内嵌式触摸屏及测试电路的制作方法

文档序号:10726947阅读:307来源:国知局
内嵌式触摸屏及测试电路的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种内嵌式触摸屏测试电路,所述测试电路连接触控电极阵列,所述触控电极阵列连接显示阵列,所述显示阵列为所述触控电极阵列提供测试信号;所述测试电路包括:多个控制信号源、多个测试信号采集端及多个薄膜晶体管,每一所述触控电极对应一个所述薄膜晶体管,每一所述触控电极分别连接至任意一个不重复的所述薄膜晶体管;有益效果为:本发明提供的内嵌式触摸屏测试电路,能够单独对每个触控电极进行测试,精确的找出异常触控电极的位置,完整精准的体现整个面板的电性数据,避免不良触摸屏流入其他制程中造成不必要的材料浪费。
【专利说明】
内嵌式触摸屏及测试电路
技术领域
[0001]本发明涉及液晶显示技术领域,尤其涉及一种内嵌式触摸屏及应用于内嵌式触摸屏的测试电路。
【背景技术】
[0002]液晶显示面板,在整体制程中分为三个阶段,前段Array制程(成膜/黄光/蚀刻/剥离)、中段Cell制程(TFT玻璃与彩色滤光片贴合)及后段模组组装制程(驱动IC/印刷电路板压合)。
[0003]触控面板通过中段Cell制程制作在液晶层上部,在该阶段,会对液晶面板的显示效果进行测试,但不会对触控面板的触控效果进行测试,待液晶面板流向下一制程时,会对液晶面板进行芯片和可挠性电路板绑定,若在此阶段检测出触控不良,已绑定的芯片和可挠性电路板等物料则被浪费掉,增加不必要的生产成本。
[0004]故,有必要提供一种有效的内嵌式触摸屏测试电路,在中段Cell制程即对液晶面板的触控效果进行测试,以解决现有技术所存在的问题。

【发明内容】

[0005]本发明提供一种内嵌式触摸屏测试电路,能够在中段Cell制程中对触控面板进行触控效果测试,以解决不能提前对触控面板进行触控效果测试而在后期检测出触控不良导致物料浪费的技术问题。
[0006]为解决上述问题,本发明提供的技术方案如下:
[0007]本发明提供一种内嵌式触摸屏测试电路,所述测试电路连接触控电极阵列,所述触控电极阵列连接显示阵列,所述显示阵列为所述触控电极阵列提供测试信号;所述测试电路包括:
[0008]多个控制信号源,用于为所述测试电路提供控制信号;
[0009]多个测试信号采集端,用于采集相对应的触控电极上的测试信号;
[0010]多个薄膜晶体管,包括输入端、控制端及输出端;用于接收相对应的所述触控电极上的测试信号,并受所述控制信号源提供的控制信号控制,将相对应的所述触控电极上的测试信号输入至相对应的所述测试信号采集端上;
[0011]所述薄膜晶体管的输入端连接相对应的所述触控电极,所述薄膜晶体管的控制端连接相对应的所述控制信号源,所述薄膜晶体管的输出端连接相对应的所述测试信号采集端;其中,
[0012]每一所述触控电极对应一个所述薄膜晶体管,每一所述触控电极分别连接至任意一个不重复的所述薄膜晶体管。
[0013]根据本发明的一优选实施例,每列所述触控电极配置一个所述控制信号源,每个所述控制信号源连接有与每列所述触控电极数量相同的薄膜晶体管,每个所述薄膜晶体管分别连接至相对应的所述测试信号采集端。
[0014]根据本发明的一优选实施例,所述显示阵列包括:多条数据线、一数据线信号输入源、一数据线控制信号源及多个数据线薄膜晶体管,测试时,所述数据线控制信号源对所述数据线薄膜晶体管输出高电平,所述数据线薄膜晶体管打开,所述数据线信号输入源向所述数据线输入脉冲信号,以向所述触控电极提供测试信号。
[0015]根据本发明的一优选实施例,每两列所述触控电极配置一个所述控制信号源,每个所述控制信号源连接有与两列触控电极数量相同的薄膜晶体管,每个所述薄膜晶体管分别连接至相对应的所述测试信号采集端。
[0016]根据本发明的一优选实施例,所述显示阵列包括:第一数据线组、第二数据线组、第一数据线信号输入源、第二数据线信号输入源、一数据线控制信号源及多个数据线薄膜晶体管,测试时,所述数据线控制信号源控制所述第一薄膜晶体管Tl组与第二薄膜晶体管T2组开启,所述第一数据线信号输入源与第二数据线信号输入源分别向所述第一数据线组与第二数据线组输入脉冲信号,以向相对应区域的所述触控电极提供测试信号。
[0017]依据本发明的上述目的,提出一种内嵌式触摸屏,包括:
[0018]触控电极阵列;
[0019]测试电路,连接所述触控电极阵列;
[0020]所述测试电路包括:
[0021]多个控制信号源,用于为所述测试电路提供控制信号;
[0022]多个测试信号采集端,用于采集相对应的触控电极上的测试信号;
[0023]多个薄膜晶体管,包括输入端、控制端及输出端;用于接收相对应的所述触控电极上的测试信号,并受所述控制信号源提供的控制信号控制,将相对应的所述触控电极上的测试信号输入至相对应的所述测试信号采集端上;
[0024]所述薄膜晶体管的输入端连接相对应的所述触控电极,所述薄膜晶体管的控制端连接相对应的所述控制信号源,所述薄膜晶体管的输出端连接相对应的所述测试信号采集端;其中,
[0025]每一所述触控电极对应一个所述薄膜晶体管,每一所述触控电极分别连接至任意一个不重复的所述薄膜晶体管。
[0026]根据本发明的一优选实施例,每列所述触控电极配置一个所述控制信号源,每个所述控制信号源连接有与每列所述触控电极数量相同的薄膜晶体管,每个所述薄膜晶体管分别连接至相对应的所述测试信号采集端。
[0027]根据本发明的一优选实施例,所述显示阵列包括:多条数据线、一数据线信号输入源、一数据线控制信号源及多个数据线薄膜晶体管,测试时,所述数据线控制信号源对所述数据线薄膜晶体管输出高电平,所述数据线薄膜晶体管打开,所述数据线信号输入源向所述数据线输入脉冲信号,以向所述触控电极提供测试信号。
[0028]根据本发明的一优选实施例,每两列所述触控电极配置一个所述控制信号源,每个所述控制信号源连接有与两列触控电极数量相同的薄膜晶体管,每个所述薄膜晶体管分别连接至相对应的所述测试信号采集端。
[0029]根据本发明的一优选实施例,所述显示阵列包括:第一数据线组、第二数据线组、第一数据线信号输入源、第二数据线信号输入源、一数据线控制信号源及多个数据线薄膜晶体管,测试时,所述数据线控制信号源控制所述第一薄膜晶体管Tl组与第二薄膜晶体管T2组开启,所述第一数据线信号输入源与第二数据线信号输入源分别向所述第一数据线组与第二数据线组输入脉冲信号,以向相对应区域的所述触控电极提供测试信号。
[0030]本发明的有益效果为:本发明提供的内嵌式触摸屏测试电路,能够单独对每个触控电极进行测试,精确的找出异常触控电极的位置,完整精准的体现整个面板的电性数据,避免不良触摸屏流入其他制程中造成不必要的材料浪费。
【附图说明】
[0031]为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0032]图1为本发明实施例一的显示阵列电路原理图;
[0033]图2为本发明实施例一的测试电路原理图;
[0034]图3为本发明实施例二的显示阵列电路原理图;
[0035]图4为本发明实施例二的测试电路原理图。
【具体实施方式】
[0036]以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本发明,而非用以限制本发明。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。
[0037]本发明针对现有的触摸面板生产过程中,不能在适当制程对其触摸效果进行测试,在进入后序制程后检测出问题则会造成不必要的材料浪费的技术问题而提供一种测试电路。
[0038]第一实施例
[0039]参考图1、图2,为本发明实施例一的显示阵列电路原理图与测试电路原理图。
[0040]如图1、图2所示,本发明的内嵌式触摸屏测试电路,连接触控电极阵列,所述触控电极阵列连接显示阵列,所述触控电极阵列位于所述显示阵列表面。
[0041]所述显示阵列包括有恒压电源101、若干栅极线102及数据线103,在所述数据线103的前端增设数据线控制模块,包括有数据线信号输入源Data on、数据线控制信号源Data SW及数据线薄膜晶体管104,所述数据线薄膜晶体管104的输入端连接所述数据线信号输入源Data on,所述数据线薄膜晶体管104的控制端连接所述数据线控制信号源DataSW,所述数据线薄膜晶体管104的输出端连接所述数据线103;所述数据线控制信号源DataSW控制所述数据线薄膜晶体管104的开闭,在测试时,所述数据线控制信号源Data SW向数据线薄膜晶体管104提供高电平,所述数据线薄膜晶体管104处于打开状态,此时,所述数据线信号输入源Data on向所述数据线103输入脉冲信号,由于电容耦合关系,该脉冲信号影响到所述触控电极阵列,从而为触控电极提供了一定量的测试信号;所述恒压电源101向所述栅极线102提供OV电压值,防止所述栅极线102对触控电极发出电性干扰,影响测试效果。
[0042]所述触控电极阵列包括有若干阵列排布的触控电极105,以及连接所述触控电极105的测试电路;所述测试电路包括有第一控制信号源SW1、第二控制信号源SW2、第三控制信号源SW3与第四控制信号源SW4,及第一测试信号采集端TP1、第二测试信号采集端TP2、第三测试信号采集端TP3及第四测试信号采集端TP4,及若干N型薄膜晶体管,其中,每一所述触控电极105分别连接至任意一个不重复的所述薄膜晶体管。
[0043]下面以四行、四列的触控电极阵列为例对本发明的技术方案进行说明;左起第一列中的四个触控电极105分别对应连接第一薄膜晶体管Tl、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3与第四薄膜晶体管T4的源极;第二列中的四个触控电极105分别对应连接第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第七薄膜晶体管T7与第八薄膜晶体管T8的源极;第三列中的四个触控电极105分别对应连接第九薄膜晶体管T9、第十薄膜晶体管T10、第十一薄膜晶体管Tll与第十二薄膜晶体管T12的源极;第四列中的四个触控电极105分别对应连接第十三薄膜晶体管T13、第十四薄膜晶体管T14、第十五薄膜晶体管T15与第十六薄膜晶体管T16的源极。
[0044]所述第一薄膜晶体管Tl、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3与第四薄膜晶体管T4的栅极连接所述第一控制信号源SWl,由所述第一控制信号源SWl提供控制信号;所述第五薄膜晶体管T5、第六薄膜晶体管T6、第七薄膜晶体管T7与第八薄膜晶体管T8的栅极连接所述第二控制信号源SW2,由所述第二控制信号源SW2提供控制信号;所述第九薄膜晶体管T9、第十薄膜晶体管T10、第十一薄膜晶体管Tll与第十二薄膜晶体管T12的栅极连接所述第三控制信号源SW3,由所述第三控制信号源SW3提供控制信号;所述第十三薄膜晶体管T13、第十四薄膜晶体管T14、第十五薄膜晶体管T15与第十六薄膜晶体管T16的珊极连接所述第四控制信号源SW4,由所述第四控制信号源SW4提供控制信号。
[0045]上起第一行的四个触控电极105分别对应的所述第一薄膜晶体管Tl、第五薄膜晶体管T5、第九薄膜晶体管T9与第十三薄膜晶体管T13的漏极连接所述第一测试信号采集端TP1,以采集第一行的四个触控电极105的测试信号;第二行的四个触控电极105分别对应的所述第二薄膜晶体管T2、第六薄膜晶体管T6、第十薄膜晶体管TlO与第十四薄膜晶体管T14的漏极连接所述第二测试信号采集端TP2,以采集第二行的四个触控电极105的测试信号;第三行的四个触控电极105分别对应的所述第三薄膜晶体管T3、第七薄膜晶体管T7、第十一薄膜晶体管Tll与第十五薄膜晶体管T15的漏极连接所述第三测试信号采集端TP3,以采集第三行的四个触控电极105的测试信号;第四行的四个触控电极105分别对应的所述第四薄膜晶体管T4、第八薄膜晶体管T8、第十二薄膜晶体管T12与第十六薄膜晶体管T16的漏极连接所述第四测试信号采集端TP4,以采集第四行的四个触控电极105的测试信号。
[0046]测试原理:所述数据线控制信号源DataSW持续向所述数据线薄膜晶体管104提供高电平,所述数据线薄膜晶体管104处于打开状态,所述数据线信号输入源Data on向所述数据线103输入脉冲信号,进而根据电容耦合效应使所述触控电极105感应到一定量的电信号,对所述触控电极105上的电信号分别进行测量,通过对比来判断电信号是否合理,理论上由于每个触控电极105形状大小都一样,因此采集到的感应电信号都差不多,如果有某个触控电极105的感应电信号和其他触控电极105差异较大,则可推断此触控电极105出现了断短路。
[0047]电路运行原理:I)所述数据线控制信号源DataSW—直给高电平,打开所有数据线103,此后所述数据线信号输入源Data on持续施以例如频率为ΙΟΟΚΗζ、电压为5V的电信号;2)此时,所述第一控制信号源SWl给高电平,第二控制信号源SW2、第三控制信号源SW3、第四控制信号源SW4给低电平,所述第一控制信号源SWl控制左起第一列触控电极105导通,其余列触控电极105断开,此时所述第一测试信号采集端TP1、第二测试信号采集端TP2、第三测试信号采集端TP3、第四测试信号采集端TP4分别采集分别记录下该列触控电极105上的感应电信号;3)紧接着:所述第二控制信号源SW2给高电平,第一控制信号源SW1、第三控制信号源SW3、第四控制信号源SW4给低电平,所述第二控制信号源SW2控制左起第二列触控电极105导通,其余列触控电极105断开,此时所述第一测试信号采集端TP1、第二测试信号采集端TP2、第三测试信号采集端TP3、第四测试信号采集端TP4分别采集分别记录下该列触控电极105上的感应电信号;4)随后:所述第三控制信号源SW3给高电平,第一控制信号源SW1、第二控制信号源SW2、第四控制信号源SW4给低电平,所述三控制信号源控制左起第三列触控电极105导通,其余列触控电极105断开,此时所述第一测试信号采集端TP1、第二测试信号采集端TP2、第三测试信号采集端TP3、第四测试信号采集端TP4分别采集分别记录下该列触控电极105上的感应电信号;5)最后:所述第四控制信号源SW4给高电平,第一控制信号源SWl、第二控制信号源SW2、第三控制信号源SW3给低电平,所述四控制信号源控制左起第四列触控电极105导通,其余列触控电极105断开,此时所述第一测试信号采集端TP1、第二测试信号采集端TP2、第三测试信号采集端TP3、第四测试信号采集端TP4分别采集分别记录下该列触控电极105上的感应电信号;测试完成,所述数据线控制信号源Data SW控制所述数据线薄膜晶体管104关闭,所述数据线信号输入源Data on停止向数据线103输入脉冲信号。
[0048]每个所述触控电极105可与所述第一薄膜晶体管Tl至所述第十六薄膜晶体管T16中的任意一个未连接触控电极105的薄膜晶体管的相连接;独立控制某一控制信号源,可采集对应触控电极105的测试信号,从而确定异常触控电极105的位置。
[0049]测试完成后,可将测试电路镭射切除,或使控制信号源置于悬浮态或者给所述控制信号源低电平,此时所述所有薄膜晶体管处于关闭状态,从而不影响触摸屏的正常使用。
[0050]第二实施例
[0051]本发明的参考图3、图4,为本发明实施例二的显示阵列电路原理图与测试电路原理图。
[0052]如图3、图4所示,所述显示阵列包括有第二恒压电源201、若干第二栅极线202,与本发明实施例一的区别在于:
[0053]所述显示阵列包括数据线控制信号源、N型的第一薄膜晶体管组204、N型的第二薄膜晶体管组205、第一数据线信号输入源Data onl、第二数据线信号输入源Data on2、相对位于左半部分的第一数据线组203及相对位于右半部分的第二数据线组206;所述第一薄膜晶体管组204与第二薄膜晶体管组205的所有栅极均连接第二数据线控制信号源Data Sff;所述第一薄膜晶体管组204的漏极连接所述第一数据线组203,所述第一薄膜晶体管组204的源极连接所述第一数据线信号输入源Data onl;所述第二薄膜晶体管组205的漏极连接所述第二数据线组206,所述第二薄膜晶体管组205的源极连接所述第二数据线信号输入源Data on20
[0054]所述测试电路包括有第五控制信号源SW5及第六控制信号源SW6,及第五测试信号采集端TP5、第六测试信号采集端TP6、第七测试信号采集端TP7及第八测试信号采集端TP8,及若干N型薄膜晶体管,其中,其中,每一个所述第二触控电极208分别连接一薄膜晶体管。
[0055]以四行、四列的第二触控电极阵列为例,左起第一列中的四个第二触控电极208分别对应连接第十七薄膜晶体管T17、第十八薄膜晶体管T18、第十九薄膜晶体管T19与第二十薄膜晶体管T20的源极;第二列中的四个第二触控电极208分别对应连接第二 ^^一薄膜晶体管T21、第二十二薄膜晶体管T22、第二十三薄膜晶体管T23与第二十四薄膜晶体管T24的源极;第三列中的四个第二触控电极208分别对应连接第二十五薄膜晶体管T25、第二十六薄膜晶体管T26、第二十七薄膜晶体管T27与第二十八薄膜晶体管T28的源极;第四列中的四个第二触控电极208分别对应连接第二十九薄膜晶体管T29、第三十薄膜晶体管T30、第三^^一薄膜晶体管T31与第三十二薄膜晶体管T32的源极。
[0056]左起第一列、第三列第二触控电极208所对应的薄膜晶体管的栅极连接所述第五控制信号源SW5,左起第二列、第四列第二触控电极208所对应的薄膜晶体管的栅极连接所述第六控制信号源SW6。
[0057]上起第一行第二触控电极208所对应的薄膜晶体管的漏极连接所述第五测试信号采集端TP5,第二行第二触控电极208所对应的薄膜晶体管的漏极连接所述第六测试信号采集端TP6,第三行第二触控电极208所对应的薄膜晶体管的漏极连接所述第七测试信号采集端TP7,第四行第二触控电极208所对应的薄膜晶体管的漏极连接所述第八测试信号采集端TP8。
[0058]本实施方案与上述实施例测试原理相同,此处不一一赘述。
[0059]电路运行原理:测试时,I)所述第二数据线控制信号源207—直给高电平,打开第一数据线组203与第二数据线组206,所述第一数据线信号输入源Data onl与第二数据线信号输入源Data on2适时为所述第一数据线组203与第二数据线组206提供脉冲信号,从而使需要进行测试的第二触控电极208对应列耦合出测试信号;2)此时,第五控制信号源SW5给高电平,第六控制信号源SW6给低电平,左起第一列、第三列第二触控电极208导通,所述第一数据线信号输入源Data onl向所述第一数据线组203提供例如频率为ΙΟΟΚΗζ、电压为5V的电信号,所述第二数据线信号输入源Data on2向所述第二数据线组206提供OV恒定电压信号,因此,此时可采集到左起第一列第二触控电极208的测试信号;3)紧接着:维持所述第五控制信号源SW5高电平,第六控制信号源SW6给低电平,所述第一数据线信号输入源Dataonl向所述第一数据线组203提供OV恒定电压信号,所述第二数据线信号输入源Data on2向所述第二数据线组206提供例如频率为ΙΟΟΚΗζ、电压为5V的电信号,因此,此时可采集到左起第三列第二触控电极208的测试信号;4)随后:第五控制信号源SW5给低电平,第六控制信号源SW6给高电平,左起第二列、第四列第二触控电极208导通,所述第一数据线信号输入源Data onl向所述第一数据线组203提供例如频率为10KHz、电压为5V的电信号,所述第二数据线信号输入源Data on2向所述第二数据线组206提供OV恒定电压信号,因此,此时可采集到左起第二列第二触控电极208的测试信号;5)最后:维持所述第五控制信号源SW5低电平,第六控制信号源SW6给高电平,所述第一数据线信号输入源Data onl向所述第一数据线组203提供OV恒定电压信号,所述第二数据线信号输入源Data on2向所述第二数据线组206提供例如频率为ΙΟΟΚΗζ、电压为5V的电信号,因此,此时可采集到左起第四列第二触控电极208的测试信号;测试完成,所述第一数据线信号输入源Data onl、第二数据线信号输入源Data on2停止向所述第一数据线组203、第二数据线组206提供脉冲信号,所述第五测试信号采集端TP5、第六测试信号采集端TP6、第七测试信号采集端TP7及第八测试信号采集端TP8不再接受测试信号。
[0060]实施例二在实施例一的基础上,减少了控制信号源的配置,从而减少了信号线在面板边框上的预留位置,有利于实现窄边框化。
[0061]本发明还提供一种内嵌式触摸屏,本优选实施例的内嵌式触摸屏包括如图1至图4所示的前述实施例中的测试电路,在此不再赘述。
[0062]本发明提供的内嵌式触摸屏测试电路,能够单独对每个第二触控电极进行测试,精确的找出异常第二触控电极的位置,完整精准的体现整个面板的电性数据,避免不良触摸屏流入其他制程中造成不必要的材料浪费。
[0063]综上所述,虽然本发明已以优选实施例揭露如上,但上述优选实施例并非用以限制本发明,本领域的普通技术人员,在不脱离本发明的精神和范围内,均可作各种更动与润饰,因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。
【主权项】
1.一种内嵌式触摸屏测试电路,其特征在于,所述测试电路连接触控电极阵列,所述触控电极阵列连接显示阵列,所述显示阵列为所述触控电极阵列提供测试信号;所述测试电路包括: 多个控制信号源,用于为所述测试电路提供控制信号; 多个测试信号采集端,用于采集相对应的触控电极上的测试信号; 多个薄膜晶体管,包括输入端、控制端及输出端;用于接收相对应的所述触控电极上的测试信号,并受所述控制信号源提供的控制信号控制,将相对应的所述触控电极上的测试信号输入至相对应的所述测试信号采集端上; 所述薄膜晶体管的输入端连接相对应的所述触控电极,所述薄膜晶体管的控制端连接相对应的所述控制信号源,所述薄膜晶体管的输出端连接相对应的所述测试信号采集端;其中, 每一所述触控电极对应一个所述薄膜晶体管,每一所述触控电极分别连接至任意一个不重复的所述薄膜晶体管。2.根据权利要求1所述的内嵌式触摸屏测试电路,其特征在于,每列所述触控电极配置一个所述控制信号源,每个所述控制信号源连接有与每列所述触控电极数量相同的薄膜晶体管,每个所述薄膜晶体管分别连接至相对应的所述测试信号采集端。3.根据权利要求2所述的内嵌式触摸屏测试电路,其特征在于,所述显示阵列包括:多条数据线、一数据线信号输入源、一数据线控制信号源及多个数据线薄膜晶体管,测试时,所述数据线控制信号源对所述数据线薄膜晶体管输出高电平,所述数据线薄膜晶体管打开,所述数据线信号输入源向所述数据线输入脉冲信号,以向所述触控电极提供测试信号。4.根据权利要求1所述的内嵌式触摸屏测试电路,其特征在于,每两列所述触控电极配置一个所述控制信号源,每个所述控制信号源连接有与两列触控电极数量相同的薄膜晶体管,每个所述薄膜晶体管分别连接至相对应的所述测试信号采集端。5.根据权利要求4所述的内嵌式触摸屏测试电路,其特征在于,所述显示阵列包括:第一数据线组、第二数据线组、第一数据线信号输入源、第二数据线信号输入源、一数据线控制信号源及多个数据线薄膜晶体管,测试时,所述数据线控制信号源控制所述第一薄膜晶体管组与第二薄膜晶体管组开启,所述第一数据线信号输入源与第二数据线信号输入源分别向所述第一数据线组与第二数据线组输入脉冲信号,以向相对应区域的所述触控电极提供测试信号。6.—种内嵌式触摸屏,其特征在于,包括: 触控电极阵列; 测试电路,连接所述触控电极阵列; 所述测试电路包括: 多个控制信号源,用于为所述测试电路提供控制信号; 多个测试信号采集端,用于采集相对应的触控电极上的测试信号; 多个薄膜晶体管,包括输入端、控制端及输出端;用于接收相对应的所述触控电极上的测试信号,并受所述控制信号源提供的控制信号控制,将相对应的所述触控电极上的测试信号输入至相对应的所述测试信号采集端上; 所述薄膜晶体管的输入端连接相对应的所述触控电极,所述薄膜晶体管的控制端连接相对应的所述控制信号源,所述薄膜晶体管的输出端连接相对应的所述测试信号采集端;其中, 每一所述触控电极对应一个所述薄膜晶体管,每一所述触控电极分别连接至任意一个不重复的所述薄膜晶体管。7.根据权利要求6所述的内嵌式触摸屏,其特征在于,每列所述触控电极配置一个所述控制信号源,每个所述控制信号源连接有与每列所述触控电极数量相同的薄膜晶体管,每个所述薄膜晶体管分别连接至相对应的所述测试信号采集端。8.根据权利要求7所述的内嵌式触摸屏,其特征在于,所述显示阵列包括:多条数据线、一数据线信号输入源、一数据线控制信号源及多个数据线薄膜晶体管,测试时,所述数据线控制信号源对所述数据线薄膜晶体管输出高电平,所述数据线薄膜晶体管打开,所述数据线信号输入源向所述数据线输入脉冲信号,以向所述触控电极提供测试信号。9.根据权利要求6所述的内嵌式触摸屏,其特征在于,每两列所述触控电极配置一个所述控制信号源,每个所述控制信号源连接有与两列触控电极数量相同的薄膜晶体管,每个所述薄膜晶体管分别连接至相对应的所述测试信号采集端。10.根据权利要求9所述的内嵌式触摸屏,其特征在于,所述显示阵列包括:第一数据线组、第二数据线组、第一数据线信号输入源、第二数据线信号输入源、一数据线控制信号源及多个数据线薄膜晶体管,测试时,所述数据线控制信号源控制所述第一薄膜晶体管组与第二薄膜晶体管组开启,所述第一数据线信号输入源与第二数据线信号输入源分别向所述第一数据线组与第二数据线组输入脉冲信号,以向相对应区域的所述触控电极提供测试信号。
【文档编号】G06F3/041GK106097946SQ201610708656
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年8月23日
【发明人】黄耀立, 贺兴龙
【申请人】武汉华星光电技术有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1