专利名称：一种修复线结构及其制造方法
技术领域：
本发明涉及液晶显示器(TFTLCD)领域，尤其涉及薄膜晶体管液晶显示器的修复 线结构及其制造方法。
背景技术：
液晶显示器是一种被动的显示，它本身不能发光，只能使用周围环境的光，由于液 晶显示器显示图案或字符只需很小能量，因此使LCD成为较佳的显示方式。液晶显示 所用的液晶材料是一种兼有液态和固体双重性质的有机物，它的棒状结构在液晶盒内排 列，但在电场作用下能改变其排列方向。
通常，液晶显示器装置具有上、下两基板20，彼此有一定间隔和互相正对。形成在 两个基板上的多个电极相互正对。液晶夹在上、下基饭之间。如图1所示，在两块偏光 片10之间夹有玻璃基板20、彩色滤光片40、电极30、液晶层和晶体管薄膜50，液晶 分子是具有折射率及介电常数各向异性的物质。因为液晶材料本身并不发光，所以设有 作为光源的灯管，而在液晶显示屏背面有一块背光板和反光膜，背光板是由荧光物质组 成的可以发射光线，其作用主要是提供均匀的背景光源。背光板发出的光线在穿过第一 层偏振过滤层之后进入包含成千上万水晶液滴的液晶层。液晶层中的水晶液滴都被包含 在细小的单元格结构中， 一个或多个单元格构成屏幕上的一个像素。在玻璃板与液晶材 料之间是透明的电极30，电极分为行和列，在行与列的交叉点上，通过改变电压而改 变液晶的旋光状态。
在产品实际制造过程中，断线不良占到了总体不良的很大比重。为了提高生产的量 率通常是对不良导线进行修复。在阵列工艺过程中，通过CVD修复的方式对断线进行修 补，而在成盒后的半成品则无法采用此方法。通常在成盒后发现断线不良都作为不良品 来处理，加重成本负担。而目前对成盒后的产品进行修复则采用了修复线工艺。对面板 信号扫描线进行补救，从而达到提高成品率的目的。通常采用的修复线结构如图2，图 3所示
目前的产品中采用的各种修复线结构，在面板内部走线存在着耦合电容，电阻大的 缺点，经常出现修复失败的现象。这是因为屏内部的液晶介电常数比较大，在如图4的 模型中电容电阻的计算值是C=W*l*￡/d; R=P*l/(W*h)。其中C表示寄生电容，R表 示导线电阻，W表示导线宽度，1表示导线长度，f表示填充于下金属层与上电极之间
的液晶节点常数，d表示下金属层与上电极之间的间距，p表示下金属层的电阻率，h
表示下金属层的厚度。因此时间常数简单近似表示为RC= *P/(d*h)。整条修
复线的RC近似计算中，同时记入全部相关的电阻电容即RC=2RiX2Ci。
由于显示区内存在大量的信号扫描线，并且和修复线直接存在大量的交叠点，在修 复过程中其它未经打点的信号扫描线和修复线交叠点，产生的耦合电容随着信号扫描线 的增加不断变大，并且修复线和对象液晶电极的耦合电容以及修复线本身的电阻存在， 从而影响了修复线的正常修复。尤其在修复过程中这些未经打点的信号扫描线和修复线 交叠点，产生的耦合电容对修复线的显示特性影响很大。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新的修复线结构，能有效减小整体耦合电容，提高修复 线的修复性能。
为达到上述目的，本发明提供了一种新的修复线结构，包括原有的修复线，另外还
包括间断式修复线和辅助修复线，所述修复线与所述信号扫描线不直接交叠。
所述间断式修复线部分交叠两根信号扫描线，或两根以上信号扫描线为单元展开。 所述间断式修复线和信号扫描线交叠两排。 所述间断式修复线和信号扫描线交叠两排以上。 所述辅助修复线部分通过和间断式修复线同层工艺，同层金属溅射制造。 所述辅助修复线部分采用和间断式修复线非同层工艺，非同层金属溅射制造。 修复线和信号扫描线同层工艺，同层金属溅射制造。 修复线和信号扫描线为非同层工艺，非同层金属溅射制造。
此外，本发明还提供了一种修复线结构的制造方法，包括下列步骤
(1) 在基板上溅射金属薄膜，掩模板通过曝光工艺和化学腐蚀工艺，在形成阵列
基板栅电极的同时，在基板像素区外形成间断式修复线和辅助修复线；
(2) 在基板上电极绝缘层薄膜；
(3) 在基板上淀积金属薄膜，掩模板通过曝光工艺和化学腐蚀工艺，在形成阵列
基板信号扫描电极的同时，在基板像素区外形成修复线。
修复点完全处于液晶内，避免了氧化腐蚀造成的连接不良，并且设有多种修复路 径，避免出现某处修复线断线造成无法修复的问题。
图1为传统有源矩阵液晶显示装置的阵列面板示意图。
图2为通常采用的修复线结构1示意图。
图3为通常采用的修复线结构2示意图。
图4为计算模型示意图。
图5为中间修复信号输入模型1示意图。
图6为两侧修复信号输入模型1示意图。
图7为中间修复信号输入模型2示意图。
图8为两侧修复信号输入模型2示意图。
具体实施例方式
实施例1
如图5，间断式修复线3，辅助修复线4为同层工艺，同层金属溅射制造；修复线， 信号扫描线为同层工艺，同层金属溅射制造；修复线L1， L2和间断式修复线3为非同 层工艺，非同层金属溅射制造。
修复一点时，修复信号可从14， 15之中任意一点输入，修复两点时，修复信号可 从14， 15两点输入。修复两点以上时，可以相应增加12， 13修复线以及修复信号输入 线的数量，而间断式修复线的数量可以是两排也可是多排。
当扫描信号线5修需要修复时，可以通过激光打点连接修复点2, 6方式，或是通
过激光打点下列点位1， 6方式；2， 7方式；1， 7方式；2， 17方式；也可通过激光
打点2， 16方式；1， 17方式；1， 16方式连接修复，并且修复点18， 19， 20， 21的存 在使以上修复方式更增加了一倍的路径。
再将本次修复不使用的修复线路径激光切除，可以进一步降低RC。修复点完全处于 液晶内，避免了氧化腐蚀造成的连接不良，并且多种修复路径，避免了出现某处修复线 断线造成无法修复的问题。
本发明的修复线的制造方法包括下列步骤(1) 在基板上溅射金属薄膜，掩模板通过曝光工艺和化学腐蚀工艺，在形成阵列 基板栅电极的同时，在基板像素区外形成间断式修复线3和辅助修复线4;
(2) 在基板上电极绝缘层薄膜；
(3) 在基板上淀积金属薄膜，掩模板通过曝光工艺和化学腐蚀工艺，在形成阵列 基板信号扫描电极的同时，在基板像素区外形成修复线。
实施例2
如图6，间断式修复线3，辅助修复线4为同层工艺，同层金属溅射制造；修复线L1， L2和扫描信号线5为同层工艺，同层金属溅射制造；修复线L1， L2，间断式修复线为 非同层工艺制，非同层金属溅射制造造。
修复一点时，修复信号可从8， 9， 10， ll之中任意一点输入；修复两点时，修复信 号可从8， 9， 10， ll之中任意两点输入；修复两点以上时，可以相应增加12, 13修复 线和修复信号输入线的数量，而间断式修复线的数量可以是两排也可是多排。
当扫描信号线5修需要修复时，可以通过激光打点连接修复点2， 6方式，也可通过 下列激光打点方式1， 6方式，2， 7方式，1， 7方式，2， 17方式；也可通过激光打 点2， 16方式，1， 17方式，1， 16方式连接修复。修复点完全处于液晶内，避免了氧 化腐蚀造成的连接不良，并且多种修复路径，避免了出现某处修复线断线造成无法修复 的问题。
修复线的制造方法如实施例1所述。 实施例3
如图7，间断式修复线3，辅助修复线4为非同层工艺制造，非同层金属溅射；修 复线L1， L2和信号扫描线5为非同层工艺，非同层金属溅射制造；修复线L1， L2，间 断式修复线为同层工艺，同层金属溅射制造。
修复一点时，修复信号可从14, 15之中任意一点输入；修复两点时，修复信号可 从14， 15两点输入；修复两点以上时，可以相应增加12， 13修复线以及修复信号输入 线的数量，而间断式修复线的数量可以是两排也可是多排。
当扫描信号线5修需要修复时，可以通过激光打点连接修复点2， 6方式，也可通 过l， 6方式，2， 7方式，1， 7方式，2， 17方式，2， 16方式，1， 17方式，也可通过 1， 16方式连接修复，并且修复点18， 19， 20， 21的存在使以上修复方式更增加了一倍的路径。再将本次修复不使用的修复线路径激光切除，可以进一步降低RC。
修复线的制造方法如实施例1所述。
实施例4
如图8，间断式修复线3，辅助修复线4为非同层工艺，非同层金属溅射制造；修 复线L1， L2和信号扫描线5为非同层工艺'非同层金属溅射制造；修复线L1， L2和间 断式修复线3为同层工艺，同层金属溅射制造。
修复一点时，修复信号可从8， 9， 10， ll之中任意一点输入；修复两点时，修复 信号可从8， 9， 10， ll之中任意两点输入；修复两点以上时，可以相应增加12， 13修 复线和修复信号输入线的数量，而间断式修复线的数量可以是两排也可是多排。
当扫描信号线5修需要修复时，可以通过激光打点连接修复点2， 6方式，也可通 过l， 6方式，2， 7方式，1， 7方式，2， 17方式，2， 16方式，1， 17方式，1, 16方 式连接修复。修复点完全处于液晶内，避免了氧化腐蚀造成的连接不良，并且多种修复 路径，避免了出现某处修复线断线造成无法修复的问题。 修复线的制造方法如实施例1所述。
权利要求
1.一种修复信号扫描线的修复线结构，包括原有的修复线，其特征在于，还包括间断式修复线和辅助修复线，所述修复线与所述信号扫描线不直接交叠。
2. 如权利要求1所述的修复线结构，其特征在于所述间断式修复线部分交叠两根信 号扫描线，或两根以上信号扫描线为单元展开。
3. 如权利要求1所述的修复线结构，其特征在于所述间断式修复线和信号扫描线交 叠两排。
4. 如权利要求3所述的修复线结构，其特征在于所述间断式修复线和信号扫描线交 叠两排以上。
5. 如权利要求l所述的修复线结构，其特征在于所述辅助修复线部分通过和间断式 修复线同层工艺，同层金属溅射制造。
6. 如权利要求1或5所述的修复线结构，其特征在于所述辅助修复线部分采用和间 断式修复线非同层工艺，非同层金属溅射制造。
7. 如权利要求l所述的修复线结构，其特征在于修复线和信号扫描线同层工艺，同 层金属溅射制造。
8. 如权利要求1所述的修复线结构，其特征在于修复线和信号扫描线为非同层工艺， 非同层金属溅射制造。
9. 如权利要求1所述的修复线结构的制造方法，其特征在于，包括下列步骤(1) 在基板上溅射金属薄膜，掩模板通过曝光工艺和化学腐蚀工艺，在形成阵列 基板栅电极的同时，在基板像素区外形成间断式修复线和辅助修复线；(2) 在基板上电极绝缘层薄膜;、(3) 在基板上淀积金属薄膜，掩模板通过曝光工艺和化学腐蚀工艺，在形成阵列 基板信号扫描电极的同时，在基板像素区外形成修复线。
全文摘要
本发明提供了一种新的修复线结构，包括原有的修复线，另外还包括间断式修复线和辅助修复线，修复线与信号扫描线不直接交叠。间断式修复线部分交叠两根信号扫描线，或两根以上信号扫描线为单元展开。间断式修复线和信号扫描线交叠两排或两排以上。修复线结构的制造方法是在基板上溅射金属薄膜，掩模板通过曝光工艺和化学腐蚀工艺，在基板像素区外形成间断式修复线和辅助修复线；在基板上电极绝缘层薄膜；在基板上淀积金属薄膜，掩模板通过曝光工艺和化学腐蚀工艺，在形成阵列基板信号扫描电极的同时，在基板像素区外形成修复线。修复点完全处于液晶内，避免了氧化腐蚀造成的连接不良，并且设有多种修复路径，避免出现某处修复线断线造成无法修复的问题。修复点完全处于液晶内，避免了氧化腐蚀造成的连接不良，并且设有多种修复路径，避免出现某处修复线断线造成无法修复的问题。
文档编号G02F1/13GK101359104SQ20071004447
公开日2009年2月4日 申请日期2007年8月1日 优先权日2007年8月1日
发明者李小和 申请人:上海广电Nec液晶显示器有限公司