpc”))，而且还包括电视(“tv”)、膝上型计算机、监视器、广告牌和物联网(“iot”)装置。
62.电子设备1的实施例也可以用在诸如智能手表、手表电话、眼镜型显示器或头戴式显示器(“hmd”)的可穿戴装置中。
63.可选地，电子设备1还可以用作汽车的仪表板、汽车的仪表中央盒或中央仪表板上的中央信息显示器(“cid”)、替换汽车的侧视镜的车内镜显示器以及布置在前排座椅的后侧上以用作汽车后座乘客的娱乐装置的显示器。在图1中，为了便于说明和描述，示出了电子设备1用作智能电话的实施例。
64.电子设备1的实施例在平面图中可以具有矩形形状。在一个实施例中，例如，如图1中所示，电子设备1可以具有拥有在
±
x方向上的短边和在
±
y方向上的长边的矩形平面形状。在
±
x方向上的短边和在
±
y方向上的长边彼此相遇的边缘可以被倒圆以具有特定曲率，或者可以被形成为具有直角。电子设备1的平面形状不限于矩形，而是可以具有其他多边形形状、椭圆形形状或不规则形状。
65.在实施例中，电子设备1可以包括透射区域ta和围绕透射区域ta的至少一部分的显示区域da。电子设备1可以包括在透射区域ta与显示区域da之间的非显示区域nda以及在显示区域da外部的外围区域pa。在一个实施例中，例如，外围区域pa可以围绕显示区域da。
66.透射区域ta可以位于显示区域da内部。根据实施例，如图1中所示，透射区域ta可以在显示区域da的左上侧上。可选地，透射区域ta可以被不同地布置。在一个实施例中，例如，透射区域ta可以布置在显示区域da的中心，或者可以布置在显示区域da的右上侧上。在本文中，“左”、“右”、“上”和“下”是指当在电子设备1的平面图中观看时，电子设备1的竖直方向或水平方向。在一个实施例中，例如，“左”是指-x方向，“右”是指+x方向，“上”是指+y方向，“下”是指-y方向。图1示出了布置单个透射区域ta的实施例，但是在可选实施例中，可以设置多个透射区域ta。
67.电子设备1可以通过使用显示区域da中的多个像素px来提供图像。像素px中的每个可以包括显示元件。像素px中的每个可以包括诸如有机发光二极管的显示元件。像素px中的每个可以从有机发光二极管发射例如红光、绿光、蓝光或白光。在下文中，像素px可以指发射彼此不同颜色的光的子像素。像素px中的每个可以是例如红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中的一个。
68.图2是沿着图1的线i-i’截取的电子设备1的剖视图。
69.参照图2，电子设备1可以包括显示装置10和在显示装置10下方以与显示装置10的透射区域ta叠置的组件70。显示装置10和组件70可以容纳在壳体hs中。
70.显示装置10可以包括显示元件层20、输入感测层40、光功能层50和覆盖窗60。
71.显示元件层20可以包括发射光以显示图像的显示元件(或发光元件)。显示元件可以包括发光二极管，例如，包括有机发射层的有机发光二极管。
72.根据可选实施例，发光二极管可以包括包含无机材料的无机发光二极管。无机发光二极管可以包括包含无机半导体类材料的pn结二极管。在这样的实施例中，当在正向方向上向pn结二极管施加电压时，空穴和电子可以被注入并复合以产生能量。pn结二极管可
以将所产生的能量转换成光能以发射特定颜色的光。无机发光二极管可以具有几微米至几百微米的宽度。根据实施例，无机发光二极管可以被称为微型发光二极管。根据可选实施例，显示元件层20可以包括量子点发光二极管。
73.在这样的实施例中，显示元件层20的发射层可以包括有机材料、无机材料、量子点、有机材料和量子点或者无机材料和量子点。
74.输入感测层40可以获得与外部输入(例如，触摸事件)对应的坐标信息。输入感测层40可以包括感测电极(或触摸电极)和电连接到感测电极的迹线。输入感测层40可以在显示元件层20上方。输入感测层40可以通过使用互电容方法和/或自电容方法来感测外部输入。
75.输入感测层40可以直接形成在显示元件层20上，或者可以单独形成并且然后通过粘合层(诸如光学透明粘合剂(“oca”))结合到显示元件层20。在一个实施例中，例如，输入感测层40可以在形成显示元件层20的工艺之后连续地形成。在这样的实施例中，粘合层可以不在输入感测层40与显示元件层20之间。图2示出了输入感测层40在显示元件层20与光功能层50之间的实施例，但是在可选实施例中，输入感测层40可以在光功能层50上方。
76.光功能层50可以包括抗反射层。抗反射层可以减少通过覆盖窗60从外部朝向显示装置10入射的光(外部光)的反射率。抗反射层可以包括延迟器和偏振器。延迟器可以是膜型延迟器或液晶涂层型延迟器。此外，偏振器可以是膜型偏振器或液晶涂层型偏振器。膜型偏振器可以包括拉伸的合成树脂膜，液晶涂层型偏振器可以包括以特定阵列布置的液晶。
77.根据可选实施例，抗反射层可以包括黑色矩阵和滤色器。滤色器可以基于从显示元件层20的每个发光二极管发射的光的颜色的布置来布置。根据可选实施例，抗反射层可以包括相消干涉结构。相消干涉结构可以包括彼此在不同的层上的第一反射层和第二反射层。分别从第一反射层和第二反射层反射的第一反射光和第二反射光可以彼此相消干涉。因此，降低了外部光的反射率。
78.光功能层50可以包括透镜层。透镜层可以改善从显示元件层20发射的光的光发射效率，或者可以减少颜色偏差。透镜层可以包括具有凹透镜形状或凸透镜形状的层，或者/并且可以包括具有彼此不同的折射率的多个层。光功能层50可以包括上述抗反射层和透镜层中的一者或两者。
79.在实施例中，显示装置10可以包括开口10h，即，开口10h可以被限定为穿过显示装置10的一部分。在本文中，当元件被描述为包括开口时，该描述意味着开口被限定为穿过元件。在一实施例中，如图2中所示，显示元件层20、输入感测层40和光功能层50分别包括第一开口20h、第二开口40h和第三开口50h，并且第一开口20h、第二开口40h和第三开口50h彼此叠置。
80.第一开口20h可以从显示元件层20的顶表面延伸穿过显示元件层20的底表面，第二开口40h可以从输入感测层40的顶表面延伸穿过输入感测层40的底表面，第三开口50h可以从光功能层50的顶表面延伸穿过光功能层50的底表面。
81.显示装置10的开口10h(例如，第一开口20h、第二开口40h和第三开口50h)可以被布置为在透射区域ta中彼此叠置。在实施例中，第一开口20h、第二开口40h和第三开口50h可以具有彼此相同的尺寸(或直径)。可选地，第一开口20h、第二开口40h和第三开口50h可以具有彼此不同的尺寸(或直径)。
82.根据可选实施例，选自显示元件层20、输入感测层40和光功能层50中的至少一者可以不包括开口。在一个实施例中，例如，选自显示元件层20、输入感测层40和光功能层50中的一个元件或两个元件可以不包括开口。
83.覆盖窗60可以在光功能层50上。覆盖窗60可以通过诸如oca的粘合层结合到光功能层50。覆盖窗60可以包括玻璃材料或塑料材料。塑料材料可以包括聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素。
84.覆盖窗60可以包括柔性窗。在一个实施例中，例如，覆盖窗60可以包括聚酰亚胺窗或超薄玻璃窗。
85.透射区域ta可以是用于向电子设备1添加各种功能的组件70布置其中的一种类型的组件区域(例如，传感器区域、相机区域、扬声器区域等)。组件70可以被布置为与显示装置10的开口10h叠置。
86.组件70可以包括电子元件。在一个实施例中，例如，组件70可以包括使用光或声音的电子元件。在一个实施例中，例如，电子元件可以包括使用光的传感器(例如，红外传感器)、被构造为接收光以拍摄图像的相机、被构造为通过输出和感测光或声音来测量距离或识别指纹的传感器、被构造为输出光的小灯、被构造为输出声音的扬声器等。
87.使用光的电子元件可以使用诸如可见光、红外光和紫外光的各种波段的光。透射区域ta可以与从组件70输出到外部或从外部引导到电子元件的光或/和声音可以穿过其透射的区域对应。
88.根据可选实施例，在电子设备1用作智能手表或用于车辆的仪表板的情况下，组件70可以包括包含时钟指针或指示特定信息(例如，车辆速度等)的指针的构件。在这样的实施例中，覆盖窗60可以包括在透射区域ta中的开口，使得诸如指针的组件70暴露于外部。在实施例中，在电子设备1包括诸如扬声器的组件70的情况下，覆盖窗60也可以包括与透射区域ta对应的开口。
89.图3是根据实施例的显示装置10的示意性放大平面图。
90.参照图3，显示装置10的实施例可以包括透射区域ta、显示区域da、非显示区域nda和外围区域pa。非显示区域nda可以围绕透射区域ta的至少一部分。非显示区域nda是其中未布置有诸如有机发光二极管的显示元件的区域。如稍后将描述的，被构造为向在透射区域ta周围的像素px提供信号的信号线可以穿过或延伸穿过非显示区域nda。显示装置10可以包括与透射区域ta对应的开口10h。
91.在实施例中，显示装置10包括基底100，使得基底可以被描述为包括(或限定)透射区域ta、显示区域da、非显示区域nda和外围区域pa。在这样的实施例中，基底100可以包括与透射区域ta对应的开口。
92.显示装置10可以包括在显示区域da中的多个像素px。多个像素px可以以像素行和像素列布置。像素行可以在行方向(例如，
±
x方向)上延伸，像素列可以在列方向(例如，
±
y方向)上延伸。
93.显示装置10可以通过使用从像素px的发光二极管发射的光(例如，红光、绿光和蓝光)来显示图像。像素px的发光二极管可以包括有机发光二极管oled，如稍后将参照图8描述的。有机发光二极管oled可以电连接到像素电路pc。图8示出了发光二极管包括有机发光
二极管oled的实施例，但是在可选实施例中，如上所述，显示装置10可以包括无机发光二极管而不是有机发光二极管oled。
94.像素px可以电连接到外围区域pa中的外部电路。多个栅极驱动电路gdc可以在外围区域pa中。在实施例中，如图3中所示，多个栅极驱动电路gdc可以在列方向(例如，
±
x方向)上布置在外围区域pa中。
95.栅极驱动电路gdc可以连接到布置在像素行中的多条补偿栅极线gc和多条初始化栅极线gi。栅极驱动电路gdc可以连接到在行方向(例如，
±
x方向)上延伸的补偿栅极线gc和初始化栅极线gi。
96.补偿栅极线gc中的每条可以连接到位于同一行中的像素px。补偿栅极线gc可以被构造为向位于同一行中的像素px顺序地传输电信号。在一个实施例中，例如，如图3中所示，补偿栅极线gc之中的第n补偿栅极线gcn可以连接到位于第n行中的第n像素pxn，并且可以被构造为向第n像素pxn顺序地传输电信号。在这样的实施例中，补偿栅极线gc之中的第n+1补偿栅极线gcn+1可以连接到位于第n+1行中的第n+1像素pxn+1，并且可以被构造为向第n+1像素pxn+1顺序地传输电信号。这里，n是正整数。
97.初始化栅极线gi中的每条可以连接到位于同一行中的像素px。初始化栅极线gi可以被构造为向位于同一行中的像素px顺序地传输电信号。在一个实施例中，例如，如图3中所示，初始化栅极线gi之中的第m初始化栅极线gim可以连接到位于第m行中的第m像素pxm，并且可以被构造为向第m像素pxm顺序地传输电信号。在这样的实施例中，初始化栅极线gi之中的第m+1初始化栅极线gim+1可以连接到位于第m+1行中的第m+1像素pxm+1，并且可以被构造为向第m+1像素pxm+1顺序地传输电信号。这里，m是大于n+1的正整数。
98.因为m大于n+1，所以多个像素行可以在第n+1像素行与第m像素行之间。在一个实施例中，例如，偶数个像素行可以在第n+1像素行与第m像素行之间。在一个实施例中，例如，两个像素行可以在第n+1像素行与第m像素行之间。
99.可选地，第m像素行可以是与第n+1像素行邻近的像素行或紧随第n+1像素行之后的像素行。在这样的实施例中，m可以是n+2。
100.根据实施例，栅极驱动电路gdc可以同时驱动补偿栅极线gc并且同时驱动初始化栅极线gi。由同一栅极驱动电路gdc驱动的补偿栅极线gc和初始化栅极线gi可以在外围区域pa中彼此连接。
101.在一个实施例中，例如，如图3中所示，栅极驱动电路gdc之中的第k栅极驱动电路gdck可以同时驱动补偿栅极线gc之中的第n补偿栅极线gcn和第n+1补偿栅极线gcn+1以及初始化栅极线gi之中的第m初始化栅极线gim和第m+1初始化栅极线gim+1。第n补偿栅极线gcn、第n+1补偿栅极线gcn+1、第m初始化栅极线gim和第m+1初始化栅极线gim+1可以在外围区域pa中彼此连接。这里，k是正整数。
102.图3示出了栅极驱动电路gdc中的每个同时驱动两条补偿栅极线gc和两条初始化栅极线gi的实施例，但是由栅极驱动电路gdc中的每个同时驱动的补偿栅极线gc的数量和/或初始化栅极线gi的数量可以不同地改变。
103.根据实施例，补偿栅极线gc中的在行方向(例如，
±
x方向)上与透射区域ta相邻的每条可以具有被透射区域ta彼此物理地分开的第一部分和第二部分。在一个实施例中，例如，如图3中所示，补偿栅极线gc之中的第n补偿栅极线gcn可以具有被透射区域ta彼此物理
地分开的第一部分gcan和第二部分gcbn。补偿栅极线gc之中的第n+1补偿栅极线gcn+1可以具有被透射区域ta彼此物理地分开的第一部分gcan+1和第二部分gcbn+1。
104.根据实施例，初始化栅极线gi中的在行方向(例如，
±
x方向)上与透射区域ta相邻的每条可以具有被透射区域ta彼此物理地分开的第一部分和第二部分。在一个实施例中，例如，如图3中所示，初始化栅极线gi之中的第m初始化栅极线gim可以具有被透射区域ta彼此物理地分开的第一部分giam和第二部分gibm。初始化栅极线gi之中的第m+1初始化栅极线gim+1可以具有被透射区域ta彼此物理地分开的第一部分giam+1和第二部分gibm+1。
105.多条栅极连接线gcl可以在位于透射区域ta与显示区域da之间的非显示区域nda中。栅极连接线gcl中的每条可以沿着显示装置10的形成或限定在透射区域ta中的开口10h的边缘绕过非显示区域nda。
106.在实施例中，栅极连接线gcl可以使补偿栅极线gc的彼此分开的第一部分和第二部分电连接。在这样的实施例中，栅极连接线gcl可以使初始化栅极线gi的彼此分开的第一部分和第二部分电连接。
107.在一个实施例中，例如，如图3中所示，第n补偿栅极线gcn的第一部分gcan和第n+1补偿栅极线gcn+1的第一部分gcan+1以及第n补偿栅极线gcn的第二部分gcbn和第n+1补偿栅极线gcn+1的第二部分gcbn+1可以通过栅极连接线gcl之中的第一栅极连接线gcl1彼此电连接。在这样的实施例中，第m初始化栅极线gim的第一部分giam和第m+1初始化栅极线gim+1的第一部分giam+1以及第m初始化栅极线gim的第二部分gibm和第m+1初始化栅极线gim+1的第二部分gibm+1可以通过栅极连接线gcl之中的第二栅极连接线gcl2彼此电连接。
108.在实施例中，如上所述，由同一栅极驱动电路gdc驱动的补偿栅极线gc的第一部分和第二部分可以通过一条栅极连接线gcl彼此电连接。由同一栅极驱动电路gdc驱动的初始化栅极线gi的第一部分和第二部分可以通过一条栅极连接线gcl彼此电连接。在这样的实施例中，因为绕过透射区域ta的栅极连接线gcl的数量减少，所以可以减小非显示区域nda。因此，可以相对增大显示区域da。
109.在这样的实施例中，因为补偿栅极线gc的被透射区域ta彼此分开的第一部分和第二部分通过栅极连接线gcl彼此连接，所以电信号可以传输到补偿栅极线gc的第二部分。在这样的实施例中，因为初始化栅极线gi的被透射区域ta彼此分开的第一部分和第二部分通过栅极连接线gcl彼此连接，所以电信号可以传输到初始化栅极线gi的第二部分。
110.图3示出了栅极驱动电路gdc在外围区域pa的一侧上的实施例，但是在可选实施例中，栅极驱动电路gdc也可以在外围区域pa的另一侧(与所述一侧相对的一侧)上。在这样的实施例中，栅极驱动电路gdc可以在外围区域pa的一侧和/或另一侧上。图9示出了其中栅极驱动电路gdc位于外围区域pa的一侧和另一侧上的实施例。
111.外围区域pa的另一侧上的栅极驱动电路gdc可以连接到补偿栅极线gc的第二部分和初始化栅极线gi的第二部分。外围区域pa的另一侧上的栅极驱动电路gdc可以驱动补偿栅极线gc的第二部分和初始化栅极线gi的第二部分。
112.在透射区域ta在显示区域da的一侧上的实施例中，补偿栅极线gc的第一部分的长度可以与补偿栅极线gc的第二部分的长度不同。在一个实施例中，例如，在透射区域ta位于显示区域da的左上侧上的情况下，补偿栅极线gc的第二部分的长度可以比补偿栅极线gc的第一部分的长度大。这种长度的差异可能导致电信号(例如，扫描信号)的负载的差异。因为
补偿栅极线gc的第一部分和补偿栅极线gc的第二部分通过栅极连接线gcl彼此连接，所以可以抵消负载的差异。补偿栅极线gc的这种特征可以应用于初始化栅极线gi。
113.图4是根据可选实施例的显示装置10的示意性放大平面图。图4是图3的修改实施例，在图4中修改了栅极连接线gcl的结构。
114.参照图4，在可选实施例中，栅极驱动电路gdc中的每个可以同时驱动多条补偿栅极线gc并且可以同时驱动多条初始化栅极线gi。在一个实施例中，例如，栅极驱动电路gdc之中的第k栅极驱动电路gdck可以同时驱动补偿栅极线gc之中的第n补偿栅极线gcn和第n+1补偿栅极线gcn+1以及初始化栅极线gi之中的第m初始化栅极线gim和第m+1初始化栅极线gim+1。这里，k和n是正整数，m是大于n+1的正整数。
115.根据实施例，由同一栅极驱动电路gdc驱动的补偿栅极线gc和初始化栅极线gi的第一部分和第二部分可以通过单条栅极连接线gcl彼此电连接。
116.在一个实施例中，例如，如上所述，第k栅极驱动电路gdck可以同时驱动第n补偿栅极线gcn、第n+1补偿栅极线gcn+1、第m初始化栅极线gim和第m+1初始化栅极线gim+1。在这样的实施例中，第n补偿栅极线gcn的第一部分gcan、第n+1补偿栅极线gcn+1的第一部分gcan+1、第m初始化栅极线gim的第一部分giam和第m+1初始化栅极线gim+1的第一部分giam+1可以分别通过栅极连接线gcl电连接到第n补偿栅极线gcn的第二部分gcbn、第n+1补偿栅极线gcn+1的第二部分gcbn+1、第m初始化栅极线gim的第二部分gibm和第m+1初始化栅极线gim+1的第二部分gibm+1。
117.在这样的实施例中，如上所述，由同一栅极驱动电路gdc驱动的补偿栅极线gc和初始化栅极线gi的第一部分和第二部分通过单条栅极连接线gcl彼此电连接，使得绕过透射区域ta的栅极连接线gcl的数量可以减少，因此，可以减小非显示区域nda。因此，可以相对增大显示区域da。在这样的实施例中，可以减小(或消除)由于补偿栅极线gc和初始化栅极线gi的第一部分和第二部分之间的长度差异引起的负载差异。
118.图5是根据实施例的显示装置10的示意性放大平面图。
119.参照图5，在实施例中，多个扫描驱动电路sdc可以在外围区域pa中。如图5中所示，多个扫描驱动电路sdc可以在列方向(例如，
±
x方向)上布置在外围区域pa中。
120.扫描驱动电路sdc可以连接到布置在像素行中的多条扫描线gw。扫描驱动电路sdc可以连接到在行方向(例如，
±
x方向)上延伸的扫描线gw。扫描驱动电路sdc可以被构造为顺序地驱动扫描线gw。
121.扫描线gw中的每条可以连接到位于同一行中的像素px。扫描线gw可以被构造为向位于同一行中的像素px顺序地传输电信号。在一个实施例中，例如，如图5中所示，扫描线gw之中的第n扫描线gwn可以连接到位于第n行中的第n像素pxn，并且可以被构造为向第n像素pxn顺序地传输电信号。在这样的实施例中，扫描线gw之中的第n+1扫描线gwn+1可以连接到位于第n+1行中的第n+1像素pxn+1，并且可以被构造为向第n+1像素pxn+1顺序地传输电信号。n是正整数。
122.根据实施例，扫描线gw中的在行方向(例如，
±
x方向)上与透射区域ta相邻的每条可以具有被透射区域ta彼此物理地分开的第一部分和第二部分。在一个实施例中，例如，如图5中所示，扫描线gw之中的第n扫描线gwn可以具有被透射区域ta彼此物理地分开的第一部分gwan和第二部分gwbn。在这样的实施例中，扫描线gw之中的第n+1扫描线gwn+1可以具
有被透射区域ta彼此物理地分开的第一部分gwan+1和第二部分gwbn+1。
123.多条扫描连接线scl可以在位于透射区域ta与显示区域da之间的非显示区域nda中。扫描连接线scl中的每条可以沿着显示装置10的限定或形成在透射区域ta中的开口10h的边缘绕过非显示区域nda。
124.扫描连接线scl可以使扫描线gw的彼此分开的第一部分和第二部分电连接。
125.在一个实施例中，例如，如图5中所示，第n扫描线gwn的第一部分gwan和第二部分gwbn可以通过扫描连接线scl之中的第一扫描连接线scl1彼此电连接。在这样的实施例中，第n+1扫描线gwn+1的第一部分gwan+1和第二部分gwbn+1可以通过扫描连接线scl之中的第二扫描连接线scl2彼此电连接。
126.在这样的实施例中，因为扫描线gw的被透射区域ta彼此分开的第一部分和第二部分通过扫描连接线scl彼此连接，所以电信号可以传输到扫描线gw的第二部分。
127.图5示出了扫描驱动电路sdc在外围区域pa的一侧上的实施例，但在可选实施例中，扫描驱动电路sdc也可以在外围区域pa的另一侧(例如，与所述一侧相对的一侧)上。在这样的实施例中，扫描驱动电路sdc可以在外围区域pa的一侧和/或另一侧上。图9示出了其中扫描驱动电路sdc位于外围区域pa的一侧和另一侧上的实施例。
128.在外围区域pa的另一侧上的扫描驱动电路sdc可以连接到扫描线gw的第二部分。在外围区域pa的另一侧上的扫描驱动电路sdc可以驱动扫描线gw的第二部分。
129.在透射区域ta位于显示区域da的一侧上的实施例中，扫描线gw的第一部分的长度可以与扫描线gw的第二部分的长度不同。在一个实施例中，例如，当透射区域ta在显示区域da的左上侧上时，扫描线gw的第二部分的长度可以比扫描线gw的第一部分的长度大。这种长度的差异可能导致电信号(例如，扫描信号)的负载的差异。在实施例中，因为扫描线gw的第一部分和扫描线gw的第二部分通过扫描连接线scl彼此连接，所以可以减小负载的差异。
130.图6是根据实施例的显示装置10的示意性放大平面图。
131.参照图6，在实施例中，多个发射控制驱动电路edc可以在外围区域pa中。如图6中所示，发射控制驱动电路edc可以在列方向(例如，
±
x方向)上布置在外围区域pa中。
132.发射控制驱动电路edc可以连接到布置在像素行中的多条发射控制线em。发射控制驱动电路edc可以连接到在行方向(例如，
±
x方向)上延伸的发射控制线em。
133.发射控制驱动电路edc可以在外围区域pa的一侧和另一侧(例如，与所述一侧相对的一侧)上。在外围区域pa的一侧上的发射控制驱动电路edc可以被称为第一发射控制驱动电路edc1，在外围区域pa的另一侧上的发射控制驱动电路edc可以被称为第二发射控制驱动电路edc2。
134.发射控制线em中的每条可以连接到位于同一行中的像素px。发射控制线em可以被构造为向位于同一行中的像素px顺序地传输电信号。在一个实施例中，例如，如图6中所示，发射控制线em之中的第n发射控制线emn可以连接到位于第n行中的第n像素pxn，并且可以被构造为向第n像素pxn顺序地传输电信号。在这样的实施例中，发射控制线em之中的第n+1发射控制线emn+1可以连接到位于第n+1行中的第n+1像素pxn+1，并且可以被构造为向第n+1像素pxn+1顺序地传输电信号。这里，n是正整数。
135.根据实施例，发射控制线em中的在行方向(例如，
±
x方向)上与透射区域ta相邻的每条可以具有被透射区域ta彼此物理地分开的第一部分和第二部分。在一个实施例中，例
如，如图6中所示，发射控制线em之中的第n发射控制线emn可以具有被透射区域ta彼此物理地分开的第一部分eman和第二部分embn。在这样的实施例中，发射控制线em之中的第n+1发射控制线emn+1可以具有被透射区域ta彼此物理地分开的第一部分eman+1和第二部分embn+1。
136.发射控制线em的第一部分可以由在外围区域pa的一侧上的第一发射控制驱动电路edc1驱动，发射控制线em的第二部分可以由在外围区域pa的另一侧上的第二发射控制驱动电路edc2驱动。
137.根据实施例，发射控制驱动电路edc中的每个可以同时驱动发射控制线em。由同一发射控制驱动电路edc驱动的发射控制线em可以在外围区域pa中彼此连接。
138.在一个实施例中，例如，如图6中所示，发射控制驱动电路edc之中的在外围区域pa的一侧上的第一发射控制驱动电路edc1可以同时驱动第n发射控制线emn的第一部分eman和第n+1发射控制线emn+1的第一部分eman+1。在这样的实施例中，发射控制驱动电路edc之中的在外围区域pa的另一侧上的第二发射控制驱动电路edc2可以同时驱动第n发射控制线emn的第二部分embn和第n+1发射控制线emn+1的第二部分embn+1。
139.尽管图6示出了发射控制驱动电路edc中的每个同时驱动两条发射控制线em的实施例，但是由发射控制驱动电路edc中每个同时驱动的发射控制线em的数量可以不同地改变。
140.图7是根据可选实施例的显示装置10的示意性放大平面图。图7是图6的修改实施例，在图7中添加了发射控制连接线ecl。
141.参照图7，在实施例中，多条发射控制连接线ecl可以在位于透射区域ta与显示区域da之间的非显示区域nda中。发射控制连接线ecl中的每条可以沿着显示装置10的限定或形成在透射区域ta中的开口10h的边缘绕过非显示区域nda。
142.发射控制连接线ecl可以使发射控制线em的彼此分开的第一部分和第二部分电连接。
143.在一个实施例中，例如，如图7中所示，第n发射控制线emn的第一部分eman和第n+1发射控制线emn+1的第一部分eman+1以及第n发射控制线emn的第二部分embn和第n+1发射控制线emn+1的第二部分embn+1可以通过发射控制连接线ecl彼此电连接。
144.在这样的实施例中，如上所述，由同一发射控制驱动电路edc驱动的发射控制线em的第一部分和第二部分可以通过单条发射控制连接线ecl彼此电连接。
145.图7示出了发射控制驱动电路edc在外围区域pa的一侧和另一侧上的实施例，但是在可选实施例中，发射控制驱动电路edc也可以在外围区域pa的一侧或另一侧上。在这样的实施例中，可以省略第一发射控制驱动电路edc1或第二发射控制驱动电路edc2。
146.图8是根据实施例的显示装置的像素px的示意性等效电路图。
147.参照图8，在实施例中，像素px可以包括像素电路pc和电连接到像素电路pc的发光元件。在一个实施例中，例如，发光元件可以包括有机发光二极管oled。
148.在实施例中，如图8中所示，像素电路pc可以包括多个薄膜晶体管t1至t7以及存储电容器cst。薄膜晶体管t1至t7以及存储电容器cst可以连接到信号线gw、gc、gi、gb、em和dl、初始化电压线vil以及驱动电压线pl。根据实施例，选自信号线gw、gc、gi、gb、em和dl、初始化电压线vil以及驱动电压线pl的至少一者可以被相邻像素px共享。
149.薄膜晶体管t1至t7可以包括驱动薄膜晶体管t1、扫描薄膜晶体管t2、补偿薄膜晶体管t3、栅极初始化薄膜晶体管t4、操作控制薄膜晶体管t5、发射控制薄膜晶体管t6和阳极初始化薄膜晶体管t7。
150.薄膜晶体管t1至t7中的一些可以被设置为n沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(“mosfet”)(在下文中，被称为nmos)，并且它们之中的其他可以被设置为p沟道mosfet(在下文中，被称为pmos)。
151.在一个实施例中，例如，如图8中所示，薄膜晶体管t1至t7之中的补偿薄膜晶体管t3和栅极初始化薄膜晶体管t4可以被设置为nmos，并且它们之中的其他薄膜晶体管可以被设置为pmos。
152.根据可选实施例，薄膜晶体管t1至t7之中的补偿薄膜晶体管t3、栅极初始化薄膜晶体管t4和阳极初始化薄膜晶体管t7可以被设置为nmos，并且它们之中的其他薄膜晶体管可以被设置为pmos。可选地，薄膜晶体管t1至t7中的仅一个可以被设置为nmos，并且它们之中的其他晶体管可以被设置为pmos。可选地，所有薄膜晶体管t1至t7可以被设置为nmos。
153.信号线包括被构造为传输扫描信号sgw的扫描线gw、被构造为传输补偿信号sgc的补偿栅极线gc、被构造为向栅极初始化薄膜晶体管t4传输初始化信号sgi的初始化栅极线gi、被构造为向操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6传输发射控制信号sem的发射控制线em、被构造为向阳极初始化薄膜晶体管t7传输下一扫描信号sgb的下一扫描线gb以及与扫描线gw交叉并且被构造为传输数据信号dm的数据线dl。
154.驱动电压线pl被构造为向驱动薄膜晶体管t1传输第一驱动电压elvdd，初始化电压线vil被构造为传输用于使有机发光二极管oled的阳极和驱动薄膜晶体管t1初始化的初始化电压vint。
155.驱动薄膜晶体管t1的栅极连接到存储电容器cst，驱动薄膜晶体管t1的源极经由操作控制薄膜晶体管t5连接到驱动电压线pl，驱动薄膜晶体管t1的漏极经由发射控制薄膜晶体管t6电连接到有机发光二极管oled的阳极。驱动薄膜晶体管t1被构造为基于扫描薄膜晶体管t2的开关操作接收数据信号dm，并且向有机发光二极管oled供应驱动电流i
oled
。
156.扫描薄膜晶体管t2的栅极连接到扫描线gw，扫描薄膜晶体管t2的源极连接到数据线dl，扫描薄膜晶体管t2的漏极连接到驱动薄膜晶体管t1的源极并且经由操作控制薄膜晶体管t5连接到驱动电压线pl。扫描薄膜晶体管t2响应于通过扫描线gw接收的扫描信号sgw而导通，并且执行向驱动薄膜晶体管t1的源极传输通过数据线dl接收的数据信号dm的开关操作。
157.补偿薄膜晶体管t3的栅极连接到补偿栅极线gc。补偿薄膜晶体管t3的漏极连接到驱动薄膜晶体管t1的漏极并且经由发射控制薄膜晶体管t6连接到有机发光二极管oled的阳极。补偿薄膜晶体管t3的源极连接到存储电容器cst的下电极ce1和驱动薄膜晶体管t1的栅极。在这样的实施例中，补偿薄膜晶体管t3的源极连接到栅极初始化薄膜晶体管t4的漏极。补偿薄膜晶体管t3响应于通过补偿栅极线gc接收的补偿信号sgc而导通并且通过使驱动薄膜晶体管t1的栅极和漏极彼此电连接来二极管连接驱动薄膜晶体管t1。
158.栅极初始化薄膜晶体管t4的栅极连接到初始化栅极线gi。栅极初始化薄膜晶体管t4的源极连接到初始化电压线vil和阳极初始化薄膜晶体管t7的源极。栅极初始化薄膜晶体管t4的漏极连接到存储电容器cst的下电极ce1、补偿薄膜晶体管t3的源极和驱动薄膜晶
体管t1的栅极。栅极初始化薄膜晶体管t4响应于通过初始化栅极线gi接收的初始化信号sgi而导通并且通过向驱动薄膜晶体管t1的栅极传输初始化电压vint来执行使驱动薄膜晶体管t1的栅极的电压初始化的初始化操作。
159.操作控制薄膜晶体管t5的栅极连接到发射控制线em，操作控制薄膜晶体管t5的源极连接到驱动电压线pl，操作控制薄膜晶体管t5的漏极连接到驱动薄膜晶体管t1的源极和扫描薄膜晶体管t2的漏极。
160.发射控制薄膜晶体管t6的栅极连接到发射控制线em，发射控制薄膜晶体管t6的源极连接到驱动薄膜晶体管t1的漏极和补偿薄膜晶体管t3的漏极，发射控制薄膜晶体管t6的漏极电连接到阳极初始化薄膜晶体管t7的漏极和有机发光二极管oled的阳极。
161.操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6响应于通过发射控制线em接收的发射控制信号sem而同时导通并且向有机发光二极管oled传输第一驱动电压elvdd，使得驱动电流i
oled
流过有机发光二极管oled。
162.阳极初始化薄膜晶体管t7的栅极连接到下一扫描线gb，阳极初始化薄膜晶体管t7的漏极连接到发射控制薄膜晶体管t6的漏极和有机发光二极管oled的阳极，阳极初始化薄膜晶体管t7的源极连接到栅极初始化薄膜晶体管t4的源极和初始化电压线vil。阳极初始化薄膜晶体管t7响应于通过下一扫描线gb接收的下一扫描信号sgb而导通并且使有机发光二极管oled的阳极初始化。
163.在实施例中，下一扫描信号sgb可以与扫描信号sgw基本上同步。可选地，下一扫描信号sgb可以与下一行的扫描信号sgw基本上同步。在一个实施例中，例如，下一扫描线gb可以与下一行的扫描线gw基本上相同。在列方向上彼此相邻的像素px可以共享扫描线gw。
164.在实施例中，如图8中所示，阳极初始化薄膜晶体管t7可以连接到下一扫描线gb。可选地，阳极初始化薄膜晶体管t7可以连接到发射控制线em并且响应于发射控制信号sem而被驱动。薄膜晶体管的源极和漏极的位置可以根据晶体管类型(p型或n型)而改变。
165.存储电容器cst包括下电极ce1和上电极ce2。存储电容器cst的下电极ce1连接到驱动薄膜晶体管t1的栅极，存储电容器cst的上电极ce2连接到驱动电压线pl。存储电容器cst可以存储与驱动薄膜晶体管t1的栅极电压和第一驱动电压elvdd之间的差异对应的电荷。
166.在实施例中，有机发光二极管oled连接到像素电路pc和第二驱动电压elvss。
167.尽管在图8中未示出，但是像素电路pc可以包括包含第一电极和第二电极的升压电容器。升压电容器的第一电极可以连接到扫描薄膜晶体管t2的栅极和扫描线gw，升压电容器的第二电极可以连接到补偿薄膜晶体管t3的源极。
168.在下文中，将详细描述根据实施例的每个像素px的操作。
169.在初始化时段期间，当通过初始化栅极线gi供应初始化信号sgi时，栅极初始化薄膜晶体管t4响应于初始化信号sgi而导通，并且驱动薄膜晶体管t1通过从初始化电压线vil供应的初始化电压vint而被初始化。
170.在数据编程时段期间，当通过扫描线gw和补偿栅极线gc供应扫描信号sgw和补偿信号sgc时，扫描薄膜晶体管t2和补偿薄膜晶体管t3响应于扫描信号sgw和补偿信号sgc而导通。此时，驱动薄膜晶体管t1通过导通的补偿薄膜晶体管t3二极管连接并且被正向偏置。
171.将从数据线dl供应的数据信号dm减小了驱动薄膜晶体管t1的阈值电压(vth是负
值)的绝对值那么多的补偿电压(dm-|vth|)施加到驱动薄膜晶体管t1的栅极。
172.第一驱动电压elvdd和补偿电压(dm+vth)施加到存储电容器cst的两端，与存储电容器cst两端之间的电压差异对应的电荷被存储在存储电容器cst中。
173.在发射时段期间，操作控制薄膜晶体管t5和发射控制薄膜晶体管t6响应于从发射控制线em接收的发射控制信号sem而导通。驱动电流i
oled
基于驱动薄膜晶体管t1的栅极电压与第一驱动电压elvdd之间的电压差异而产生，并且驱动电流i
oled
通过发射控制薄膜晶体管t6供应到有机发光二极管oled。
174.在实施例中，从薄膜晶体管t1至t7中选择的至少一个可以包括包含氧化物的半导体层，并且它们之中的其他薄膜晶体管可以包括包含硅的半导体层。
175.在这样的实施例中，直接影响显示装置的亮度的驱动薄膜晶体管t1可以包括半导体层，该半导体层包括具有高可靠性的多晶硅。因此，可以实现高分辨率显示装置。
176.因为氧化物半导体具有高载流子迁移率和低泄漏电流，所以即使驱动时间长，电压降也不大。也就是说，即使在低频驱动期间，根据电压降的图像的颜色变化也不大，因此，可以有效地执行低频驱动。
177.由此，氧化物半导体具有所希望的漏电流小的特性。因此，从连接到驱动薄膜晶体管t1的栅极的补偿薄膜晶体管t3、栅极初始化薄膜晶体管t4和阳极初始化薄膜晶体管t7中选择的至少一个可以包括氧化物半导体，以防止漏电流流到驱动薄膜晶体管t1的栅极并降低功耗。
178.图9是根据实施例的显示装置的示意性放大平面图。具体地，图9示出了图3的补偿栅极线gc和初始化栅极线gi、图5的扫描线gw和图6的发射控制线em。
179.参照图9，在实施例中，栅极驱动电路gdc(图3)、扫描驱动电路sdc和发射控制驱动电路edc可以在外围区域pa中。在这样的实施例中，如图9中所示，栅极驱动电路gdc、扫描驱动电路sdc和发射控制驱动电路edc可以在行方向(例如，
±
x方向)上位于外围区域pa中。
180.在这样的实施例中，栅极驱动电路gdc、扫描驱动电路sdc和发射控制驱动电路edc可以在外围区域pa的一侧和另一侧上。在可选实施例中，如上面参照图3至图5以及图7描述的，栅极驱动电路gdc、扫描驱动电路sdc和发射控制驱动电路edc可以在外围区域pa的一侧或另一侧上。在这样的实施例中，可以省略在外围区域pa的所述一侧上的栅极驱动电路gdc、扫描驱动电路sdc和发射控制驱动电路edc，或者可以省略外围区域pa的所述另一侧上的栅极驱动电路gdc、扫描驱动电路sdc和发射控制驱动电路edc。
181.在实施例中，像素px之中布置在第n像素行中的第n像素pxn(图3)可以连接到第n补偿栅极线gcn(图3)、第n扫描线gwn(图5)、第n初始化栅极线gin和第n发射控制线emn(图6)。在这样的实施例中，像素px之中的布置在第n+1像素行中的第n+1像素pxn+1可以连接到第n+1补偿栅极线gcn+1(图3)、第n+1扫描线gwn+1(图5)、第n+1初始化栅极线gin+1和第n+1发射控制线emn+1(图6)。这里，n是正整数。
182.根据实施例，尽管图9中未示出，但是第n+1扫描线gwn+1可以连接到第n像素pxn。第n像素pxn和第n+1像素pxn+1可以共享第n+1扫描线gwn+1。在实施例中，如上面参照图8描述的，包括在第n像素pxn中的每个像素中的阳极初始化薄膜晶体管t7可以通过在下一行中的第n+1扫描线gwn+1而导通，并且可以使有机发光二极管oled的阳极初始化。
183.在实施例中，像素px之中布置在第m像素行中的第m像素pxm可以连接到第m补偿栅
极线gcm、第m扫描线gwm、第m初始化栅极线gim(图3)和第m发射控制线emm。在这样的实施例中，像素px之中的布置在第m+1像素行中的第m+1像素pxm+1可以连接到第m+1补偿栅极线gcm+1、第m+1扫描线gwm+1、第m+1初始化栅极线gim+1(图3)和第m+1发射控制线emm+1。这里，m是大于n+1的正整数。
184.根据实施例，尽管在图9中未示出，但是第m+1扫描线gwm+1可以连接到第m像素pxm。第m像素pxm和第m+1像素pxm+1可以共享第m+1扫描线gwm+1。在这样的实施例中，如上面参照图8描述的，包括在第m像素pxm中的每个像素中的阳极初始化薄膜晶体管t7可以通过在下一行中的第m+1扫描线gwm+1导通，并且可以使有机发光二极管oled的阳极初始化。
185.第n补偿栅极线gcn、第n+1补偿栅极线gcn+1、第m初始化栅极线gim和第m+1初始化栅极线gim+1可以连接到第k栅极驱动电路gdck。第n补偿栅极线gcn、第n+1补偿栅极线gcn+1、第m初始化栅极线gim和第m+1初始化栅极线gim+1可以由第k栅极驱动电路gdck同时驱动。这里，k是正整数。
186.在实施例中，如图9中所示，第n补偿栅极线gcn的第一部分gcan、第n+1补偿栅极线gcn+1的第一部分gcan+1、第m初始化栅极线gim的第一部分giam和第m+1初始化栅极线gim+1的第一部分giam+1可以连接到在外围区域pa的一侧上的第k栅极驱动电路gdck并且彼此同时驱动。在这样的实施例中，第n补偿栅极线gcn的第二部分gcbn、第n+1补偿栅极线gcn+1的第二部分gcbn+1、第m初始化栅极线gim的第二部分gibm和第m+1初始化栅极线gim+1的第二部分gibm+1可以连接到在外围区域pa的另一侧上的第k栅极驱动电路gdck并且彼此同时驱动。
187.在这样的实施例中，在外围区域pa的一侧上的第k栅极驱动电路gdck可以被构造为向第n补偿栅极线gcn的第一部分gcan、第n+1补偿栅极线gcn+1的第一部分gcan+1、第m初始化栅极线gim的第一部分giam和第m+1初始化栅极线gim+1的第一部分giam+1输出第一栅极信号，在外围区域pa的另一侧上的第k栅极驱动电路gdck可以被构造为向第n补偿栅极线gcn的第二部分gcbn、第n+1补偿栅极线gcn+1的第二部分gcbn+1、第m初始化栅极线gim的第二部分gibm和第m+1初始化栅极线gim+1的第二部分gibm+1输出与第一栅极信号相同的第二栅极信号。
188.第n补偿栅极线gcn的第一部分gcan和第n+1补偿栅极线gcn+1的第一部分gcan+1以及第n补偿栅极线gcn的第二部分gcbn和第n+1补偿栅极线gcn+1的第二部分gcbn+1可以通过第一栅极连接线gcl1彼此连接。第m初始化栅极线gim的第一部分giam和第m+1初始化栅极线gim+1的第一部分giam+1以及第m初始化栅极线gim的第二部分gibm和第m+1初始化栅极线gim+1的第二部分gibm+1可以通过第二栅极连接线gcl2彼此连接。
189.第n扫描线gwn、第n+1扫描线gwn+1、第m扫描线gwm和第m+1扫描线gwm+1可以连接到扫描驱动电路sdc。扫描驱动电路sdc可以顺序地动第n扫描线gwn、第n+1扫描线gwn+1、第m扫描线gwm和第m+1扫描线gwm+1。
190.在实施例中，如图9中所示，第n扫描线gwn的第一部分gwan、第n+1扫描线gwn+1的第一部分gwan+1、第m扫描线gwm的第一部分gwam和第m+1扫描线gwm+1的第一部分gwam+1可以连接到在外围区域pa的一侧上的扫描驱动电路sdc，并且可以被顺序地驱动。在这样的实施例中，第n扫描线gwn的第二部分gwbn、第n+1扫描线gwn+1的第二部分gwbn+1、第m扫描线gwm的第二部分gwbm和第m+1扫描线gwm+1的第二部分gwbm+1可以连接到在外围区域pa的另
一侧上的扫描驱动电路sdc，并且可以被顺序地驱动。
191.第n发射控制线emn、第n+1发射控制线emn+1、第m发射控制线emm和第m+1发射控制线emm+1可以连接到发射控制驱动电路edc。第n发射控制线emn和第n+1发射控制线emn+1可以连接到同一发射控制驱动电路edc并且可以被同时驱动。第m发射控制线emm和第m+1发射控制线emm+1可以连接到同一发射控制驱动电路edc并且可以被同时驱动。
192.在实施例中，如图9中所示，第n发射控制线emn的第一部分eman、第n+1发射控制线emn+1的第一部分eman+1、第m发射控制线emm的第一部分emam和第m+1发射控制线emm+1的第一部分emam+1可以连接到在外围区域pa的一侧上地发射控制驱动电路edc。在这样的实施例中，第n发射控制线emn的第二部分embn、第n+1发射控制线emn+1的第二部分embn+1、第m发射控制线emm的第二部分embm和第m+1发射控制线emm+1的第二部分embm+1可以连接到在外围区域pa的另一侧上的发射控制驱动电路edc。第n发射控制线emn的第一部分eman、第n+1发射控制线emn+1的第一部分eman+1、第m发射控制线emm的第一部分emam和第m+1发射控制线emm+1的第一部分emam+1与第n发射控制线emn的第二部分embn、第n+1发射控制线emn+1的第二部分embn+1、第m发射控制线emm的第二部分embm和第m+1发射控制线emm+1的第二部分embm+1可以被透射区域ta分开。
193.第n初始化栅极线gin和第n+1初始化栅极线gin+1可以连接到第p栅极驱动电路gdcp。在实施例中，如图9中所示，除了第n初始化栅极线gin和第n+1初始化栅极线gin+1之外，第i补偿栅极线gci和第i+1补偿栅极线gci+1也可以连接到第p栅极驱动电路gdcp。第n初始化栅极线gin、第n+1初始化栅极线gin+1、第i补偿栅极线gci和第i+1补偿栅极线gci+1可以由第p栅极驱动电路gdcp同时驱动。这里，p是小于k的正整数，i是小于n-1的正整数。
194.在实施例中，如图9中所示，第n初始化栅极线gin的第一部分gian和第n+1初始化栅极线gin+1的第一部分gian+1可以连接到在外围区域pa的一侧上的第p栅极驱动电路gdcp并且可以被同时驱动，第n初始化栅极线gin的第二部分gibn和第n+1初始化栅极线gin+1的第二部分gibn+1可以连接到在外围区域pa的另一侧上的第p栅极驱动电路gdcp并且可以被同时驱动。
195.第n初始化栅极线gin的第一部分gian和第n+1初始化栅极线gin+1的第一部分gian+1以及第n初始化栅极线gin的第二部分gibn和第n+1个初始化栅极线gin+1的第二部分gibn+1可以通过第三栅极连接线gcl3彼此连接。
196.第m补偿栅极线gcm和第m+1补偿栅极线gcm+1可以连接到第q栅极驱动电路gdcq。在实施例中，如图9中所示，除了第m补偿栅极线gcm和第m+1补偿栅极线gcm+1之外，第j初始化栅极线gij和第j+1初始化栅极线gij+1也可以连接到第q栅极驱动电路gdcq。第m补偿栅极线gcm、第m+1补偿栅极线gcm+1、第j初始化栅极线gij和第j+1初始化栅极线gij+1可以由第q栅极驱动电路gdcq同时驱动。这里，q是大于k的正整数，并且j是大于m+1的正整数。
197.在实施例中，如图9中所示，第m补偿栅极线gcm的第一部分gcam和第m+1补偿栅极线gcm+1的第一部分gcam+1可以连接到在外围区域pa的一侧上的第q栅极驱动电路gdcq，并且可以被同时驱动，第m补偿栅极线gcm的第二部分gcbm和第m+1补偿栅极线gcm+1的第二部分gcbm+1可以连接到在外围区域pa的另一侧上的第q栅极驱动电路gdcq，并且可以被同时驱动。
198.根据实施例，第i+1像素行可以是在第n像素行之前的像素行。也就是说，i可以是
n-2。在这样的实施例中，第n初始化栅极线gin、第n+1初始化栅极线gin+1、第i补偿栅极线gci和第i+1补偿栅极线gci+1可以由第k-1栅极驱动电路同时驱动。也就是说，p可以是k-1。
199.根据实施例，第m像素行可以是与第n+1像素行邻近的像素行或紧随第n+1像素行之后的像素行。也就是说，m可以是n+2。在这样的实施例中，第j像素行可以是与第m+1像素行邻近的像素行或紧随第m+1像素行之后的像素行。也就是说，j可以是m+2。在这样的实施例中，第m补偿栅极线gcm、第m+1补偿栅极线gcm+1、第j初始化栅极线gij和第j+1初始化栅极线gij+1可以由第k+1栅极驱动电路同时驱动。也就是说，q可以是k+1。
200.稍后将参照图10更详细地描述当第i+1像素行是第n像素行之前的像素行并且第m像素行是与第n+1像素行邻近的像素行时的像素px的驱动时序。
201.根据实施例，偶数个像素行可以在第i+1像素行与第n像素行之间。在一个实施例中，例如，两个像素行可以在第i+1像素行与第n像素行之间。也就是说，i可以是n-4。在这样的实施例中，第n初始化栅极线gin、第n+1初始化栅极线gin+1、第i补偿栅极线gci和第i+1补偿栅极线gci+1可以由第k-2栅极驱动电路同时驱动。也就是说，p可以是k-2。
202.根据实施例，偶数个像素行可以在第m像素行与第n+1像素行之间。在一个实施例中，例如，两个像素行可以在第m像素行与第n+1像素行之间。也就是说，m可以是n+4。在这样的实施例中，偶数个像素行可以在第j像素行与第m+1像素行之间。在一个实施例中，例如，两个像素行可以在第j像素行与第m+1像素行之间。也就是说，j可以是m+4。在这样的实施例中，第m补偿栅极线gcm、第m+1补偿栅极线gcm+1、第j初始化栅极线gij和第j+1初始化栅极线gij+1可以由第k+2栅极驱动电路同时驱动。也就是说，q可以是k+2。
203.稍后将参照图11更详细地描述当偶数像素行在第i+1像素行与第n像素行之间并且偶数个像素行在第m像素行与第n+1像素行之间时像素px的驱动时序。
204.根据实施例，m+1可以等于2k。一个栅极驱动电路gdc可以驱动总共两条初始化栅极线gi。如稍后将描述的图10和图11中所示，初始化栅极线gi的导通持续时间可以早于补偿栅极线gc的导通持续时间。初始化栅极线gi的导通持续时间可以比补偿栅极线gc的导通持续时间早开始。因此，当参考基于初始化栅极线gi布置栅极驱动电路gdc的顺序时，两条初始化栅极线gi连接到一个栅极驱动电路gdc。因此，m+1可以等于2k。
205.图10和图11是根据实施例的用于描述驱动多个像素的方法的信号时序图。具体地，图10是在图9中其中第i+1像素行是第n像素行之前的像素行并且第m像素行是与第n+1像素行邻近的像素行或紧随第n+1像素行之后的像素行的情况的信号时序图，图11是在图9中其中偶数个像素行在第i+1像素行与第n像素行之间并且偶数个像素行在第m像素行与第n+1像素行之间的情况的信号时序图。
206.参照图10和图11，在分别传输到第n发射控制线emn和第n+1发射控制线emn+1的发射控制信号em[n/n+1]的截止持续时间(或数据编程时段)期间，分别传输到第n初始化栅极线gin和第n+1初始化栅极线gin+1的初始化信号gi[n/n+1]、分别传输到第n补偿栅极线gcn和第n+1补偿栅极线gcn+1的补偿信号gc[n/n+1]以及分别传输到第n扫描线gwn和第n+1扫描线gwn+1的扫描信号gw[n]和gw[n+1]可以继续进行。
[0207]
分别传输到第n初始化栅极线gin和第n+1初始化栅极线gin+1的初始化信号gi[n/n+1]的接通持续时间可以与初始化信号处于高电平的情况对应，分别传输到第n补偿栅极线gcn和第n+1补偿栅极线gcn+1的补偿信号gc[n/n+1]的导通持续时间可以与补偿信号处
于高电平的情况对应，分别传输到第n扫描线gwn和第n+1扫描线gwn+1的扫描信号gw[n]和gw[n+1]的导通持续时间可以与扫描信号处于低电平的情况对应。如上面参照图8描述的，初始化信号sgi可以施加到栅极初始化薄膜晶体管t4，补偿信号sgc可以施加到补偿薄膜晶体管t3，扫描信号sgw可以施加到扫描薄膜晶体管t2。在这样的实施例中，补偿薄膜晶体管t3和栅极初始化薄膜晶体管t4可以是nmos，扫描薄膜晶体管t2可以是pmos。因此，初始化信号的导通持续时间可以与初始化信号处于高电平的情况对应，补偿信号的导通持续时间可以与补偿信号处于高电平的情况对应，扫描信号的导通持续时间可以与扫描信号处于低电平的情况对应。
[0208]
根据实施例，可以顺序地提供分别传输到第n初始化栅极线gin和第n+1初始化栅极线gin+1的初始化信号gi[n/n+1]的高电平以及分别传输到第n补偿栅极线gcn和第n+1补偿栅极线gcn+1的补偿信号gc[n/n+1]的高电平。
[0209]
在一个实施例中，例如，当第i+1像素行是在第n像素行之前的像素行并且第m像素行是与第n+1像素行邻近的像素行或紧随第n+1像素行之后的像素行时，如图10中所示，可以连续地提供高电平的初始化信号和高电平的补偿信号。也就是说，紧接在初始化信号的导通持续时间之后，补偿信号的导通持续时间可以继续进行(或开始)。换言之，初始化信号的下降边缘可以与补偿信号的上升边缘对应。
[0210]
在可选实施例中，在偶数个像素行在第i+1像素行与第n像素行之间并且偶数个像素行在第m像素行与第n+1像素行之间的情况下，如图11中所示，截止持续时间可以设置在初始化信号的高电平与补偿信号的高电平之间。也就是说，在初始化信号的导通持续时间和至少一个初始化信号的戒指持续时间之后，补偿信号的导通持续时间可以开始。换言之，初始化信号的下降边缘可以不与补偿信号的上升边缘对应。
[0211]
当分别传输到第n补偿栅极线gcn和第n+1补偿栅极线gcn+1的补偿信号gc[n/n+1]处于导通持续时间时，传输到第n扫描线gwn的信号gw[n]和传输到第n+1扫描线gwn+1的信号gw[n+1]可以处于导通持续时间。
[0212]
根据实施例，如图10和图11中所示，补偿信号的导通持续时长t1可以等于或大于传输到第n扫描线gwn的信号的导通持续时长t2的两倍。补偿信号的导通持续时长t1可以等于或大于传输到第n+1扫描线gwn+1的信号的导通持续时长t3的两倍。补偿信号的导通持续时长t1可以等于或大于传输到第n扫描线gwn的信号的导通持续时长t2和传输到第n+1扫描线gwn+1的信号的导通持续时长t3的总和。
[0213]
上面描述的第n发射控制线emn和第n+1发射控制线emn+1、第n初始化栅极线gin和第n+1初始化栅极线和gin+1、第n补偿栅极线gcn和第n+1补偿栅极线gcn+1以及第n扫描线gwn和第n+1扫描线gwn+1的特征可以应用于第m发射控制线emm和第m+1发射控制线emm+1、第m初始化栅极线gim和第m+1初始化栅极线gim+1、第m补偿栅极线gcm和第m+1补偿栅极线gcm+1以及第m扫描线gwm和第m+1扫描线gwm+1。
[0214]
然而，传输到第m发射控制线emm和第m+1发射控制线emm+1的发射控制信号em[m/m+1]的截止持续时间可以在传输到第n发射控制线emn和第n+1发射控制线emn+1的发射控制信号em[n/n+1]的截止持续时间之后继续进行。传输到第m初始化栅极线gim和第m+1初始化栅极线gim+1的初始化信号gi[m/m+1]的导通持续时间可以在传输到第n初始化栅极线gin和第n+1初始化栅极线gin+1的初始化信号gi[n/n+1]的导通持续时间之后继续进行。传输
到第m补偿栅极线gcm和第m+1补偿栅极线gcm+1的补偿信号gc[m/m+1]的导通持续时间可以在传输到第n补偿栅极线gcn和第n+1补偿栅极线gcn+1的补偿信号gc[n/n+1]的导通持续时间之后继续进行。传输到第m扫描线gwm和第m+1扫描线gwm+1的扫描信号gw[m]和gw[m+1]的导通持续时间可以在传输到第n扫描线gwn和第n+1扫描线gwn+1的扫描信号gw[n]和gw[n+1]的导通持续时间之后继续进行。
[0215]
根据实施例，如图10和图11中所示，传输到第n补偿栅极线gcn和第n+1补偿栅极线gcn+1的补偿信号gc[n/n+1]的导通持续时间可以与传输到第m初始化栅极线gim和第m+1初始化栅极线gim+1的初始化信号gi[m/m+1]的导通持续时间基本上相同。在这样的实施例中，如上面关于图9描述的，因为第n补偿栅极线gcn和第n+1补偿栅极线gcn+1以及第m初始化栅极线gim和第m+1初始化栅极线gim+1通过第k栅极驱动电路gdck同时驱动，所以各个信号的导通持续时间可以基本上彼此相同。
[0216]
图12和图13是沿着图9的线ii-ii'截取的显示装置的剖视图。具体地，图12和图13是显示区域da的一部分和非显示区域nda的一部分的剖视图。
[0217]
参照图12和图13，在实施例中，第一扫描连接线scl1可以包括第一扫描连接电极scl1a和第二扫描连接电极scl1b。第一扫描连接电极scl1a可以使第n扫描线gwn(图5)的第一部分gwan(图9)电连接到第n扫描线gwn(图5)的第二部分gwbn(图9)，第二扫描连接电极scl1b可以使第n扫描线gwn的第一部分gwan电连接到第n扫描线gwn的第二部分gwbn。如图12和图13中所示，第一扫描连接电极scl1a和第二扫描连接电极scl1b可以彼此叠置。这里，当显示装置的两个元件彼此叠置时，两个元件在与显示装置或其基底100的z轴(以下称为z轴方向)或厚度方向平行的方向上彼此叠置。
[0218]
上面描述的第一扫描连接线scl1的特征可以应用于第二扫描连接线scl2、第三扫描连接线scl3(图9)和第四扫描连接线scl4(图9)。在一个实施例中，例如，第二扫描连接线scl2可以包括第三扫描连接电极scl2a和第四扫描连接电极scl2b。第三扫描连接电极scl2a可以使第n+1扫描线gwn+1(图5)的第一部分gwan+1(图9)电连接到第n+1扫描线gwn+1(图5)的第二部分gwbn+1(图9)，第四扫描连接电极scl2b可以使第n+1扫描线gwn+1的第一部分gwan+1电连接到第n+1扫描线gwn+1的第二部分gwbn+1。如图12和图13中所示，第三扫描连接电极scl2a和第四扫描连接电极scl2b可以彼此叠置。
[0219]
在下文中，将参照图12和图13更详细地描述包括在显示装置中的堆叠结构的构造。将描述第一栅极连接线gcl1、第一扫描连接线scl1、第三栅极连接线gcl3和第二扫描连接线scl2之间的位置关系。
[0220]
在实施例中，显示装置可以包括包含玻璃材料、陶瓷材料、金属材料或着柔性材料或可弯曲材料的基底100。在基底100是柔性或可弯曲的实施例中，基底100可以包括诸如聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯或乙酸丙酸纤维素的聚合物树脂。
[0221]
基底100可以具有包括选自上述材料中的至少一种的单层结构或多层结构。在基底100具有多层结构的实施例中，基底100还可以包括无机层。根据实施例，基底100可以具有有机/无机/有机结构。
[0222]
在实施例中，缓冲层111可以设置在基底100上。在实施例中，阻挡层(未示出)还可以包括在基底100与缓冲层111之间。阻挡层可以防止或最小化杂质从基底100等渗透到第
一半导体层act1和第二半导体层act2中。阻挡层可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料、有机材料或者有机/无机复合材料，并且可以具有包括无机材料和有机材料的单层结构或多层结构。
[0223]
在实施例中，沟道底部电极(未示出)可以在阻挡层与缓冲层111之间。沟道底部电极可以包括诸如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等的导电材料，并且可以包括包含选自上述材料中的至少一种的单层或多层。在一个实施例中，例如，沟道底部电极可以具有ti/al/ti的多层结构。
[0224]
沟道底部电极可以与第一半导体层act1的沟道区c1叠置。沟道底部电极可以连接到上面参照图8描述的驱动电压线pl，并且被构造为第一驱动电压elvdd施加于其。在实施例中，包括nmos和pmos的像素电路通过第一驱动电压elvdd施加于其的沟道底部电极而被驱动，使得可以防止不期望的电荷在第一半导体层act1中累积。结果，可以稳定地保持包括第一半导体层act1的第一薄膜晶体管tft1的特性。
[0225]
第一半导体层act1可以在缓冲层111上。第一半导体层act1可以包括非晶硅或多晶硅。第一半导体层act1可以包括沟道区c1以及在沟道区c1的相对侧上的源区s1和漏区d1。第一半导体层act1可以包括单层或多层。
[0226]
在实施例中，第一栅极绝缘层113和第二栅极绝缘层115可以设置或堆叠在基底100上以覆盖第一半导体层act1。第一栅极绝缘层113和第二栅极绝缘层115可以包括选自氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和氧化锌(zno
x
)中的至少一种。zno
x
可以是zno或zno2。
[0227]
在实施例中，第一导电层cl1可以在第一栅极绝缘层113上。第一导电层cl1可以包括诸如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等的导电材料，并且可以包括包含选自上述材料中的至少一种的单层或多层。在一个实施例中，例如，第一导电层cl1可以具有ti/al/ti的多层结构。
[0228]
第一导电层cl1可以包括与第一半导体层act1的至少一部分叠置的第一栅电极g1、存储电容器cst的下电极ce1、第一扫描连接电极scl1a和第三扫描连接电极scl2a。第一栅电极g1可以与第一半导体层act1的沟道区c1叠置。第一栅电极g1和存储电容器cst的下电极ce1可以在显示区域da中，第一扫描连接电极scl1a和第三扫描连接电极scl2a可以在非显示区域nda中。
[0229]
在实施例中，第二导电层cl2可以在第二栅极绝缘层115上。第二导电层cl2可以包括诸如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等的导电材料，并且可以包括包含选自上述材料中的至少一种的单层或多层。在一个实施例中，例如，第二导电层cl2可以具有ti/al/ti的多层结构。
[0230]
第二导电层cl2可以包括第二栅电极g2的下栅电极g2a、存储电容器cst的上电极ce2、第一栅极连接线gcl1和第三栅极连接线gcl3。由第二栅电极g2限定的下栅电极g2a和存储电容器cst的上电极ce2可以在显示区域da中，第一栅极连接线gcl1和第三栅极连接线gcl3可以在非显示区域nda中。存储电容器cst的上电极ce2可以与第一栅电极g1的至少一部分叠置。
[0231]
第二栅电极g2的下栅电极g2a可以被布置为与包括氧化物半导体材料的第二半导体层act2叠置。在这样的实施例中，因为包括氧化物半导体材料的第二半导体层act2易受
光影响，所以下栅电极g2a可以防止包括氧化物半导体材料的第二薄膜晶体管tft2的器件特性因从基底100入射的外部光在第二半导体层act2中引起的光电流而改变。
[0232]
图12示出了第一扫描连接电极scl1a和第三扫描连接电极scl2a与第一栅电极g1在同一层中或直接在同一层上并且第一栅极连接线gcl1和第三栅极连接线gcl3与上电极ce2在同一层中或直接在同一层上的实施例，但不限于此，并且可以不同地修改。
[0233]
在一个可选实施例中，例如，如图13中所示，第一栅极连接线gcl1和第三栅极连接线gcl3可以与第一栅电极g1在同一层中或直接在同一层上，第一扫描连接电极scl1a和第三扫描连接电极scl2a可以与上电极ce2在同一层中或直接在同一层上。在这样的实施例中，第一导电层cl1可以包括第一栅极连接线gcl1和第三栅极连接线gcl3，第二导电层cl2可以包括第一扫描连接电极scl1a和第三扫描连接电极scl2a。
[0234]
根据实施例，存储电容器cst可以包括下电极ce1和上电极ce2。在实施例中，如图12和图13中所示，存储电容器cst可以与第一薄膜晶体管tft1叠置。在一个实施例中，例如，第一薄膜晶体管tft1的第一栅电极g1可以限定或用作存储电容器cst的下电极ce1。可选地，存储电容器cst可以不与第一薄膜晶体管tft1叠置，并且可以单独存在。
[0235]
存储电容器cst的上电极ce2与下电极ce1叠置且第二栅极绝缘层115在它们之间以形成电容器。在这样的实施例中，第二栅极绝缘层115可以用作存储电容器cst的介电层。
[0236]
在实施例中，第一层间绝缘层117可以在第二栅极绝缘层115上以覆盖存储电容器cst的上电极ce2。第一层间绝缘层117可以包括选自氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和氧化锌(zno
x
)中的至少一种。zno
x
可以是zno或zno2。
[0237]
第二半导体层act2可以在第一层间绝缘层117上。第二半导体层act2可以包括氧化物半导体材料。第二半导体层act2可以包括选自铟(in)、镓(ga)、锡(sn)、锆(zr)、钒(v)、铪(hf)、镉(cd)、锗(ge)、铬(cr)、钛(ti)、铝(al)、铯(cs)、铈(ce)和锌(zn)中的至少一种材料的氧化物。
[0238]
在一个实施例中，例如，第二半导体层act2可以包括insnzno(“itzo”)半导体层、ingazno(“igzo”)半导体层等。在这样的实施例中，因为氧化物半导体具有宽带隙(大约3.1电子伏特(ev))、高载流子迁移率及低泄漏电流，所以即使驱动时间长，电压降也不大。因此，即使在低频驱动期间，根据电压降的亮度变化也不大。
[0239]
第二半导体层act2可以包括沟道区c2以及在沟道区c2的相对侧上的源区s2和漏区d2。
[0240]
在实施例中，第三栅极绝缘层119可以在第二半导体层act2上。第三栅极绝缘层119可以包括选自氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和氧化锌(zno
x
)中的至少一种。zno
x
可以是zno或zno2。
[0241]
图12和图13示出了第三栅极绝缘层119在基底100的整个表面上以覆盖第二半导体层act2的实施例，但是在可选实施例中，第三栅极绝缘层119可以被图案化以与第二半导体层act2的一部分叠置。在一个实施例中，例如，第三栅极绝缘层119可以被图案化以与第二半导体层act2的沟道区c2叠置。
[0242]
在实施例中，第三导电层cl3可以在第三栅极绝缘层119上。第三导电层cl3可以包
括诸如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等的导电材料，并且可以包括包含选自上述材料中的至少一种的单层或多层。在一个实施例中，例如，第三导电层cl3可以具有ti/al/ti的多层结构。
[0243]
第三导电层cl3可以包括第二栅电极g2的与第二半导体层act2的至少一部分叠置的上栅电极g2b、第二扫描连接电极scl1b和第四扫描连接电极scl2b。第二栅电极g2的上栅电极g2b可以与第二半导体层act2的沟道区c2叠置。
[0244]
根据实施例，第二栅电极g2可以包括下栅电极g2a和上栅电极g2b。第二栅电极g2可以是多条线。图12和图13示出了第二栅电极g2是多条线，但是在可选实施例中，第二栅电极g2可以是单条线。在一个实施例中，例如，可以省略下栅电极g2a或上栅电极g2b中的一个。
[0245]
根据实施例，第一扫描连接线scl1可以包括第一扫描连接电极scl1a和第二扫描连接电极scl1b，第二扫描连接线scl2可以包括第三扫描连接电极scl2a和第四扫描连接电极scl2b。第一扫描连接线scl1和第二扫描连接线scl2中的每条可以是多条线。可以通过将第一扫描连接线scl1和第二扫描连接线scl2中的每条构造为多条线来减少负载。
[0246]
图12和图13示出了第一扫描连接线scl1和第二扫描连接线scl2是多条线并且第一栅极连接线gcl1和第三栅极连接线gcl3是单条线的实施例，但是在可选实施例中，第一扫描连接线scl1和第二扫描连接线scl2可以是单条线并且第一栅极连接线gcl1和第三栅极连接线gcl3可以是多条线。根据可选实施例，第一扫描连接线scl1、第二扫描连接线scl2、第一栅极连接线gcl1和第三栅极连接线gcl3可以是多条线或单条线。
[0247]
根据实施例，如图12和图13中所示，彼此相邻的第一栅极连接线gcl1和第一扫描连接线scl1可以在彼此不同的层中或直接在彼此不同的层上。在这样的实施例中，第一栅极连接线gcl1与第一扫描连接线scl1之间在与z轴垂直的方向(例如，基底100的水平方向)上的距离可以比当第一栅极连接线gcl1和第一扫描连接线scl1彼此在同一层中或直接在同一层上时的距离小。因此，可以减小由第一栅极连接线gcl1和第一扫描连接线scl1占据的面积。可以减小其中布置有第一栅极连接线gcl1和第一扫描连接线scl1的非显示区域nda的面积。上面描述的第一栅极连接线gcl1和第一扫描连接线scl1的特征可以应用于第三栅极连接线gcl3和第二扫描连接线scl2。
[0248]
根据实施例，第一薄膜晶体管tft1可以与上面参照图8描述的驱动薄膜晶体管t1对应。除了第一薄膜晶体管tft1与上电极ce2叠置之外，第一薄膜晶体管tft1可以与扫描薄膜晶体管t2、操作控制薄膜晶体管t5、发射控制薄膜晶体管t6或阳极初始化薄膜晶体管t7对应。在这样的实施例中，第一半导体层act1可以包括驱动薄膜晶体管t1的有源区、扫描薄膜晶体管t2的有源区、操作控制薄膜晶体管t5的有源区、发射控制薄膜晶体管t6的有源区或阳极初始化薄膜晶体管t7的有源区。
[0249]
根据实施例，第二薄膜晶体管tft2可以与上面参照图8描述的补偿薄膜晶体管t3或栅极初始化薄膜晶体管t4对应。在这样的实施例中，第二半导体层act2可以包括补偿薄膜晶体管t3的有源区或栅极初始化薄膜晶体管t4的有源区。
[0250]
在实施例中，第二层间绝缘层121可以在第三栅极绝缘层119上以覆盖第三导电层cl3。第二层间绝缘层121可以包括选自氧化硅(sio2)、氮化硅(sin
x
)、氮氧化硅(sion)、氧化铝(al2o3)、氧化钛(tio2)、氧化钽(ta2o5)、氧化铪(hfo2)和氧化锌(zno
x
)中的至少一种。zno
x
可以是zno或zno2。
[0251]
在实施例中，第一连接电极层cm1可以在第二层间绝缘层121上。第一连接电极层cm1可以包括诸如钼(mo)、铝(al)、铜(cu)、钛(ti)等的导电材料，并且可以包括包含选自上述材料中的至少一种的单层或多层。在一个实施例中，例如，第一连接电极层cm1可以具有ti/al/ti的多层结构。
[0252]
第一连接电极层cm1可以连接到选自第一半导体层act1的源区s1和漏区d1中的至少一者。第一连接电极层cm1可以连接到选自第二半导体层act2的源区s2和漏区d2中的至少一者。
[0253]
第一连接电极层cm1可以覆盖有无机保护层(未示出)。无机保护层可以包括包含选自氮化硅(sin
x
)和氧化硅(sio
x
)中的至少一种的单层或多层。无机保护层可以覆盖并保护第二层间绝缘层121上的一些线。
[0254]
在实施例中，平坦化层123可以在第二层间绝缘层121上，并且发光元件200可以在平坦化层123上。
[0255]
平坦化层123可以包括包含有机材料的单层或多层，并且可以提供平坦的上表面。平坦化层123可以包括例如选自通用聚合物(例如，苯并环丁烯(“bcb”)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(“hmdso”)、聚甲基丙烯酸甲酯(“pmma”)或聚苯乙烯(“ps”))、具有酚类基团的聚合物衍生物、丙烯酸聚合物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物和乙烯醇类聚合物中的至少一种。
[0256]
在实施例中，平坦化层123可以以多个层设置，并且可以包括第一平坦化层123a和第二平坦化层123b。在这样的实施例中，第二连接电极层cm2可以在第一平坦化层123a与第二平坦化层123b之间。第二连接电极层cm2可以通过限定在第一平坦化层123a中的接触孔连接到第一连接电极层cm1，并且可以使发光元件200电连接到第一薄膜晶体管tft1。
[0257]
发光元件200可以在平坦化层123上。发光元件200可以包括像素电极210、中间层220和对电极230，中间层220包括有机发射层。
[0258]
像素电极210可以包括(半)透射电极或反射电极。根据实施例，像素电极210可以包括反射层以及在反射层上的透明电极层或半透明电极层，反射层包括选自ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr及其化合物或混合物中的至少一种。透明电极层或半透明电极层可以包括选自氧化铟锡(“ito”)、氧化铟锌(“izo”)、氧化锌(zno)、氧化铟(in2o3)、氧化铟镓(“igo”)和氧化铝锌(“azo”)中的至少一种。根据实施例，像素电极210可以包括例如ito/ag/ito。
[0259]
在实施例中，像素限定层125可以在平坦化层123上。在这样的实施例中，像素限定层125可以通过增加像素电极210的边缘与对电极230的在像素电极210上的部分的边缘之间的距离来防止在像素电极210的边缘上发生电弧等。
[0260]
像素限定层125可以通过使用选自聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂的至少一种有机绝缘材料通过旋涂等形成。
[0261]
中间层220可以在限定在像素限定层125中的开口中。中间层220可以包括有机发射层。有机发射层可以包括包含发射红光、绿光、蓝光或白光的荧光材料或磷光材料的有机材料。有机发射层可以包括低分子量有机材料或高分子量有机材料。在实施例中，空穴传输层(“htl”)、空穴注入层(“hil”)、电子传输层(“etl”)、电子注入层(“eil”)等还可以任选地
布置在有机发射层的下方和上方。
[0262]
中间层220可以被布置为与每个像素电极210对应。然而，本公开不限于此。中间层220可以不同地修改。在一个实施例中，例如，中间层220可以包括遍及多个像素电极210一体层。
[0263]
对电极230可以包括透射电极或反射电极。根据实施例，对电极230可以包括透明电极或半透明电极，并且可以包括具有低逸出功的金属薄膜，诸如li、ca、lif、al、ag、mg及其任何化合物或混合物以及具有诸如lif/ca或lif/al的多层结构材料。在实施例中，诸如ito、izo、zno或in2o3的透明导电氧化物(“tco”)层还可以在金属薄膜上。对电极230可以遍及显示区域da，并且可以遍及中间层220和像素限定层125。对电极230可以一体地形成在多个发光元件200中以与多个像素电极210对应。
[0264]
发光元件200可以被封装层(未示出)覆盖。封装层可以包括至少一个有机封装层和至少一个无机封装层。
[0265]
无机封装层可以包括选自氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪、氧化锌、氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种无机材料。第一无机封装层和第二无机封装层可以包括包含选自上述材料中的至少一种的单层或多层。有机封装层可以包括聚合物类材料。聚合物类材料可以包括丙烯酸树脂(诸如聚甲基丙烯酸甲酯或聚丙烯酸)、环氧树脂、聚酰亚胺和聚乙烯。根据实施例，有机封装层可以包括丙烯酸酯聚合物。
[0266]
上述第一栅极连接线gcl1、第一扫描连接线scl1、第三栅极连接线gcl3和第二扫描连接线scl2的特征可以应用于第二栅极连接线gcl2(图9)、第三扫描连接线scl3(图9)、第四栅极连接线gcl4(图9)和第四扫描连接线scl4(图9)。
[0267]
这里仅主要描述显示装置的实施例，但本公开不限于此。将理解的是，例如，制造显示装置的方法也落入公开的范围内。
[0268]
根据一个或更多个实施例，可以实现其中非显示区域减小的显示装置。
[0269]
发明不应被解释为限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得公开将是彻底和完整的，并且将向本领域技术人员充分传达发明的构思。
[0270]
虽然已经参考发明的实施例具体示出并描述了发明，但是本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离由权利要求限定的发明的精神或范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。