专利名称：：包括衍射浮雕结构的多层体及其制备方法包括衍射浮雕结构的多层体及其制备方法
技术领域：
：本发明涉及具有复制层(replicationlayer)和至少一个设置在该复制层上与第一浮雕结构成对齐(inregister)关系的部分成形的笫一层的多层体，和所述多层体的制备方法。此类元件适合用作远程通讯领域中的光学元件或还用作透镜系统。GB2136352A描述了制备配备有全息图作为安全特性的密封薄膜的制备方法。在那种情况下，在衍射浮雕结构的压印操作之后，在塑料薄膜的整个面积上镀金属，然后按区域(region-wise)方式以与经压印的衍射浮雕结构精确对齐的关系脱金属。以精确对齐的关系脱金属是昂贵的并且可能获得的分辩率受到调节容限和所使用的程序限制。EP0537439B2描述了具有细丝(filigree)图案的安全性构件的制备方法。该图案由衍射性结构形成，所述结构覆盖有金属层并且被其中除去了金属层的透明区域围绕。要求将细丝图案的轮廓以凹部(depression)形式引入金属涂覆的载体中，在那种情况下，同时为该凹部的底部提供衍射性结构然后用保护性漆填充该凹部。通过刮刀除去过量的保护性漆。在涂覆保护性漆之后，要求在无保护的透明区域通过蚀刻除去金属层。凹部为大约liam-5jum,而衍射性结构可以有大于lnm的高度差。在重复步骤中，需要调节步骤用于以精确对齐的关系取向的方法当处理更精细结构时失败。另外，对于刮除保护性漆的操作来说，随着"间隔物"消失，难以实现覆盖面积的连续金属区域。本发明的目的是提供多层体和多层体的制备方法，其中可以在高精确水平下廉价地以对齐关系施加层，该层具有其中该层不存在的区域。根据本发明，该目的由具有部分成形的第一层的多层体的制备方法达到，其中要求在该多层体的复制层的第一区域中成形衍射性第一浮雕结构，在该第一区域中和其中在复制层中没有成形浮雕结构的第二区域中将第一层施加到复制层上，由复制层限定的平面具有恒定的表面密度，将光敏层施加到第一层上或将光敏性洗涤掩模作为复制层施加到其上，透过第一层将该光敏层或洗涤掩模曝光以致由于第一和第二区域中的第一浮雕结构而引起该光敏层或洗涤掩模被不同地曝光，和在第一区域而不是第二区域中或在第二区域而不是第一区域中使用曝光的光敏层或洗涤掩模作为掩模层将第一层除去。所述目的进一步由具有复制层和至少一个设置在该复制层上的部分成形的第一层的多层体达到，其中要求在复制层的第一区域中成形衍射性第一浮雕结构，在复制层的第二区域中的复制层中不成形第一浮雕结构，和以由第一浮雕结构的设置确定的方式将第一层部分地除去，以致在第一区域而不是第二区域中或在第二区域而不是第一区域中以与第一浮雕结构精确对齐的关系将第一层除去。该目的进一步由具有部分成形的笫二层的多层体的制备方法达到，其中要求在该多层体的复制层的第一区域中成形衍射性第一浮雕结构，在该第一区域中和其中在复制层中没有成形浮雕结构的第二区域中将第一层施加到复制层上，由复制层限定的平面具有恒定的表面密度，透过第一层将光敏层或光敏性洗涤掩模曝光以致由于第一和第二区域中的第一浮雕结构而引起该光敏层或洗涤掩模被不同地曝光，和在第一区域而不是第二区域中或在第二区域而不是第一区域中使用曝光的光敏层或洗涤掩模作为掩模层将第二层除去。层的多层体的曝光掩模是理想的。在这方面要求曝光:模具有复制层，在复制层的第一区域中成形衍射性第一浮雕结构，在复制层的第二区域中的复制层中不成形第一浮雕结构，在该第一区域中和其中在复制层中没有成形第一浮雕结构的第二区域中将第一层施加到复制层上，以致透过第一层曝光的光敏层或光敏性洗涤掩模由于第一浮雕结构在第一和第二区域中被不同地曝光。本发明基于以下目标的实现第一区域中的衍射性浮雕结构影响施加到该区域中的复制层上的第一层的物理性能，例如有效厚度或光学密度，以致该第一层的透射性能在第一和第二区域中有差异。现在该第一层在曝光方法中用作"掩模层"以通过一种程序将该第一层本身局部除去，藉由该程序，透过第一层(即功能层)将邻接该第一层的光敏层曝光。与通过常规方法施加的掩模层相比，这提供的优点是在没有附加的调整复杂性和费用下以精确对齐的关系将掩模层取向。第一层是在复制层中成形的结构的不可或缺的组件。因此，仅该浮雕结构的容限对第一层的位置的容限有影响。第一浮雕结构和具有相同物理性能的第一层的区域之间的横向位移不会发生。具有相同的物理性能的第一层的区域的设置与第一浮雕结构精确地对齐。不会产生附加的容限。第一层是发挥双重作用的层。一方面，它发挥用于制备程序的高精确曝光掩模的作用，而另一方面，在制备程序结束时，它形成高精确定位的功能层，例如OVD层或导体迹线(track)或电子元件例如有机半导体元件的功能层。另外，有可能利用本发明制备很高分辨率的结构化层。可以达到的对齐和分辨的程度比可以通过已知的脱金属方法达到的大致好ioo倍。因为第一浮雕结构的构件的宽度可以为大约可见光的波长(大约380-780nm)甚至更小，所以有可能制备具有非常细小轮廓的图案区域。这意味着在这个方面与至今使用的脱金属方法相比获得显著的优点，并且采用本发明有可能制备具有比今天更高防复制和防伪造水平的安全性构件。有可能制备具有高分辨率水平的线和/或点，例如宽度或直径分别小于5jam，尤其是达到大约200nm。优选地，获得了大约0.5mm-5|am,尤其是大约lMm的分辨率水平。比较起来，包括以对齐关系调整的方法仅在非常高的复杂性和费用水平下才使实现小于10)am的线宽度成为可能。优选利用溅镀、蒸汽沉积或喷雾将第一层施加到复制层上。由于所包括的程序溅镀操作包括将材料定向施加，以致当相对于由复制层限定的平面以恒定表面密度通过溅镀将第一层的材料施加到设置有浮雕结构的复制层上时，以不同的厚度局部地沉积所述材料。由于所包括的程序，当通过蒸汽沉积和喷雾施加第一层时，优选还进行材料的至少部分定向施加。多层体可以是膜构件或刚性体。膜构件用来例如提供具有安全特性的文件、钞票等。这可以包括织入纸或引入卡片中的安全线，它们i形成。，、、，'-"",一'、、有利地，刚性体如身份证、传感元件的基板或手机的外壳部分也可以设置有根据本发明的部分脱金属的层，它们与功能结构或衍射性设计构件对齐。可以如下规定用注射模塑工具或使用UV漆通过采用沖床或模孔成形来引入复制层并将该复制层直接地结构化。然而也可以如下规定可以使用以上所述的方法制备用于制备其它多层体的曝光掩模。根据本发明的曝光掩模的特征在于尤其高水平的分辨率，这种分辨率不能采用其它用于安全构件等的大规模制备方法达到。这些多层体适合例如用作光学元件如透镜系统、曝光和投影掩模或用作保护(safeguarding)文件或身份证的安全构件，因为它们覆盖文件如护照照片或所有者签名的关键区域或整个文件。它们也可以用作无线电通讯领域中的元件或装饰构件。如果在有价值的文件等的范围中以安全特性形式设置多层体，则已进一步证明是合乎需要的。具有尤其明亮和细丝外观的新型安全特性可以利用根据本发明的方法产生。因此，有可能例如通过形成第一层的光栅产生在透射模式下是半透明的图像。另外，有可能赋予第一信息项在此种范围内在反射模式下是可见的并且赋予第二信息项在透射模式下是可见的。本发明的有利配置在所附权利要求书中阐明。可以有利地规定将第一层施加到复制层的整个表面积上，优选通过蒸汽沉积施加。当不规则地施加第一层时，光学密度的差异可能在设置有恒定光学密度的区域中发生，那样可能产生缺陷结构。进一步可以如下要求以第一层基本上不透明并且优选具有大于1.5的光学密度的厚度将第一层施加到复制层上。令人惊奇地，已经发现具有衍射性浮雕结构的区域的透射率的比率可以通过增加第一层的不透明性而增加。因此，如果采用相应的光照强度通过通常确定为是不透明的(例如5的光学密度)并且由于其高的光学密度通常不用作掩模层的层实施曝光，则可以获得尤其好的结果。如果以第一层具有2-7的光学密度的厚度将第一层施加到复制层的整个表面积上，则是尤其有利的。有利地，规定通过金属层或金属合金的层形成第一层。可以采用尝试-和-试验方法如溅镀施加此类层并且当包括小的层厚度时它们已经具有足够的光学密度。然而，第一层也可以是非金属层，该非金属层例如可以是着色或掺杂的，例如用纳米颗粒或纳米球体着色或掺杂的以增加它们的光学密度。可以进一步规定在第二区域中的复制层中成形第二浮雕结构，并且在该复制层中成形的浮雕结构如第一浮雕结构那样是衍射性浮雕结构，相对于第二区域中的笫一层的透射性，它增加第一区域中的第一层的透射性。为此，可以在比第二结构更大的浮雕深度下制备第一结构。可以进一步要求第一结构的空间频率和浮雕深度的乘积大于第二结构的空间频率和浮雕深度的乘积。从而还可能的是，相对于在第二区域中施加的层，第一区域和第二区域中的复制层的浮雕结构的构型增加施加到第一区域中的复制层上的层的透射性。第二浮雕结构可以进一步满足，在第二区域中，复制层和第一层之间的界面层是基本上平坦的。为了在第一和第二浮雕结构的光学密度方面产生尤其显著的差异，可以将相对于各个构件具有高深宽比并且尤其是具有〉0.3的深宽比的衍射性浮雕结构成形为第一区域中的第一浮雕结构并且第二浮雕结构可以呈低深宽比的浮雕结构形式。在适当地选择第一层的层厚度的情况下，使用一类特定衍射性浮雕结构使得第一区域和第二区域中的第一层在光学密度方面产生非常显著的差异成为可能，这种差异已经可用眼睛分辨。然而，令人惊奇地发现，在第一和第二区域中在透射性方面的这种显著差异就实施根据本发明的方法而言不是强制必需的。当涉及薄蒸汽沉积时，在深宽比方面具有微小差异的结构还通常在透射性方面具有较小差异。然而，即使微小的相对差异也可能通过增加第一层的层厚度和因此的平均光学密度而增强。因此，当第一和第二区域中的第一层的透射性差异已非常小时，可以获得好的结果。第一层可以是非常薄的数量级为数纳米的层。相对于由复制层限定的平面，所施加的具有均匀表面密度的第一层的高深宽比区域比低深宽比区域显著更薄。无量纲的深宽比是放大优选具有周期性结构，例如具有正弦-正方形构型的表面的特征。在此的深度是此种结构的最高和最低相继点之间的间距，即，"峰"和"谷"之间的间距。两个相邻的最高点之间的间距，即，两个"峰"之间的间距称为宽度。这样，深宽比越高，相应地越陡峭的是"峰侧面"，并且相应地越薄的是沉积在该"峰侧面"上的第一层。在增加深宽比的情况下产生较高水平的透射性尤其是透明性的效果还在具有垂直侧面的结构的情况下观察到，例如在矩形光栅的情况下观察到。然而，这也可能涉及这种模式不能适用的结构。举例来说，情况可能涉及以线形式离散分布的区域，它们仅呈"谷，，的形式，其中两个"谷"之间的间距比"谷"深度的大数倍。当正规应用上面规定的定义时，那样计算的深宽比将大致为零并且不会反映特性物理状态。因此，在基本上仅由"谷，，形成的离散布置的结构的情况下，该"谷"的深度将与"谷"的宽度关联。令人惊奇地发现，在这方面，具有高深宽比的区域是否透明不重要。这可能涉及例如形成全息图或Kinegram⑧安全特性的光学活性区域的结构。唯一重要的考虑是那些区域根据它们的透射性或更小或更大的光学密度而相对于其它区域划界。可能有利地规定第二浮雕结构呈光学活性，优选衍射性结构形式。实施那种形式的结构既是反射性的又是透射衍射光、折射光或散射光的微米或纳米结构。它们可以包括例如光栅结构如线性光栅或交叉光栅，产生图象的结构如全息图或Kinegram0，各向同性或各向异性消光结构，二元或连续菲涅耳透镜，微棱镜，微透镜，闪耀光栅，组合结构，宏观结构等。在除去第一区域中的第一层之后，以与第一层精确对齐的关系沉积该光学活性结构以致可以那样产生具有高防伪性质的安全特性。在那种情况下，第一和第二浮雕结构可以包括浮雕结构，如Kinegram,其中一个或多个浮雕参数，例如取向、细度或轮廓形状发生改变，以产生所需的衍射性能。那一类结构的目的不仅是实现在其中浮雕结构成形成复制层的区域中的透射性能改变，而且还发挥以下作用即在与反射层或光学隔离层沉积时充当光学可变的设计构件。除那一类第一浮雕结构之外，如果还在复制层中成形那一类第二浮雕结构，则该第一和第二浮雕结构优选在与第一层的透射性能相关的一个或多个参数方面不同，并且因此例如在浮雕深度或深宽比方面不同。因此，有可能例如在复制层中成形两个Kinegram⑧安全特性，以与细丝线条图案部分重叠的关系成形。第一Kinegran^形成第一浮雕结构并且第二Kinegrar^形成第二浮雕结构。两个设计的浮雕结构在典型的深宽比方面不同而其它结构参数类似。因此具有三"组"结构，即，在第一kinegram⑧中的第I组结构，在第二kinegran^中的第II组结构和在背景中的第III组结构。在第一步骤中，第一层保留，例如蒸气沉积的金属层如铜层，而在第一设计的Kinegraii^区域中，除去其余部分。然后，在整个面积上蒸气沉积另一种材料，例如铝，并通过适合的方法在背景区域中除去该材料。那一程序提供两种设计，所述设计以对齐关系被部分地镀金属但是在面向观察者的金属层(铜，铝)方面不同。该方法可能进一步规定施加具有二元特性的光敏材料作为光敏层或光敏性洗涤掩模，并且以一定曝光强度和在一定曝光时间下透过第一层将该光敏层或光敏性洗涤掩模曝光，第一区域中的光敏层或光敏性洗涤掩模被活化并且第二区域中的没有被活化，在第一区域中，第一层的透射性由于第一浮雕结构而增加。若第一区域和第二区域的光学密度仅彼此略微不同也可以使用根据本发明的方法，在那个方面，如上文已解释的那样，令人惊奇地，基于高的平均光学密度是可能的。有利的构型规定利用uv辐射透过第一层将光敏层或洗涤掩模曝光。实验表明，在第一层的透射性能方面，可能由于第一和第二区域中的浮雕结构的不同构型而产生的差异在uv辐射范围内尤其显著。当就曝光操作而言使用uv辐射时，因此可以获得尤其好的结果。可以提供光敏性洗涤掩模作为光敏层，在这个方面，按洗涤方法将由于膝光操作而活化的光敏性洗涤掩模的区域和布置在那里的第一层的区域除去。然而，光敏层也可以包括在曝光操作之后进行显影然后形成筹一层的蚀刻掩模的层。另外，可以存在光敏层，它在其中第一层的透射性由于第一浮雕结构而提高的第一区域中通过曝光而活化，然后形成第一层的蚀刻剂。光敏层可以是光致抗蚀剂，该光致抗蚀剂可以呈正性或负性光致抗蚀剂形式。那样，可以除去第一层的不同区域，而复制层具有相同性质。可以进一步规定，光敏层呈光聚合物形式。举例来说，可以提供碱液或酸作为第一层的蚀刻剂。可以进一步规定，仅部分地除去第一层并且一旦达到预定的透明度就中断蚀刻操作。那样使得产生例如基于局部不同透明度的安全特性成为可能。如杲将例如铝用作第一层，则碱液如NaOH或KOH可以用作各向同性作用蚀刻剂。还可能使用酸介质如PAN(磷酸、硝酸和水的混合物)。反应速度通常随碱液的浓度和温度增加。工艺参数的选择取决于程序的可再现性和多层体的耐性。当用碱液蚀刻时影响因素通常是蚀刻浴的组成，尤其是蚀刻剂的浓度、蚀刻浴的温度和在蚀刻浴中的待蚀刻的层的流动条件。在蚀刻浴中的蚀刻剂的浓度方面的典型参数范围为大约0.1%-10%,在温度方面的典型参数范围为大约20。C-80。C。第一层的蚀刻操作可以用电化学方法促进。通过施加电压加强蚀刻操作。该作用通常是各向同性的，以致表面积方面的结构依赖性增加也使蚀刻效果强化。为了除去例如氧化层，典型的电化学添加剂如湿润剂、緩沖物质、抑制剂、活化剂、催化剂等可以促进蚀刻程序。在蚀刻程序期间，蚀刻介质的消耗或在蚀刻产物方面的富集可能在相对于第一层的界面层中发生，藉此蚀刻速度减慢。蚀刻介质的强制混合(可能通过产生适合的流动或超声激发来进行)改进蚀刻特性。蚀刻程序可以进一步包括在时间方面的温度分布以将蚀刻结果优化。因此，蚀刻可以在开始时在低温条件下进行并且随操作时间的增加而升温。那优选在蚀刻浴中通过三维温度梯度实现，在这种情况下，将多层拉过具有不同温度带的延长蚀刻浴。第一层的最后数纳米可能证明是较顽固的并且耐蚀刻程序中的蚀刻。因此，为了除去最后一层的残留物，对刻蚀过程的微小机械帮助是有利的。所述顽固基于第一层的可能稍有不同的组成，大概归因于当在复制层上形成第一层时的界面层现象。在那种情况下，优选通过擦拭方法除去第一层的最后数纳米，即让该多层体通过覆盖有细布的辊子。该布料擦去第一层的残留物而不会破坏该多层体。蚀刻操作不必包括用流体进行的完工步骤。它也可以是"干式法"，例如等离子蚀刻。另外，激光烧蚀已经证明对除去第一层是有用的。在具有高深宽比的结构的情况下，尤其是其中两个相邻凸起部分之间的典型间距小于入射光波长的浮雕结构(所谓的零阶结构)的情况下，即使在包括镜面反射的区域中反射层的反射程度较高，入射光的大部分也能被吸收。利用聚集的激光束辐射呈反射层形式的第一层，在这样情况下，在增加的程度下吸收激光辐射并且在强烈吸收的区域中反射层的温度相应增加，所述吸收区域具有上述高深宽比的结构。在高水平的能量输入下，反射层可能局部散裂，在这样情况下，会发生反射层的除去或烧蚀或反射层的材料的聚结。如果来自激光的能量输入仅在短期内进行并且热传导的效果因此仅是微小的，则烧蚀或聚结仅在由浮雕结构预限定的区域中发生。激光烧蚀方面的影响因素是浮雕结构的构型(时间、深度、取向、轮廓)，波长，入射光辐射的偏振和入射角，激光辐射的作用持续时间(与时间有关的功率)和局部剂量，第一层的性能和吸收特性，以及第一层可能具有在其上面或其下面将它覆盖的其它层，如结构化的光敏性或洗涤用漆层。Nd:YAG激光尤其证明适合于该激光处理。它们在大约1064mm下发射并且还优选以脉冲模式操作。进一步可能使用二极管激光。可以利用频率变化，例如倍频改变激光辐射的波长。利用所谓的扫描装置，例如利用电流反射镜和聚焦透镜引导在多层体上的激光束。在扫描操作过程中发射大约纳秒至微秒的持续脉沖并引起第一层的上述烧蚀或聚结，如由结构预先确定的那样。脉冲持续时间通常小于毫秒，有利地大约为数微秒或更少。因此当然还可以使用纳秒至毫微微秒的脉沖持续时间。激光束的精确位置是没有必要的，因为在以结构形式存在的光敏层或洗涤掩模部分地防止了激光辐射到达第一层的情况下程序是自参照的。优选通过在激光束轮廓和邻接脉沖的重叠方面进行适合的选择进一步优化程序。然而同样可以控制在多层体上的激光通路与布置在复制层中的浮雕结构或光敏层或洗涤掩模中的开口为对齐关系，以致仅辐射光敏层或洗涤掩模中的具有相同浮雕结构或具有/不具有开口的区域。例如，可以使用照相机系统用于此种控制。代替集中于点或线的激光，还可以使用发射短控制脉沖例如闪光的区域辐射设备。激光烧蚀方法的优点尤其包括以下事实如果第一层的两面覆盖有一个或多个其它的相对于激光辐射是透射性的层，并且它因此没有直接地与蚀刻介质接触，则也可以按与浮雕结构对齐的关系将第一层局部地除去。仅通过激光破碎第一层。第一层的材料再次以小聚结物或小球形式脱落，所述小聚结物或小球不可为观察者肉眼看见并且仅非实质性地影响辐射区域的透明度。如果第一层是可直接接触的，则该第一层的在激光处理之后仍保留在复制层上的残留物可以任选地利用随后的洗涤程序除去。在第一层的蚀刻之后，可以规定除去蚀刻掩模的残留物。在进一步有利的构型中，可以将第二层引入其中第一层已被除去的区域中。可以进一步规定除去第一层并用第三层替换。因此根据本的互换的方法步骤或当使;光学密度的差^形成或区分区:时的方法步骤的重复。可以进一步规定，如果第一层和/或笫二层和/或笫三层包括导电层或适合于无电流通电的层，则将这些通电增强。对于根据所述方法制备的多层体来说，可以规定，笫二区域包括两个或更多个由第一区域包围的局部区域，在第二区域中的复制层中成形光学活性的第二浮雕结构并且第一层是在第一区域中除去的反射层并因此以与第二浮雕结构精确对齐的关系布置。此类多层体可以有利地提供作为防伪安全构件。它们已是特别防伪的，这是因为用根据本发明的方法可以形成尤其小的线宽度。关系取向，所以那些细线可能产生光学效果，所述效果仅可能极度困难地模仿。该多层体可以包括例如转移膜，尤其是烫印膜或层压膜。可以进一步规定，第一区域包括两个或更多个由第二区域包围的局部区域或反之，并且第一层是中第二区域中除去的反射层并因此以与第一浮雕结构精确对齐的关系布置。有利的构型规定第二区域的局部区域或第一区域的局部区域具有小于2mm,优选小于lmm的宽度。其它构型规定，在根据本发明的多层体中，将第二层布置在其中已经除去了第一层的复制层的区域。可以规定第一层和/或笫二层由介电材料例如Ti02或ZnS，或半导体形成。在那种情况下，第一层和第二层具有不同的折射指数，以致从而可以产生光学效果。第一层和/或第二层也可以包括聚合物，以致例如一层可以呈导电体形式并且其它层可以呈电绝缘体形式，在此方面，两个层都可以呈透明层形式。举例来说，第一层和/或第二层可以形成电子元件，例如天线、电容器、线圏或有机半导体元件。如上文解释的那样，有可能提供其它层，可以采用根据本发明的方法将它们以精确对齐的关系布置在多层体上。也可以规定，第一和第二区域中的层的局部除去或局部脱金属的连续性和与结构的联系如此选择以致产生其中衍射性结构彼此交错的区域。这可以包括例如第一Kinegran^和第二Kinegran^，它们具有不同的深宽比并且布置在背景前面。在那个实例中，可以规定，仅在笫一Kinegran^安全特征保留蒸气沉积的铜层，然后通过蒸汽沉积在整个表面积上施加铝并通过适合的方法工序在背景区域中除去该铝。那样产生两个设计，它们是以对齐关系部分镀金属的并且在面向观察者的金属层中有不同。引入复制层的浮雕结构也可以如此选择以致它们可以对液晶(聚合物)的取向发挥作用。因此，在那种情况下，复制层和/或第一层可以用作液晶的取向层。例如，将凹槽形式的结构引入此种取向层，其中所述液晶相对于此种结构取向，然后它们在那个位置通过交联或其它方式以它们的取向固定。可以规定，交联的液晶层形成第二层。所述取向层可以具有其中结构的取向方向不断改变的区域。如果通过具有例如旋转的偏振方向的偏振器观察利用此种衍射性结构形成的区域，则由于区域的偏振的线性变向，因此可以产生各种清楚可辨的安全特征，例如移动效果。也可以规定，所述取向层具有用于液晶取向的衍射性结构，所述液晶是局部不同取向的以致当在偏振光下观察时该液晶代表信息项例如图标。也可以规定，第一层和/或第二层呈有色层形式。有色区域也可以根据下文中描述的方法产生。使用有色光敏层或洗涤掩模，利用根据本发明的方法制备多层体。在那种情况下，可以利用颜料或可溶性染料进行着色。然后，透过第一层，利用例如uv辐射将光敏层膝光，并且在第一区域中进行硬化或破坏，这取决于它是否是正性或负性抗蚀剂。在那种情况下，也可以按相互并置的关系施加正性和负性抗蚀剂层并同时曝光。在那种情况下，第一层用作掩模并且优选与光致抗蚀剂直接接触地布置以致可以进行精确的曝光。最后，当显影光致抗蚀剂时，洗掉没有硬化的区域或除去破坏的区域。取决于所使用的相应的光致抗蚀剂，经显影的有色光致抗蚀剂现在精确地在其中笫一层相对于uv辐射是透明或不透明的区域中存在。为了增加已经被保留并且根据第一层结构化的光致抗蚀剂层的耐性，优选在显影操作之后将已经被保留的区域进行后硬化。最后，可以通过进一步的蚀刻步骤将用作掩模的第一层除去以致于该多层体对观察者来说仅具有高度分辨的光致抗蚀剂的"彩色印刷，，，但是其它情况下是透明的。在那种情形下，光致抗蚀剂起蚀刻掩模作用。有利地，那样可以制备高分辨率的显示元件。在不脱离本发明范围的情况下，有可能以精确对齐的关系施加不同颜色的显示元件并且将它们例如设置在图像点光栅中。因为通过一种程序采用相对于第一层的初始布置可以制备不同的多层体，通过该程序例如将不同的曝光和蚀刻过程结合在一起或连续地进行，所以当使用根据本发明的方法时以连续施加的层的精确对齐关系定位是可能的，尽管有方法步骤的增加。如果第一层和/或笫二层由许多局部层形成，尤其是如果所述局部层形成薄膜层体系，则可以产生其它的光学效果。可以规定，局部层由不同的材料形成。此类构型可以不仅仅是对上述薄膜层体系提供。那样，例如还可以制备纳米技术功能构件，例如，可以由两种不同的金属层制备尺寸在jam范围内的双金属开关。在其它构型中，可以规定第一层和/或第二层形成光学图案。这可以包括光栅图象。第一层的光栅还可能达到以下效果，在置于反射层下的并且具有可能不同的衍射性衍射结构的光栅零件旁边，提供代表没有反射层的透明区域的光栅构件。在这方面，可以选择幅度-调制或面积-调制的光栅作为光栅效果。可以通过将这些反射性/衍射性区域和非反射性透明(在一些情形下还有衍射性)区域组合获得有吸引力的光学效果。如果此种光栅图像例如设置在有价值文件中的窗口(window)中，则可以在透射模式下察觉到透明的光栅图像。在入射光照模式下，光栅图像仅在给定的角度范围中可见，在该角度范围中，没有灯光被反射面衍射/反射。还可能的是，此类构件不但用于透明窗口而且施加到有色印记上。在给定的角度范围中，有色印记例如以光栅图像形式可见，而在另一个角度范围中，它不可见，这归因于被衍射结构或其它(宏观)结构反射的光。另外，还可能通过适当选择的光栅效果制备许多反射性降低的向外反射区域。也可以规定不完全除去笫一层，而仅是减少其层厚度。如果将要产生具有相互叠置的层的区域，例如以改变光学性能和/或电性能或产生装饰效果，此种构型可能是尤其有利的。在上述与复制层和第一层一起使用曝光掩模以使第二层结构化的方法中，可以规定，将该复制层施加到曝光掩模的栽体层上。那种方法可以优选还与上述其它步骤结合，即，权利要求"的方结合。那还适用于在该方法中使用的权利要求51的曝光掩模。可以进一步规定，光敏层或光敏性洗涤掩模设置在第二层上并且透过笫二层进行曝光。如上文中为此已经描述的那样，第二层不必呈透明层形式。第二层可以呈不透明层形式，因为它将光敏层或光敏性洗涤掩模的所有区域中的照明强度减少到相同的程度。因此，保持了曝光掩模在光学密度方面的差异并且曝光掩模的真实表现在光敏层或光敏性洗涤掩模上产生。当使用洗涤掩模时，可以规定，将第二层作为最终的最底层设置在洗涤掩模上以致不按曝光掩模和洗涤掩模之间的光束路径设置第二层。这该情形下，第二层可以是完全不透明的。沖洗掉洗涤掩模的经曝光的区域提供可以除去布置在那些区域中的第二层。可以有利地规定，通过施加保护层将已经保留在第二层的未除去区域下的洗涤掩模相对于环境影响封闭并且那样形成了尤其可靠的多层体。在进一步有利的构型中，可以规定曝光掩模与多层体连接。如上文中已经描述的那样，根据本发明的方法提供许多不同可能的制备多层体的途径并且该方法步骤不限于一次使用。因此如果首先已经制备了呈膝光掩模形式的多层体，则它可以如常规曝光掩模那样例如用作半导体制造中的曝光掩模。此类曝光掩模非永久地与笫二多层体连接并且可以在曝光操作之后除去。然而，也可以规定，在曝光掩模上按逐层方式形成第二多层体。如果规定在曝光之后或更晚除去曝光掩模，则可以在曝光掩模和第二多层体之间设置隔离层，该隔离层允许此种脱模。在进一步有利的构型中，可以规定，曝光掩模永久地与第二多层体连接并且那样制备笫三多层体，它可以提供作为最终制品或作为更复杂的多层体的进一步逐层构造的中间制品。如已经阐明的那样，多层体可以包括两个柔韧性膜构件以及刚性构件，例如半导体芯片或电子设备如手机的表面。将参照附图更详细地描述本发明，其中图l示出了根据本发明的多层体的第一实施方案的剖视示意图，图2示出了图l的多层体的第一制备阶段的剖视示意图，图3示出了图l的多层体的第二制备阶段的剖视示意图，图4示出了图l的多层体的笫三制备阶段的剖视示意图，图5示出了图l的多层体的第四制备阶段的剖视示意图，图5a示出了图5所示的制备阶段的改进配置的剖视示意图，图5b示出了图5a所示的阶段后的制备阶段的剖视示意图，图6示出了图l的多层体的第五制备阶段的剖视示意图，图7示出了图1的多层体的第六制备阶段的剖视示意图，图8示出了图l的多层体的第七制备阶段的剖视示意图，图9示出了图l的多层体的第二实施方案的第五制备阶段的剖视示意图，图10示出了图l的多层体的第二实施方案的第六制备阶段的剖视示意图，图ll示出了图l的多层体的第二实施方案的第七制备阶段的剖视示意图，图12示出了图l的多层体的第二实施方案的第八制备阶段的剖视示意图，图13示出了根据本发明的多层体的第二阶段的橫截面示意图，图14a至14d示出了根据本发明的多层体的第三实施方案的制备步骤的横截面示意图，图15示出了光敏层的蚀刻速率的示意图，图16a和16b示出了根据本发明的多层体的用途的第一实例，和图17a至17d示出了根据本发明的多层体的用途的第二实例。图1示出了多层体100，其中设置在载体膜1上的是功能层2、复制层3、金属层3m和粘合剂层12。功能层2是主要用来提高多层体机械和化学稳定性的层，但是它也可以按已知的方式进行设计以产生光学效果，在此方面，也可以规定该层由许多局部层形成。它也可以包括由蜡制成的或呈防粘层形式的层。然而，还可以规定，省去那一层并直接地将复制层3布置在载体膜1上。可以进一步规定，栽体膜l本身呈复制层形式。多层体100可以是转移膜(例如烫印膜)的一部分，利用粘合剂层12将它施加到基材上。粘合剂层12可以是熔体粘合剂，它在热的作用下熔融并永久地将多层体接合到基材的表面。载体膜1可以呈包含PET的机械和热稳定的膜形式。可以利用已知的方法将包括不同结构的区域成形成复制层3。在所示实施方案中，这些包括具有衍射性结构的区域4和反射区6。布置在复制层3上的金属层3m具有脱金属区域10d，该脱金属区域10d以与衍射性结构4对齐的关系设置。多层体100在区域10d中看起来是透明或半透明的。图2至8现在示出了多层体100的制备阶段。与图l相同的元件由相同的标记表示。图2示出了多层体100a,其中功能层2和复制层3设置在载体膜l上。通过已知的方法例如燙印将复制层3的表面结构化。为此，例如通过印刷、喷雾或涂漆施加热塑性复制漆以构成复制层3，并且利用热模或热复制辊将浮雕结构成形成复制漆。复制层3也可以是UV可硬化的复制漆，它例如通过复制辊加以结构化。然而，结构化也可以通过UV辐射经由曝光掩模进行。那样，可以将区域4和6成形成复制层3。区域4可以例如是全息图或Kinegran^安全特征的光学活性区域。图3现在示出了多层体100b,它由图2中的多层体100a通过一程序形成，通过该程序，例如通过溅镀将金属层3m施加到具有均匀表面密度的复制层3上。在这个实施方案中，金属层3m具有大约10nm的层厚度。金属层3m的层厚度可以优选如此选择以致区域4和6具有低的透射性水平，例如10%至0.001%,即，光学密度为l-5，优选1.5-3。因此，金属层3m的光学密度即透光率的负十为底对数，在区域4和6中为l-3。可以优选地规定金属层3m具有1.5-2.5的光学密度。因此，从观察它们的观察者的眼睛观察，区域4和6是不透明的或反光的。在此尤其有利的以此种层厚度施加层3m，即在该层厚度下，当施于金属层3m的透射特性，施加到复制层3上的金属层3m越厚，有效的光学层厚度的变化效果越大，这是由区域4中提供的衍射性结构产生的。研究表明，由衍射性结构所引起的金属层3m的有效光学厚度变化大致学密度表示透光率的负对数，所以区域4和6之间的透光率差异由于在金属材料方面的表面施加的增加而按那种方式超比例地增加。然而，应指出，金属层3m的光学密度在区域4和6中不同，满足区域4的光学密度比区域6中的低。其责任在于区域4表面积的增加，这归因于该构件的深宽比(其不同于零)和因此减少的金属层的厚度。无量纲的深宽比和空间频率是优选周期性结构的表面积增加的特性化特征。此种结构周期性相继地形成"峰"和"谷，，。"峰"和"谷"之间的间距在此称为深度，而两个"峰"之间的间距称为宽度。现在，深宽比越高，"峰侧面"相应地越陡峭，并且沉积在该"峰侧面"上的金属层3m相应地越薄。当情况包括离散分布的"谷"，这些谷可以相互之间以比该"谷"的深度大倍数的间距设置时，也将观察到那种效果。这该情形下，将"谷"的深度将与"谷"的宽度相关联，以通过规定深宽比正确地描述"谷"的几何结构。当产生降低光学密度的区域时，相对于参数的相关性，知道和适当地选择各个参数是重要的。光学密度的降低程度可能根据基材、发光体等而改变。在这方面，金属层中的光的吸收发挥重要的作用。举例来说，铬和铜在一些情形下反射更少的光。表l示出了在入-550nm的光波长下设置在塑料薄膜(折射指数n-1.5)之间的Ag、Al、Au、Cr、Cu、Rh和Ti金属层的确定的反射程度。在这种情况下，厚度比s作为金属层的厚度t(反射程度R-最大RMu的80。/。所需要的厚度)和反射程度R-最大R吣的20。/。所需要的厚度的商而形成。<table>tableseeoriginaldocumentpage25</column></row><table>表1从试探性考虑银和金(Ag和Au)的观点，可以看出，在上述实例中为了产生透明性，具有高的最大反射程度Ri和需要较小的深宽比以降低金属层的光学密度。铝(Al)公认也具有高的最大反射程度R吣，但是它需要较高的深宽比。因此可以优选地规定金属层由银或金形成。然而也可以规定金属层由其它金属或金属合金形成。表2现在示出了对具有不同深宽比的浮雕结构进行精确衍射计算获得的计算结果，所述浮雕结构呈光栅间距为350nm的线性、正弦式光栅形式。用公称厚度U-40nm的银覆盖该浮雕结构。投射到该浮雕结构上的光具有波长入=550nm(绿色)并且是TE偏振或TM偏振的。<table>tableseeoriginaldocumentpage26</column></row><table>表2如之前发现的那样，透明度或透光度除了深宽比尤其依赖于辐射光的偏振。表2中示出了深宽比d/h-l.l时的那种依赖性。可以规定将那种效果用于其它层的选择性形成。进一步发现，金属层3m的透明度或反射度是波长依赖性的。对于TE偏振的光，那种效果是尤其显著的。进一步发现，如果光的入射角不同于入射的法线角，则透明度或透光度减小，即，如果光不垂直入射，则透明度减小。那预示着，仅以受约束的锥形入射光，金属层3m可能是透明的或比在反射区6中更少不透明。因此可以规定，当倾斜照射时金属层是不透明的，在此方面，那种效果也可以用于其它层的选择性形成。除结构的深宽比之外，光学密度的变化还受结构的空间频率影响。因此，进一步发现，如果该结构第一区域中的空间频率和浮雕深度的乘积大于该结构第二区域中的空间频率和浮雕深度的乘积，则可以实现施加到结构上的层的透明特性的变化。然而，不同透明性或透光率的区域的产生也可以通过其它效果获得，例如通过-由于不同取向的结构，透光率水平的偏振依赖性；-结构的形状因数，即，矩形、正弦式、锯齿或其它轮廓的结构可能包括不同水平的透光率而具有相同的空间频率和浮雕深度的乘积；和-第一层的定向蒸汽沉积和空间结构或结构组合或结构设置的组合。如果第一结构是包括随机轮廓的结构，例如消光结构，则该轮廓的相关长度、粗糙度深度和统计分布可能是影响透光率的典型参数。因此，为了产生包括不同透明性或透光率的区域，还可能使用在第一区域和第二区域中上述参数中一个或多个不同的浮雕结构。图4示出了由图3所示的多层体100b和光敏层8形成的多层体100c。它可以是通过常规涂覆方法如以流体形式的凹版印刷施加的有机层。也可以规定，该光敏层是通过蒸汽沉积施加的或通过以干膜形式的层压施力口的。光敏层8可以例如是以0.lg/m2-50g/n^的表面密度施加到金属层3m上的正性光致抗蚀剂如得自Clariant的AZ1512或AZP4620或得自Shipley的S1822。层厚度取决于所需的分辨率和程序。因此，lift-off程序包括层厚度〉1pm的相当更厚的层，对应于大约lg/m2的表面密度。优选的相对表面积的重量为O.2g/m2-10g/m2。可以在整个表面积上进行施加。然而还可能在局部区域中进行施加，例如在设置在上述区域4和6外部的区域中施加。这可以包括必须仅以与设计较粗糙对齐关系设置的区域，例如装饰性图标例如随机图案或由重复图像或文本形成的图案。图5现在示出了多层体100d，其通过将图4中的多层体100c透过载体膜l曝光而形成。UV光9可以提供曝光操作。如以上所述，因为现在度，所以UV辐射操作在光敏层8中产生区域10，该区域10已受更大程度地曝光并且在它们的化学性能方面与受更少曝光的区域ll不同。图5所示的实施方案包括在多层体100d的所有区域中具有相等强度的均匀光照。然而还可能提供局部光照，例如a)以留下具有高深宽比的结构作为设计构件并且不对它们脱金属；b)以引入附加的信息项，例如通过条状掩模，它在曝光操作过程中随多层体100d移动，c)以引入个别信息项例如序列号。在这方面可以规定，利用可编程空间光调制器或受控激光经由短期曝光引入标识。那样，因此，脱金属的区域仅在那里形成，其中深宽比是合适的并且其中提供了字母数字标识。,光的波长和偏振以及光的入射角是光照参数，它们使得特别地强化和选择性地加工结构成为可能。化学性能也可以用于该目的。区域10和11可以不同，例如由于它们在溶剂中的溶解性而不同。那样，可以在采用uv光的曝光操作之后将光敏层8"显影"，如图6中进一步示出。光敏层的"显影，，产生以金属层3m的掩模形式的可见图像，所述金属层3m釆用不同光学密度的区域通过光敏层中的曝光产生的潜像通过区域的除去产生。如果通常在区域4中提供〉0.3的深宽比以产生人眼看得见的透明性，则令人惊奇地发现适用于该光敏层显影的深宽比可以显著地更小。也不需要金属层3m如此薄以致当视觉上考虑时区域4看起来是透明的。蒸气沉积的载体膜因此可以是不透明的，因为减少的透明性可以通过相对于光敏层8的增加的膝光剂量补偿。应进一步考虑，光敏层的曝光通常在近UV范围内提供以致肉眼所见的印模在评价光学密度方面不是关键的。图5a和5b示出了改进的实施方案。图5所示的光敏层8在图5a中的多层体100d'中没有提供。而是存在作为光敏性洗涤掩模的复制层3'。自下将多层体100d'曝光，藉此，在更大程度曝光的区域100中，复制层3'发生改变以致可以将其洗去。图5b现在示出了功能上与以下图8所示的多层体对应的多层体100d"。然而，应指出，采用洗涤方法不仅将区域10中的金属层3m除去，而且还除去复制层3'。在那些区域中产生透明性，相对于图8所示的多层体，需要更少的生产步骤。图6示出了在涂覆到经曝光的光敏层8的表面上的溶剂的作用下由多层体100d形成的"经显影的"多层体100e。那样现在产生了其中除去了光敏层8的区域10e。区域10e是参照图3描述的区域4，其中构件的深宽比大于零。在区域11中保留光敏层8，因为它们包括参照图3描述的并且其中构件具有等于零的深宽比的区域6。在图6所示的实施方案中，光敏层8由正性光致抗蚀剂形成。当使用此类光致抗蚀剂时，经曝光的区域可溶于显影剂。与此相反，当使用负性光致抗蚀剂时，未曝光的的区域可溶于显影剂，如以下图9至12所示的实施方案中描述那样。现在，如参考图7中的多层体100f所示，可以除去区域10e中的金属层3m，该区域10e没有受到用作蚀刻掩模的经显影的光敏层保护，后者防止蚀刻剂的侵蚀。所述蚀刻剂可以是例如酸或碱液。按那种方式产生也在图l中示出的脱金属区域10d。那样，因此可以以精确对齐的关系将金属层3m脱金属，而不会涉及额外的工艺复杂性。为此不必考虑复杂且昂贵的预防措施，例如当通过掩模曝光或印刷施加蚀刻掩模时。当此种常规方法包括〉0.2隨的容限时是正常的。与此相反，采用根据本发明的方法，在jam范围到nm范围内的容限是可能的，即，容限仅由为复制层的结构化所选的复命J方'法和;^,泉(origination)支酉己。可以规定，金属层3m呈一系列不同金属形式并且利用金属部分层的物理和/或化学性能方面的差异。可以规定，例如沉积铝作为第一金属部分层，该层具有高水平的反射并因此当从栽体一側观察该多层体时使得反射区清楚可见。沉积的第二金属局部层可以是铬，它具有高水平的对各种蚀刻剂的化学耐性。现在可以在二个阶段中完成金属层3m的蚀刻操作。可以规定，在第一阶段中蚀刻该铬层，在这样情况下，提供经显影的光敏层8作为蚀刻掩模，然后在第二阶段中，蚀刻该铝层，在这样情况下，该铬层现在充当蚀刻掩模。此类多层体系在用于光致抗蚀剂、光致抗蚀剂的蚀刻剂和金属层的制备程序中的材料的选择方面允许更大程度的灵活性。图8示出了在图7所示的生产步骤之后除去光敏层的任选的可能性。图8举例说明了由载体膜1、功能层2、复制层3和结构化金属层3m形成的多层体100g。该多层体100g可以通过随后施加粘合剂层12转变成图l所示的多层体IOO。图9现在示出了多层体100e的第二个实施方案，其中光敏层8由负性光致抗蚀剂形成。从图9可以看出，多层体100e'具有区域10e'，其中未曝光的光敏层8通过显影除去。区域10e'包括金属层3m的不透明区域(参见图3中的标记6)。没有除去在区域11中的经曝光的光敏层8，该区域ll包括更小不透明的金属层3m的区域(参见图3中的标记4)，即比区域10e'具有更低光学密度的区域。图10示出了多层体100f'，其通过蚀刻方法从多层体100e'(图9)除去金属层3m而形成。为此，提供经显影的光敏层8作为蚀刻掩模，在区域10e'(图9)中将它除去以致在那里该蚀刻剂使金属层3111破裂。那样导致不再具有金属层3m的区域10d'形成。如图11所示，多层体100f〃现在由多层体100f'形成，其具有在区域10d'中覆盖经曝光的复制层3的第二层3p。该层3p可以是介电材料如Ti02或ZnS，或聚合物。此种层可以例如蒸气沉积在表面上，在这一方面，可以规定该层由许多相互叠置的薄层形成，这些薄层可以例如在它们的折射指数方面不同并且那样可以在光射到其上时产生颜色效果。具有颜色效果的薄层可以例如由三个具有高-低-高指数配置的薄层形成。该颜色效果与金属反射层相比显得更不醒目，如果那样在护照或身份证上产生图案，则是有利的。该图案对观察者来说看起来为透明i录色或红色的。聚合物层可以例如呈有机半导体层形式。那样，有机半导体元件可以通过与其它层組合来形成。图12现在示出了由多层体100f〃(图ll)在保留的光敏层除去之后形成的多层体100f〃'。那可能包括"lift-off"程序。那样，在前一个步骤中施加的第二层3p在那里再一次同时除去。因此，具有层3p和3m的相邻区域现在形成于多层体100f'〃上，所述区域可以彼此例如在它们的光学折射指数和/或它们的导电性方面不同。可以规定，通电增强金属层3m并且那样区域11例如呈提供尤其良好的导电性的区域的形式。也可以规定，区域ll是透明的并且为此通过蚀刻除去金属层3m。有可能提供不侵蚀在其它区域中施加的层3p的蚀刻剂。然而也可以规定，直到金属层被除去时才使蚀刻剂发挥作用。可以进一步规定，然后将可以由介电材料或聚合物形成的第三层施加到多层体100f〃'(图12)上。那可以采用以上描述的方法步骤通过一程序完成，通过该程序再次施加光敏层，该光敏层在曝光和显影之后覆盖区域ll外部的多层体100f〃'。该第三层现在可以如以上描述那样施加然后除去光敏层的残留物并且因此同时在那些区域中除去第三层。那样，例如有机半导体元件的层能够按尤其精细的方式并且以精确对齐的关系加以结构化。图13现在示出了由多层体100f'〃(图12)通过添加图l所示的粘合剂层12形成的多层体100'。如同图l所示的多层体l,通过使用相同的复制层3制备该多层体100'。因此可能采用根据本发明的方法从整体式布局开始制备具有不同构型的多层体。根据本发明的方法可以在没有不利地影响质量的情况下进一步开发，以按精确对齐的关系将其它层结构化。为此，可以规定，将先前施加的层的其它光学效果如全反射、偏振和谱线透明性用来形成具有不同光学密度的区域，以制备包括精确对齐关系的曝光掩模。也可以规定，通过相互叠置的层提供不同的局部吸收能力并且通过激光支持的热烧蚀制备曝光或蚀刻掩模。图14a至14d现在示出了通过参考实施方案，举例说明可以如何以精确对齐的关系从图12所示的多层体100f〃'上除去区域ll中设置的金属层3m和可以如何以精确对齐的关系用非金属层3p'替代。所述层3p'可以是光学折射指数与层3p不同的介电层。图14a示出了多层体100g,其中在区域4中的金属层3m满足它具有与区域6中的层3p不同的光学密度。光敏层8覆盖在布置在复制层3上的区域3p和3m上。图14b现在示出了通过光敏层8的曝光和显影获得的多层体100g'、如以上参照图5和6描述的那样。被经显影的光敏层覆盖的区域ll形成蚀刻掩模以致金属层3m可以通过在区域10e中的蚀刻除去，在区域10e中，光敏层在显影操作之后被除去。图14c示出了在进一步的方法步骤之后，获得了多层体100g〃，在该多层体100g〃上，例如将可以呈介电材料形式的层3p'施加在整个表面积上。所述层3p'也可以呈包括许多相继施加的层的薄层体系形式，藉此所述层3p'可以按已知的方式产生变色效应。图14d现在示出了在将光敏层8和设置在其上的层3p'的区域的残留物除去之后的多层体100g〃'，该多层体100g〃'可以例如通过添加以上参照图13描述的粘合剂层而制成完整的多层体。在复制层3上，该多层体100g'〃具有被层3p覆盖的区域和被层3p'覆盖的区域。因为层3p和/或3p'可以是薄层体系，所以它们可以产生变色效果，如以上已经描述的那样。在这方面，可以规定，例如在图1化中的实施方案中覆盖在深宽比大于零的复制层3的区域上的层3p呈薄层体系形式。那样细丝图案如扭索状装饰图案有可能呈安全特征形式，它们不太突出地显得与它们的环境不同并且仍然清楚可见地显示置于其下方的表示物。参照图14a至14d描述的方法可以用于施加其它层。因为层3p和3p'是数量级约为jam或nm的薄层，所以引入复制层3中的结构仍保留以致例如有可能施加另一个金属层，该金属层在深宽比大于零的复制层3的区域中比深宽比等于零的区域中具有低的光学密度。那样，所述另一个金属层可以用作掩模层，该掩模层可以采用上述方法步骤部分地除去或可以提供为临时中间层以按精确对齐的关系施加一个或多个非金属层。对于形成掩模来说，根据本发明的方法包括提供同时具有大于零但是具有不同值的深宽比的区域的可能性，藉此在相同表面速率下涂覆的区域的光学密度是不同的。图15现在示出了用于由光敏层制备蚀刻掩模的显影剂的三个蚀刻特性的示意图。蚀刻特性表示蚀刻速率，即，每单位时间除去的材料，这取决于将光敏层曝光所釆用的能量密度。第一蚀刻特性150I是线性的。如果根据时间进行显影，则此种蚀刻特性可能是优选的。然而，一般说来二元蚀刻特性150b可能是优选的，这是因为为了产生显著不同的蚀刻速率并且由此在相邻区域的光学密度方面的微小差异下，为了高度可靠地在包括较高深宽比(反之亦然)的区域中完全除去掩模层在能量密度方面仅需要微小的差异。为了根据区域的光学密度选择性地除去或获得结构，可以使用包括钟形构型的第三蚀刻特性150g，该构型可以通过光致抗蚀剂和方法的选择加以调节。当例如存在三个包括不同光学密度的区域时，那一蚀刻特性可能是尤其优选的。图16a和16b现在示出了包括根据本发明的多层体160的第一使用实例。它可以例如设置在ID卡162的前侧上。该多层体160配备有金属层，该金属层以对齐关系部分地被除去且覆盖在衍射性结构上，并且呈扭索状装饰图案166g、166g'和166g〃、星形构件166s和字母数字符号166a和166a'形式。在这方面，图16a和16b示出了该多层体160的不同视图，这通过枢转该ID卡162产生。扭索状装饰图案166g是线形的细小区域，它们在ID卡162的枢转运动后保持它们的位置。扭索状装饰图案166g'和166g〃是线形的细小区域，它们在ID卡162的枢转运动后变得连续可见以致产生运动错觉。星形构件166s和166s'是具有全息结构的区域的构型以致它们根据ID卡162的相应的倾斜位置而具有不同的尺寸和/或颜色。字母数字符号166a和166a'可以包括例如具有Kinegran^结构的区域。图17a至17d示出了根据本发明的多层体的用途的第二实例。第一多层体20在这一使用实例中呈曝光掩模形式。如图17a所示，第一多层体20包括具有复制层30的载体膜1，该复制层30涂有部分成形的金属层30m。第一多层20可以优选已经采用以上描述的方法制备。如图17a所示，第一多层体200布置在第二多层体170a上，后者由载体膜31、金属层31m和光敏层8形成。笫一多层体200的金属层30m的外部面对栽体膜31的外部并且倚靠着该栽体膜。在区域40中除去金属层30m，其中如以上所述，复制层30比其中没有除去金属层S0in的区域中具有更大的深宽比。在图17a所示的使用实例中，透过呈曝光掩模形式的第一多层体200将第二多层体170a曝光。通过箭头9指示膝光。由于栽体膜31和金属层31m的极小的层厚度，局部金属层31m的图像现在转移到光敏层8上，藉此，如图17b所示，产生了多层体170b,其中光敏层8具有已被更大程度曝光的区域8b。如已发现的那样，在那种情况下，设置在光束路径中的金属层31m可以是不透明的。不透明的金属层31m公认减少在光敏层8上产生的光照强度，但是它不会干扰更大程度曝光的区域8b的产生。如前所述，金属层31m具有小的层厚度以致例如归因于散射的成像误差将观察到不到。图17c现在示出了通过将图17c中的多层体170b的光敏层8显影形成的多层体170c。在这一使用实例中，光敏层8是所谓的负性光致抗蚀剂，其中未曝光的区域通过显影而除去。图17d最后示出了多层体170，它是通过从图17c的多层体170c开始将金属层31m蚀刻并除去光敏层8的残留物而形成的。在被经过显影的光敏层8覆盖的区域中产生金属层31m。可以在该多层体170上形成例如电子元件如天线和/或线圏，或一个或多个导体迹线。虽然在这一使用实例中在没有调节下不能设置对齐精确性，但是有利地可能产生细丝图案，它们在其局部区域中以精确对齐的关系互相取向。然而，也可以规定，如果例如该多层体170形成安全特征如覆盖安全文件的扭索状装饰图案，为了发挥安全功能，所述图案不必以精确对齐的关系取向，则省去以精确对齐的关系取向。可以进一步规定，将区域40相对于其深宽比和/或偏振依赖性加以区分并且由此有可能形成可以具有微细厚度的光刻灰度掩模。常规的玻璃掩模不能薄于5nm，这可能限制其应用性。权利要求1.具有部分成形的第一层(3m)的多层体(100，100′)的制备方法，其特征在于在多层体的复制层(3)的第一区域中成形衍射性第一浮雕结构(4)，在该第一区域中和其中在复制层(3)中没有成形第一浮雕结构的第二区域中将第一层(3m)施加到复制层(3)上，其中由复制层(3)限定的平面具有恒定的表面密度，将光敏层(8)施加到第一层(3m)上或将光敏性洗涤掩模作为复制层施加到其上，透过第一层(3m)将该光敏层或洗涤掩模(8)曝光以致由于第一和第二区域中的第一浮雕结构而引起该光敏层或洗涤掩模(8)不同地曝光，和在第一区域而不是第二区域中或在第二区域而不是第一区域中使用经曝光的光敏层或洗涤掩模(8)作为掩模层将第一层(3m)除去。2.权利要求1的方法，其特征在于将第一层(3m)施加到复制层(3)的整个表面积上，尤其是通过蒸汽沉积施加。3.权利要求1或权利要求2的方法，其特征在于以第一层(3m)基本上不透明并且优选具有大于l.5的光学密度的厚度将第一层(3m)施加到复制层(3)上。4.权利要求1或权利要求2的方法，其特征在于以第一层(3m)具有2-7的光学密度的厚度将第一层(3m)施加到复制层(3)的整个表面积上。5.上述权利要求中一项的方法，其特征在于第一层(3m)由金属层或金属合金的层形成。6.上述权利要求中一项的方法，其特征在于在复制层的第二区域中成形第二浮雕结构并且作为第一浮雕结构在该复制层中成形的那个是衍射性浮雕结构，相对于第二区域中的第一层(3m)的透射性尤其是透明性，它增加第一区域中的第一层(3m)的透射性尤其是透明性。7.权利要求6的方法，其特征在于该第一浮雕结构具有比该第二浮雕结构更大的浮雕深度。8.权利要求6和7中一项的方法，其特征在于该第一浮雕结构的空间频率和浮雕深度的乘积大于该第二浮雕结构的空间频率和浮雕深度的乘积。9.权利要求6至8中一项的方法，其特征在于所述第一或第二浮雕结构呈以下形式光学活性、反射或透射性光衍射和/或光折射和/或光散射微米或纳米结构，例如呈光栅结构如线性光栅或交叉光栅形式，各向同性或各向异性消光结构，二元或连续菲涅耳透镜，微棱镜、闪耀光栅，组合结构或宏观结构。10.上述权利要求中一项的方法，其特征在于将相对于各个结构元件具有高深宽比，尤其具>0.3的深宽比的衍射性浮雕结构成形为第一区域中的第一浮雕结构。11.权利要求10的方法，其特征在于该第二浮雕结构呈具有低深宽比的浮雕结构形式.12.上述权利要求中一项的方法，其特征在于该复制层和该第一层之间的界面层在第二区域中基本上是平坦的。13.上述权利要求中一项的方法，其特征在于将具有二元特征的光敏材料作为光敏层(8)或光敏性洗涤掩模施加并且以一定曝光强度和在一定曝光时间下透过第一层将光敏层或光敏性洗涤掩模曝光，所述光敏层(8)或光敏性洗涤掩模在第一区域中被活化并且在第二区域中没有被活化，在所述笫一区域中，第一层(3m)的透射性由于笫一浮雕结构而增加。14.权利要求13的方法，其特征在于利用UV辐射透过第一层(3m)将光敏层或洗涤掩模(8)曝光。15.上述权利要求中一项的方法，其特征在于以洗涤工艺将通过曝光操作活化的光敏性洗涤掩模的区域和设置在那里的第一层(3m)的区域除去。16.上述权利要求中一项的方法，其特征在于将透过第一层(3m)曝光的光敏层(8)显影并且经显影的光敏层(8)形成第一层(3m)的蚀刻掩模。17.上述权利要求中一项的方法，其特征在于在其中第一层(3m)的透射性由于第一浮雕结构而增加的第一区域中通过曝光将光敏层活化并且经活化的光可活化层形成第一层(3m)的蚀刻剂。18.上述权利要求中一项的方法，其特征在于该光敏层(8)由光致抗蚀剂形成。19.权利要求18的方法，其特征在于所述光致抗蚀剂为正性光致抗蚀剂形式。20.权利要求18的方法，其特征在于所述光致抗蚀剂为负性光致抗蚀剂形式。21.上述权利要求中一项的方法，其特征在于所述光敏层(8)呈光聚合物形式。22.权利要求16至21中一项的方法，其特征在于将蚀刻掩模的残留物除去。23.上述权利要求中一项的方法，其特征在于将第二层(3p)引入其中第一层(3m)被除去的区域。24.权利要求23的方法，其特征在于将第一层(3m)仍然留下的区域除去并用第三层(3p')替换。25.上述权利要求中一项的方法，其特征在于将第一层(3m)和/或笫二层(3p)和/或第三层(3p')通电增强。26.可以根据权利要求1至25中一项制备的多层体，其具有复制层(3)和设置在该复制层上的至少一个部分成形的第一层(3m),其特征在于在复制层(3)的第一区域中成形衍射性第一浮雕结构，在复制层(3)的第二区域中在复制层(3)中没有成形第一浮雕结构，和以通过第一浮雕结构的设置确定的方式将第一层(3m)部分地除去，以致在第一区域而不是第二区域中或在第二区域而不是第一区域中以与第一浮雕结构精确对齐的关系将第一层(3m)除去。27.权利要求26的多层体，其特征在于以图案形式成形第二区域并且以直接相互相邻连接的关系设置第一区域和第二区域，优选第二区域被第一区域包围或第一区域被第二区域包围。28.权利要求26的多层体，其特征在于第二区域包括两个或更多个被第一区域包围的局部区域，在复制层的第二区域中成形光学活性的笫二浮雕结构并且第一层是反射层，它在第一区域中被除去并且因此以与第二浮雕结构精确对齐的关系设置。29.权利要求26的多层体，其特征在于第一区域包括两个或更多个被第二区域包围的局部区域，反之亦然，并且第一层是反射层，它在笫二区域中被除去并且因此以与第一浮雕结构精确对齐的关系设置。30.权利要求26至29中一项的多层体，其特征在于第二区域的局部区域或第一区域的局部区域具有小于2mm，优选小于lmm的宽度。31.权利要求26至30中一项的多层体，其特征在于将第二层(3p)设置在其中不存在第一层(3ra)的复制层(3)的区域。32.权利要求26至31中一项的多层体，其特征在于第一层(3m)和/或第二层(3p)由介电材料，例如Ti02或ZnS形成。33.权利要求32的多层体，其特征在于第一层(3m)和第二层(3p)具有不同的折射指数。34.权利要求26至33中一项的多层体，其特征在于第一层(3m)和/或第二层(3p)由聚合物形成。35.权利要求26至34中一项的多层体，其特征在于第一层(3m)和/或笫二层(3p)呈有色层形式。36.权利要求26至35中一项的多层体，其特征在于第一层(3m)和/或第二层(3p)由许多部分层形成。37.权利要求36的多层体，其特征在于所述局部层形成薄膜层体系。38.权利要求36或权利要求37的多层体，其特征在于所述局部层由不同的材料形成。39.权利要求26至38中一项的多层体，其特征在于第一层(3m)和/或第二层(3p)形成光学图案。40.权利要求26至39中一项的多层体，其特征在于第一层(3m)和/或第二层(3p)形成光栅图象。41.权利要求26至40中一项的多层体，其特征在于第一层(3m)和/或第二层(3p)形成一个或多个光学安全特性。42.权利要求26至41中一项的多层体，其特征在于第一层(3m)和/或第二层(3p)形成电子元件，例如天线、电容器、线圏或有机半导体元件。43.权利要求26至42中一项的多层体，其特征在于所述多层体是膜构件，尤其是转移膜、热沖压膜或层压膜。44.权利要求26至42中一项的多层体，其特征在于第一层(3m)和/或第二层(3p)形成取向层用于液晶的取向。45.权利要求44的多层体，其特征在于所述取向层具有用于液晶取向的衍射性结构，所述液晶是局部不同取向的以致当在偏振光下观察时该液晶表示信息项例如图标。46.具有部分成形的第二层(31m)的多层体(200)的制备方法，其特征在于在复制层(30)的第一区域中成形衍射性第一浮雕结构(40)，在该第一区域中和其中在复制层(30)中没有成形浮雕结构的第二区域中将第一层(30m)施加到复制层(30)上，其中由复制层(30)限定的平面具有恒定的表面密度，透过第一层(30m)将光敏层或光敏性洗涤掩模(8)曝光以致由于第一和第二区域中的第一浮雕结构而引起该光敏层或洗涤掩模被不同地曝光，和在第一区域而不是第二区域中或在第二区域而不是第一区域中使用经曝光的光敏层或洗涤掩模(8)作为掩模层将笫二层(31m)除去。47.权利要求46的方法，其特征在于透过第二层将所述光敏层或光敏性洗涤掩模(8)曝光。48.权利要求46或权利要求47的方法，其特征在于将所述复制层施加到曝光掩模的载体层上。49.权利要求46至48中一项的方法，其特征在于将所述光敏层施加到第二层上。50.权利要求46至49中一项的方法，其特征在于将第二层施加到所述光敏性洗涤掩模上。51.权利要求26的多层体作为曝光掩模用于制备具有部分成形的其它层的其它多层体(170)的用途。52.权利要求51的用途，其特征在于所述曝光掩模(200)形成其它多层体(170)的一个或多个层。53.权利要求51或权利要求52的用途，其特征在于在曝光掩模(200)和其它多层体(170)之间设置隔离层。全文摘要本发明涉及具有部分成形的第一层(3m)的多层体(100)的制备方法以及根据所述方法制备的多层体。本方法特征在于在多层体的复制层(3)的第一区域中成形衍射性第一浮雕结构(4)，在该第一区域中和其中在复制层(3)中没有成形第一浮雕结构的第二区域中将第一层(3m)施加到复制层(3)上，将光敏层施加到第一层(3)上或将光敏性洗涤掩模(8)作为复制层施加到其上，透过第一层(3m)将该光敏层或洗涤掩模曝光以致由于第一和第二区域中的第一浮雕结构而引起该光敏层或洗涤掩模不同地曝光，和在第一区域而不是第二区域中或在第二区域而不是第一区域中使用经曝光的光敏层或洗涤掩模作为掩模层将第一层(3m)除去。文档编号B44C1/14GK101115627SQ200680004626公开日2008年1月30日申请日期2006年2月9日优先权日2005年2月10日发明者A·席林,R·施陶布,W·R·汤普金申请人:Ovd基尼格拉姆股份公司