光导波路及光导波路结构体的制作方法

专利名称：：光导波路及光导波路结构体的制作方法
技术领域：
：本发明涉及光导波路及光导波路结构体。
背景技术：
：近年来，使用光频传输波传输数据的光通信越来越引人注目。在这样的光通信中，作为将光频传输波从一处引入另一处的方法，有光导波路。该光导波路例如由一对包覆层和，设置在该一对包覆层之间的芯层构成。芯层具有线状的芯部和包覆部，且该芯部和包覆部相互交替地进行排列。芯部由实质上对光频传输波的光透明的材料构成，包覆层以及包覆部由折射率比芯部的折射率低的材料构成。在这样的光导波路中，芯部由折射率比芯部低的包覆层及包覆部包围。因此，从芯部的端部导入的光在包覆层及包覆部的边界进行反射的同时，沿着芯部的轴被传输。作为该光导波路的材料，除了以往一直通用的玻璃以外，还可以举出聚合物等。其中，由于聚合物的微细加工容易，且有助于组装有光导波路的电路基板的高密度化，因而被视为很有前途。作为能成为这样的光导波路材料的聚合物，可以使用聚甲基丙烯酸甲酯(例如，参照日本特开平09-258051号公报)、环氧树脂(例如，参照曰本特开2005-070556号公报)、氟化聚酰亚胺(例如，参照日本特开平4-9807号公报)、聚苯并噁唑(例如，参照日本特开2002-173532号公报)、纤维素乙酸酯丁酸酯/丙烯酸酯单体(例如，参照美国专利第5292620号公报)但是，在这些聚合物中存在如下问题。首先，聚甲基丙烯酸甲酯和环氧树脂的耐热温度为20(TC以下。因此，当将由这些聚合物形成的光导波路安装在电路基板时，存在着因焊锡处理等的热处理发生软化之虑。另外，氟化聚酰亚胺是通过氟化赋予了高耐热性、高透明性、低吸水性的聚合物。但是，由于合成过程中需要氟化，因此，成本提高，缺乏实用性。而且，通过聚酰亚胺或聚苯并噁唑等的縮聚合成的聚合物，在縮聚工序中，必须经过用于使酰亚胺环或苯并噁唑环闭环的高温(25(TC以上)下的固化处理。因此，存在着操作性差的问题。另外，纤维素乙酸酯丁酸酯/丙烯酸酯单体的耐热温度为100以下，非常低，因此，由于焊锡处理等热处理发生软化。另外，由于纤维素乙酸酯丁酸酯具有大量的羟基，因而吸水性高。因此，由这样的聚合物形成的光导波路被放置于高湿环境时，产生因吸水引起的尺寸变化。
发明内容本发明的目的在于，提供一种具有优异的耐热性的同时，吸水性低，且能够将材料成本抑制在低水平的光导波路及光导波路结构体。为了达成上述目的，本发明提供一种光导波路，该光导波路包括芯层，其具有芯部和折射率比该芯部的折射率低的包覆部；包覆层，其被设置成与该芯层的至少一侧面接触，且折射率比上述芯部的折射率低，其特征在于，上述包覆层以降冰片烯类聚合物作为主材料。由此，能够得到具有优异的耐热性的同时，吸水性低，且材料成本低的光导波路。另外，在本发明的光导波路中，优选上述降冰片烯类聚合物是加成聚合物。另外，在本发明的光导波路中，优选上述降冰片烯类聚合物含有烷基降冰片烯的重复单元。另外，在本发明的光导波路中，优选上述降冰片烯类聚合物含有降冰片烯重复单元，该降冰片烯重复单元具有含聚合性基团的取代基。另外，在本发明的光导波路中，优选上述降冰片烯类聚合物是以下述化学式1表示的物质作为主成分。化学式l:另外，在本发明的光导波路中，优选上述第二物质含有下式Ib表示的化合物。[WCA](Ib)另外，在本发明的光导波路中，优选p及r分别选自l或2的整数。另外，在本发明的光导波路中，优选上述芯层通过以下方法得到，艮P，上述加热处理后，在比上述加热处理温度高的第二温度下，对上述层进行加热处理而得到。另外，在本发明的光导波路中，优选上述芯层是在上述第二温度下进行的加热处理后，通过将上述层在比上述第二温度高的第三温度下进行加热处理而得到。另外，在本发明的光导波路中，优选上述第三温度比上述第二温度高20。C以上。另外，在本发明的光导波路中，优选上述单体含有交联性单体。另外，在本发明的光导波路中，优选上述单体是以降冰片烯类单体为主成分。另外，在本发明的光导波路中，优选上述单体以降冰片烯类单体为主成分，且作为上述交联性单体，含有二甲基双(降冰片烯甲氧基)硅烷。另外，在本发明的光导波路中，优选上述聚合物具有脱离性基团，该脱离性基团通过被活化的第一物质的作用，其分子结构的至少一部分能够从主链脱离，并在对上述层选择性地照射上述活性放射线时，在上述照射区域中，上述聚合物的上述脱离性基团进行脱离。另外，在本发明的光导波路中，优选上述第一物质是含有一种化合物，该化合物随着上述活性放射线的照射能够产生阳离子和弱配位阴离子，上述脱离性基团是通过上述阳离子的作用而脱离的酸脱离性基团。另外，在本发明的光导波路中，优选上述芯层是通过如下方法得到。艮P，形成包含因活性放射线的照射能够活化的物质及聚合物的层，其中，所述聚合物具有主链和从该主链分支、且通过被活化的上述物质的作用分子结构的至少一部分能够从上述主链脱离的脱离性基团，然后，通过对上述层选择性地照射上述活性放射线，从而在照射了上述活性放射线的照射区域中，使上述物质活化，使上述聚合物的上述脱离性基团脱离，由此使上述照射区域和上述活性放射线的非照射区域之间产生折射率差，从而将上述照射区域及上述非照射区域中的任意一个区域作为芯部，将另一个区域作为包覆部。另外，在本发明的光导波路中，优选上述芯层是照射上述活性放射线后，通过对上述层实施加热处理而得到。另外，在本发明的光导波路中，优选上述物质含有一种化合物，该化合物随着上述活性放射线的照射能够产生阳离子和弱配位阴离子，而且，上述脱离性基团是通过上述阳离子的作用而脱离的酸脱离性基团。另外，在本发明的光导波路中，优选上述酸脱离性基团是具有-o-结构、-Si-芳基结构以及-O-Si-结构中的至少一种的酸脱离性基团。另外，在本发明的光导波路中，优选上述脱离性基团是通过其脱离能够使上述聚合物的折射率降低的脱离性基团。另外，在本发明的光导波路中，优选上述脱离性基团是-Si-二苯基结构以及-OSi-二苯基结构中的至少一种。另外，在本发明的光导波路中，优选上述活性放射线在200450nm的范围具有峰值波长。另外，在本发明的光导波路中，优选上述活性放射线的照射量为0.19J/cm2.另外，在本发明的光导波路中，优选上述活性放射线是通过掩模向上述层照射。另外，在本发明的光导波路中，优选上述层还含有抗氧化剂。另外，在本发明的光导波路中，优选上述层还含有增感剂。另外，在本发明的光导波路中，优选上述聚合物是以降冰片烯类聚合物作为主成分的聚合物。另外，在本发明的光导波路中，优选上述降冰片烯类聚合物是加成聚合物。另外，在本发明的光导波路中，优选上述芯部是以第一降冰片烯类材料作为主材料而形成，上述包覆部是以第二降冰片烯类材料作为主材料而形成，所述第二降冰片烯类材料具有比上述第一降冰片烯类材料低的折射率。另外，在本发明的光导波路中，优选上述第一降冰片烯类材料和上述第二降冰片烯类材料均含有相同的降冰片烯类聚合物，且通过具有与上述降冰片烯类聚合物不同的折射率的降冰片烯类单体的反应物含量的不同，由此使他们的折射率不同。另外，在本发明的光导波路中，优选上述反应物为上述降冰片烯类单体的聚合物、交联上述降冰片烯类聚合物之间的交联结构、以及从上述降冰片烯类聚合物分支的支链结构中的至少一种。14另外，在本发明的光导波路中，优选上述降冰片烯类聚合物含有芳烷基降冰片烯重复单元。另外，在本发明的光导波路中，优选上述降冰片烯类聚合物含有苄基降冰片烯重复单元。另外，在本发明的光导波路中，优选上述降冰片烯类聚合物含有苯基乙基降冰片烯重复单元。另外，在本发明的光导波路中，优选上述降冰片烯类聚合物具有主链和从该主链分支、且分子结构的至少一部分能够从上述主链脱离的脱离性基团，上述芯部和上述包覆部中，通过与上述主链结合状态的上述脱离性基团数量的不同，以及具有与上述降冰片烯类聚合物不同的折射率的降冰片烯类单体的反应物含量的不同，使它们的折射率不同。另外，在本发明的光导波路中，优选上述芯层是以降冰片烯类聚合物作为主材料形成，其中，所述降冰片烯类聚合物具有主链和从该主链分支、且分子结构的至少一部分能够从上述主链脱离的脱离性基团，通过与上述主链结合状态的上述脱离性基团数量的不同，使上述第一降冰片烯类材料和第二降冰片烯类材料的折射率不同。另外，在本发明的光导波路中，优选上述降冰片烯类聚合物含有二苯基甲基降冰片烯甲氧基硅垸的重复单元。另外，在本发明的光导波路中，优选上述降冰片烯类聚合物含有烷基降冰片烯重复单元。另外，在本发明的光导波路中，优选上述降冰片烯类聚合物含有己基降冰片烯重复单元。另外，在本发明的光导波路中，优选上述降冰片烯类聚合物为加成聚合物。此外，为了达成本发明的目的，本发明提供光导波路结构体，其特征在于，具有上述光导波路和设置在该光导波路的至少一面侧的导体层。由此，能够得到具有优异的耐热性的同时，吸水性低，且能够将材料成本抑制在低水平的光导波路结构体。另外，在本发明的光导波路结构体中，优选上述导体层的平均厚度是上述光导波路平均厚度的1090%。另外，在本发明的光导波路结构体中，优选上述导体层是通过干式镀法、湿式镀法以及导电性片材接合中的至少一种方法来形成。图1是表示本发明光导波路结构体实施方式的立体图(显示切除一部分的状态)。图2为表示本发明光导波路结构体第一制造方法工序例的示意剖视图。图3为表示本发明光导波路结构体第一制造方法工序例的示意剖视图。图4为表示本发明光导波路结构体第一制造方法工序例的示意剖视图。图5为表示本发明光导波路结构体第一制造方法工序例的示意剖视图。图6为表示本发明光导波路结构体第一制造方法工序例的示意剖视图。图7为表示本发明光导波路结构体第一制造方法工序例的示意剖视图。图8为表示本发明光导波路结构体第四制造方法工序例的示意剖视图。图9为表示本发明光导波路结构体第四制造方法工序例的示意剖视图。图10为表示本发明光导波路结构体第四制造方法工序例的示意剖视图。图11为表示本发明光导波路结构体第四制造方法工序例的示意剖视图。图12为表示本发明光导波路结构体第四制造方法工序例的示意剖视图。图13为表示本发明光导波路结构体第四制造方法工序例的示意剖视图。图14为表示根据芯部长度变化的光损失总量变化的图表。具体实施例方式下面，根据附图所示的优选实施方式，详细说明本发明的光导波路及光导波路结构体。图1是表示本发明光导波路结构体实施方式的立体图(显示切除一部分的状态)。另外，在以下的说明中，将图1中的上侧作为"上"或"上方"，将下侧作为"下"或"下方"(在以下图中也相同)。另外，在各图中，层的厚度方向(各图的上下方向)是采用夸张的方式描述。图1所示的光导波路结构体9具有光导波路90、分别在该光导波路9016的上表面和下表面设置的导体层901、902，并将这些层接合而成。作为导体层901、902的构成材料，例如，可分别举出铜、铜类合金、铝、铝类合金等各种金属材料；铟锡氧化物(TIO)、含氟铟锡氧化物(FTO)等各种氧化物材料等。优选导体层901、902的平均厚度分别为光导波路90平均厚度的10~90%，更优选为2080%。具体地讲，对导体层901、902的平均厚度未作特别的限定，但通常优选分别为3100pm，更优选为5~70|im。由此，能够防止光导波路结构体9的可挠性降低的同时，能够使导体层90K902的熟导电性优异。另夕卜，在图l所示的构成中，导体层901、902均为平板状(片状)。此时，加工成导体层901、902所规定的图案后，在所希望的部分安装光学元件(发光元件、受光元件等)，由此能够制造出具有光学电路和电气电路的复合装置。导体层901、902也可以是事先分别实施有图案(布线)的导体层。另外，根据需要，也可以省略导体层901及902中的任意一方。另外，在导体层901、902与光导波路90之间，也可以设置有一层或两层以上满足任意目的(例如，提高附着性的目的)的层。光导波路90是从图1的下侧依次层叠包覆层(下部包覆层)91、芯层93以及包覆层(上部包覆层94)而成，在芯层93上形成有规定图案的芯部94和与该芯部(导波路通道)94邻接的包覆部95。对芯部94与包覆部95的折射率差没有特别的限定，但优选为0.3~5.5%，特别优选为0.8~2.2%。当折射率差低于上述下限值时，有时会降低光传输效果，另外，即使超过上述上限值，光传输效率也不会有更多的提高。另外，当将芯部94的折射率作为A、将包覆部95的折射率作为B时，上述折射率差可用下式表示。折射率差(％)=IA/B-lIX100另外，在图l所示的结构中，俯视时芯部94形成为直线状，但也可以中途发生弯曲、分支等，其形状可任意地选择。另外，根据后述的光导波路结构体9的制造方法，能够容易且高尺寸精度地形成复杂而任意形状的芯部94。另外，芯部94的横向剖面形状为正方形或矩形(长方形)等的四边形。对芯部94的宽度及高度没有特别的限定，但分别优选为l~20(Him，更优选为5100pm，进一步优选为10~60|im。该芯部94由折射率比包覆部95的折射率高的材料构成，且由折射率相对于包覆层91、92也高的材料构成。包覆层91及92，是分别构成位于芯部94的下部及上部的包覆部的层。根据该结构，芯部94能够作为其外周被包覆部包围的导光路起作用。优选包覆层91、92的平均厚度是芯层93平均厚度的0.11.5倍，更优选为0.31.25倍。具体地讲，对包覆层91、92的平均厚度未作特别的限定，但分别优选为l~200|am，更优选为5100(im，进一步优选为1060pm。由此，在防止光导波路90无用地成为大型化(压膜化)的同时，能够有效地发挥作为包覆层的功能。包覆层91、包覆部95以及包覆层92的构成材料既可以分别相同(同种)也可以分别不同，但优选它们的折射率相同或接近。关于包覆层91、92以及芯层93的构成材料的详细内容，则在后面叙述。本发明的光导波路结构体9，例如可适合用于使用了600~1550nm波长区域光的数据通信中，但根据芯部94材料的光学特性等而存在稍许的不同，没有特别的限定。接着，说明光导波路结构体9制造方法的实例。<第一制造方法〉首先，说明光导波路结构体9的第一制造方法。图2图7分别为表示本发明光导波路结构体的第一制造方法工序例的示意剖视图。首先，在支承基板951上形成层910(参照图2)。层910是通过涂敷芯层形成用材料(清漆)900并使之硬化(固化)的方法来形成。具体地讲，层910是通过以下方法形成。g卩，在支承基板951上涂敷芯层形成用材料900而形成液状被膜后，将该支承基板置于通风的水平桌子(1/X》亍一7W)上，以使液状被膜表面的不均匀部分达到平整的同时，蒸发溶剂(脱溶剂)，由此形成层910。—当采用涂布法形成层910时，例如，可以使用刮刀法、旋涂法、浸涂法、桌面涂布法(亍一7，〕一卜法)、喷涂法、辊涂布法(77°!J亇一夕一法)、帘式淋涂法、模压涂层法(夕'^〕一卜法)等的方法，但并不限定于此。作为支承基板951，例如可使用硅基板、二氧化硅基板、玻璃基板、石英基板、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜等。芯层形成用材料900含有光诱导发热显影性材料(PITMD)，是通过活性放射线的照射以及加热，在聚合物915中产生单体反应的材料，其中，所述光诱导发热显影性材料(PITMD)由聚合物915和添加剂920(在本实施例中，至少含有单体、助催化剂以及催化剂前躯体)构成。而且，在所得到的层910中，聚合物(基质)实质上均以均匀且无规则地被分配，添加剂920实质上以均匀且无规则地分散在聚合物915内。由此，添加剂920实质上以均匀且任意地分散在层910中。这样的层910的平均厚度可根据所要形成的芯层93的厚度适当地设定，没有特别的限定，但优选5~200pm，更优选为10~100|am，进一步优选为1565拜。作为聚合物915，适合使用透明性非常高(无色透明)，且与后述的单体具有相容性的物质，进而，适合使用其中的如后面所述地单体能够进行反应(聚合反应或交联反应)，且在单体聚合后，还具有充分的透明性的物质。在此，"具有相容性"是指至少混合有单体，并在芯层形成用材料900中或在层910中，不会与聚合物915引起相分离。作为这样的聚合物915，可以举出降冰片烯类树脂或苯并环丁烯类树脂等的环状烯烃类树脂；丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚碳酸酯、聚苯乙烯、环氧树脂、聚酰胺、聚酰亚胺、聚苯并噁唑等，它们既可以使用一种，也可以两种以上组合使用(聚合物合金、聚合物掺和物(混合物)、共聚物等)。其中，特别优选以降冰片烯类树脂(降冰片烯类聚合物)作为主成分的物质。通过作为聚合物915使用降冰片烯类聚合物，能够得到具有优异的光传输性能和耐热性的芯层93。另外，由于降冰片烯类聚合物具有高疏水性，因此，能够得到不易产生因吸水引起尺寸变化等现象的芯层93。作为降冰片烯类聚合物，可以是具有一种重复单元的聚合物(均聚物)、具有两种以上降冰片烯类重复单元的物质(共聚物)中的任意一种。作为这样的降冰片烯类聚合物，例如，可以举出(1)使降冰片烯型单体加成(共)聚合而得到的降冰片烯型单体的加成(共)聚合物；(2)降冰片烯型单体与乙烯或a-烯烃类的加成共聚物；(3)降冰片烯型单体和非共轭二烯、以及根据需要的其他单体的加成共聚物等加成聚合物；(4)降冰片烯型单体的开环(共)聚合物、以及根据需要向该(共)聚合物加氢的树脂；(5)降冰片烯型单体和乙烯或a-烯烃类的开环共聚物、以及根据需要向该(共)聚合物加氢的树脂；(6)降冰片烯型单体和非共轭二烯、或其他单体的开环共聚物、以及根据需要向该(共)聚合物加氢的聚合物等开环聚合物。作为这样的聚合物，可以举出无规共聚物、嵌段共聚物、交替共聚物等。这些降冰片烯类聚合物，例如，可通过开环易位聚合(ROMP)、ROMP与氢化反应的组合、通过自由基或阳离子的聚合、使用阳离子性钯聚合引发剂的聚合、使用除此之外的聚合引发剂(例如、镍或其他过渡金属的聚合引发剂)的聚合等，可用所有公知的聚合方法来得到。其中，作为降冰片烯类聚合物，优选至少具有一个下述化学式2(结构式B)表示的重复单元的聚合物，即，优选为加成(共)聚合物。该聚合物的透明性、耐热性以及可挠性非常高，因而优选。化学式2:该降冰片烯类聚合物，例如可通过使用后述的降冰片烯类单体(后述的化学式4表示的降冰片烯类单体、或交联性降冰片烯类单体)来合成。另外，为了得到具有较高折射率的聚合物915，通常选择分子结构中具有芳香族环(芳香族基)、氮原子、溴原子或氯原子的单体而合成(聚合)聚合物915。另外，为了得到具有较低折射率的聚合物915，通常选择分子结构中具有烷基、氟原子或醚结构(醚基)的单体而合成(聚合)聚合物915。作为具有较高折射率的降冰片烯类聚合物，优选含有芳垸基降冰片烯重复单元的聚合物。该降冰片烯类聚合物具有特别高的折射率。作为芳垸基降冰片烯重复单元具有的芳垸基(芳基垸基)，例如可以举出节基、苯基乙基、苯基丙基、苯基丁基、萘基乙基、萘基丙基、芴基乙基、芴基丙基等，特别优选苄基或苯基乙基。具有该重复单元的降冰片烯类聚合物，具有极高的折射率，因而优选。另外，优选降冰片烯类聚合物含有垸基降冰片烯的重复单元。由于含有烷基降冰片烯重复单元的降冰片烯类聚合物的柔软性高，通过使用该降冰片烯类聚合物，可向光导波路卯赋予高柔软性(可挠性)。作为垸基降冰片烯重复单元具有的垸基，例如，可以举出丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基等，但特别优选己基。另外，这些烷基既可以是直链状，也可以是支链状。通过含有己基降冰片烯重复单元，能够防止降冰片烯类聚合物整体折射率的下降，且能够保持高柔软性。另外，该降冰片烯类聚合物对上述波长区域(特别是850nm附近的波长区域)光的透过率优异，因而优选。作为这样的降冰片烯类聚合物优选的具体例，可以举出己基降冰片烯的均聚物、苯基乙基降冰片烯的均聚物、苄基降冰片烯的均聚物、己基降冰片烯与苯基乙基降冰片烯的共聚物、己基降冰片烯与苄基降冰片烯的共聚物等，但并不限定于此。本实施方式的芯层形成用材料900，作为添加剂920含有单体、助催化剂(第一物质)以及催化剂前躯体(第二物质)。单体是通过后述的活性放射线的照射，在活性放射线的照射区域进行反应而生成反应物，通过该反应物的存在，使层910的照射区域和活性放射线的未照射区域中，产生折射率差的化合物。在此，作为反应物，可以举出单体在聚合物(基质)915中聚合而形成的聚合物(聚合体)、使聚合物915彼此交联而成的交联结构、以及与聚合物915聚合并从聚合物915分支的支链结构(分支聚合物或侧链(侧基))中的至少一种。在此，在层910中，当希望照射区域的折射率高时，将具有较低折射率的聚合物915与相对于该聚合物915具有高折射率的单体组合使用，当希望照射区域的折射率低时，则将具有较高折射率的聚合物915与相对于该聚合21物915具有低折射率的单体组合使用。另外，在此所说的折射率"高"或"低"，不是意味着折射率的绝对值，而是意味着材料相互之间的相对关系。当由于单体的反应(反应物的生成)，在层910中照射区域的折射率降低的情况下，该部分成为包覆部95，当照射区域的折射率上升时，该部分成为芯部94。作为这样的单体，只要是具有能够聚合的部位的化合物即可，没有特别的限定，例如，可以举出降冰片烯类单体、丙烯酸(甲基丙烯酸)类单体、环氧类单体、苯乙烯类单体等，这些既可以使用一种，也可以两种以上组合使用。其中，作为单体，优选使用降冰片烯类单体。通过使用降冰片烯类单体，能够使光传输性能优异，且能够得到耐热性以及柔软性优异的芯层93(光导波路90)。在此，降冰片烯类单体是至少含有一个下述化学式3(结构式A)表示的降冰片烯骨架的单体的总称，例如，可以举出下述化学式4(结构式C)表示的化合物。化学式3:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula>[式中，a表示单键或双键，WR4分别独立地表示氢原子、取代或未取代的烃基、或官能取代基，m表示05的整数。其中，当a为双键时，R'及f中的任意一方、RS及R"中的任意一方不存在。]作为未取代的烃基(hydrocarbyl)，例如，可以举出直链状或支链状的碳原子数110(C广Cu))的垸基、直链状或支链状的碳原子数210(C2~C10)的烯基、直链状或支链状的碳原子数210(C2C1())的炔基、碳原子数4~12(C4C12)的环烷基、碳原子数4~12(C4~C12)的环烯基、碳原子数6~12(C6~C12)的芳基、碳原子数724(C7C24)的芳垸基(芳基烷基)等，另外，R1及R2、R3及R4也可以分别为碳原子数1~10(dd。)的亚烷基(alkylidenyl)。作为垸基的具体例，可以举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基、庚基、辛基、壬基以及癸基，但并不限定于此。作为烯基的具体例，可以举出乙烯基、烯丙基、丁烯基以及环己烯基，但并不限定于此。作为炔基的具体例，可以举出乙炔基、l-丙炔基、2-丙炔基、1-丁炔基以及2-丁炔基，但并不限定于此。作为环垸基的具体例，可以举出环戊基、环己基以及环辛基，但并不限定于此。作为芳基的具体例，可以举出苯基、萘基以及蒽基，但并不限定于此。作为芳垸基(aralkyl)的具体例，可以举出苄基及苯基乙基(苯乙基)，但并不限定于此。作为亚烷基(alkylidenyl)的具体例，可以举出亚甲基(methylidenyl)以及亚乙基(ethylidenyl)，但并不限定于此。作为取代的烃基，可以举出上述烃基中的氢原子的一部分或全部被卤原子取代的基团，即，可以举出卤化烃基(halohydrocarbyl)、全卤化烃基(perhalohydrocarbyl)或全卣化二价碳基(perhalocarbyl)等的卤化烃基。在这些卤化烃基中，作为取代氢原子的卤原子，优选为选自氯原子、氟原子以及溴原子中的至少一种，更优选氟原子。其中，作为被全部卤化的烃基(全卤化烃基、全卤化二价碳基)的具体例，例如，可以举出全氟苯基、全氟甲基(三氟甲基)、全氟乙基、全氟丙基、全氟丁基、全氟己基等。另外，作为卤化垸基，除了碳原子数110的以外，还可以使用碳原子数1120的卤化垸基。即，作为卤化烷基，可以选择部分或全部被卤化，且显示直链状或支链状，并用通式-CzX''22+1表示的基团。在此，X''分别独立地表示卤原子或氢原子，Z表示l20的整数。另外，作为取代的烃基，除了被卤原子取代的烃基以外，还可以举出进一步被直链状或支链状的碳原子数15(C,Cs)的烷基或卤化垸基、芳基以及环烷基取代的环垸基、芳基以及芳垸基(芳基垸基)等。另夕卜，作为官能取代基，例如可以举出-(CH2)n-CH(CF2)2-0-Si(Me)3、-(CH2)n-CH(CF3)2-0-CH2-0-CH3、-(CH2)n-CH(CF3)2-0-C(O)■O-C(CH3)3、-(CH2)n-C(CF3)2-OH、-(CH2)n-C(O)-NH2、-(CH2)n-C(O)画C1、-(CH2)n-C(O)-O画R5、-(CH2)n-OR5、一(CH2)n-O-C(O)-R5、-(CH2)n-C(O)曙R5、-(CH2)n一O-C(O)陽OR5、-(CH2)n—Si(R5)3、-(CH2)n—Si(OR5)3、-(CH2)n-O-Si(R5)3以及-(CH2)n-C(O)-OR6等。在上述各式中，n分别表示010的整数，R5分别独立地表示氢原子、直链状或支链状的碳原子数120(dC20)的垸基、直链状或支链状的碳原子数1~20(C广C2())的卤化或全卤化烷基、直链状或支链状的碳原子数210(C2~C1Q)的烯基、直链状或支链状的碳原子数210(C广do)的炔基、碳原子数5~12(C5C12)的环垸基、碳原子数6~14(C6~C14)的芳基、碳原子数6~14(C6~C14)的卤化或全卤化芳基或碳原子数724(C7~C24)的芳垸基。另夕卜，RS表示用RiR"表示的烃基相同的烃基。如RLRA所示，用R5表示的烃基也可以被卤化或全卤化。例如，当RS为碳原子数120(C广C加)的卤化或全卤化垸基时，RS能够以通式-CzX''2Z+1表示。在此，z及X''定义分别与上述相同，X''的至少一个为卤原子(例如溴原子、氯原子或氟原子)。在此，全卤化烷基是指在上述通式中，所有的X"均为卤原子的基团。作为其具体例，可以举出三氟甲基、三氯甲基、-C7F15、-CF23，但并不限定于此。24作为全卤化芳基的具体例，可以举出五氯苯基、五氟苯基，但并不限定于此。另夕卜，作为R6，例如可以举出-C(CH3)3、-Si(CH3)3、國CH(R7)-0國CH2CH3、-CH(R7)OC(CH3)3以及下述化学式5的环状基团等。化学式5:在此，R"表示氢原子、或者直链状或支链状的碳原子数15(C广Cs)的院基。作为烷基，可以举出甲基、乙基、丙基、异丙基、丁基、异丁基、叔丁基、戊基、叔戊基、新戊基。另外，在化学式5表示的环状基团中，在从环结构延伸的单键和酸取代基之间形成酯键。作为W的具体例，例如，可以举出l-甲基-l-环己基、异冰片(isobornyl)基、2-甲基-2-异冰片基、2-甲基-2-金刚垸基、四氢呋喃基、四氢吡喃基、3-氧代环己酰基、甲羟戊内酯基(mevaloniclactonyl)、1-乙氧基乙基、1-叔丁氧基乙基等。作为其他的R6，例如，可以举出下述化学式6表示的二环丙基甲基(Dcpm)、二甲基环丙基甲基(Dmcp)等。化学式6:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage26</formula>另外，作为单体，可用交联性单体(交联剂)来代替上述单体，或者能够将上述单体和交联性单体(交联剂)同时使用。该交联性单体是能够在后述的催化剂前躯体的存在下发生交联反应的化合物。通过使用交联性单体，能够带来下述优点。即，由于交联性单体的反应速度更快，因此能够縮短形成芯层93(光导波路90)所需的时间(工艺)。另外，由于交联性单体即使受热也难以蒸发，因此，能够抑制蒸汽压的上升。进而，由于交联性单体的耐热性优异，因此，能够提高芯层93的耐热性。其中，交联性降冰片烯类单体是含有上述化学式3(结构式A)表示的降冰片烯类部位(降冰片烯类双键)的化合物。作为交联性降冰片烯类单体，可以举出连续多环环类(fosedmulticyclicringsystems)化合物禾卩连结多环环类(linkedmulticyclicringsystems)化合物。作为连续多环环类化合物(连续多环环类的交联性降冰片烯类单体)，可以举出下述化学式7表示的化合物。化学式7:^我在此，二价取代基是指端部具有两个能够与降冰片烯结构结合的单键的基团。作为二价烃基(hydrocarbongroup)的具体例，可以举出通式-(CdH2d)-表示的亚垸基(优选d表示l10的整数)和二价芳香族基(芳基)。作为二价亚烷基，优选举出直链状或支链状的碳原子数110(C广Cu))的亚烷基，例如，可以举出亚甲基、亚乙基、亚丙基、亚丁基、亚戊基、亚己基、亚庚基、亚辛基、亚壬基、亚癸基。另外，支链亚烷基是主链的氢原子被直链状或支链状的烷基取代的基团。而且，作为二价芳香族基，优选二价苯基、二价萘基。另外，二价醚基是用-R"-0-R^表示的基团。在此，R^分别独立地表示与W相同的基团。作为该连结多环环类化合物的具体例，可以举出下述化学式10、化学式II、化学式12、化学式13、化学式14表示的化合物，除此之外，还可以举出化学式15、化学式16表示的含氟化合物(含氟交联性降冰片烯类单体)，但并不限定于此。化学式10-<formula>formulaseeoriginaldocumentpage28</formula>化学式ll:该化学式11表示的化合物是二甲基双[双环[2.2.1]庚-2-烯-5-甲氧基]硅烷，根据另一种命名法，被称作二甲基双(降冰片烯甲氧基)硅垸(简称为"SiX")。化学式12:29<formula>formulaseeoriginaldocumentpage30</formula>化学式14:化学式15:在各种交联性降冰片烯类单体中，特别优选二甲基双(降冰片烯甲氧基)硅烷(SiX)。SiX相对于含有垸基降冰片烯重复单元和/或芳烷基降冰片烯重复单元的降冰片烯类聚合物具有非常低的折射率。因此，能够确实地降低后述的照射活性放射线的照射区域的折射率，能够使其作为包覆部95。另外，还能够使芯部94和包覆部95之间的折射率差加大，能够提高芯层93(光导波路90)的特性(光传输性能)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage32</formula>另外，上述单体既可以单独使用，也可以任意地组合使用。催化剂前躯体(第二物质)是能够引发上述单体反应(聚合反应，交联反应等)的物质，是通过后述的由活性放射线的照射被活化的助催化剂(第一物质)的作用能够改变活化温度的物质。作为该催化剂前躯体(procatalyst)，只要是能够随着活性放射线的照射改变活化温度(上升或下降)的物质即可，可以使用任何的化合物，但特别优选随着活性放射线的照射其活化温度降低的物质。由此，能够以较低温度的加热处理形成芯层93(光导波路90)，能够防止因对其它层进行无用的加热而降低光导波路90特性(光传输性能)的现象。作为如此的催化剂前躯体，优选采用含有下式(Ia)及(Ib)表示的化合物中的至少一者(作为主成分)的物质。化学式17:(E(R)3)2Pd(Q)2(Ia)[(E(R)3)aPd(Q)(LB)b]p[WCA]r(lb)[式Ia、Ib中，E(R)3分别表示第15族的中性电子给予性配位体，E表示选自元素周期表第15族中的元素，R表示含有氢原子(或者其同位素中的一种)或烃基的部位，Q表示选自羧酸酯、硫代羧酸酯及二硫代羧酸酯中的阴离子配位体。另外，式Ib中，LB表示路易斯碱，WCA表示弱配位阴离子，a表示13的整数，b表示02的整数，a与b的和为13，p及r表示取钯阳离子和弱配位阴离子之间电荷平衡的数。]作为式Ia表示的代表性的催化剂前躯体，可以举出Pd(OAc)2(P(i-Pr)3)2、Pd(OAc)2(P(Cy)3)2、Pd(02CCMe3)2(P(Cy)3)2、Pd(OAc)2(P(Cp)3)2、Pd(02CCF3)2(P(Cy)3)2、Pd(02CC6H5)3(P(Cy)3)2，但并不限定于此。在此，Cp表示环戊基，Cy表示环己基。另外，作为式Ib表示的催化剂前躯体，优选p及r分别选自l及2的整数中的化合物。作为式Ib表示的代表性的催化剂前躯体，可以举出Pd(OAc)2(P(Cy)3)2。在此，Cy表示环己基，Ac表示乙酰基。这些催化剂前躯体可将单体有效地进行反应(当为降冰片烯类单体时，通过加成反应有效地进行聚合反应或交联反应)。另外，在活化温度降低的状态(活性潜在状态)下，作为催化剂前躯体，优选其活化温度比原来的活化温度低10~80°C(优选10~50°C)的物质。由此，能够使芯部94与包覆部95之间的折射率差确实地产生。作为该催化剂前躯体，优选含有Pd(OAc)2(P(i-Pr)3)2及Pd(OAc)2(P(Cy)3)2中的至少一方(作为主成分)的物质。另外，在下述中，将Pd(OAc)2(P(i-Pr)3)2记载为"Pd545"，将Pd(OAc)2(P(Cy)3)2记载为"Pd785"。助催化剂(第一物质)是通过活性放射线的照射而被活化，从而能够使上述催化剂前躯体(procatalyst)的活化温度(引发单体反应的温度)改变的物质。3作为该助催化剂(cocatalyst)，只要是通过活性放射线的照射其分子结构发生变化(反应或分解)从而被活化的化合物，可以使用任意的化合物，但优选使用含有(作为主成分)一种化合物(光引发剂)的助催化剂，其中，该化合物可通过特定波长的活性放射线的照射进行分解，从而生成质子、其他阳离子等的阳离子(cation)和取代催化剂前躯体的脱离基而得到的弱配位阴离子(WCA)的化合物(光引发剂)。作为弱配位阴离子，例如可以举出四(五氟苯基)硼酸离子(FABA一)、六氟锑酸离子(SbF6—)等。作为该助催化剂(光产酸剂或光产碱剂)，除了用下述化学式18表示的四(五氟苯基)硼酸盐、六氟锑酸盐以外，例如还可以举出四(五氟苯基)钾酸盐、铝酸盐类、锑酸盐类、其他硼酸盐类、钾酸盐类、碳硼垸(carbomne)类、卣化碳硼烷(carborane)类等。化学式18:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula>作为上述助催化剂的市售品，例如，可以举出新泽西州cranberry的RhodiaUSA公司的"RHODORSIL(注册商标，以下相同)、PHOTOINITIATOR2074(CAS号第178233-72-2号)"、日本东京的东洋油墨制造株式会社的"TAG-372R(二甲基(2-(2-萘基)-2-氧代乙基)锍四(五氟苯基)硼酸酯:CAS号第193957-54-9号)"、日本东京MidoriKagakuCo.，Ltd.的"MPI-103(CAS号第87709-41-9号)"、日本东京东洋油墨制造株式会社的"TAG-371(CAS号第193957-53-8号)"、日本东京东洋合成工业株式会社的"TTBPS-TPFPB(三(4-叔丁基苯基)锍四(五氟苯基)硼酸酯)"、日本东京MidoriKagakuCo.，Ltd.的"NAI-105(CAS号:第85342-62-7号)"等。另夕卜，当作为助催化剂(第一物质)使用RHODORSILPHOTOINITIATOR2074时，作为后述的活性放射线(化学射线)优选采用紫外线(UV光)，作为紫外线照射装置，优选采用水银灯(高压水银灯)。由此，能够向层910供给低于300nm的具有充分的能量的紫外线(活性放射线)，有效地分解RHODORSILPHOTOINITIATOR2074，以产生上述阳离子以及WCA。另外，也可以根据需要向芯层形成用材料(清漆)900中添加增感剂。增感剂具有以下功能，S卩，提高助催化剂对活性放射线的灵敏度，使助催化剂活性化(反应或分解)所需的时间或能量减少，或将活性放射线的波长改变为适合助催化剂活性的波长的功能。该增感剂可根据助催化剂的灵敏度或增感剂的吸收峰波长等适当地进行选择，没有特别的限定，例如可以举出9，10-二丁氧基蒽(CAS号第76275-14-4号)等的蒽类、咕吨酮类、蒽醌类、菲类、屈(chrysene)类、苯并芘(benzopyrene)类、荧蒽(Fluoranthene)类、红荧烯类、芘类、阴丹士林类、硫代噻吨-9-酮类等，这些既可以单独使用，也可以作为混合物使用。作为增感剂的具体例，可以举出2-异丙基-9H-硫代噻吨-9-酮、4-异丙基-9H-硫代噻吨-9-酮、l-氯-4-丙氧基硫代噻吨酮、吩噻嗪、或它们的混合物。另外，9，10-二丁氧基蒽(DBA)可从日本神奈川县的川崎化成工业株式会社得到。对芯层形成用材料900中的增感剂含量没有特别的限定，但优选0.01重量％以上，更优选0.5重量°/。以上，进一步优选1重量°/。以上。另外，上限值优选为5重量％以下。进而，可在芯层形成用材料900中添加抗氧化剂。由此，可防止并不希望的游离自由基的产生和聚合物915的自然氧化。其结果，能够提高所得芯层93(光导波路90)的特性。作为该抗氧化剂，适合使用纽约州Tarrytown的CibaSpecialtyChemicals公司的Ciba(注册商标、以下相同)IRGANOX(注册商标、以下相同)1076以及CibaIRGAFOS(注册商标、以下相同)168。另夕卜，作为其他的抗氧化剂，例如可以使用Cibalrganox(注册商标、以下相同)129、CibaIrganox1330、CibaIrganox1010、CibaCyanox(注册商标、以下相同)1790、Cibalrganox(注册商标)3114、CibaIrganox3125等。36另外，当层910不会暴露在氧化条件或暴露的时间极其短的情况下，也可以省略上述抗氧化剂。作为芯层形成用材料(清漆)900的制备中使用的溶剂，例如可以举出二乙醚、二异丙基醚、1，2-二甲氧基乙烷(DME)、1，4-二噁烷、四氢呋喃(THF)、四氢吡喃(THP)、苯甲醚、二乙二醇二甲醚(diglyme、二甘醇二甲醚)、二乙二醇乙醚(卡必醇)等的醚类溶剂；甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、苯基溶纤剂等的溶纤剂类溶剂；己垸、戊烷、庚烷、环己垸等脂肪族烃类溶剂；甲苯、二甲苯、苯、均三甲基苯等的芳香族烃类溶剂；吡啶、吡嗪、呋喃、吡咯、噻吩、甲基吡咯烷酮等的芳香族杂环化合物类溶剂；N，N-二甲基甲酰胺(DMF)、N，N-二甲基乙酰胺(DMA)等的酰胺类溶剂；二氯乙烷、氯仿、1，2-二氯乙烷等的卤素化合物类溶剂；醋酸乙酯、醋酸甲酯、蚁酸乙酯等的酯类溶剂；二甲基亚砜(DMSO)、环丁砜等的硫化合物类溶剂等的各种有机溶剂、或者含有它们的混合溶剂等。另外，作为从形成于支承基板951上的液状被摸中去除溶剂(脱溶剂)的方法，例如可以举出自然干燥、加热、放置于减压环境中、吹附(吹)非活性气体进行的强制干燥等方法。如上所述地，在支承基板951上形成作为芯层形成用材料900的膜状固化物(或硬化物)的层910。此时，层(PITDM的干燥膜)910具有第一折射率(RI)。该第一折射率取决于均匀分散(分布)在层910中的聚合物915及单体的作用。接着，准备形成有开口(窗口)9351的掩模935，通过该掩模935，向层910照射活性放射线(活性能量光线)930(参照图3)。下面，作为单体使用折射率比聚合物915的折射率低的单体，且作为催化剂前躯体使用随着活性放射线930的照射其活化温度降低的物质而进行说明。艮P，在本实施例中，活性放射线930的照射区域925成为包覆部95。因此，在本实施例中，掩模935上形成有与所要形成的包覆部95的图案相同的开口(窗口)9351。由该开口9351形成用于透过所照射的活性放射线930的透过部。掩模935既可以是事先形成(另行形成)好的掩模(例如板状的掩模)，也可以是例如通过气相成膜法或涂布法在层910上形成的掩模。作为掩模935的优选实施例，可以举出由石英玻璃或PET基材等制作的光掩模、模板掩模(stencillmask)、通过气相成膜法(蒸镀、溅射等)形成的金属薄膜等，其中，特别优选使用光掩模或模板掩模。这是因为，能够以高精度地形成微细图案的同时，操作容易，有助于生产率的提高。另外，在图3中，与所要形成的包覆部95的图案相同的开口(窗口)9351，是沿着活性放射线930的未照射区域940的图案部分去除掩模而形成，但当采用通过上述石英玻璃或PET基材等制作的光掩模时，也可以在该光掩模上设置通过铬等金属遮蔽材料构成的活性放射线930的遮蔽部。在该掩模中，遮蔽部以外的部分成为上述窗口(透过部)。所使用的活性放射线930只要能够使助催化剂产生光化学反应(变化)的放射线即可，可以使用可见光、紫外光、红外光、激光，除此之外，还可以使用电子射线或X射线等。其中，活性放射线930可根据助催化剂的种类，以及当含有增感剂的情况下则根据增感剂的种类进行适当的选择，没有特别的限定，但优选在波长200450nm的范围具有峰值波长。由此，能够较容易地活化助催化剂。活性放射线930的照射量优选0.1~9J/cm2、更优选为0.2~6J/cm2、进一步优选为0.23J/cm2。由此，能够确实地活化助催化剂。当通过掩模935将活性放射线930向层910照射时，存在于照射活性放射线930的照射区域925内的助催化剂(第一物质cocatalyst)由于活性放射线930的作用发生反应(结合)或分解，从而游离(产生)阳离子(质子或其他的阳离子)和弱配位阴离子(WCA)。而且，这些阳离子或弱配位阴离子使照射区域925内存在的催化剂前躯体(第二物质procatalyst)的分子结构发生变化(分解)，使其变化为活性潜在状态(潜在的活性状态)。在此，活性潜在状态(或潜在的活性状态)的催化剂前躯体，是指虽然活性化温度比本来的活性化温度低，但当没有温度的上升时，即在室温程度下，处于在照射区域925内不会引起单体反应的状态的催化剂前躯体。因此，即使是照射活性放射线930后，只要是将层910保存在例如-4(TC38左右，则不会引起单体的反应，能够保持其状态。因此，可准备多个照射活性放射线930后的层910，并同时对他们实施加热处理，由此能够得到芯层93，其简便性高。另外，当作为活性放射线930使用激光等指向性高的光的情况下，可以省略掩模935的使用。接着，对层910实施加热处理(第一加热处理)。由此，在照射区域925内，活性潜在状态的催化剂前躯体被活化(成为活性状态)，引起单体的反应(聚合反应或交联反应)。而且，随着单体反应的进行，照射区域925内的单体浓度慢慢降低。由此，在照射区域925和未照射区域940之间产生单体的浓度差，为了消除该浓度差，单体从未照射区域940扩散(monomerdiffusing)而集中在照射区域925中。其结果，在照射区域925中的单体或反应物(聚合物、交联结构或分支结构)的量增多，来自单体的结构对该区域折射率的影响加大，从而下降为比第一折射率低的第二折射率。另外，作为单体的聚合物主要生成加成(共)聚合物。另外，在未照射区域940中，单体从该区域扩散至照射区域925而单体量减少，因此聚合物915对该区域折射率的影响加大，由此成为比第一折射率高的第三折射率。如此地，在照射区域925和未照射区域940之间产生折射率差(第二折射率<第三折射率)，从而形成芯部94(未照射区域940)和包覆部95(照射区域925)(参照图4)。对该加热处理中的加热温度没有特别的限定，但优选为30~80°C，更优选为40-60°C。另外，优选加热时间设定为能够使照射区域925内的单体反应基本上完成的时间，具体地讲，优选为0.12小时，更优选为0.11小时。[4A]接着，对层910进行第二加热处理。由此，对未照射区域940和/或照射区域925中残留的催化剂前躯体直接进行活化(使其处于活性状态)，或随着助催化剂的活化而对未照射区域940和/或照射区域925中残留的催化剂前躯体进行活化(使其处于活性状态)，从而使残留在各区域925、940中的单体进行反应。通过使残留在各区域925、940中的单体进行反应，能够实现所得芯部94和包覆部95的稳定化。该第二加热处理中的加热温度，只要是能够使催化剂前躯体或助催化剂活化的温度即可，没有特别的限定，但优选为7010(TC，更优选为8090°C。另外，加热时间优选为0.52小时，更优选为0.51小时。接着，对层910实施第三加热处理。由此，能够减少所得芯层93中产生的内部应力，或实现芯部94及包覆部95进一步的稳定。优选该第三加热处理中的加热温度设定为比第二加热处理中的加热温度高20。C以上，具体地讲，优选为90180。C，更优选为120~160°C。另外，加热时间优选为0.5-2小时，更优选为0.51小时。通过上述工序，得到芯层93。另外，例如在实施第二加热处理或第三加热处理之前的状态下，芯部94与包覆部95之间已经得到了充分的折射率差的情况下，可以省略上述工序[5A]、上述工序[4A]。接着，在支承基板952上形成包覆层91(92)(参照图5)。作为形成包覆层91(92)的方法，可以采用将含有包覆层材料的清漆(包覆层形成用材料)涂布并使之硬化(固化)的方法、涂布具有固化性的单体组合物并使之硬化(固化)的方法等中的任意一种。当采用涂布法形成包覆层91(92)时，可以采用刮刀法、旋涂法、浸涂法、桌面涂布法、喷涂法、辊涂布法、帘式淋涂法、模压涂层法等的方法。作为支承基板952，可以使用与支承基板951相同的基板。作为包覆层91(92)的构成材料，可以使用以降冰片烯类聚合物为主的材料。由于降冰片烯类聚合物的耐热性优异，因此，将该降冰片烯类聚合物作为包覆层91(92)的构成材料使用的光导波路90中，在光导波路90上形成导体层901、902时、并加工导体层901、902而形成布线时、安装光学元件等时即使进行加热，也可以防止包覆层91(92)软化而引起变形的现象。另外，由于具有高疏水性，因此能够得到难以产生因吸水等引起的尺寸变化的包覆层91(92)。另外，由于降冰片烯类聚合物或作为其原料的降冰片烯类单体都比较廉价，且容易得到，因而优选。进而，当作为包覆层91(92)的材料使用以降冰片烯类聚合物为主的材料时，由于与适合作为芯层93的构成材料使用的材料属于同种材料，因此，能够进一步提高与芯层93的附着性，能够防止包覆层91(92)和芯层93之间的层间剥离。由此，能够得到耐久性优异的光导波路90。作为这样的降冰片烯类聚合物，例如可以举出(1)使降冰片烯型单体加成(共)聚合而得到的降冰片烯型单体的加成(共)聚合物；(2)降冰片烯型单体与乙烯或a-烯烃类的加成共聚物；(3)降冰片烯型单体和非共轭二烯、以及根据需要的其他单体的加成共聚物等加成聚合物；(4)降冰片烯型单体的开环(共)聚合物、以及根据需要向该(共)聚合物加氢的树脂；(5)降冰片烯型单体和乙烯或a-烯烃类的开环共聚物、以及根据需要向该(共)聚合物加氢的树脂；(6)降冰片烯型单体和非共轭二烯、或其他单体的开环共聚物、以及根据需要向该(共)聚合物加氢的聚合物等开环聚合物。作为这样的聚合物，可以举出无规共聚物、嵌段共聚物、交替共聚物等。这些降冰片烯类聚合物，例如，可通过开环易位聚合(ROMP)、ROMP与氢化反应的组合、通过自由基或阳离子的聚合、使用阳离子性钯聚合引发剂的聚合、使用除此之外的聚合引发剂(例如、镍或其他过渡金属的聚合引发剂)的聚合等所有公知的聚合方法来得到。其中，作为降冰片烯类聚合物优选加成(共)聚合物。由于加成(共)聚合物的透明性、耐热性以及可挠性非常高，因而优选。另外，降冰片烯类聚合物优选含有降冰片烯重复单元，该降冰片烯重复单元具有含聚合性基团的取代基。由此，在包覆层91(92)中，直接或者通过交联剂使降冰片烯类聚合物的至少一部分的聚合性基团之间交联。另外，根据聚合性基团的种类、交联剂的种类、芯层93使用的聚合物的种类等，也可以使该降冰片烯类聚合物与芯层93中使用的聚合物交联。换言之，优选该降冰片烯类聚合物的至少一部分，在聚合性基团中发生交联。其结果，能够提高包覆层91(92)自身的强度，提高包覆层91(92)与芯层93之间的附着性。作为这样的聚合性基团，例如可以举出环氧基、(甲基)丙烯酸基、烷氧基甲硅垸基等中的一种或两种以上的组合，特别是，优选环氧基。在各种聚合性基团中，由于环氧基的反应性高，因而优选。另外，降冰片烯类聚合物优选含有烷基降冰片烯的重复单元。另外，垸基可以是直链状或支链状中的任意一种。由于含有垸基降冰片烯重复单元的降冰片烯类聚合物的柔软性高，因此，通过使用该降冰片烯类聚合物，可向光导波路90赋予高柔软性(可挠性)。另外，含有烷基降冰片烯重复单元的降冰片烯类聚合物对上述波长范围(特别是850nm附近的波长区域)光的透过率优异，因而优选。鉴于上述情况，作为用于包覆层91(92)中的降冰片烯类聚合物，优选下述化学式19表示的聚合物。化学式19:该降冰片烯类聚合物在具有上述特性的同时，还具有较低的折射率，通过以该降冰片烯类聚合物作为主材料形成包覆层91(92)，能够提高光导波路90的光传输性能。(o喻另外，在化学式19表示的降冰片烯类聚合物中，特别优选R为碳原子数410的垸基、a及b分别为l的化合物，例如优选丁基降冰片烯与甲基縮水甘油醚降冰片烯的共聚物、己基降冰片烯与甲基縮水甘油醚降冰片烯的共聚物、癸基降冰片烯与甲基縮水甘油醚降冰片烯的共聚物等。另夕卜，p/q只要是20以下即可，但优选为15以下，更优选为0.1-10。由此，能够充分发挥含有两种降冰片烯重复单元的效果。另外，在包含具有含环氧基的取代基的降冰片烯重复单元的降冰片烯类聚合物中，为了使环氧基彼此之间直接发生交联，事先在包覆层形成用材料中混合与上述助催化剂属于同种类的物质(光产酸剂或光产碱剂)，通过该物质的作用，使环氧基开裂，从而发生交联。另外，为了能够用交联剂使环氧基彼此之间发生交联，可进一步向包覆层形成用材料混合作为交联剂的至少含有一个环氧基的化合物。作为这样的交联剂，例如，可优选使用3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅垸(Y-GPS)、硅酮环氧树脂等。该环氧基之间的交联反应，可在本工序[6A]的最终阶段进行，也可以在下一个工序[7A]中得到光导波路90后进行。另外，包覆层形成用材料中也可以添加(混合)各种添加剂。例如，包覆层形成用材料中可作为添加剂混合在上述芯层形成用材料中举出的单体、催化剂前躯体以及助催化剂。由此，能够在包覆层91(92)中，与上述同样地使单体反应，从而改变包覆层91(92)的折射率。此时，由于在包覆层91(92)中不必设定折射率之差，因此也可以省略助催化剂，而采用通过加热容易活化的催化剂前躯体。作为该催化剂前躯体，例如可以举出[Pd(PCy3)2(02CCH3)(NCCH3)]四(五氟苯基)硼酸酯、[2-甲代烯丙基Pd(PCy3)2]四(五氟苯基)硼酸酯、[Pd(PCy3)2H(NCCH3)]四(五氟苯基)硼酸酯、[Pd(P(iPr)3)2(OCOCH3)(NCCH3)]四(五氟苯基)硼酸酯等。作为其他的添加剂，可举出上述的抗氧化剂。通过混合抗氧化剂，能够防止包覆层材料(降冰片烯类聚合物)因氧化引起的老化。如上所述地，在支承基板952上性形成包覆层91(92)。[7A]接着，从支承基板951剥离芯层93，并通过形成有包覆层91的支承基板952和形成有包覆层92的支撑基板952夹持该芯层93(参照图6)。然后，如图6中的箭头所示，从形成有包覆层92的支承基板952的上面侧施加压力，从而压接包覆层9K92和芯层93。由此，将包覆层91、92和芯层93进行接合而成为一体化。优选该压接作业在加热下进行。加热温度可根据包覆层91、92或芯层93的构成材料等进行适当的选择，但通常优选为80200'C，更优选为120180。C。接着，从包覆层91、92分别剥离并去除支承基板952。由此，得到本发明的光导波路90。接着，在光导波路90的上表面及下表面，分别形成导体层901、卯2。作为各导体层901、902的形成方法，例如可分别采用下述方法中的至少一种。即，等离子CVD法、热CVD法、激光CVD法等的化学气相成膜法(CVD法)；真空蒸镀法、溅射法、离子电镀法等的物理气相成膜法(PVD法)等干式镀法；电解电镀、浸渍电镀、无电解电镀等的湿式电镀法；通过层压法进行的导电性片材的接合等。由此，能够得到各导体层901、902和光导波路930之间的高附着性。由此，完成了本发明的光导波路结构体9。作为该光导波路结构体9的优选实施例，在芯层93中，芯部94是以第一降冰片烯类材料作为主材料而构成，包覆部95是以具有比第一降冰片烯类材料低的折射率的第二降冰片烯类材料作为主材料而构成，包覆层91、92分别以折射率比第一降冰片烯类材料(芯层93的芯部94)低的降冰片烯类聚合物作为主材料而构成。而且，第一降冰片烯类材料和上述第二降冰片烯类材料均含有相同的降冰片烯类聚合物，但通过具有不同于该降冰片烯类聚合物折射率的降冰片烯类单体的反应物含量的不同，使折射率相互不同。降冰片烯类聚合物的透明性高，因此，在具有该构成的光导波路结构体9中能够得到光导波路90的高光传输性能。另外，通过该构成，不仅在芯部94和包覆部95之间得到高附着性，还能够在芯层93和包覆层91及包覆层93之间得到高附着性，即使在光导波路结构体9中产生弯曲等变形，也难以产生芯部94与包覆部95之间的剥离、或芯层93与包覆层91、92之间的层间剥离，能够防止芯部94内或包覆部95内产生微细裂纹的现象。其结果，能够保持光导波路90的光传输性能。进而，由于降冰片烯类聚合物具有高耐热性、高疏水性，因而，具有该构成的光导波路90(光导波路结构体9)的耐久性优异。另外，能够向光导波路90赋予高耐热性或高疏水性，因此，在防止其特性的降低(劣化)的同时，能够采用如上所述的各种方法确实地形成导体层901、902。特别是，以与光传输中关键的芯部94重叠的方式形成导体层901、902的情况下，可以防止芯部94的变质、劣化。另外，通过采用上述制造方法，能够以简单的处理、且以简短的时间，得到具有所期望的形状、且具有尺寸精度高的芯部94的光导波路结构体9。<第二制造方法>下面，说明光导波路结构体9的第二制造方法。在第二制造方法的说明中，主要说明与上述第一制造方法不同的地方，对同样的内容，则省略对其的叙述。在第二制造方法中，除了芯层形成用材料900的组成不同以外，其他与上述第一制造方法相同。艮口，在第二制造方法中使用的芯层形成用材料900,包括脱离剂(物质)，其通过活性放射线的照射能够被活化；聚合物915，其具有主链和从该主链分支、且分子结构中的至少一部分通过被活性的脱离剂的作用能够从主链脱离的脱离性基团(脱离性侧基)。作为脱离剂，可以使用与上述第一制造方法中举出的助催化剂相同的物质。作为第二制造方法中使用的聚合物915，可以举出用脱离性基团取代上述第一制造方法的聚合物915所具有的取代基的物质、或将脱离性基团导入上述第一制造方法中举出的聚合物915中的物质等。通过该脱离性基团的脱离(切断)，能够使该聚合物915的折射率变化45(上升或降低)。脱离性基团是指通过阳离子、阴离子或游离自由基的作用脱离的基团，即，可以是酸(阳离子)脱离性基团、碱基(阴离子)脱离性基团、游离自由基脱离性基团中的任意一种，但优选通过阳离子(质子)的作用而脱离的物质(酸脱离性基团)。作为酸脱离性基团，优选在分子结构中含有-O-结构、-Si-芳基结构以及-O-Si-结构中的至少一种的基团c该酸脱离性基团通过阳离子的作用较容易地脱离。其中，作为通过脱离使聚合物915的折射率降低的酸脱离性基团，优选-Si-二苯基结构以及-O-Si-二苯基结构中的至少一种。作为通过游离自由基的作用脱离的游离自由基脱离性基团，例如，可以举出末端具有苯乙酮结构的取代基等。另外，基于在上述第一制造方法中说明的同样的理由，作为聚合物915优选采用降冰片烯类聚合物，更优选具有垸基(特别是己基)降冰片烯重复单元的降冰片烯类聚合物。考虑到上述情况，作为通过脱离性基团的脱离降低折射率的聚合物915，优选使用二苯基甲基降冰片烯甲氧基硅垸的均聚物、己基降冰片烯与二苯基甲基降冰片烯甲氧基硅烷的共聚物。下面的实施例中，作为聚合物915采用通过脱离性基团(特别是酸脱离性基团)的脱离降低折射率的物质。艮口，在下面的实施例中，活性放射线930的照射区域925成为包覆部95。进行与上述工序[1A]相同的工序。此时，层(PITDM的干燥膜)910具有第一折射率(RI)。该第一折射率取决于均匀分散(分布)在层910中的聚合物915的作用。进行与上述工序[2A]相同的工序。通过掩模935将活性放射线930照射在层910时，照射活性放射线930的照射区域内存在的脱离剂由于活性放射线930的作用发生反应(结合)或分解，游离出(产生)阳离子(质子或其他阳离子)和弱配位阴离子(WCA)。阳离子能够使脱离性基团从主链脱离，或者从脱离性基团分子结构的中途进行切断(光漂白、photobleach)。由此，在照射区域925中，处于完整状态的脱离性基团的数量比未照射区域940少，其折射率降低至比第一折射率低的第二折射率。此时，未照射区域940的折射率保持第一折射率。如此地，照射区域925与未照射区域940之间产生折射率差(第二折射率<第一折射率)，由此形成芯部94(未照射区域940)与包覆部95(照射区域925)。此时，活性放射线930的照射量优选为0.1~9J/cm2，更优选为0.3~6J/cm2，进一步优选为0.66J/cm2。由此，能够确实地活化脱离剂。接着，对层910实施加热处理。由此，从聚合物915脱离(切断)的脱离性基团，例如从照射区域925被去除，或在聚合物915内重新进行排列或交联。进而，认为此时残留在包覆部95(照射区域925)中的脱离性基团的一部分进一步脱离(切断)。因此，通过实施如此的加热处理，能够使芯部94和包覆部95之间的折射率差进一步加大。对该加热处理中的加热温度没有特别的限定，但优选为70195"C，更优选为85150°C。另外，加热时间设定为能够充分去除从照射区域925脱离(切断)的脱离性基团所需的时间，没有特别的限定，但优选为0.5~3小时，更优选为0.5~2小时。例如，在实施加热处理之前的状态下，芯部94和包覆部95之间的折射率差已经很充分时，可以省略本工序[3B]。另外，根据需要可以追加一次或几次的加热处理(例如，150~200°CX18小时左右)工序。通过上述工序，得到芯层93。进行与上述工序[6A]相同的工序。进行与上述工序[7A]相同的工序。进行与上述工序[8A]相同的工序。如此地，完成本发明的光导波路结构体9。作为如此的光导波路结构体9的优选实施例，芯层93以降冰片烯类材料作为主材料而构成，包覆层91、92分别以折射率比芯层93的芯部94的折射率层低的降冰片烯类聚合物作为主材料而构成。另外，芯部94和包覆部95以具有主链和从该主链分支、且分子结构的至少一部分能够从上述主链脱离的脱离性基团的降冰片烯类聚合物作为主材料而构成，通过与主链结合状态的脱离性基团数量的不同，使芯部94和包覆部95的折射率不同。由于降冰片烯类聚合物的透明性高，因而在具有该构成的光导波路结构体9中能够得到光导波路90的高光传输性能。另外，通过该构成，不仅在芯部94和包覆部95之间得到高附着性，还可以在芯层93和包覆层91及包覆层92之间得到高附着性，即使在光导波路结构体9中产生弯曲等变形，也难以产生芯部94与包覆部95之间的剥离、或难以产生芯层93与包覆层91、92之间的层间剥离，能够防止芯部94内或包覆部95内产生微细裂纹的现象。其结果，能够保持光导波路90的光传输性能。进而，由于降冰片烯类聚合物具有高耐热性、高疏水性，因而，具有该构成的光导波路90(光导波路结构体9)的耐久性优异。另外，能够向光导波路90赋予高耐热性或高疏水性，因此，在防止其特性的降低(劣化)的同时，能够采用如上所述的各种方法确实地形成导体层901、902。特别是，以与光传输中关键的芯部94重叠的方式形成导体层901、902的情况下，也可以防止芯部94的变质、劣化。另外，通过采用上述制造方法，能够以简单的处理、且以简短的时间，得到具有所期望的形状、且具有尺寸精度高的芯部94的光导波路结构体9。特别是，根据第二制造方法，至少照射活性放射线即可，能够以极其简单的处理形成芯层93。<第三制造方法〉下面，说明光导波路结构体9的第三制造方法。在第三制造方法的说明中，主要说明与上述第一及第二制造方法不同的地方，对同样的内容，则省略对其的叙述。在第三制造方法中，除了作为芯层形成用材料900组合使用第一以及第二制造方法中使用的芯层形成用材料以外，其他与上述第一或第二制造方法相同。艮口，第三制造方法中使用的芯层形成用材料卯0，包括具有上述脱离性基团的聚合物915、单体、助催化剂(第一物质)及催化剂前躯体(第二物质)。助催化剂与上述第二制造方法中的脱离剂相同，具有脱离脱离剂的功能。在这样的芯层形成用材料900中，通过所选择的脱离性基团和所选择的单体的组合，在所得芯层93中，能够使芯部94和包覆部95之间的折射率差进一步调整为多阶段。另外，如上所述，当作为单体使用折射率比聚合物915的折射率低的单体、且作为催化剂前躯体使用随着活性放射线930的照射活化温度降低的物质、作为聚合物915使用通过脱离性基团的脱离折射率降低的物质时，能够得到将照射区域925作为包覆部95，且与芯部94的折射率差非常大的芯层93。下面，举例说明使用上述组合的聚合物915、单体以及催化剂前躯体的情况。艮口，在本实施例中，活性放射线930的照射区域925成为包覆部95。[1C]进行与上述工序[1A]相同的工序。此时，层(PITDM的干燥膜)910具有第一折射率(RI)。该第一折射率取决于均匀分散(分布)在层910中的聚合物915及单体的作用。进行与上述工序[2A]相同的工序。通过掩模935将活性放射线930照射在层910时，照射活性放射线930的照射区域925内存在的助催化剂(第一物质cocatalyst)由于活性放射线930的作用发生反应或分解，游离出(产生)阳离子(质子或其他阳离子)和弱配位阴离子(WCA)。这些阳离子或弱配位阴离子使照射区域925内存在的催化剂前躯体(第二物质Procatalyst)的分子结构发生变化(分解)，使其变化为活性潜在状态(潜在的活性状态)。另外，阳离子能够使脱离性基团从主链脱离，或者从脱离性基团分子结构的中途进行切断。由此，在照射区域925中，处于完整状态的脱离性基团的数量比未照射区域940少，其折射率降低为比第一折射率低。此时，未照射区域940的折射率保持第一折射率。此时，活性放射线930的照射量优选为0.1~9J/cm2，更优选为0.25J/cm2，进一步优选为0.24J/cm2。由此，能够确实地活化助催化剂。进行与上述工序[3A]相同的工序。由此，在照射区域925内，活性潜在状态的催化剂前躯体被活化(成为活性状态)，引起单体的反应(聚合反应或交联反应)。而且，随着单体反应的进行，照射区域925内的单体浓度慢慢降低。由此，在照射区域925和未照射区域940之间产生单体的浓度差，为了消除该浓度差，单体从未照射区域940扩散而集中在照射区域925中。另外，通过该加热处理从聚合物915脱离(切断)的脱离性基团，例如从照射区域925被去除，或在聚合物915内重新进行排列或交联。其结果，在照射区域925中的单体或反应物(聚合物、交联结构或分支结构)的量增多，来自单体的结构对该区域折射率的影响加大，且从聚合物915脱离(切断)的脱离性基团减少等，从而折射率进一步下降而成为第二折射率。另外，在未照射区域940中，由于单体从该区域扩散至照射区域925而单体量减少，因此聚合物915对该区域折射率的影响加大，由此成为比第一折射率高的第三折射率。如此地，在照射区域925和未照射区域940之间产生折射率差(第二折射率<第三折射率)，从而形成芯部94(未照射区域940)和包覆部95(照射区域925)。进行与上述工序[4A]相同的工序。进行与上述工序[5A]相同的工序。进行与上述工序[6A]相同的工序。50[7C]进行与上述工序[7A]相同的工序。[8C]进行与上述工序[8A]相同的工序。如此地，完成本发明的光导波路结构体9。作为如此的光导波路结构体9的优选实施例，芯层93含有降冰片烯类聚合物，该降冰片烯类聚合物具有主链和从该主链分支、且分子结构的至少一部分能够从上述主链脱离的脱离性基团，芯部94和包覆部95通过与主链结合状态的脱离性基团数量的不同，以及通过具有与降冰片烯类聚合物不同折射率的降冰片烯类单体的反应物含量的不同，使芯部94和包覆部95的折射率不同，而且，包覆层91、92分别以折射率比芯层93的芯部94低的降冰片烯类聚合物作为主材料而构成。由于降冰片烯类聚合物的透明性高，因而在具有该构成的光导波路结构体9中能够得到光导波路90的高光传输性能。另外，通过该构成，不仅在芯部94和包覆部95之间得到高附着性，还可以在芯层93和包覆层91及包覆层93之间得到高附着性，即使在光导波路结构体9产生弯曲等变形的情况下，也难以产生芯部94与包覆部95之间的剥离、或芯层93与包覆层91、92之间的层间剥离，能够防止芯部94内或包覆部95内产生微细裂纹的现象。其结果，能够保持光导波路90的光传输性能。进而，由于降冰片烯类聚合物具有高耐热性、高疏水性，因而，具有该构成的光导波路90(光导波路结构体9)的耐久性优异。另外，能够向光导波路90赋予高耐热性或高疏水性，因此，在防止其特性降低(劣化)的同时，能够采用如上所述的各种方法确实地形成导体层901、902。特别是，以与光传输中关键的芯部94重叠的方式形成导体层901、902的情况下，也可以防止芯部94的变质、劣化。另外，通过采用上述制造方法，能够以简单的处理、且以简短的时间，得到具有所期望的形状、且具有尺寸精度高的芯部94的光导波路结构体9。特别是，根据第三制造方法，能够使芯部94和包覆部95之间的折射率差进一步调整为多阶段。<第四制造方法>下面，说明光导波路结构体9的第四制造方法。图8图13分别为表示本发明光导波路结构体第四制造方法工序例的示意剖视图。在第四制造方法的说明中，主要说明与上述第一第三制造方法不同的地方，对同样的内容，则省略对其的叙述。在第四制造方法中，除了光导波路90的形成工序不同以夕卜，其他与上述第一第三制造方法相同。艮口，作为芯层形成用材料900、包覆层形成用材料，使用与上述第一第三制造方法中说明的材料相同的材料。下面，举例说明作为芯层形成用材料使用在上述第一制造方法中举出的芯层形成用材料的情况。首先，在支承基板1000上通过与上述相同的方法涂敷包覆层形成用材料(第一清漆)，从而形成第一层1110(参照图8)。支承基板1000可以使用与支承基板951相同的基板。对第一层1110的平均厚度没有特别的限定，但优选为5200pm，更优选为10100[im，进一步优选为15~65|im。接着，在第一层1110上通过与上述相同的方法涂敷芯层形成用材料(第二清漆)，从而形成第二层1120(参照图9)。可将第一层U10几乎完全干燥以后涂敷芯层形成用材料，也可以在第一层1110干燥之前涂敷芯层形成用材料。采用后者时，第一层1110和第二层1120在它们的界面成为相互混合的状态。此时，可提高所得光导波路90中包覆层91与芯层93之间的附着性。此时，优选第一清漆和第二清漆的粘度(常温)分别为10010000cP，更优选为1505000cP，进一步优选为2003500cP。由此，能够防止第一层1110和第二层1120在其界面过度混合的现象，同时，能够防止导致第一层U10及第二层U20的厚度不均匀的现象。另外，优选第二清漆的粘度比第一清漆的粘度高。由此，能够确实地防止第一层1110和第二层1120在其界面过度混合的现象。对第二层1120的平均厚度没有特别的限定，但优选5200pm，更优选为15125jim，进一步优选为25~10(Vm。接着，在第二层1120上通过与上述相同的方法涂敷包覆层形成用材料(第三清漆)，从而形成第三层1130(参照图IO)。第三层1130可通过与上述第二层1120相同的方法形成。对第三层1130的平均厚度没有特别的限定，但优选5-200,，更优选为10100pm，进一步优选为1565pm。由此，能够得到层叠体2000。接着，去除层叠体2000中的溶剂(脱溶剂)。作为脱溶剂的方法，例如可以举出加热、放置于大气或减压环境中、吹附(吹)非活性气体等方法，但优选通过加热进行的方法。由此，较容易地且短时间内完成脱溶剂。该加热温度优选为25-60°C，更优选为3045"。另外，加热时间优选为1560分钟，更优选为1530分钟。接着，准备形成有开口(窗口)9351的掩模935，通过该掩模935，向层叠体2000照射活性放射线(活性能量光线)930(参照图11)。通过掩模935将活性放射线930照射在层叠体2000时，第二层1120的照射活性放射线930的照射区域925内存在的助催化剂(第一物质:cocatalyst)由于活性放射线930的作用发生反应或分解，游离出(产生)阳离子(质子或其他阳离子)和弱配位阴离子(WCA)。这些阳离子或弱配位阴离子使照射区域925内存在的催化剂前躯体(第二物质Procatalyst)的分子结构发生变化(分解)，使其变化为活性潜在状态(潜在的活性状态)。接着，对层叠体2000实施加热处理(第一加热处理)。由此，在照射区域925内，活性潜在状态的催化剂前躯体被活化(成为活性状态)，从而引起单体的反应(聚合反应或交联反应)。而且，随着单体反应的进行，照射区域925内的单体浓度慢慢降低。由53此，在照射区域925和未照射区域940之间产生单体的浓度差，为了消除该浓度差，单体从未照射区域940扩散而集中在照射区域925中。其结果，在照射区域925中的单体或反应物(聚合物、交联结构或分支结构)的量增多，来自单体的结构对该区域折射率的影响加大，从而下降为比第一折射率低的第二折射率。另外，在未照射区域940中，单体从该区域扩散至照射区域925而单体量减少，因此聚合物915对该区域折射率的影响加大，由此成为比第一折射率高的第三折射率。如此地，在照射区域925和未照射区域940之间产生折射率差(第二折射率<第三折射率)，从而形成芯部94(未照射区域940)和包覆部95(照射区域925)(参照图12)。接着，对层叠体2000实施第二加热处理。由此，对未照射区域940和/或照射区域925中残留的催化剂前躯体直接进行活化(使其处于活性状态)，或随着助催化剂的活化而对未照射区域940和/或照射区域925中残留的催化剂前躯体进行活化(使其处于活性状态)，从而使残留在各区域925、940中的单体进行反应。通过使残留在各区域925、940中的单体进行反应，能够实现所得芯部94和包覆部95的稳定化。接着，对层叠体2000实施第三加热处理。由此，能够减少所得芯层93中产生的内部应力，或实现芯部94及包覆部95进一步的稳定。通过上述工序，得到本发明的光导波路90。接着，在光导波路90的上表面及下表面，分别形成导体层901、902(参照图13)。该步骤可与上述工序[8A]相同地实施。由此，完成了本发明的光导波路结构体9。在该方法中，第一加热处理后能够用肉眼确认层叠体2000内的芯部94。另外，作为第一清漆及第三清漆，可以使用与第二清漆相同组成的清漆，即，可以使用含有聚合物915、单体、助催化剂以及催化剂前躯体的清漆。由此，单体的反应能够在第一层1110及第三层1130与第二层1120的界面进行，和/或越过该界面在第一层1110及第三层1130内进行，由此，能够确实地防止包覆层91、92与芯层93的剥离。此时，能够例如I:作为第一层1110及第三层1130的聚合物915，选择折射率(RI)相对地比第二层1120的聚合物915的折射率低的聚合物；或者，II:作为第一层1110及第三层1130的单体使用与第二层1120的单体相同的单体，但将第一层1110及第三层1130中的催化剂前躯体及单体的比率调整为比第二层1120中的低。由此，即使照射了活性放射线930，也能够防止在包层91、92内形成具有比芯层93的心部94高的折射率的区域的现象。另外，当作为芯层形成用材料(第二清漆)采用含有具有脱离性基团的聚合物915的材料的情况下，作为包覆层形成用材料(第一清漆、第三清漆)采用由不具有脱离性基团的聚合物915制备的材料，或使用具有脱离性基团的聚合物915但不含有脱离剂的材料。由此，能够在第一层1110及第三层1130中防止脱离性基团从聚合物915脱离(分解)的现象。另外，在第四制造方法中，作为第一清漆及第三清漆，优选使用含有降冰片烯类聚合物和助催化剂的清漆，其中，所述降冰片烯类聚合物具有在末端含环氧结构的取代基。由此，在形成芯部94和包覆部95时，环氧结构开裂，能够与芯层93的聚合物915发生反应(聚合)。其结果，能够提高包覆层91、92对芯层93的附着性。作为这样的降冰片烯类聚合物，例如可以举出己基降冰片烯(HxNB)与降冰片烯甲基縮水甘油醚(AGENB)的共聚物等。此时，作为助催化剂，可以选择形成芯层93时不被活化的助催化剂。例如，可以选择不吸收适于活化含有第二清漆的助催化剂的活性放射线的助催化剂，或者选择利用热作用来代替活性放射线而被活化的助催化剂。作为这样的助催化剂，例如，可以举出非吸收性光产碱剂(PBG)、热产碱剂(TBG)等。上述说明的光导波路结构体9中，可通过采用活性放射线照射的简单方法形成芯部94的图案，芯部(光电路)94的图案形状设计的随意度增加，且能够得到尺寸精度高的芯部94。而且，由于事先形成有导体层卯l、902,因此，对元件的布线(电气电路的形成)容易，同时不管元件的种类(端子的设置部位)等都能够得到适合于该元件的布线，提高了布线电路结构的随意度(例如，选择端子设置部位的随意度)，因此通用性高。另外，在光导波路结构体9中，能够以高配置密度形成布线(电气电路)及芯部(光电路)94两者，因此，在光和电的混合电路中，能够实现高效的电路设计，同时能够实现进一步的电路集成化。在这样的光导波路结构体9中，由于光电路(光导波路的图案)、电气电路的设计随意度高，成品率良好，能够保持高的光传输性能，且可靠性、耐久性优异，通用性高，因而，能够用于各种电子部件、电子机器等中。另外，在上述第一第四制造方法的说明中，均去除了支承基板951、952、1000，但也可以是用导电性材料构成该支承基板，并无需除去，直接用作导体层90K902。另外，根据需要，可省略包覆层91、92中的任何一方。另外，芯层93的形成方法也并不限定于如上所述的方法。而且，光导波路90并不限定于图示的构成，例如，可以是在两个包覆层之间，层叠多层芯层而设置的构成，也可以是依次层叠有包覆层和芯层的构成，还可以是在两个包覆层之间设置一个芯层而得到层叠体，并层叠多个该层叠体而成的构成等。另外，也可以在芯部94的中途，形成相对于其光路，即相对于芯部94的长度方向大致倾斜45。的倾斜面(反射面)。由此，能够使传播在芯部94的光(传输光)在该倾斜面上大约弯曲90。。另外，通过适当地设定该倾斜面的方向，不仅能够将传输光的光路设定在芯层90内(二维方向)，还可以改变为包括光导波路卯的厚度方向的三维方向。该倾斜面可通过例如对芯部94进行切断、切除(缺损)等而形成。另外，在倾斜面上还可以形成例如多层光学薄膜或金属薄膜(例如铝蒸镀膜)等反射膜或反射增加膜。以上，根据图示的实施方式说明了本发明的光导波路及光导波路结构体，但本发明并不限定于此，能够以可发挥同样功能的任意的构成取代上述各部的构成，也可以附加任意的构成。下面，说明本发明的具体实施例。另外，在下面的叙述中，将己基降冰片烯(CAS号第22094-83-3号)记载为"HxNB"、将二苯基甲基降冰片烯甲氧基硅垸(CAS号第376634-34-3号)记载为"diPhNB"、将苯基乙基降冰片烯(CAS号第29415-09-6号)记载为"PENB"、将丁基降冰片烯(CAS号第22094-81-1号)记载为"BuNB"、将癸基降冰片烯(CAS号第22094-85-5号)记载为"DeNB"、将苄基降冰片烯(CAS号第265989-73-9号)记载为"BzNB"、将甲基縮水甘油醚降冰片烯(CAS号第3188-75-8号)记载为"AGENB"、将降冰片烯乙基三甲氧基硅烷(CAS号第68245-19-2号)记载为"TMSENB"、将三乙氧基甲硅烷基降冰片烯(CAS号第18401-43-9号)记载为"TESNB"、将三甲氧基甲硅烷基降冰片烯(CAS号第7538-46-7号)记载为"TMSNB"、将二甲基双(降冰片烯甲氧基)硅烷(CAS号第376609-87-9号)记载为"SiX"、将l，1，3，3-四甲基-l，3-双[2-(5-降冰片烯-2-基)乙基]二硅氧烷(CAS号:第198570-39-7号)记载为"Si2X"。1.聚合物的合成以及聚合物溶液的制备如下所述地合成各聚合物P1P5，并制备它们的溶液。《聚合物Pl:丁基降冰片烯(BuNB)/甲基縮水甘油醚降冰片烯(AGENB)共聚合物的合成及聚合物P1溶液的制备》用血清瓶(、乂一，厶求卜/W混合BuNB(10.52g、0.07mol)、AGENB(5.41g、0.03mol)以及甲苯(58.0g)，并在油浴中加热至80°C，得到混合溶液。接着，向该溶液加入(ri6-甲苯)Ni(C6F5)2(0.69g，0.0014mol)的甲苯溶液(5g)。添加后，将所得溶液在室温下保持4小时。接着，将甲苯溶液(87.0g)加入到反应溶液中，并向搅拌均匀的反应混合物滴加甲醇，从而使共聚物沉淀。通过过滤收集共聚物沉淀，并在6(TC的烘箱中，在真空环境下进行干燥。干燥后的重量为12.74g(收率80%)。用THF溶剂，并通过GPC法(凝胶渗透色谱法)测定上述得到的共聚物的分子量(聚苯乙烯换算)的结果，Mw=320000，Mn=130000。通过tH-NMR测定共聚物组成，其结果，是78/22=BuNB/AGENB共聚物。通过棱镜耦合法测定共聚物的折射率的结果，在波长633nm下以TE模式为1.5162，以TM模式为1.5157。另外，将干燥后的共聚物溶解在甲苯中，得到30wt。/。的聚合物Pl溶液。《聚合物P2:己基降冰片烯(HxNB)/甲基縮水甘油醚降冰片烯(AGENB)共聚合物的合成及聚合物P2溶液的制备》将HxNB(12.48g、0.07mol)、AGENB(5.41g、0.03mol)以及甲苯(58.0g)添加至干燥箱内的血清瓶中，并在80°C的油浴中搅拌该溶液。接着，向该溶液加入(116-甲苯)Ni(C6F5)2(0.69g，0.0014mol)的甲苯溶液(5g)。添加后，将所得混合物在室温下保持4小时。接着，将甲苯溶液(87.0g)加入到反应溶液中，并向搅拌均匀的反应混合物滴加甲醇，从而使共聚物沉淀。通过过滤收集共聚物沉淀，并在6(TC的烘箱中，在真空环境下进行干燥。干燥后的重量为B.78g(收率77%)。用THF溶剂，并通过GPC法测定上述得到的共聚物的分子量(聚苯乙烯换算)的结果，Mw=150000，Mn=76000。通过iH-NMR测定共聚物组成，其结果，是79/21=HxNB/AGENB共聚物。通过棱镜耦合法测定共聚物的折射率的结果，在波长633nm下以TE模式为1.5159，以TM模式为1.5153。另夕卜，将干燥后的共聚物溶解在甲苯中，得到30wt。/。的聚合物P2溶液。《聚合物P3:癸基降冰片烯(DeNB)/甲基縮水甘油醚降冰片烯(AGENB)共聚合物的合成及聚合物P3溶液的制备》将DeNB(16.4g、0.07mol)、AGENB(5.41g、O.(Bmol)以及甲苯(58.0g)添加至干燥箱内的血清瓶中，并在8(TC的油浴中搅拌该溶液。接着，向该溶液加入(<-甲苯)Ni(C6F5)2(0.69g,0細4mo1)的甲苯溶液(5g)。添加后，将所得混合物在室温下保持4小时。接着，将甲苯溶液(87.0g)加入到反应溶液中，并向搅拌均匀的反应混合物滴加甲醇，从而使共聚物沉淀。通过过滤收集共聚物沉淀，并在6(TC的烘箱中，在真空环境下进行干燥。干燥后的重量为17.00g(收率87%)。用THF溶剂，并通过GPC法测定上述得到的共聚物的分子量(以聚苯乙烯换算)的结果，Mw=45000，Mn=26000。通过^-NMR测定共聚物组成，其结果，是77/23=DeNB/AGENB共聚物。通过棱镜耦合法测定共聚物的折射率的结果，在波长633nm下以TE模式为1.5153，以TM模式为1.5151。另外，将干燥后的共聚物溶解在甲苯中，得到30wt"/。的聚合物P3溶液。《聚合物P4:己基降冰片烯(HxNB)/二苯基甲基降冰片烯甲氧基硅垸(diPhNB)共聚合物的合成及聚合物P4溶液的制备》称取HxNB(8.94g、0.050mol)、diPhNB(16.1g、0.050mol)、l画己烯(2.95g，0.035mol)以及甲苯(142g)，加入到250ml血清瓶中，并在油浴中加热至8(TC，得到混合溶液。接着，向该溶液添加[Pd(PCy3)2(02CCH3)(NCCH3)]四(五氟苯基)硼酸酯(以下简称为"Pdl446")(5.8X10-3g，4.0Xl(r6mol)以及N，N-二甲基苯胺四(五氟苯基)硼酸酯(以下简称为"DANFABA")(3.2X10—3g，4.0Xl(T6mol)。59此时，上述降冰片烯单体/Pdl446/DANFABA的比率以摩尔比表示为25000/1/1。将混合物在S0。C下保持7小时后，加入20mL乙腈，从而消失Pd催化剂的活性。然后，向反应混合物滴加甲醇，从而使共聚物沉淀。通过过滤收集共聚物沉淀，并在6(TC的烘箱中，在真空环境下进行干燥。干燥后的重量为19.8g(收率79%)。用THF溶剂，并通过GPC法测定上述得到的共聚物的分子量(以聚苯乙烯换算)的结果，Mw=86000，Mn=21000。通过iH-NMR测定共聚物组成，其结果，是46/54=HxNB/diPhNB共聚通过棱镜耦合法测定共聚物的折射率的结果，在波长633nm下以TE模式为1.5569，以TM模式为1.5556。另外，将干燥后的共聚物溶解在甲苯中，得到30wt。/。的聚合物P4溶液。《聚合物P5:丁基降冰片烯(BuNB)/苯基乙基降冰片烯(PENB)共聚物的合成及聚合物P5溶液的制备》用500mL血清瓶混合BuNB(4.78g、0.032moO、PENB(25.22g、0.127mo1)、1-己烯(13.36g，0.16mol)以及甲苯(170.0g)，并在油浴中加热至80°C，得到混合溶液。接着，将Pdl446(0.0092g，6.36X10-6mol)以及DANFABAC0.020g，2.54Xl(T5mol)分别以浓縮二氯甲垸溶液的形式加入到该溶液中。添加后，将所得溶液在8(TC下保持50分钟。接着，向均匀搅拌的混合物滴加甲醇，从而使共聚物沉淀。通过过滤收集共聚物沉淀，并在6(TC的烘箱中，在真空环境下进行干燥。干燥后的重量为23.60g(收率79%)。用THF溶剂，并通过GPC法测定上述得到的共聚物的分子量(以聚苯乙烯换算)的结果，Mw=73000，Mn=28000。通过'H-NMR测定共聚物组成，其结果，是15/85-BuNB/PENB共聚物。通过棱镜耦合法测定共聚物的折射率的结果，在波长633nm下以TE模式为1.5684，以TM模式为1.5657。另外，将干燥后的共聚物溶解在甲苯中，得到30wt。/。的聚合物P5溶液。将上述合成的各聚合物的摘要示于表1中。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage61</column></row><table>HxNB:己基降冰片烯diPhNB:二苯基甲基降冰片烯甲氧基硅烷PENB:苯基乙基降冰片烯BuNB:丁基降冰片烯DeNB:癸基降冰片烯AGENB:甲基缩水甘油醚降冰片烯2.降冰片烯单体的合成《双(降冰片烯甲基)乙縮醛(NM2X)》向直接与迪安-斯脱克分水器连接的烧瓶，提供降冰片烯甲醇OOOg、0.81mol)、甲醛(~37%)(32.6g、0.40mol)以及催化剂适量的对甲苯磺酸(0.2g)，从而得到混合物。将该混合物加热至100°C。随着反应的进行，分水器中的水量增加。在大约3小时内反应结束，通过真空蒸馏得到纯生成物(收率72.8%~70%)。3.清漆的制备按照下面所述的方法，分别制备清漆V1V4以及V51V65。《清漆VI的制备》称取HxNB(42.03g、0.24mol)及SiX(7.97g、0.026mol)，并加入到玻璃瓶中。向该单体溶液，加入作为苯酚类抗氧化剂的Ciba公司制造的IRGANOX1076(0.5g)以及作为有机磷类抗氧化剂的Ciba公司制造的IRGAFOS168(0.125g)，从而得到单体抗氧化剂溶液。向上述聚合物P4溶液G0.0g)，添加单体抗氧化剂溶液(3.0g)、作为催化剂前躯体的Pd(OAc)2(PCy3)2(4.93X10-4g、6.28Xl(T7mol、二氯甲烷O.lmL中)、以及作为光产酸剂(助催化剂)的Rhodia公司制RHODORSILPHOTO腿TIATOR2074(2.55X10-3g、2.51Xl(T6mol、二氯甲烷O.lmL中)，从而得到清漆Vl。将该清漆VI用0.2pm细孔过滤器过滤后使用。另夕卜，在下述中，将"Ciba公司制的IRGANOX1076"简称为"IRGANOX1076"、将"Ciba公司制造的IRGAFOS168"简称为"IRGAFOS168"、将"Rhodia公司制的RHODORSILPHOTOINITIATOR2074"简称为"RHODORSIL2074"。《清漆V2的制备》称取HxNB(16.64g、0.093mol)及SiX(33.36g、O.llOmol)，并加入到玻璃瓶中。向该单体溶液，加入作为苯酚类抗氧化剂的IRGANOX1076(0.5g)以及作为有机磷类抗氧化剂的IRGAFOS168(0.125g)，从而得到单体抗氧化剂溶液。向上述聚合物P5溶液(30.0g)，添加单体抗氧化剂溶液(2.16g)、作为催化剂前躯体的Pd(OAc)2(PCy3)2(1.47X10-3g、1.88Xl(T6mol、二氯甲垸O.lmL中)、以及作为光产酸剂(助催化剂)的RHODORSIL2074(7.67X10-3g、7.54Xl(r6mol、二氯甲垸O.lmL中)，从而得到清漆V2。将该清漆V2用0.2|am细孔过滤器过滤后使用。《清漆V3的制备》62向上述聚合物P4(5g)，添加均三甲基苯(20g)、作为苯酚类抗氧化剂的IRGANOX1076(0.05g)、作为有机磷类抗氧化剂的IRGAFOS168(0.0125g)、以及作为光产酸剂(脱离剂)的RHODORSIL2074(4.0Xl(T3g、O.lmL二氯甲垸中)，从而得到清漆V3。将该清漆V3用0.2pm细孔过滤器过滤后使用。《清漆V4的制备》将2，2'-双(三氟甲基)-4,4'-二氨基联苯(6.4g、0.02mol)、2，2-双(3，4-二羧基苯基)六氟丙烷二酐(4.44g、O.Olmol)、以及均苯四甲酸二酐(2.18g、O.Olmol)溶解在二甲基乙酰胺(？6.6g)中，并在氮气环境、室温下搅拌两天使之进行反应，从而得到聚酰亚胺树脂前躯体的清漆V4。将该清漆V4用0.2pm细孔过滤器过滤后使用。《清漆V51的制备》向上述聚合物P2溶液(30.0g)，添加TMSENB(0.45g)、作为苯酚类抗氧化剂的IRGAOX1076(0.09g)、作为有机磷类抗氧化剂的IRGAFOS168(0.023g)、以及作为光产酸剂的东洋油墨制造公司制造的TAG-372R(0.05g)，通过电磁式搅拌器搅拌2小时而使之溶解混合，从而得到清漆V51。将该清漆V51用0.2(im细孔过滤器过滤后使用。另外，以下将"东洋油墨制造公司制造的TAG-372R"简称为"TAG-372R"。《清漆V52的制备》向上述聚合物P2溶液(30.0g),添加TESNB(0.9g)、作为苯酚类抗氧化剂的IRGAOX1076(0.09g)、作为有机磷类抗氧化剂的IRGAFOS168(0.023g)、以及作为光产酸剂的RHODORSIL2074(0.09g)，通过电磁式搅拌器搅拌2小时而使之溶解混合，从而得到清漆V52。将该清漆V52用0.2pm细孔过滤器过滤后使用。63《清漆V53的制备》向上述聚合物P2溶液G0.0g)，添加TMSNB(0.3g)、作为苯酚类抗氧化剂的IRGAOX1076(0.09g)、作为有机磷类抗氧化剂的IRGAFOS168(0.023g)、以及作为光产酸剂的TAG-372R(0.36g)，通过电磁式搅拌器搅拌2小时而使之溶解混合，从而得到清漆V53。将该清漆V53用0.2pn细孔过滤器过滤后使用。《清漆V54的制备》向上述聚合物P2溶液(30.0g)，添加环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(GPTMS)(0.2g)、作为苯酚类抗氧化剂的IRGANOX1076(0.09g)、作为有机磷类抗氧化剂的IRGAFOS168(0.023g)、以及作为光产酸剂的TAG-372R(0.02g)，通过电磁式搅拌器搅拌2小时而使之溶解混合，从而得到清漆V54。将该清漆V54用0.2jim细孔过滤器过滤后使用。《清漆V55的制备》向上述聚合物P2溶液(30.0g)，添加硅酮环氧树脂(工求年、乂、乂]j〕一y)(信越化学工业公司制造的"X-22-169AS"、数均分子量1000)(0.45g)、作为苯酚类抗氧化剂的IRGANOX1076(0.09g)、作为有机磷类抗氧化剂的IRGAFOS168(0.023g)、以及作为光产酸剂的TAG-372R(0.18g)，通过电磁式搅拌器搅拌2小时而使之溶解混合，从而得到清漆V55。将该清漆V55用0.2pm细孔过滤器过滤后使用。《清漆V56的制备》向上述聚合物P3溶液(16.7g)，添加作为苯酚类抗氧化剂的IRGANOX1076(0.05g)、作为有机磷类抗氧化剂的IRGAFOS168(1.25Xl(T2g)、以及作为光产酸剂的RHODORSIL2074(O.lg)，通过电磁式搅拌器搅拌2小时而使之溶解混合，从而得到清漆V56。将该清漆V56用0.2|im细孔过滤器过滤后使用。《清漆V57的制备》向上述聚合物P3溶液(16.7g)，添加作为苯酚类抗氧化剂的IRGANOX1076(0.05g)、作为有机磷类抗氧化剂的IRGAFOS168(1.25Xl(T2g)、以及作为光产酸剂的TAG-372R(0.1g)，通过电磁式搅拌器搅拌2小时而使之溶解混合，从而得到清漆V57。将该清漆V57用0.2|_im细孔过滤器过滤后使用。《清漆V58的制备》向上述聚合物P3溶液(16.7g)，添加作为苯酚类抗氧化剂的IRGANOX1076(0.05g)、作为有机磷类抗氧化剂的IRGAFOS168(1.25Xl(T2g)，通过电磁式搅拌器搅拌2小时而使之溶解混合，从而得到清漆V58。将该清漆V58用0.2pm细孔过滤器过滤后使用。《清漆V59的制备》将2，2'-双(三氟甲基)-4，4'-二氨基联苯5g、和2，2'-双(3，4-二羧基苯基)六氟丙烷10g溶解在二甲基乙酰胺85g中，从而得到清漆V59。将该清漆V59用0.2|am细孔过滤器过滤后使用。《清漆V60的制备》称取TMSENB(0.32g、1.50醒o1)以及SiX(0.16g，0.525匪o1)，并加入到玻璃瓶中。向该单体溶液，添加作为苯酚类抗氧化剂的IRGANOX1076(0.5g)、以及作为有机磷类抗氧化剂的IRGAFOS168((U25g)，得到单体抗氧化剂溶液。向上述聚合物P3溶液(6.7g)，添加单体抗氧化剂溶液(全量)以及作为催化剂前躯体的[2-甲代烯丙基Pd(PCy3)2]四(五氟苯基)硼酸酯(Pd1401)(9.37X10-4g，6.69Xl(T7mol、二氯甲烷0.1mL中)，从而得到清漆V60。将该清漆V60用0.2pm细孔过滤器过滤后使用。用刮刀以70pm的涂布厚度将该清漆V60涂布在玻璃基板上，并将其置于加热板上在5(TC下加热15分钟，从而形成薄膜。利用该薄膜，测定玻璃化转变温度和储存弹性模量。将玻璃化转变温度的测定结果示于表3中。另夕卜，根据DMA测定结果的20(TC下的储存弹性模量为73MPa。另外，薄膜的玻璃化转变温度(Tg)的测定，是利用TMA(SeikoInstrumentsInc.制造的"TMA/SS120C")，以拉伸模式(升温速度5。C/分钟)进行(以下相同)。另外，薄膜的储存弹性模量的测定，是利用动态粘弹性测定装置(SeikoInstrumentsInc.制造的"EXSTAR6000")进行(以下相同)。《清漆V61的制备》称取HxNB(0.16g、0.897mmo1)以及SiX(0.32g，1.05mmo1)，并加入到玻璃瓶中。向该单体溶液，添加作为苯酚类抗氧化剂的IRGANOX1076(0.5g)、以及作为有机磷类抗氧化剂的IRGAFOS168(0.125g)，得到单体抗氧化剂溶液。向上述聚合物P2溶液(6.7g)，添加单体抗氧化剂溶液(全量)以及作为催化剂前躯体的Pdl446(6.0X10-4g，4.15X10-7mol、二氯甲垸0.1mL中)，从而得到清漆V61。将该清漆V61用0.2fim细孔过滤器过滤后使用。用刮刀以70^im的涂布厚度将该清漆V61涂布在玻璃基板上，并将其置于加热板上，在80'C下加热20分钟、在15(TC下加热1小时，从而形成薄膜。利用该薄膜，测定玻璃化转变温度和储存弹性模量。将玻璃化转变温度的测定结果示于表3中。另外，根据DMA测定结果的20(TC下的储存弹性模量为80MPa。《清漆V62的制备》称取SiX(4.8g，0.0158mol)，并加入到玻璃瓶中。向该单体溶液，添加作为苯酚类抗氧化剂的IRGANOX1076(5g)、以及作为有机磷类抗氧化剂的IRGAFOS168(1.25g)，得到单体抗氧化剂溶液。向上述聚合物Pl溶液(30.0g)，添加单体抗氧化剂溶液(全量)以及作为催化剂前躯体的[Pd(PCy3)2H(NCCH3)]四(五氟苯基)硼酸酯(Pd1147)(3.62X10-3g，3.15Xl(T6mol、二氯甲烷0.1mL中)，从而得到清漆V62。将该清漆V62用0.2pm细孔过滤器过滤后使用。用刮刀以70|am的涂布厚度将该清漆V62涂布在玻璃基板上，并将其置于加热板上，在8crc下加热20分钟、在15or下加热i小时，从而形成薄膜。利用该薄膜，测定玻璃化转变温度和储存弹性模量。将玻璃化转变温度的测定结果示于表3中。另外，根据DMA测定结果的25(TC下的储存弹性模量为67MPa。《清漆V63的制备》称取TESNB(l.Og，0.039mol)，并加入到玻璃瓶中。向该单体溶液，添加作为苯酚类抗氧化剂的IRGANOX1076(5g)、以及作为有机磷类抗氧化剂的IRGAFOS168(1.25g)，得到单体抗氧化剂溶液。向上述聚合物P2溶液(30.0g)，添加单体抗氧化剂溶液(全量)以及作为催化剂前躯体的[Pd(P(iPr)3)2(OCOCH3)(NCCH3)]四(五氟苯基)硼酸酯(Pdl206)(4.07X10、，3.90Xl(r7mol、二氯甲烷0.1nL中)，从而得到清漆V63。将该清漆V63用0.2pm细孔过滤器过滤后使用。用刮刀以70(Lim的涂布厚度将该清漆V63涂布在玻璃基板上，并将其置于加热板上，在8(TC下加热20分钟、在15(TC下加热1小时，从而形成薄膜。利用该薄膜，测定玻璃化转变温度和储存弹性模量。将玻璃化转变温度的测定结果示于表3中。另外，根据DMA测定结果的25(TC下的储存弹性模量为70MPa。《清漆V64的制备》称取Si2X(2.16g，4.67mmo1)，并加入到玻璃瓶中。向该单体溶液，添加作为苯酚类抗氧化剂的IRGANOX1076(0.5g)、以及作为有机磷类抗氧化剂的IRGAFOS168C0.125g)，得到单体抗氧化剂溶液。向上述聚合物P3溶液(30.0g)，添加单体抗氧化剂溶液(全量)以及67作为催化剂前躯体的Pdl446(3.22Xl(T3g，2.23X10—6mol、二氯甲垸O.lmL中)，从而得到清漆V64。将该清漆V64用0.2pm细孔过滤器过滤后使用。用刮刀以70pm的涂布厚度将该清漆V64涂布在玻璃基板上，并将其置于加热板上，在80'C下加热20分钟、在15(TC下加热1小时，从而形成薄膜。利用该薄膜，测定玻璃化转变温度和储存弹性模量。将玻璃化转变温度的测定结果示于表3中。另外，根据DMA测定结果的20(TC下的储存弹性模量为82MPa。《清漆V65的制备》称取双(降冰片烯甲基)乙縮醛(NM2X)(3.00g，0.104mol)，并加入到玻璃瓶中。向该单体溶液，添加作为苯酚类抗氧化剂的IRGANOX1076(0.5g)、以及作为有机磷类抗氧化剂的IRGAFOS168(0.125g)，得到单体抗氧化剂溶液。向上述聚合物P3溶液G0.0g)，添加单体抗氧化剂溶液(全量)以及作为催化剂前躯体的Pdl446(3.33Xl(T3g，2.30X10'6mol、二氯甲烷O.lmL中)，从而得到清漆V65。将该清漆V65用0.2pm细孔过滤器过滤后使用。用刮刀以70|am的涂布厚度将该清漆V65涂布在玻璃基板上，将其置于加热板上，在8(TC下加热20分钟、在15(TC下加热1小时，从而形成薄膜。利用该薄膜，测定玻璃化转变温度和储存弹性模量。将玻璃化转变温度的测定结果示于表3中。另外，根据DMA测定结果的250'C下的储存弹性模量为120MPa。将上述合成的各清漆组成的摘要示于表2、表3中。表2清漆聚合物交联剂光产酸剂(R或T勺玻璃化转变温度(wt.)(wt.)(wt.)(。c)V51PlTMSENBT不能测定(9g)(0.45g)(0.05g)V52P2TESNBR不能测定(9g)(0.9g)(0.09g)V53P2TMSNBT不能测定(9g)(0.3g)(0.36g)V54P2Y國GPST不能测定(9g)(。2g)(0.02g)V55P2硅酮环氧树脂T不能测定(9g)(0.45g)(0.18g)V56P3无添加R不能测定(5g)(O.lg)V57P3无添加T不能测定(5g)(O.lg)V58P3无添加无添加97(5g):R表示使用Rhodorsi12074。T表示使用TAG-372R。TMSENB:降冰片烯乙基三甲氧基硅垸TESNB:三乙氧基甲硅烷基降冰片烯TMSNB:三甲氧基甲硅烷基降冰片烯Y-GPS:3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷69表3<table>tableseeoriginaldocumentpage70</column></row><table>HxNB:己基降冰片烯TMSENB:降冰片烯乙基三甲氧基硅垸TESNB:三乙氧基甲硅烷基降冰片烯SiX:二甲基双(降冰片烯甲氧基)硅烷Si2X:1，1，3，3-四甲基-l，3-双[2-(5-降冰片烯-2-基)乙基]二硅氧烷NM2X:双(降冰片烯甲基)乙縮醛4.光导波路结构体的制作及评价4-1.光导波路结构体的制作按照如下所述的方法，分别制作IO个实施例1~14以及比较例的光导波路结构体。(实施例1)首先，在4英寸厚的玻璃基板上，注入作为包覆层形成用材料的清漆V51，用刮刀将其展开至实质上一定的厚度。接着，将其置于加热板上并在5(TC下加热15分钟，在没有光掩模的情况下用超高压水银灯对其照射UV光(照射量3000mJ/cm2、波长365nm)。接着，用清洁的烘箱在IO(TC下干燥15分钟、进而在160'C下固化1小时，从而形成下部包覆层。接着，在该固化后的下部包覆层的表面注入作为芯层形成用材料的清漆VI，并用刮刀将其展开至实质上一定的厚度。接着，将其置于加热板上并在45。C下加热10分钟，使溶剂蒸发，形成实质上干燥的固体薄膜。通过光掩模向该薄膜照射UV光(照射量3000mJ/cm2、波长365nm)后，在45。C的加热板上加热30分钟，结果，出现了直线状的心部图案。将所得样品放入清洁烘箱中，并在85"C下加热30分钟，进而在15(TC下加热60分钟，从而得到形成有图案的清漆V1的固化层(芯层)。接着，作为包覆层形成用材料使用清漆V51，并采用与下部包覆层的形成相同的方法，在芯层上形成上部包覆层，从而在玻璃基板上得到宽0.5cm、长10cm的直线状光导波路。在所得光导波路中，芯层的平均厚度为50|am(芯部宽度50pm)，包覆层(上部及下部)的平均厚度为50Mm。接着，将光导波路从基板上剥离，通过辊压叠层法在其两表面分别接合平均厚度45pm的铜层(导体层)，从而制作光导波路结构体。(实施例2)首先，在硅晶片基板上，注入作为包覆层形成用材料的清漆V52，并用刮刀将其展开至实质上一定的厚度。接着，将其置于加热板上并在50'C下加热15分钟，在没有光掩模的情况下用超高压水银灯对其照射UV光(照射量1500mJ/cm2、波长365nm)。进而，用清洁的烘箱在15(TC下加热1小时，从而形成下部包覆层。接着，在下部包覆层上，用棒式涂敷机涂覆作为芯层形成有材料的聚酰亚胺前躯体的清漆V4，并采用烘箱，在氮气环境、320。C下加热1小时，从而形成芯层。接着，在上述芯层上，蒸镀膜厚为0.3pm的铝层，形成掩模层。进而，在上述铝层上，通过旋涂法涂覆正型光刻胶(二偶氮萘醌-酚醛清漆树脂类，东京应化制造，商品名OFPR-800)后，在约95'C下进行预烘。接着，设置直线光导波路图案形成用的光掩模(Ti)，用超高温水银灯照射紫外线后，通过正型光刻胶用显像液(TMAH:四甲基氢氧化铵水溶液，东京应化制造，商品名NMD-3)进行显影。然后，在135i:下进行后烘烤(Post-bake)。接着，进行铝层的湿式蚀刻，从而将蚀刻图案转印到铝层上。进而，将形成有图案的铝层作为掩摸，通过干式蚀刻加工芯层。接着，用蚀刻液去除铝层，从而形成直线状的芯部。另外，芯部的宽为50^im、高度(平均厚度)为50pm。接着，从所得芯部的上面，注入作为包覆层形成用材料的清漆V52，与下部包覆层的形成同样的方法，制作上部包覆层，从而在硅晶片基板上得到宽0.5cm、长10cm的直线状光导波路。在所得光导波路中，包覆层(上部及下部)的平均厚度为50pm。接着，将光导波路从基板上剥离，通过辊压叠层法在其两表面分别接合平均厚度45pm的铜层(导体层)，从而制作光导波路结构体。(实施例3)首先，在经过脱模处理的玻璃基板上，注入作为包覆层形成用材料的清漆V53，并用刮刀将其展开至实质上一定的厚度。接着，将其置于加热板上并在5(TC下加热15分钟，在没有光掩模的情况下用超高压水银灯对其照射UV光(照射量2500mJ/cm2、波长365nm)。进而，用清洁的烘箱在15(TC下加热1小时，从而形成下部包覆层。接着，在该下部包覆层上，用旋涂法涂覆作为芯层形成用材料的比上述包覆层形成用材料折射率高的UV固化型环氧树脂(NTT-AT制造的"E3135")后，利用光掩模，并通过照相平版印刷影印法，直接形成直线状的芯部。另外，芯部的宽为35pm、高度(平均厚度)为35pm。然后，作为包覆层形成用材料使用与下部包覆层的形成相同的清漆V53，采用与下部包覆层的形成相同的方法，形成上部包覆层，从而在玻璃基板上得到宽0.5cm、长10cm的直线状光导波路。在所得光导波路中，包覆层(上部及下部)的平均厚度为35pm。接着，将光导波路从基板上剥离，通过辊压叠层法在其两表面分别接合平均厚度45pm的铜层(导体层)，从而制作光导波路结构体。(实施例4)首先，在平均厚度为18pm的铜箔的疏水面上，作为包覆层形成用材料注入清漆V54，并用刮刀将其展开至实质上一定的厚度。接着，将其置于加热板上并在5(TC下加热干燥15分钟，在没有光掩模的情况下用超高压水银灯对其照射UV光(照射量3000mJ/cm2、波长365nm)，从而形成带有铜箔的下部包覆层。另外，用同样的材料、方法准备带有铜箔的上部包覆层。另一方面，作为芯层形成用材料，将过滤后的清漆V2注入石英玻璃基板上，并用刮刀将其展开至实质上一定的厚度。接着，将其置于加热板上并在45i:下加热10分钟，使溶剂蒸发，形成实质上干燥的固体薄膜。通过光掩模向该薄膜照射UV光(照射量3000mJ/cm2、波长365nm)后，在45。C的加热板上加热30分钟，结果，出现了直线状的心部图案。将所得样品放入清洁烘箱中，并在85"C下加热30分钟，进而在150'C下加热60分钟，从而得到形成有图案的清漆V2的固化层(薄膜)。在水中将该薄膜从石英基板剥离，并用水充分清洗后，通过烘箱在45'C下干燥1小时，从而得到单独的芯层。将该芯层夹在上述上下包覆层之间，用电热加压板，在施加10MPa的压力的同时在150'C下加热1小时，从而得到在两表面具有铜层(导体层)的73宽0.5cm、长10cm的直线状光导波路结构体。在所得光导波路中，芯层的平均厚度为35pm(芯部宽度:35pm)，包覆层(上部及下部)的平均厚度为35pm。(实施例5)首先，在经过脱模处理的PET膜基板上，注入作为包覆层形成用材料的清漆V55，并用刮刀将其展开至实质上一定的厚度。接着，将其置于加热板上并在50'C下加热15分钟，在没有光掩模的情况下用超高压水银灯对其照射UV光(照射量2000mJ/cm2、波长365nm)后，从PET膜基板剥离，形成单独的下部包覆层。另外，用同样的材料、方法准备单独的上部包覆层。另一方面，作为芯层形成用材料，将过滤后的清漆V3注入石英玻璃基板上，并用刮刀将其展开至实质上一定的厚度。接着，将其置于加热板上并在45i:下加热10分钟，使溶剂蒸发，形成实质上干燥的固体薄膜。通过光掩模向该薄膜照射UV光(照射量3000mJ/cm2、波长365nm)后，在85'C的清洁烘箱中加热30分钟，结果，出现了直线状的心部图案。进而在160'C下加热2小时，从而得到形成有图案的清漆V3的固化层(薄膜)。在水中将该薄膜从石英基板剥离，并用水充分清洗后，通过烘箱在45'C下干燥1小时，从而得到单独的芯层。将该芯层夹在上述上下包覆层之间，用电热加压板，在施加6MPa的压力的同时在15(TC下加热1小时，从而得到宽0.5cm、长10cm的直线状光导波路。在所得光导波路中，芯层的平均厚度为50pm(芯部宽度5(Him)，包覆层(上部及下部)的平均厚度为50pm。接着，通过辊压叠层法在该光导波路的两表面分别接合平均厚度45|im的铜层(导体层)，从而制作光导波路结构体。(实施例6)除了作为包覆层形成用材料使用清漆V56以外，与上述实施例5相同地操作，得到光导波路结构体。(实施例7)除了作为包覆层形成用材料使用清漆V57、作为芯层形成用材料使用清漆V2以外，与上述实施例l相同地操作，得到光导波路结构体。(实施例8)首先，在经过脱模处理的PET膜基板上，倒作为包覆层形成用材料的清漆V58，并用刮刀将其展开至实质上一定的厚度。接着，将其置于加热板上并在5(TC下加热干燥15分钟后，从PET膜剥离，形成单独的下部包覆层。另外，用同样的材料、方法准备单独的上部包覆层。另一方面，作为芯层形成用材料，将过滤后的清漆V3倒在石英玻璃基板上，并用刮刀将其展开至实质上一定的厚度。接着，将其置于加热板上并在45"C下加热10分钟，使溶剂蒸发，形成实质上干燥的固体薄膜。通过光掩模向该薄膜照射UV光(照射量3000mJ/cm2、波长365nm)后，在85T:的清洁烘箱中加热30分钟，结果，出现了直线状的心部图案。进而在16(TC下加热2小时，从而得到形成有图案的清漆V3的固化层(薄膜)。在水中将该薄膜从石英基板剥离，并用水充分清洗后，通过烘箱在45"C下干燥1小时，从而得到单独的芯层。将该芯层夹在上述上下包覆层之间，用电热加压板，在施加3MPa的压力的同时在15(TC下加热1小时，从而得到宽0.5cm、长10cm的直线状光导波路。在所得光导波路中，芯层的平均厚度为50pm(芯部宽度50pm)，包覆层(上部及下部)的平均厚度为50pm。接着，通过辊压叠层法在该光导波路的两表面分别接合平均厚度45pm的铜层(导体层)，从而制作光导波路结构体。75(实施例9)除了作为包覆层形成用材料使用清漆V60以外，与上述实施例4相同地操作，得到光导波路结构体。(实施例10)除了作为包覆层形成用材料使用清漆V61以外，与上述实施例4相同地操作，得到光导波路结构体。(实施例11)首先，在4英寸厚的玻璃基板上，倒作为包覆层形成用材料的清漆V62，并用刮刀将其展开至实质上一定的厚度。接着，将其置于加热板上并在50。C下加热15分钟、在80。C下加热20分钟，然后在15(TC下固化1小时，从而形成下部包覆层。接着，将作为芯层形成用材料的清漆V3倒在固化后的下部包覆层表面，用刮刀将其展开至实质上一定的厚度。然后，用加热板将该涂覆后的玻璃基板在45"C下加热IO分钟，从而形成实质上干燥的固体薄膜。接着，通过光掩模向该由清漆V3形成的固体薄膜照射UV光(照射量3000mJ/cm2、波长365nm)后，并在室温下进行30分钟的熟化，然后在85'C下加热30分钟，进而在150。C下加热60分钟，得到芯层。另外，在85'C下加热30分钟后开始，可通过肉眼确认芯部图案。接着，将作为包覆层形成用材料的清漆V61倒在由清漆V3形成的固化层的表面，通过旋涂法展开至实质上一定的厚度。将该涂覆后的玻璃基板置于加热板上，并在5(TC下加热15分钟，从而在玻璃基板上得到宽0.5cm、长10cm的直线状光导波路。在所得光导波路中，芯层的平均厚度为35pm(芯部宽度35pm)，包覆层(上部及下部)的平均厚度为35^im。接着，从基板剥离该光导波路，通过辊压叠层法在该光导波路的两表面分别接合平均厚度45pm的铜层(导体层)，从而制作光导波路结构体。(实施例12)除了作为包覆层形成用材料使用清漆V63以外，与上述实施例11相同地操作，得到光导波路结构体。(实施例13)除了作为包覆层形成用材料使用清漆V64、作为芯层形成用材料使用清漆VI、在形成芯层时UV光照射后进行85°CX30分钟加热之前先进行45°CX30分钟的加热以外，与上述实施例ll相同地操作，得到光导波路结构体。(实施例14)除了作为包覆层形成用材料使用清漆V65以外，与上述实施例4相同地操作，得到光导波路结构体。比较例首先，通过旋涂法将作为包覆层形成用材料的清漆V59以实质上均匀的厚度涂布在硅晶片上后，在氮气环境的烘箱中，进行35(TC、l小时的加热，从而形成下部包覆层。接着，将作为芯层形成用材料的清漆VI倒在下部包覆层的表面，用刮刀展开至实质上一定的厚度。接着，将其置于加热板上，并在45"C下加热10分钟，蒸发溶剂，形成实质上干燥的固体薄膜。通过光掩模向该薄膜照射UV光(照射量3000mJ/cm2、波长365nm)后，在45。C的加热板上加热30分钟，结果，出现了直线状的心部图案。将所得样品放入清洁烘箱中，并在85i:下加热30分钟，进而在15(TC下加热60分钟，从而得到形成有图案的清漆V1的固化层(芯层)。接着，作为包覆层形成用材料使用与下部包覆层形成中使用的相同的清漆，通过与下部包覆层的形成相同的方法，在芯层上形成上部包覆层，从而在玻璃基板上得到宽0.5cm、长10cm的直线状光导波路。在所得光导波路中，芯层的平均厚度为50pm(芯部宽度50pm)，包覆层(上部及下部)的平均厚度为50拜。77接着，从基板剥离该光导波路，通过辊压叠层法在该光导波路的两表面分别接合平均厚度45pm的铜层(导体层)，从而制作光导波路结构体。4-2.评价4-2-1.光传播损失的测定通过剪断(cutback)法，对各实施例以及比较例的光导波路结构体分别测定光传播损失。该方法是，将从激光二极管发生的光通过光纤由芯部的一端输入，测定从另一端的输出，将芯部的长度剪断为几段，针对各长度测定光输出而进行。在各长度芯部中的光损失总量，用下式表示。光损失总量(dB)=-lOlog(Pn/Po)式中，Pn表示长度为Pl、P2、…Pn的各芯部的另一端测定的输出，Po表示将光纤结合在芯部的一端之前在光纤端部测定的光源输出。将光损失总量示于图14(图表)。该数据的回归线用下式表示。y=mx+b式中，m表示光传播损失，b表示耦合损耗(couplingloss)。另外，在实施例2中使用波长1300nm的光，其他使用波长850nm的光。4-2-2.附着性试验对各实施例以及比较例的光导波路结构体分别进行芯层与包覆层的附着性试验。该附着性试验是，通过将包覆层从芯层剥离90。上方的剥离试验来进行。将光传播损失的测定及附着性试验的结果分别示于下述表4中。<table>tableseeoriginaldocumentpage79</column></row><table>在光传播损失测定中，有"*"记号的是使用波长1300nm的光而进行，其他则使用波长850nm的光进行。另外，表中的各数值分别表示5个数值的平均值。从表4明确可知，各实施例的光导波路结构体的光传播损失均小，光传输性能高，而且，芯层与包覆层的附着力也高。与此相比，比较例的光导波路结构体的光传播损失大，且芯层与包覆层的附着力也低，是特性差的光导波路结构体。其原因在于，芯层与包覆层在其界面中的附着性差，在一部分中产生了剥离，由此光传播损失也大。另外，将各实施例和比较例的光导波路结构体暴露在高湿环境(60°C、90RH%、2000小时)后，采用与上述同样的方法测定光传播损失。其结果，在各实施例的光导波路结构体与暴露在高湿环境之前相比几乎均没有变化。与此相比，在比较例的光导波路结构中确认了明显的光传播损失的增加。进而，对各实施例及比较例中制作的光导波路结构体(暴露在高湿环境之前的光导波路结构体)的导体层分别加工图案而形成布线，在规定的部位安装发光元件及受光元件，从而制作复合装置。使这些复合装置运行，结果确认了使用各实施例的光导波路结构体的复合装置相比于使用比较例的光导波路结构体的复合装置，均能够更高速地运行。工业实用性本发明的光导波路中，由于包覆层以降冰片烯类聚合物作为主材料而构成，因此，当将光导波路安装在电路基板上时，即使实施焊锡处理等的热处理，也能够防止包覆层的软化。另外，即使光导波路暴露在高湿环境中，也难以产生因吸水引起的尺寸变化，不管使用环境，都可以稳定地进行光的传播。进而，能够抑制包覆层的材料成本。另外，由于降冰片烯类聚合物含有降冰片烯重复单元，而该降冰片烯重复单元具有含聚合性基团的取代基，因此在包覆层中，能够使降冰片烯类聚合物的至少一部分的聚合性基团之间，直接或通过交联剂发生交联。另外，可根据聚合性基团的种类、交联剂的种类、芯层中使用的聚合物种类等，能够使该降冰片烯类聚合物与芯层中使用的聚合物交联。其结果，能够提高包覆层自身的强度，提高包覆层与芯层的附着性。另外，当作为聚合性基团具有环氧基时，能够进一步提高上述效果。另外，在光导波路的至少一侧面上形成了导体层的本发明光导波路结构体，通过该导体层能够进行电子部件的电连接，能够很容易地得到电子部件和光导波路混在的电路基板。因此，本发明的光导波路及光导波路结构体具有工业实用性。权利要求1.一种光导波路，该光导波路包括芯层，其具有芯部和折射率比该芯部的折射率低的包覆部；包覆层，其被设置成与该芯层的至少一侧的表面接触，且折射率比上述芯部的折射率低，其特征在于，上述包覆层，以降冰片烯类聚合物作为主材料构成。2.根据权利要求1所述的光导波路，其中，上述降冰片烯类聚合物是加成聚合物。3.根据权利要求1所述的光导波路，其中，上述降冰片烯类聚合物含有垸基降冰片烯重复单元。4.根据权利要求1所述的光导波路，其中，上述降冰片烯类聚合物含有降冰片烯重复单元，该降冰片烯重复单元具有含聚合性基团的取代基。5.根据权利要求4所述的光导波路，其中，上述降冰片烯类聚合物的至少一部分在聚合性基团中发生交联。6.根据权利要求1所述的光导波路，其中，上述降冰片烯类聚合物是以下述化学式1表示的物质作为主成分，化学式l:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>式中，R表示碳原子数l10的烷基，a表示03的整数，b表示l3的整数，p/q为20以下。7.根据权利要求6所述的光导波路，其中，上述降冰片烯类聚合物的至少一部分在聚合性基团中发生交联。8.根据权利要求1所述的光导波路，其中，上述包覆层的平均厚度为上述芯层平均厚度的0.11.5倍。9.根据权利要求1所述的光导波路，其中，上述芯层通过以下方法得到，即，形成一种层，该层包括聚合物；单体，其与该聚合物相溶，且具有与该聚合物的折射率不同的折射率；第一物质，其通过活性放射线的照射而活化；第二物质，其能够引发上述单体的反应，且通过被活化的上述第一物质的作用改变活化温度，然后，通过对上述层选择性地照射上述活性放射线，从而在照射了上述活性放射线的照射区域中，使上述第一物质活化的同时，改变上述第二物质的活化温度，接着，通过对上述层实施加热处理，使上述第二物质或改变了活化温度的上述第二物质中的任意一个活化温度低者活化，并在上述照射区域或上述活性放射线未照射区域中的任意区域中使上述单体进行反应，由此使上述照射区域和上述未照射区域之间产生折射率差，从而将上述照射区域及上述未照射区域中的任意一个区域作为芯部，将另一个区域作为包覆部。10.根据权利要求9所述的光导波路，其中，上述芯层是通过以下方法得到，即，随着在上述层的上述照射区域或上述未照射区域中的任意一个区域中进行上述单体的反应，从另一个区域聚集未反应的上述单体而得到。11.根据权利要求9所述的光导波路，其中，上述第一物质含有一种化合物，该化合物随着上述活性放射线的照射生成阳离子和弱配位阴离子；上述第二物质是通过上述弱配位阴离子的作用而改变活化温度。12.根据权利要求9所述的光导波路，其中，上述第二物质是通过上述被活化的第一物质的作用而降低活化温度，并通过在高于上述加热处理温度的温度下进行的加热，在无需照射上述活性放射线的情况下被活化的物质。13.根据权利要求12所述的光导波路，其中，上述第二物质含有下式Ia表示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>式中，E(R)3表示第15族的中性电子给予性配位体，E表示选自元素周期表第15族中的元素，R表示含有氢原子(或者其同位素中的一种)或烃基的部位，Q表示选自羧酸酯、硫代羧酸酯及二硫代羧酸酯中的阴离子配位体。14.根据权利要求12所述的光导波路，其中，上述第二物质含有下式Ib表示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage4</formula>式中，E(R)3表示第15族的中性电子给予性配位体，E表示选自元素周期表第15族中的元素，R表示含有氢原子(或者其同位素中的一种)或烃基的部位，Q表示选自羧酸酯、硫代羧酸酯及二硫代羧酸酯中的阴离子配位体，LB表示路易斯碱，WCA表示弱配位阴离子，a表示l3的整数，b表示0~2的整数，a与b的和为13，p及r表示取钯阳离子和弱配位阴离子之间电荷平衡的数。15.根据权利要求14所述的光导波路，其中，p及r分别为选自1或2中的整数。16.根据权利要求9所述的光导波路，其中，上述芯层是在上述加热处理后，通过在比上述加热处理的温度高的第二温度下对上述层进行加热处理而得到。17.根据权利要求16所述的光导波路，其中，上述芯层是在上述第二温度下的加热处理后，通过在比上述第二温度高的第三温度下对上述层进行加热处理而得到。18.根据权利要求17所述的光导波路，其中，上述第三温度比上述第二温度高20。C以上。19.根据权利要求9所述的光导波路，其中，上述单体含有交联性单体。20.根据权利要求9所述的光导波路，其中，上述单体是以降冰片烯类单体作为主成分。21.根据权利要求19所述的光导波路，其中，上述单体以降冰片烯类单体作为主成分，且作为上述交联性单体，含有二甲基双(降冰片烯甲氧基)娃嫁。22.根据权利要求9所述的光导波路，其中，上述聚合物具有脱离性基团，该脱离性基团分子结构的至少一部分通过被活化的上述第一物质的作用能够从主链脱离，而且，在向上述层选择性地照射上述活性放射线时，在上述照射区域中，上述聚合物的上述脱离性基团进行脱离。23.根据权利要求22所述的光导波路，其中，上述第一物质含有随着上述活性放射线的照射产生阳离子和弱配位阴离子的化合物，上述脱离性基团是通过上述阳离子的作用而脱离的酸脱离性基团。24.根据权利要求23所述的光导波路，其中，上述酸脱离性基团是具有-O-结构、-Si-芳基结构以及-O-Si-结构中的至少一种的酸脱离性基团。。25.根据权利要求22所述的光导波路，其中，上述脱离性基团是通过其脱离能够使上述聚合物的折射率降低的脱离性基团。26.根据权利要求25所述的光导波路，其中，上述脱离性基团是-Si-二苯基结构以及-O-Si-二苯基结构中的至少一方。27.根据权利要求9所述的光导波路，其中，上述活性放射线在200450nrn的范围具有峰值波长。28.根据权利要求9所述的光导波路，其中，上述活性放射线的照射量为0.19J/cm2。29.根据权利要求9所述的光导波路，其中，上述活性放射线是通过掩模向上述层照射。30.根据权利要求9所述的光导波路，其中，上述层还含有抗氧化剂。31.根据权利要求9所述的光导波路，其中，上述层还含有增感剂。32.根据权利要求9所述的光导波路，其中，上述聚合物以降冰片烯类聚合物作为主成分。33.根据权利要求32所述的光导波路，其中，上述降冰片烯类聚合物是加成聚合物。34.根据权利要求1所述的光导波路，其中，上述芯层是通过如下方法得到，即，形成包含通过活性放射线的照射活化的物质及聚合物的层，所述聚合物具有主链和从该主链分支、且通过被活化的上述物质的作用分子结构的至少一部分能够从上述主链脱离的脱离性基团，然后，通过对上述层选择性地照射上述活性放射线，从而在照射了上述活性放射线的照射区域中使上述物质活化，使上述聚合物的上述脱离性基团脱离，从而使上述照射区域和上述活性放射线的非照射区域之间产生折射率差，由此将上述照射区域及上述非照射区域中的任意一个区域作为上述芯部，将另一个区域作为包覆部。35.根据权利要求34所述的光导波路，其中，上述芯层是照射上述活性放射线后，通过对上述层实施加热处理而得到。36.根据权利要求34所述的光导波路，其中，上述物质含有随着上述活性放射线的照射产生阳离子和弱配位阴离子的化合物，上述脱离性基团是通过上述阳离子的作用而脱离的酸脱离性基团。37.根据权利要求36所述的光导波路，其中，上述酸脱离性基团具有-O-结构、-Si-芳基结构以及-O-Si-结构中的至少一种。38.根据权利要求34所述的光导波路，其中，上述脱离性基团是通过其脱离能够使上述聚合物的折射率降低的脱离性基团。39.根据权利要求38所述的光导波路，其中，上述脱离性基团是-Si-二苯基结构以及-O-Si-二苯基结构中的至少一方。40.根据权利要求34所述的光导波路，其中，上述活性放射线在200450nm的范围具有峰值波长。41.根据权利要求34所述的光导波路，其中，上述活性放射线的照射量为0.19J/cm2。42.根据权利要求34所述的光导波路，其中，上述活性放射线是通过掩模向上述层照射。43.根据权利要求34所述的光导波路，其中，上述层还含有抗氧化剂。44.根据权利要求34所述的光导波路，其中，上述层还含有增感剂。45.根据权利要求34所述的光导波路，其中，上述聚合物以降冰片烯类聚合物作为主成分。46.根据权利要求45所述的光导波路，其中，上述降冰片烯类聚合物是加成聚合物。47.根据权利要求1所述的光导波路，其中，上述芯部是以第一降冰片烯类材料作为主材料而形成，上述包覆部是以第二降冰片烯类材料作为主材料而形成，所述第二降冰片烯类材料具有比上述第一降冰片烯类材料低的折射率。48.根据权利要求47所述的光导波路，其中，上述第一降冰片烯类材料和上述第二降冰片烯类材料均含有相同的降冰片烯类聚合物，且通过降冰片烯类单体的反应物含量的不同，使它们的折射率不同，所述降冰片烯类单体具有与上述降冰片烯类聚合物不同的折射率。49.根据权利要求48所述的光导波路，其中，上述反应物为上述降冰片烯类单体的聚合物、交联上述降冰片烯类聚合物之间的交联结构、以及从上述降冰片烯类聚合物分支的支链结构中的至少一种。50.根据权利要求48所述的光导波路，其中，上述降冰片烯类聚合物含有芳烷基降冰片烯重复单元。51.根据权利要求48所述的光导波路，其中，上述降冰片烯类聚合物含有苄基降冰片烯重复单元。52.根据权利要求48所述的光导波路，其中，上述降冰片烯类聚合物含有苯基乙基降冰片烯重复单元。53.根据权利要求48所述的光导波路，其中，上述降冰片烯类聚合物具有主链和从该主链分支、且分子结构的至少一部分能够从上述主链脱离的脱离性基团，通过与上述主链结合状态的上述脱离性基团的数量不同，以及具有与上述降冰片烯类聚合物不同的折射率的降冰片烯类单体的反应物含量不同，使上述芯部和上述包覆部的折射率不同。54.根据权利要求53所述的光导波路，其中，上述降冰片烯类聚合物含有二苯基甲基降冰片烯甲氧基硅垸的重复单元。55.根据权利要求48所述的光导波路，其中，上述降冰片烯类聚合物含有垸基降冰片烯重复单元。56.根据权利要求48所述的光导波路，其中，上述降冰片烯类聚合物含有己基降冰片烯重复单元。57.根据权利要求48所述的光导波路，其中，上述降冰片烯类聚合物为加成聚合物。58.根据权利要求47所述的光导波路，其中，上述芯层是以降冰片烯类聚合物作为主材料形成，所述降冰片烯类聚合物具有主链和从该主链分支、且分子结构的至少一部分能够从上述主链脱离的脱离性基团，通过与上述主链结合状态的上述脱离性基团的数量不同，使上述第一降冰片烯类材料和第二降冰片烯类材料的折射率不同。59.根据权利要求58所述的光导波路，其中，上述降冰片烯类聚合物含有二苯基甲基降冰片烯甲氧基硅烷的重复单元。60.根据权利要求58所述的光导波路，其中，上述降冰片烯类聚合物含有烷基降冰片烯重复单元。61.根据权利要求58所述的光导波路，其中，上述降冰片烯类聚合物含有己基降冰片烯重复单元。62.根据权利要求58所述的光导波路，其中，上述降冰片烯类聚合物为加成聚合物。63.—种光导波路结构体，其特征在于，具有权利要求1所述的光导波路和设置在该光导波路的至少一个表面侧的导体层。64.根据权利要求63所述的光导波路结构体，其中，上述导体层的平均厚度是上述光导波路平均厚度的1090%。65.根据权利要求63所述的光导波路结构体，其中，上述导体层是通过干式镀法、湿式镀法以及导电性片材接合中的至少一种方法来形成。全文摘要本发明的光导波路结构体具有优异的耐热性的同时，吸水性低，而且能够将材料成本抑制在低水平。该光导波路结构体具有光导波路和设置在该光导波路的两个表面上的导体层，其中，光导波路具有芯层，其具有芯部和折射率比上述芯部低的包覆部；包覆层，其被设置成与该芯层的至少一侧面接触，且折射率比上述芯部的折射率低，上述各包覆层分别以降冰片烯类聚合物作为主材料。另外，上述降冰片烯类聚合物优选以上述化学式1表示的物质作为主成分。文档编号G02B6/12GK101535852SQ20068005640公开日2009年9月16日申请日期2006年11月16日优先权日2006年11月16日发明者尾张洋史,森哲也,渡边启,藤原诚,长木浩司,高浜启造申请人:住友电木株式会社