专利名称：光信号收发装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及通过1条光纤收发光信号的光信号收发装置。
现有技术近年来，人们提出了利用了实现通过1条光纤同时收发多个光信号的WDM(Wavelength Division Multiplexing波长分割多路复用)技术的光加入者系统(fiber to the user system)。所谓WDM系指对多个不同波长的光信号多路复用，同时传送的通信方式。
在加入光加入者系统的用户住宅及经营该系统的经营者接收站中，设置有具备了将电信号转换为光信号并输出的功能及将所接收的光信号转换为电信号予以接收的功能的光信号收发装置。
这里，作为光信号收发装置一例，对特开平11-202140号公报中公开的光信号收发装置作以说明。
本光信号收发装置由光学基片、半导体激光器、光电二极管及WDM滤光器构成。在光学基片上形成有光波导路，此外在同一基片上搭载有半导体激光器、光电二极管及WDM滤光器。
本光信号收发装置的特征在于，可将从半导体激光器发出的光信号以高耦合效率耦合到光波导路，此外裹夹WDM滤光器，使半导体激光器与光电二极管远离而配置，由此获得高串扰特性。据称这种光信号收发装置适用于远距离宽频带的光加入者系统。
然而，在具有30km以下的中距离·近距离的光纤通信网，只需要250Mbps以下的通信速度的中小规模光加入者系统中，上述的光信号收发装置所具有的高耦合效率及串扰特性将超过实际需要。
此外在上述的光信号收发装置的制造中，有必要进行(1)半导体激光器与光波导路光轴的位置对合、(2)由切割锯形成的WDM滤光器的缝隙与光波导路的位置对合、(3)作为外部传送路的光纤与光波导路的光轴的位置对合这3项，但由于在这些位置对合中要求高精度，因而需要高价格的精密实装装置，制造成本增大。
发明内容
本发明的目的是提供适用于无需高耦合效率及串扰特性的中小规模的光加入者系统，可以低成本制造的光信号收发装置。
为达到上述目的，本发明的光信号收发装置，包含发光部，其发出特定波段的光；光分路部，其将入射的特定波段的光及其以外的光分为2个光路，与上述发光部分离对峙，位于由该发光部发出的特定波段光的方向角内；受光部，其位于从上述光分路部射出的特定波段以外的光的方向角内；光波导路，其一端被导入装置主体内，与使光入射及射出的端面和上述光分路部分离对峙，具有在从该端面射出的光的方向角内存在上述光分路部，在从该光分路部射出的特定波段光的方向角内存在该端面的配置关系。
这样，由于可以增大发光部的实装容差，因而不必进行高精度的实装，即使不导入高价格的实装装置，也可制造本发明的光信号收发装置。即可以降低制造成本。
此外，上述光信号收发装置还可以是在上述光分路部，形成有用于防止从上述发光部发出的特定波长光由上述受光部受光的遮光膜。并且，上述光信号收发装置还可以包含遮光部，其被配置于在上述光分路部与上述受光部之间的，从上述发光部发出的特定波长光中沿配置有上述受光部的方向传播的光的光路上。
这样，可以按从上述发光部发出的光不被上述受光部接受的原则进行遮断。
结合以下说明并参照表示了实施方式的附图，可明确了解本发明的这些目的、优点及特性等。在这些图中图1是构成实施方式1的光信号收发装置的各光部件的配置图。
图2是以A-A′线将图1所示的光信号收发装置分断后的场合下的断面图。
图3是以C-C′线将图1所示的光信号收发装置分断后的场合下的断面图。
图4是向上反镜型光电二极管的断面图。
图5是表示半导体激光器与光纤(或光波导路)之间的过剩损失与半导体激光器的位置偏差量的关系的曲线图。
图6是表示半导体激光器与光纤(或光波导路)之间的耦合效率与半导体激光器的位置偏差量的关系的曲线图。
图7是表示传统的光信号收发装置的光波导路与光纤之间的耦合效率与光纤的位置偏差量的关系的曲线图。
图8是表示配置了形成有遮光膜的波长分路滤光器的光信号收发装置的一部分的附图。
图9A是表示在波长分路滤光器上形成的遮光部形状一例的附图。
图9B是表示在波长分路滤光器上形成的遮光部形状一例的附图。
图10是具有1.3μm波段光吸收层的向上反镜型光电二极管的断面图。
图11是由下观看接收用光电二极管的附图。
图12是构成实施方式2的光信号收发装置的各光部件的配置图。
图13是表示实施方式2的滤光器块的附图。
图14是表示形成了实施方式2的遮光膜的滤光器块的附图。
图15是构成实施方式3的光信号收发装置的各光部件的配置图。
图16是构成实施方式4的光信号收发装置的各光部件的配置图。
图17是用于说明在光学平台上形成的金属遮光壁的附图。
图18是用于说明在光学平台上形成的金属遮光壁的附图。
图19是表示半导体激光器的光轴与光纤的光轴所形成的角度α同半导体激光器与光纤之间的耦合效率的关系的曲线图。
图20是表示光纤与受光用光电二极管之间的距离与耦合效率之间的关系的曲线图。
图21是表示与波长分路滤光器对峙的光纤的前端部分形状一例的附图。
图22是表示与波长分路滤光器对峙的光纤的前端部分形状一例的附图。
实施方式以下利用附图对本发明的光信号收发装置的各实施方式作以说明。
<实施方式1>
<结构>
首先，对实施方式1的光信号收发装置的结构作以说明。
图1是表示构成实施方式1的光信号收发装置的各光部件的配置的附图，图2是以图1所示的A-A′线将光信号收发装置分断后的场合下的断面图，图3是以图1所示的C-C′线将光信号收发装置分断后的场合下的断面图。
光信号收发装置由光学平台10、半导体激光器11、光电二极管12、光电二极管13、波长分路滤光器14、部件16、光纤17及树脂19构成。对各光部件作以说明。
(1)光学平台10光学平台10由硅制成，具有与光纤17的纤芯的折射率接近的折射率。在其表面上形成有用于配置光纤17的沟槽18、用于配置波长分路滤光器14的沟槽15。作为沟槽18的中心轴的A-A’轴与作为沟槽15的中心轴的B-B’轴所形成的角度θ是120度。将角度θ设为120度的理由后述。
(2)光纤17光纤17在纤芯外露的前端面171接受光信号，将已在一方的前端面接受的光信号从前端面171放出。如图1、图2及图3所示，光纤17被以在光学平台10的表面形成的沟槽18与部件16之间裹夹的形式配置。
(3)半导体激光器11半导体激光器11具有从发光点111及发光点112向A-A’轴方向发出作为激光的1.3μm波长的光信号的功能。图1所示的半导体激光器11按照与光纤17光轴大致一致的原则在光学平台10的表面被粘结。此外光纤17的前端面171与半导体激光器11的发光点111之间的距离m至少为100μm。将距离m设到100μm以上的理由后述。
(4)光电二极管12光电二极管12具有接收从半导体激光器11发出的1.3μm波长的光信号并监视该光信号的功能。如图1所示，光电二极管12被粘接在光学平台10的表面。
这里，利用图4，对实施方式1的光电二极管12作以说明。图4所示的光电二极管是光电二极管13，但光电二极管12的断面图也同样。
从半导体激光器11的发光点112发出的光信号由光电二极管12的向上反镜131折射，入射到受光部132。为使受光部132能有效地接受光信号，半导体激光器11与光电二极管12之间的距离最好尽量近一些。
(5)光电二极管13光电二极管13具有接收从光纤17的前端面171发出的1.55μm波长的光信号的功能。如图1所示，光电二极管13在可有效接受由波长分路滤光器14反射的1.55μm波长的光信号的光学平台10的表面位置被粘接。
这里，利用图4，对实施方式1的接收用光电二极管13作以说明。
从光纤17的前端面171发出的光信号由波长分路滤光器14反射，由光电二极管13的向上反镜131折射，入射到受光部132。受光部132的受光光径为100μm以上的光电二极管被用于实施方式1的光信号收发装置。这是为了降低基于针对光轴的垂直方向的位置偏差的敏感度劣化。
光电二极管13的配置位置最好是从光纤17的前端面171至光电二极管13的信号入射侧端面的最短路径尽量缩短的位置，但由于从光纤17的前端面171发出的光信号在被波长分路滤光器14反射后其光轴将发生变化，因而光电二极管13及光纤17有必要按照不成为光信号的经路障碍的原则配置。
(6)波长分路滤光器14波长分路滤光器14是一种使1.3μm波长的光信号透过，使1.55μm波长的光信号反射的片状滤光器，具有10～30μm的厚度。波长分路滤光器14被嵌入形成于光学平台10的表面的沟槽15。
(7)树脂19树脂19是一种其材质的折射率与光纤17的纤芯匹配的树脂。具有为防止在光纤17的前端面171光信号发生反射，实质性缩小光学部件之间的距离的效果。如图1及图2所示按照覆盖光部件的原则被充填。从半导体激光器11的发光点112发光的光信号及从光纤17的前端面171发出的光信号在经由树脂19时按规定的方向角扩散放射。
<与传统装置的比较>
接下来，举出特开平11-202140号公报中公开的传统光信号收发装置的制造成本高昂的3个因素，对实施方式1的光信号收发装置可全部消除这些因素的要点作以说明。
<因素1>
传统光信号收发装置的制造成本高昂的因素之一是半导体激光器的实装容差小。实装容差小导致了引入实现高精度实装的高价实装装置的必要性。
传统的光信号收发装置使半导体激光器与光波导路直接耦合，或通过透镜等集光部和衍射栅等衍射部耦合。任何一种耦合方法均以提高耦合效率为第1目的。不过，这些耦合方法同时具有根据半导体激光器与光波导路的相对位置偏差量，过剩损失及耦合效率发生较大变化的不良一面。
这里，对传统的光信号收发装置与本发明的光信号收发装置各自的半导体激光器与光纤(或光波导路)之间的过剩损失与位置偏差量的关系及耦合效率与位置偏差量的关系，利用图5及图6的曲线图作以说明。图5是表示半导体激光器与光纤(或光波导路)之间的过剩损失与半导体激光器的位置偏差量的关系的曲线图。图6是表示半导体激光器与光纤(或光波导路)之间的耦合效率与半导体激光器的位置偏差量的关系的曲线图。
如图5所示，如果把半导体激光器与光波导路之间的过剩损失降低2dB的半导体激光器的位置偏差量作为实装容差，则传统的光信号收发装置的半导体激光器的实装容差为±1.6μm。为满足该条件，有必要引入高精度的实装装置。
另一方面，在同样条件下实施方式1的光信号收发装置的半导体激光器的实装容差如同从图5所示的曲线图可看出的那样为±4μm。
此外如果如同实施方式1的光信号收发装置的构成那样，半导体激光器11与光纤17之间足够地远离，则从发光点111发出的光信号发生扩散放射，因而由于半导体激光器11的位置偏差而变化的耦合效率的降低量将变小，这一点从图6所示的曲线图可看出。
因此在实施方式1的光信号收发装置的制造中，由于不要求高的实装精度，因而不必引入高价的实装装置。
此外由于30km的中距离通信网的光加入者系统中必要的光输出为0.1～0.2mW，因而即使如同实施方式1的光信号收发装置的构成，距离m增大，耦合效率下降，对光信号的收发也没有大的影响。
<因素2>
接下来，对与传统的光信号收发装置的光波导路耦合的光纤的实装容差，利用图7的曲线图作以说明。图7是表示传统的光信号收发装置的光波导路与光纤之间的耦合效率与光纤的位置偏差量的关系的曲线图。
传统的光信号收发装置如图7所示，为使光纤的耦合效率处于-2dB以上，因而有必要使实装容差达到±2μm。为满足该实装容差，由于通过被动对准方法难以实现，因而采用了主动对准方法。然而，主动对准方法费时费力，成为实装成本增大的原因。
另一方面，在实施方式1的光信号收发装置的构成中，由于光纤17兼作本装置内的光波导路，因而不必进行上述的光波导路与光纤的光耦合的调整。
<因素3>
接下来，对在传统的光信号收发装置中形成的波长分路滤光器的缝隙加工位置精度作以说明。
传统的光信号收发装置是一种半导体激光器发出的光信号由WDM滤光器反射，由作为外部传送路的光纤受光的光路设计，但如果采用这种反射系统的光路设计，由于WDM滤光器的实装位置偏差及角度偏差，有时在光路上会发生耦合损失。因而有必要引入可进行高精度的缝隙加工的高价切割装置。
另一方面，在实施方式1的光信号收发装置中，由于按照半导体激光器11发出的光信号透过波长分路滤光器14的原则设置光路，因而波长分路滤光器14的实装位置偏差及角度偏差对光纤17的前端面171中的光耦合几乎不产生影响。此外由于波长分路滤光器14的厚度为10～30μm，很薄，因而从半导体激光器11发出的光信号通过该滤光器时的损失也较小。
波长分路滤光器14的实装精度取决于沟槽15的加工精度，但如果采用通常的切割装置，可按±10μm的精度进行加工。这在使用受光光径为100μm以上的光电二极管的本发明的光信号收发装置中，对于抑制受光敏感度劣化已是足够的精度。
此外光电二极管13的实装容差根据实装条件及光电二极管的方式而变化，但与半导体激光器11的实装容差相比是一个宽松的条件，因而在实装上不会有大问题。
<变形例>
接下来，对作为实施方式1的变形例，在波长分路滤光器14上形成遮光部的装置作以说明。图8是表示配置有形成了遮光部141的波长分路滤光器14的光信号收发装置的一部分的附图。
遮光部141的目的是防止光电二极管13接受在从半导体激光器11发光的方向角β的范围内扩散放射的光信号。遮光部141通过使用金属蒸镀膜可容易地在波长分路滤光器14的滤光面形成。此外也可以改变金属，形成相对半导体激光器的波长反射率高的波长选择膜。
图9A及图9B是表示在波长分路滤光器14上形成的遮光部141的形状具体例的附图。
遮光部141如图9A及图9B所示，并非在波长分路滤光器14的整个滤光面上形成，在窗口142部分不形成。此外窗口142的大小有必要不妨碍半导体激光器11与光纤17之间的耦合，如果考虑滤光器的实装精度，最好具有以光轴为中心50～150μm的直径或宽度。
<补充>
(1)作为波长1.3μm的接收用光电二极管，可以使用没有针对波长1.55μm的光的敏感度，具有通带结构的受光部的装置。
(2)图10是波长1.55μm接收用光电二极管的断面图。可以采用如图10所示，在紧靠受光部132下方，具有使1.55μm的光透过，对波长1.3μm的光吸收的1.3μm光吸收层133的装置。也可以使用在光电二极管的芯片表面形成有金属遮光图案的装置。
(3)为防止基于反射的受光敏感度的劣化，可以在接收用光电二极管的向上反镜131上实施无反射涂覆。
(4)作为波长分路滤光器14的基片材料，可以采用不发生过份反射，接近于光纤的折射率的材质材料。
(5)半导体激光器11不局限于一般的法布里佩洛结构，也可以采用DFB激光器。
(6)半导体激光器11的光波导路结构不局限于通常的平行带型结构，也可以是具有能改变光点大小的功能的锥带结构。
(7)图11是从下向上观看接收用光电二极管的附图。如图11所示，在接收用光电二极管的入射面，可以蒸镀使用了与背面电极相同的金属材料的遮光金属134。
(8)为提高半导体激光器11与光纤17之间的光信号的耦合效率，也可以采用使用如图21所示将前端斜向截切了的光纤17A及如图22所示将前端按圆锥型倒角加工了的光纤17B，尽量靠近波长分路滤光器14的配置。
(9)在作为从半导体激光器11发出的光信号的波长使用1.55μm的波长的场合下，使用接收波长1.3μm的波长光信号的光电二极管13。
(10)此外采用了传统光波导路的光信号收发装置由于光波导路基片本身的尺寸难以降低，因而难以实现小型化，但实施方式1的光信号收发装置由于可以在本装置内导入光纤17，作为光波导路使用，通过众所周知的光刻技术及蚀刻技术形成设置光纤的沟槽，因而可容易地实现光学平台10的小型化。由于在光学平台10中采用硅基片，因而可通过湿法蚀刻来精度良好地形成V字型沟槽。
<实施方式2>
以下利用附图对实施方式2的光信号收发装置作以说明。
由于实施方式2的光信号收发装置与实施方式1的光信号收发装置在许多方面相同，因而只对不同点作以说明。不同点是作为波长分路滤光器，采用滤光器块。
<结构>
图12是表示构成实施方式2的光信号收发装置的各光部件的配置的附图。
在实施方式2的光学平台10中，取代在实施方式1中说明过的沟槽15，形成沟槽20。在沟槽20中嵌入滤光器块21。
滤光器块21由玻璃制成，具有100μm以上的厚度。如图12所示，滤光器块21被配置于半导体激光器11与光纤17之间，相对光纤17的光轴，形成大致构成120度角度的斜面。
图13是表示被配置于光学平台10的滤光器块21的附图。在滤光器块21的相对光纤17的光轴大致构成120度角度的斜面上，形成有波长分路滤光器211。波长分路滤光器211是电介体多层膜。
在实施方式1中，采用厚度为10～30μm的极薄的波长分路滤光器，但在该场合下，难以区别表里，此外由于因为薄而使波长分路滤光器弯曲等原因，有可能使自动实装的效率下降。另一方面，通过使用实施方式2所示具有100μm以上厚度的滤光器块21，与图1所示的薄片状波长分路滤光器14相比，由于易于进行位置对合时的图像认知，而且难以发生处理时的破损，因而可防止实装合格率的下降。
<补充>
(1)如图14所示，可以在滤光器块21的规定部分形成遮光膜212。作为遮光膜212，可以采用金属蒸镀膜。这样，可简单地形成遮光膜，可获得有效的遮光特性。此外也可以取代金属，使用对半导体激光器11发出的光信号的波长反射率高的波长选择膜。
(2)虽然滤光器块21的实装精度不受沟槽20的加工精度影响，而取决于滤光器块21的实装精度，但如果采用通常的设备，其精度为±10μm，敏感度劣化为5％左右。
(3)在通过使半导体激光器11与光纤17的距离靠近获得高耦合效率的场合下，可以通过使滤光器块21的厚度变薄进行对应。
(4)作为滤光器块21的材料，最好采用其折射率与光纤17的纤芯匹配的材料。在作为滤光器块21的材料采用了玻璃的场合下，斜面加工可通过玻璃挤压加工进行。此外在使用塑料的场合下，通过基于金属模的模塑加工可简单地加工。此外在使用硅的场合下，可通过利用空闲基片进行选择蚀刻进行加工。但在使用硅的场合下，有必要在所形成的斜面的对侧面进行无反射涂覆。此外由于其折射率与光纤17的纤芯不同，因而有必要就考虑了折射率差异的光学系统做设计变更。
(5)图13所示的滤光器块21的波长分路滤光器211在光纤17侧形成，但也可以在半导体激光器11侧形成。
<实施方式3>
以下利用附图对实施方式3的光信号收发装置作以说明。由于实施方式3的光信号收发装置与实施方式1的光信号收发装置在许多方面相同，因而只对不同点作以说明。不同点是具备有用于按照从半导体激光器发出的光信号不入射到接收用光电二极管的原则进行防范的遮断滤光器。
<结构>
图15是表示构成实施方式3的光信号收发装置的各光部件的配置的附图。
在光学平台10，除了在实施方式1中说明过的沟槽15及沟槽18以外，沟槽22与沟槽15并行形成。这样，在沟槽22中嵌入遮断滤光器23。此外沟槽22具有可由遮断滤光器23可靠地遮断从半导体激光器11发出的边扩散放射边传播的光信号所需的足够深度。
在遮断滤光器23的滤光面，形成有针对从半导体激光器11发出的波长光信号的反射率较高的波长选择膜。
这样，可防止从半导体激光器11发出的光信号由光电二极管13受光。
此外作为遮断滤光器2 3的配置，虽然在图7(a)中，按照与光纤17插接的原则配置，但只要不妨碍半导体激光器11与光纤之间的耦合，也可以按照接到光纤17的端面的原则配置。
<实施方式4>
以下利用附图对实施方式4的光信号收发装置作以说明。由于实施方式4的光信号收发装置与实施方式1的光信号收发装置在许多方面相同，因而只对不同点作以说明。不同点在于相对光纤的光轴，使半导体激光器的光轴以该半导体激光器的发光点为顶点倾斜；具备用于使从半导体激光器发出的光信号不入射到接收用光电二极管的金属遮光壁。
<结构>
图16是表示构成实施方式4的光信号收发装置的各光部件的配置的附图。
如图16所示，半导体激光器11及光电二极管12按照以发光点111为顶点，光纤17的光轴与半导体激光器11的光轴形成角度α的原则配置。如此配置的理由是为了减轻从半导体激光器11发出的光信号在光电二极管13中的入射量。
图19是表示半导体激光器11的光轴与光纤14的光轴所形成的角度α同半导体激光器11与光纤14之间的耦合效率的关系的曲线图。从图19所示的曲线图中可看出，如果角度α是3～5度之间的角度，则半导体激光器11与光纤17之间的光信号的耦合效率损失为1～2dB即可，因而不成大问题。
金属遮光壁24通过对光学平台10上的金属进行金属电镀加工而形成。这里对金属遮光壁24的高度作以说明。
图17是以D-D’线切断了图16所示的光信号收发装置场合下的断面图。如图17所示，从半导体激光器11发出的光信号边按规定的方向角扩散放射边传播，因而金属遮光壁24的高度有必要达到考虑了该方向角的高度。基本上说有必要高于光电二极管13的向上反镜131的高度。比如，在半导体激光器11的方向角为20度的场合下，必要的金属遮光壁24的高度为30～40μm。
这样，可以防止从半导体激光器11发出的光信号由光电二极管13受光。
<补充>
(1)此外为防止在沟槽15的切割面反射的光信号入射到光电二极管13，也可以在光学平台10上形成图18所示的沟槽241。
(2)为实现高遮光特性，也可以按照从发光点111看去，光电二极管13被隐蔽的原则将金属遮光壁24配置到接近于沟槽18的位置。
(3)尽管通过按照超出半导体激光器11的方向角范围的原则配置光电二极管13，可提高遮光特性，但从图20所示的曲线图可看出，由于光电二极管13的配置位置远离波长分路滤光器14后耦合效率将减小，因而可以结合所希望的耦合效率决定光电二极管13的配置位置。
尽管结合示例并参照附图对本发明作了详尽说明，但应注意的是对于本技术可做各种变动与改型。因而除非这种变动与改型脱离了本发明的范围，否则应被视为本发明的一部分。
权利要求
1.一种光信号收发装置，其包含发光部，其发出特定波段的光；受光部，其接受光；光波导路，其一端被导入装置主体内，在其端面使光入射及射出；光分路部，其与发光部、光波导路的一端分别分离对峙，位于由发光部发出的特定波段光的方向角内及从光波导路的端面射出的光的方向角内，使从该发光部发出的特定波长光入射光波导路的端面，并使受光部接受从光波导路的端面射出的光。
2.权利要求1中的光信号收发装置，其中从上述发光部发出的特定波段光到达上述光波导路的端面的最短光路长度为100μm以上。
3.权利要求2中的光信号收发装置，其中上述光分路部透过从上述发光部发出的特定波段光，反射该特定波段以外的光。
4.权利要求3中的光信号收发装置，其中上述光分路部是在片状的光学透明的光学基片上形成了电介体多层膜的滤光器。
5.权利要求4中的光信号收发装置，其中上述光分路部的厚度是10～30μm。
6.权利要求4中的光信号收发装置，其中上述电介体多层膜在形成于上述光学基片的凹部的斜面上形成。
7.权利要求5中的光信号收发装置，其中在从上述发光部发出的特定波段光到达上述光波导路的端面的最短光路中，充填有其折射率与上述光波导路大致相等的光学透明树脂。
8.权利要求7中的光信号收发装置，其中上述发光部、上述受光部、上述光分路部及上述光波导路配置在一个光学平台的同一表面上。
9.权利要求8中的光信号收发装置，其中上述受光部是端面入射型光电二极管。
10.权利要求9中的光信号收发装置，其中上述受光部还具有向上反镜。
11.权利要求10中的光信号收发装置，其中在上述向上反镜，实施不反射从上述光波导路端面射出的特定波段光的无反射涂层处理。
12.权利要求1中的光信号收发装置，其中从上述发光部发出的特定波长光是1.3μm波段的光，从上述光波导路端面射出的光是1.55μm波段的光。
13.权利要求1中的光信号收发装置，其中从上述发光部发出的特定波长光是1.55μm波段的光，从上述光波导路端面射出的光是1.3μm波段的光。
14.权利要求1中的光信号收发装置，其中在上述光分路部，形成有用于防止从上述发光部发出的特定波长光由上述受光部受光的遮光膜。
15.权利要求14中的光信号收发装置，其中上述遮光膜在包含从上述发光部发出的特定波长光到达上述光波导路端面的光路的上述光分路部的规定部分以外的部分形成。
16.权利要求15中的光信号收发装置，其中上述遮光膜是金属蒸镀膜。
17.权利要求1中的光信号收发装置，其还包含遮光部，其被配置于在上述光分路部与上述受光部之间的，从上述发光部发出的特定波长光中沿配置有上述受光部的方向传播的光的光路上。
18.权利要求17中的光信号收发装置，其中上述遮光部是使上述特定波长的光反射，使该特定波长以外的光透过的滤光器。
19.权利要求18中的光信号收发装置，其中上述发光部、上述受光部、上述光分路部、上述光波导路及上述遮光滤光器配置在一个光学平台的同一表面上，为插入上述遮光滤光器而在上述光学平台上形成的切割槽具有考虑从上述发光部发出的特定波长光的方向角而决定的深度。
20.权利要求17中的光信号收发装置，其中上述遮光部是金属块。
21.权利要求20中的光信号收发装置，其中上述受光部具有接受光的入射面，上述金属块的高度高于上述入射面的位置。
22.权利要求21中的光信号收发装置，其中上述遮光壁由金属镀层来形成。
23.权利要求1中的光信号收发装置，其中上述受光部具有接受光的入射面，在该入射面，形成有使从上述发光部发出的特定波长光反射，使从上述光波导路的端面射出的光透过的波长选择层。
24.权利要求1中的光信号收发装置，其中上述受光部具有接受光信号的入射面，在除了该入射面的规定部分以外的其它部分形成有遮光膜。
25.权利要求1中的光信号收发装置，其中上述受光部被配置于从上述发光部发出的特定波长光的方向角外。
26.权利要求25中的光信号收发装置，其中上述发光部与上述光波导路具有从该发光部发出的特定波长光的指向方向与从上述光波导路射出的光的指向方向形成规定角度的配置关系。
27.权利要求26中的光信号收发装置，其中上述规定角度是处于3～5度之间的角度。
28.权利要求1中的光信号收发装置，其中上述光波导路是光纤，其一端被斜向截切。
29.权利要求1中的光信号收发装置，其中上述光波导路是光纤，其前端面按照与上述光分路部的光入射面大致平行的原则加工。
30.权利要求1中的光信号收发装置，其中上述光波导路是光纤，其一端被倒角加工成圆锥型。
全文摘要
本发明的光信号收发装置包含发光部，其发出特定波段的光；受光部，其接受光；光波导路，其一端被导入装置主体内，在其端面使光入射及射出；光分路部，其与发光部、光波导路的一端分别分离对峙，位于由发光部发出的特定波段光的方向角内及从光波导路的端面射出的光的方向角内，使从该发光部发出的特定波长光入射光波导路的端面，并使受光部接受从光波导路的端面射出的光。
文档编号G02B5/28GK1450368SQ0311034
公开日2003年10月22日 申请日期2003年4月9日 优先权日2002年4月9日
发明者西川透, 宇野智昭 申请人:松下电器产业株式会社