光掩膜及光掩膜的制造方法,以及图案转印方法

专利名称：光掩膜及光掩膜的制造方法,以及图案转印方法
技术领域：
本发明涉及一种使用掩膜在被转印体上的光敏抗蚀剂上形成转印图案的 图案转印方法、及使用于该图案转印方法的光掩膜以及其制造方法。
背景技术：
现在，在液晶显示装置(Liquid Crystal Display:下面称为LCD)的领域 中，薄膜晶体管液晶显示装置(TTiin Film Transistor Liquid Crystal Display:下 面称为TFT—LCD)，与CRT (阴极线管)相比，因易作成薄型、功耗低的优 点，现在正ffiil繊商品化。TTT—LCD具有，在液晶相的介入下、重合在 排列戯巨阵状的各象素中排列TFT的结构的TFT繊、和对应于各象素排列 红色、绿色及蓝色的象素图案的滤色镜的示意结构。在TFT—LCD中，帝i腊 工序多，即便仅TFT繊也4顿5 6个光掩膜来制造。这种情况下，在特开 2005—37933号公报(专利文献l)中，提议通过4柳具有遮光部、透光部和 半透光部的多灰度光掩膜(下面称为灰度掩膜)，减少利用于TFT基板制造的 掩膜个数。这里，所谓的半透光部，指在^ffl掩膜将图案转印至被转印体上时， 使透过的曝光光的敏量减少给定量，控制被转印体上的光敏抗蚀齐鵬显影后 的残留膜量的部分。
作为灰度掩膜，具有透光部，露出透明基板；遮光部，在透明基板上 形成遮光曝光光的遮光膜；禾口，半透光部，在透明基板上形成遮光膜或半透光 膜，在透明鎌的光m率为100%时，由其M^、舰光量，舰给定量的光。 作为这种灰度掩膜，在遮光膜或半透光膜上形成在曝光条件下低于分辨极限的 细微图案、或形成具有给定的光透过率的半透光膜作为半透光部之掩膜。
另外，可知因为在使用于半导体装置制造的光掩膜中，存在如下问题 即，在该遮光图案中产生静电，在电气独立的各图案间产生电位差，由产生放 电导致静电破坏，因此以特开2003 —248294号公报(专利文献2)记载的发 明的方式用假图案电连接该独立图案。所述使用于LCD制造用等的光掩膜通常在作为绝缘体的透明玻璃, 上，形成由铬等金属构成的遮光，IS/或半遮光膜，对其分别实施给定的布图 来制造。由于该 制^1^呈中的清洗、掩膜^ffi过程中的清洗、或者m^过 程中的处M摩擦，因此掩膜带电。该带电产生的静电电位，有时为几十KV 或其以上，这在掩膜的互相电气孤立的图案间放电时，产生静电破坏，破坏图 案。如果将被破坏的图案转印到被转印体上(LCD面板等)的话，则会成为 产品不好。
可是，为了在被转印体上形成膜厚分阶段不同的抗蚀剂图案，如所述己
知对图案上的特定部位有选择地降低曝光光的M:率、可控制曝光光的透过的
光掩膜，即M掩膜，作为这样的灰度掩膜，已知在遂il曝光光的一部分的半 透光部使用半透光膜的掩膜。 '
图7 (a)是表示4OT对曝光光具有给定光M率的半透光膜作为半透光 部的减掩膜的截面图。艮P，图7 (a)所示的總掩膜，在透明繊24上具 有遮光部21，在该總掩駒柳时遮光曝光光(淑率大约为0%);透光 部22，使透明繊24表面露出的曝光光舰；禾口，半透光部23，在透光部的 曝光光TO率为100%时，使M率降低至10 80%左右。如图7 (a)所示的 遮光部21，是由形成于透明基板24上的遮光膜25构成的，另外，半透光部 23，是由形成于透明鎌24上的光半敏性的半透光膜26构成的。另外，图 7 (a)的遮光部2K透光部22及半透光部23的图案形状表示了一个例子。
可是，作为构J^M舰光部21的遮光膜25的材质，例如使用Cr或以 Cr为主要成分的化合物。这样形成图案的光掩膜，由于清洗、其它的使用时 的处理等，在电气孤立的各图案中易积存电荷。另外，^t掩膜的情况具有液 晶面板制造成本变为非常有利的优点。再有，在希望得到廉价的制造成本时， 4顿多倒角的大型掩膜制造的需要越发高涨。在这种灰度掩膜中，因为在多个 基板上形成电子独立的、较大面积的图案，所以易产生图案间的电位差，因此， 由于具有因大型化而电位差变大的倾向，所以图案膜的静电破坏严重。并且， 在TFT制造用的灰度掩膜的情况下，具有对应于沟道部图案等图案的细微化， 易产生静电破坏的情形。例如，如图7 (b)中的箭头D所示，由于相邻的遮 光部21间的电位差引起的放电，遮光膜25、半透光膜26的一部分因静电破 坏而消失。在这种灰度掩膜使用时的处理中，未预期产生的图案的静电破坏是导致 使用该掩膜形成的被转印体的成品率下降、液晶显示装置等最终产品的动作不 良的重大问题。
因此，抑制灰度掩膜使用时的处理中引起的图案的静电破坏的产生是极 重要的课题。
根据由假图案连接电子独立的图案的专利文献2的方法，由于形成连接的 结果形成的、同样电子独立的大面积图案，所以存在在该图案与电位不同的其 它图案或导电体部件之间产生放电时，破坏导致的损坏反而增大的危险。

发明内容
本发明鉴于所述以往的问题，其目的在于第一，提供一种灰度掩膜等 的光掩膜，可抑制掩膜〗顿时处理中弓胞的图案的静电破坏的产生，即便万一 引起静电破坏，也不影响使用于设备形成的掩膜图案；第二， Jlf共一种图案转 印方法，使用这种光掩膜，可在被转印体上形成无图案缺陷的、高精度的转印 图案。
为了解决所述课题，本发明具有以下结构。 (结构1 )在透明基板上具有用于在被转印体上形成期望的转印图案的掩 膜图案的光掩膜中，其特征在于具有从电气 瓜立的多个掩膜图案分别引出的 导电性图案，该导电性图案具有互不接触、且较之所述多个掩膜图案间更互相 邻近的部分。
(结构2)根据结构1所述的光掩膜，其特征在于所述掩膜图案具有遮 光部、透光部、和将用于掩膜4柳时的曝光光的淑量减少给定量的半透光部， 在4顿掩膜向被转印体照射曝光光时，根据部位不同有选择地减少对被转印体 的曝光光的照射量，在被转印体上的光敏抗蚀剂膜上，形成包含残留膜值不同 的部分的期望转印图案，所 光部至少由遮光膜形成，所述半透光部由至少 M曝光光的一部分的半透光膜而形成。
(结构3)根据结构2所述的光掩膜，其特征在于所述掩膜图案的遮光 部，在透明基板上依次具有半透光腿遮光膜。
(结构4)根据结构2所述的光掩膜，其特征在于所述掩膜图案的遮光 部，在透明基板上依次具有遮光膜及半透光膜。.(结构5)根据结构2所述的光掩膜，其特征在于所述导电性图案由与 形成所述半透光部的半透光膜相同的材料而构成。
(结构6)根据结构2所述的光掩膜，其特征在于所述导电性图案是由 通过曝光不会转印到被转印体上的线幅形成的直线或曲线状的线图案。
(结构7)根据结构2所述的光掩膜，其特征在于所述导电性图案是半 透光性或透光性的图案。
(结构8)根据结构2所述的光掩膜，其特征在于从电气 瓜立的任意一 对掩膜图案，分别引出多个所述导电性图案。
(结构9) 一种具有如下工序的光掩膜的制造方法，该光掩膜具有用于 在被转印体上形成期望的转印图案的掩膜图案，该工序在透明基板上使用形成
了半透光膜和遮光膜的掩膜版，利用光刻法在戶脱半透光膜和戶; M光膜上分
别进行期望的布图，形成由遮光部、透光部和将用于掩膜使用时的曝光光的透
过量减少给定量的半透光部构成的所述掩膜图案；在所述布图时，形成从电气
孤立的多个掩膜图案分别引出的导电性图案，该导电性图案具有互不接触、且 较之所述多个掩膜图案间更互相邻近的部分。
(结构IO)根据结构9所述的光掩膜的制造方法，其特征在于所述导
电性图案由与形成所述半透光部的半透光膜相同的材料而构成。
(结构11)根据结构10戶脱的光撤莫的制造方法，其特征在于{柳在
透明S^反上依次形成有半透光膜、遮光膜的掩M^。
(结构12) —种光掩膜的制造方法，该光掩膜具有用于在被转印体上形
成期望的转印图案的掩膜图案，该光掩膜的制造方法具有形成由遮光部、透光 部和将用于掩膜使用时的曝光光的透过量减少给定量的半透光部构成的所述 掩膜图案的工序，还包含在透明基板上使用形成所述遮光膜的掩膜版进行布 图，形成透光部和遮光部的遮光膜图案，在包含该遮光膜图案的旨面上形成 半透光膜，对该半透光膜和该遮光膜实施布图，形成透明基板露出的透光部的 工序，所述半透光部包含从电气孤立的多个掩膜图案分别弓I出的导电性图案， 该导电性图案具有互不接触、且较之所述多个掩膜图案间更互相邻近的部分。
(结构13) —种光掩膜的制造方法，该光掩膜具有用于在被转印体上形
成期望的转印图案的掩膜图案，该光掩膜的制造方法具有形成由遮光部、透光 部和将用于掩膜使用时的曝光光的透过量减少给定量的半透光部构成的所述
8掩膜图案的工序，还包含在透明 上，使用形成所M光膜的掩，IlKa行布 图，形成遮光部的遮光膜图案，在包含该遮光膜图案上的旨面上形成半透光 膜，在该半透光膜上进行布图，形成透明繊露出的透光部的工序，所述半透 光部包含从电气孤立的多个掩膜图案分别引出的导电性图案，该导电性图案具 有互不接触、且较之所述多个掩膜图案间更互相邻近的部分。
(结构14)根据结构10所述的光掩膜的制造方法，其特征在于从电气 子te的任意一对掩膜图案，分别引出多个所述导电性图案。
(结构15) —种图案转印方法，其特征在于使用基于结构1至8中的 任一项所述的光掩膜或结构9至13中的任一项所述的制造方法制造的光掩膜, 向被转印体照射曝光光，在被转印体上形成期望的转印图案。
本发明的光掩膜是在透明基板上具有用于在被转印体上形成期望的转印 图案的掩膜图案的光掩膜，具有从电气 瓜立的多个掩膜图案分别引出的导电性 图案，该导电性图案具有互不接触、且较之所述多个掩膜图案间更互相邻近的 部分。
作为所述光掩膜，例如是在透明基板上具有由遮光部和透光部构成的掩 膜图案的双掩膜。并且，作为另外的所述光掩膜，例如是多灰度(灰度)掩膜， 该掩膜在透明基板上具有由遮光部、透光部和将用于撤莫使用时的曝光光的透 过量减少给定量的半透光部构成的掩膜图案，在4顿掩膜向被转印体照射曝光 光时，根据部位不同有选择地M^对被转印体的曝光光的照射量，在被转印体 上的光敏抗蚀齐l让，形成包含残留膜值不同的部分的期望转印图案。
在该光掩膜中，由于通过具有所述导电性图案，在多个电气孤立的掩膜 图案间互相产生电位差时，该导电性图案在电位差小的阶段进行放电，难以在 各掩膜图案中积蓄达到破坏掩膜图案的大电荷，所以可抑制产生用于设备形成 的掩膜图案的静电破坏。并且，掩膜图案的任何一个，在其它部件和其它图案 之间产生电位差、弓胞放电时，放电的电荷量也不会过大，进行冲击小的放电。 即，不使电子独立的图案的面积过大，即，不使积蓄的电荷过大，在该导电性 图案的部位中可优先地产生放电。
并且，在该光掩膜中，通过具有所述导电性图案，即便假设因放电而静 电破坏图案，也由于该破坏在具有邻近且不接触的部分的导电性图案的部分产 生，所以不影响用于设备形成的掩膜图案的部分。即，通过具备从电气孤立的多个掩膜图案分别引出、并且具有邻近且不接触的部分的导电性图案，可在远 离使用于设备形成的重要图案的部位放电，即便假设产生因这种放电而破坏图 案，也由于该图案是导电性图案的一部分，与使用于设备形成的掩膜图案无关， 所以不会X刊顿本发明的光掩膜所制造的产品产生放电破坏的坏影响。另外， 希望该导电性图案在电气孤立的图案间设置多个，以在产生静电破坏时，在破 坏该导电性图案之后也能使用的掩膜。
并且，不仅在掩膜使用时，在掩膜制作工序中也发挥基于该导电性图案 的、掩膜图案的静电破坏防止效果。例如M在透明基板上的整个面上使用形 成半透光膜和遮光膜的光掩膜版，在各个膜上进行布图，形成光掩膜，在该半 透光膜布图时，形成本发明的导电性图案，除抑制所述掩膜{顿时的处理中引 起的图案的静电破坏之外，还可有效地抑制在掩膜制作阶段弓l起的图案的静电 破坏。
并且，所述导电性图案，除使用光掩膜的遮光膜之外，也可由透明膜、 淑寸曝光光具有半透迚性的半透光膜形成，由此，例如即便可将线幅增大到某 种程度，也难以向被转印体转印。并且，即便万一将所述导电性图案转印到被 转印体上，由于互不接触，所以也不对制造的设备电路产生坏影响。
并且，例如灰度掩膜的情况，通过在半透光部中由具有导电性的半透光 膜形成，禾,将半透光膜进行布图的工序，可在同一工序中制作由所述半透光 膜形成的导电性图案。
并且，M^顿这种本发明的光掩膜向被转印体进行图案转印，可在被转 印体上形成无图案缺陷的、高精度的转印图案。


图l是用于说明使用本发明相关的灰度掩膜的图案转印方法的截面图。
图2是作为本发明的一个实施方式的皿掩膜的平面图。 图3是作为本发明的一个实施方式的M掩膜的平面图。 图4是表示将本发明适用于灰度掩膜的(A)实施方式l 、 (B)实施方 式2和(C)实施方式3的截面图。
图5是表示本发明的实施方式1的灰度掩膜的制itX序的截面图。 图6是表示将本发明适用于双掩膜的实施方式4的截面图。图7是用于说明以往的 掩膜中的课题的掩膜截面图。
具体实施例方式
下面，根据

实施本发明的最佳实施方式。
图1是用于说明使用作为本发明的一个实施方式的灰度掩膜的图案转印
方法的截面图。图1所示的M掩膜20,用于在被转印体30上，形成膜厚阶 段性不同的抗蚀齐鹏案33。另外，在图1中，符号32A、 32B表示在被转印 体30中叠层在基禾反31上的膜。
图1所示的灰度掩膜20，在透明對反24上具有掩膜图案，该掩膜图案是 由在该灰度掩膜20使用时遮光曝光光( 率大约为0%)的遮光部21、使 透明基板24的表面露出的曝光光透过的透光部22、和在透光部的曝光光皿 率为100%时使皿率降低至10 80%左右的半透光部23构成的。曝光光透 过率如果是20 60%，则更优选在被转印体上的抗蚀剂图案形成割牛中产生 自由度。图1所示的半透光部23是由形成于透明基板24上的光半邀i性的半 透光膜26构成的，遮光部21按半透光膜、遮光膜的顺序形成所述半透光膜 26和遮光膜25而构成。
在j顿所述的灰度掩膜20时，由于在遮光部21实质上不透过曝光光、 在半透光部23减少曝光光，所以涂抹在被转印体30上的抗蚀剂膜(阳极型光 敏抗蚀齐鵬)在转印后、经显影时，可形itt对应于遮光膜21的部分膜厚变 厚、在对应于半透光部23的部分膜厚变薄、在对应于透光部22的部分没有膜 (实质上不产生残留膜)的、膜厚阶段性不同(即有级差)的抗蚀剂图案33。
而且，在图1所示的抗蚀剂图案33的没有膜部分，X寸被转印体30中的 例如膜32A及32B实施第1蚀刻，通过老化等去除抗蚀剂图案33的膜厚薄的 部分，在该部分对被转印体30中的例如膜32B实施第2蚀刻。这样，M31使 用1个灰度掩膜20，在被转印体30上形鹏厚阶段性不同的抗蚀剂图案33， 实施以往2个光掩膜量的工序，减少掩膜个数。
图2是作为本发明的一个实施方式的 掩膜的平面图。10a、 10b、 10c 分别是用于制造独立的显示装置的掩膜图案，这里，模式地表示在1个透明基 板24上具有3面的3倒角的光掩膜。
在10a 10c的各掩膜图案中，例如包含多个TTFT制造用的图案，这些各自具有遮光部、透光部、半透光部。例如，在透明S^及24上形成该灰度掩膜
iOT时遮光曝光光(皿率大致为0%)的遮光部、透光部的曝光光M;率为
100%时将舰率降低至10 80%最好为20 60%左右的半透光部。而且，具 有从电气 瓜立的各掩膜图案10a、 10b、 10c分别引出的导电性图案lla和llb、 llc和lld、 12a和12b、 12c和12d。该导电性图案具有互不接触、且较之所 述各掩膜图案间更互相邻近的部分。
在该灰度掩膜中，通过具有所述导电性图案，由于在多个电气孤立的掩 膜图案间互相产生电位差时，在电位差小的阶段进行放电，难以在各掩膜图案 中积蓄达到破坏掩膜图案的大电荷，所以可抑制产生i顿于设备形成的掩膜图 案的静电破坏。另外，掩膜图案之一在与其它部件或其它图案之间产生电位差， 引起放电时，放电的电荷量也不会过大，能进行冲击小的放电。
例如，由于液晶基板的大型化，因此各液晶面板制造用的掩膜图案也大 型化了。这种大型、且电气独立的图案，易存积非常大的电荷，当这些电荷位 于较邻近的位置时，易产生放电弓胞的静电破坏。
另外，以往在掩膜图案中，使用掩膜在被转印体上形成图案，在最终得 到的液晶面板等的电子设备的图案中，在易产生静电破坏的位置上，预先形成 以防止图案破坏为目的的图案(下面称为ESD图案)。其主要是将彼此电气孤 立的图案配置在较邻近的位置上，索性促使其放电，防止积蓄大的电荷的形状。 这种图案即便在光掩膜中也易放电，在光掩膜中该图案造成静电破坏，并且该 坏影响波及用于设备形成的重要的掩膜图案。因此，即{ 寸该ESD图案也在 上配置所述导电性图案是很有用的。
艮P，在本发明的光掩膜中，通过具备所述导电性图案，即便假设因放电 静电破坏了图案，也由于该破坏在具有邻近且不接触的部分的导电性图案的部 分产生，所以不影响4細于设备形成的掩膜图案的部分。即，iM具备从电气 te的多个掩膜图案分别弓I出、并且具有邻近且不接触的部分的导电性图案， 可在远离使用于设备形成的重要图案的部位放电，由于即便假设产生因这种放 电破坏了图案，该图案也是导电性图案的部分，与1顿于设备形成的掩膜图案 无关，所以不对使用本发明的光掩膜制造的产品产生放电破坏的坏影响。
并且，电气孤立的图案彼此具有角部，该角部位于该图案彼此最邻近位 置时，易产生静电破坏。因此，即便对这些图案彼此也适用本发明的导电性图案是很有用的。并且，在该导电性图案的前端设置角部也有效。
从各掩膜图案10a、 10b、 10c分别引出的所述导电性图案lla和llb、 llc 和lld、 12a和12b、 12c和12d各自具有互不接触、且较之所述各掩膜图案间 更互相邻近的部分，该邻近部分的间隔(间隙) 例如2 5,左右，更优 选3 4)jm左右。
所述导电性图案11a lld、 12a 12d，例如可由导电性高的材料的细线 图案来形成，但未转印至IJ被转印体上，即，作为被转印体上的抗蚀剂图案，优 选显影后实质上不出现的图案线幅。在本发明的导电性图案由遮光膜构成时， 优选在曝光剝牛下为分辨极限以下(例如l拜以下)的线幅。本发明的导电 性图案在对曝光光为半透光性乃至透光性时，难以转印到被转印体上，未必在 曝光剝牛下为分辨极限以下(例如lpm以下禾號)的线幅。
1, 5, 左右。并且，可知如果题光倒莫，贝IJ线幅也可更大。但是，即便万一将所述 导电性图案转印到被转印体上，也因为互不接触，而不对制造的设备电路产生 坏影响。
并且，通过半透光膜形成本发明的导电性图案如后所述，具有制造上的 优点。
可是，形成于^IW图案间的所述导电性图案例如对皿膜图案也可是1 处，如图2所示，通过在多处形成导电性图案，即,生多次放电，也可取得 本发明的效果。
另外，图3是作为本发明的一个实施方式的灰度掩膜的平面图，从 膜图案10a、 10b、 10c分别引出的导电性图案lla和llb、 llc和lld、 12a和 12b、 12c和12d舰分别上下错位成互不接触的禾號，形成较之所述^f膜 图案间更互相邻近的部分。
另外，在所述图2及图3中，表示从各掩膜图案引出的导电性图案为直 线状的线图案的情况，但不限于此，例如也可为曲线状的线图案、或在该线图 案的一部分中包含点状的图案。换言之，在所述导电性图案中，所述互不接触 的邻近部分也可存在多个。
图4的(A)、 (B)、 (C)无论哪个都是表示将本发明适用于灰度掩膜时 的实施方式的截面图。
图4 (A)所示的实施方式l，利用半透光膜形成在各掩膜图案间形成的
13所述导电性图案。该灰度掩膜，在透明 24上形成掩膜图案，该掩膜图案 的构成为遮光部21，在该灰度掩膜使用时遮光曝光光(皿率大约为0%);
透光部22，使透明 24的表面露出的曝光光皿；禾口，半透光部23，设透 光部的曝光光M率为100%时，使ita率降低至10 80%。半透光部23是 由形成于透明基板24上的光半透过性的、具有导电性的半透光膜26构成的， 遮光部21是按半透光膜、遮光膜的顺序形成所述半透光膜26和遮光膜25而 构成的。而且，图4 (A)中所示的导电性图案ll (对应于图2所示的细线状 的导电性图案11a lld)，是由构成所述半透光部23的半透光膜26构成的。 在本实施方式中，通过由具有与半透光部23相同的导电性的半透光膜26形成 所述导电性图案11，可利用制作半透光部的工序，同时制作由所述半透光膜 26形成的导电性图案11 。该导电性图案11的线幅为不将该图案转印到被转印 体上的離。
图5是表示本发明的所述实施方式1的灰度掩膜的制造工序的截面图。
本实施方式中使用的掩膜版按半透光膜、遮光膜的顺序在透明基板24上 形成例如包含具有导电性的钼硅化物的半透光膜26、和例如以铬为主要成分 的遮光膜25，在其上涂抹抗蚀剂形成抗蚀剂膜27 (参照图5 (a))。
作为遮光膜25的材质，除所述以Cr为主要成分的材料外，还举出Si、 W、 Al等。在本实施方式中，遮光部的M:率，根据所 光膜25和半透光 膜26的膜材质和膜厚的选定来设定。
另外，半透光膜26相对于透明S^及24的曝光光淑量，具有10 80%、 优选20 60%左右的透过量。作为所述半透光膜26，在本实施方式的情况下， 举出具有导电性的Mo化合物、Cr、 W、 Al等。其中，作为Mo化合物，除 MoS^之外，还包含MoSi的氮化物、氧化物、氮氧化物、碳化物等。其它优 选的材料包含Cr的氧化物、氮化物、氮氧化物、碳化物等。在确定这些化合 物的组成时，通过调整金属含量，可形成具有能防止静电破坏的导电性的化合 物。并且，形成的掩膜上的半透光部的M率，根据所述半透光膜26的膜材 质和膜厚的选定来设定。
在本实施方式中，分别采用基于溅射成膜的、包含钼硅化物的半透光膜 (曝光光透过率50%)及以铬为主要成分的遮光膜。
使用该图5 (a)所示的掩膜版，制作由遮光部21、透光部22和半透光部23构成的掩膜图案、及形成于各掩膜图案间的导电性图案11。
首先，对所述掩膜版的抗蚀齐鵬27，描绘给定的设备图案(顿应于遮
光部、半透光部以及导电性图案ll的区域形成抗蚀剂图案的图案)。描绘时， 通常多使用电子射线或光(短波光)，但在本实施方式中使用激光。因此，作 为所鄉蚀剂，j柳阳极型光敏抗蚀剂。而且，通过在描绘后进行显影，形成
对应于遮光部、半透光部以及导电性图案的区域的抗蚀剂图案27 (参照图5 (b))。
接着，以所鄉蚀剂图案27作为蚀刻掩膜，蚀刻遮光膜25，形成遮光膜 图案，接着，以该遮光膜图案作为蚀刻掩膜，蚀刻下层的半透光膜26，使透 光部区域的透明基板24露出，形成透光部。作为蚀刻方法，干蚀刻或湿蚀刻 明卜个都可以，但在本实施方式中利用了湿蚀刻。去除残留的抗蚀剂图案(参 照图5 (c))。
接着，在整个基板面上形成与所述相同的抗蚀剂膜，进行第2次描绘。 通过第2次描绘，描绘给定的图案，以在遮光部及透光部上形成抗蚀剂图案的 方式进行给定图案的描绘。描绘后，fflM行显影，在对应于遮光部及透光部 的区域上形成抗蚀剂图案28 (参照图5 (d))。
接着，以所述抗蚀剂图案28作为蚀刻掩膜，蚀亥螺出的半透光部及导电 性图案区域上的遮光膜25，形成半透光部23及导电性图案1K参照图5(e))。 作为这时的蚀刻方法，在本实施方式中禾佣湿蚀刻。而且，去除残留的抗蚀剂 图案，在透明鎌24上形成總繊，该减掩膜具有遮光部21，由半透 光膜26和遮光膜25的顺序的叠层膜构成；透光部22,露出透明SI反24;半 透光部23，由半透光膜26构成；以及，导电性图案ll，同样由半透光膜26 构成。(参照图5 (f))。
本实施方式的所述灰度^3莫，M;具备从，膜图案弓I出的导电性图案，
即具有互不接触、且较之所述，膜图案间更互相邻近的部分的导电性图案， 在多个电气孤立的掩膜图案间互相产生电位差时，在电位差小的阶段进行放 电，由于难以在各掩膜图案中积蓄达到破坏掩膜图案的大电荷，所以可抑制使 用于设备形成的掩膜图案的静电破坏的发生。而且，即便万一产生静电破坏， 也限于导电性图案的部分，可不影响使用于设备形成的掩膜图案。因此，M ^ffl这种本实施方式的灰度掩膜，如图1所示进行向被转印体31的图案转印，可在被转印体上形成无图案缺陷的、高精度的转印图案(抗蚀剂图案33)。
并且，根据本实施方式，使用于掩膜制作的掩膜版，由于在透明基板24 上具有所述导电性的半透光膜26，所以可有效地抑制在掩膜制作工序中产生 的图案的静电破坏的发生。
另外，遮光部21、透光部22、半透光部23及导电性图案U的图案形状 不过是代表性的一个实例，自然没有将本发明限定于此的意思。
并且，图4 (B)所示的实施方式2，由透明导电膜29形成在，膜图案 间形成的所述导电性图案ll。即，该灰度掩膜，在透明基板24上，形成由遮 光部21、透光部22和半透光部23构成的掩膜图案，图4 (B)中所示的导电 性图案11 (对应于图2所示的导电性图案11a lld)，通过布图在所M明基 板24和半透光膜26之间形成的透明导电膜29来形成。
所M明导电膜29，具有取得本发明的效果的导电性，如果是曝光光的 M率高的材料，则不特别限制材质。
从这种观点出发，所腿明导电膜29，雌由包含例如从锑(Sb)、锡(Sn)、 铟(In)中选择的至少一个元素的化合物来形成。这种化合物具有适于本发明 的导电性，并且通雌择适当的膜厚，得到80%以上的高曝光 )1率，并 且具有对掩膜制作时的蚀刻、清洗等的良好耐性。具体地说， 举出氧化锑 锡等。
本实施方式的所述灰度掩膜，皿具备从各掩膜图案引出、具有互不接 触且较之所述皿膜图案间更互相邻近的部分的导电性图案，在多个电气孤立 的掩膜图案间互相产生电位差时，在电位差小的阶段进行放电，由于难以在各 掩膜图案中积蓄达到破坏掩膜图案的大电荷，所以可抑制使用于设备形成的掩 膜图案的静电破坏的发生，并且，即便万一产生静电破坏，也限于导电性图案 的部分，可不影响j顿于设备形成的掩膜图案。
并且，图4 (C)所示的实施方式3，由Cr等遮光膜形成在^t膜图案间 形成的所述导电性图案。艮P，该灰度掩膜，在透明基板24上，形成由遮光部 21、透光部22和半透光部23构成的掩膜图案，半透光部23由形成于透明基 板24上的半透光膜26构成，遮光部21是按遮光膜、半透光膜的顺序形成遮 光膜25和所述半透光膜26而构成的。而且，图4 (C)中所示的导电性图案 11 (对应于图2所示的导电性图案11a lld)，由构成所 光部21的遮光膜25而构成。
本实施方式的灰度掩膜，通过具备从各掩膜图案引出、具有互不接触且 较之所述 膜图案间更互相邻近的部分的导电性图案，在多个电气孤立的掩 膜图案间互相产生电位差时，在电位差小的阶段进行放电，由于难以在辆膜 图案中积蓄达到破坏掩膜图案的大电荷，所以可抑帝贩用于设备形成的掩膜图 案的静电破坏的发生，并且，即便万一产生静电破坏，也限于导电性图案的部 分，可不影响使用于设备形成的掩膜图案。
并且，在本实施方式中，通过与遮光部21相同、由Cr等具有导电性的 遮光膜25构成所述导电性图案11，可禾拥例如使用最初在透明基板24上形 成遮光膜25的掩膜版制作遮光部的工序，制作由所M光膜25形成的导电性 图案ll。
并且，这时，半透光膜26的原料 导电性。因为更 叠层的齡图 案(上下方向)为等电位。
另外，在图4 (C)中，在遮光膜25上叠层半透光膜26来形成遮光部，
但叠层也可相反。
并且，图6是表示将本发明适用于双掩膜时的实施方式的截面图。图6 所示的实施方式4的双掩膜，在透明基板24上，形成由遮光部21和透光部 22构成的掩膜图案，遮光部21由例如以Cr等作为主要成分的遮光膜25来构 成。而且，图6中所示的导电性图案11，通过布图形成于所腿明^t及24和 遮光膜25之间的透明导电膜29来形成。这里，作为导电性，指例如电阻值不 足3兆Q。
所iM明导电膜29，与所述实施方式2的情况(参照图4 (B))相同， 具有取得本发明的效果的导电性，如果是曝光光M率高的材料，则不特别限 制材质。作为具体的材质，与实施方式2中举出的相同。透明导电膜29也可 是导电性的半透光'M，只要曝光^M:率高于遮光膜25的膜即可。这种双 掩膜可通过与一般的多灰度掩膜(皿掩膜)同样的工艺来制作。
即便在这种本实施方式的双掩膜中，也通过具备从各掩膜图案引出、具 有互不接触且较之所述各掩膜图案间更互相邻近的部分的导电性图案，在多个 电气孤立的掩膜图案间互相产生电位差时，在电位差小的阶段进行放电，由于 难以在各掩膜图案中积蓄达到破坏掩膜图案的大电荷，所以可抑制使用于设备形成的掩膜图案的静电破坏的发生，而且，即便万一产生静电破坏，也限于导 电性图案的部分，可不影响使用于设备形成的 图案。
以上，参照

了本发明的实施方式，但本发明的技术范围不被所述 的实施方式左右。显然在权利范围所述的技术思想范畴内，本领域技术人员可 想到各种变更例或修正例，可知这些实例当然也属于本发明的技术范围。
权利要求
1. 一种光掩膜，在透明基板上具有用于在被转印体上形成期望的转印图案的掩膜图案，其特征在于具有从电气孤立的多个掩膜图案分别引出的导电性图案，该导电性图案具有互不接触、且较之所述多个掩膜图案间更互相邻近的部分。
2. 根据权利要求1所述的光掩膜，其特征在于所述掩膜图案具有遮光部、透光部、和将用于掩膜使用时的曝光光透过 量减少给定量的半透光部，在使用掩膜向被转印体照射曝光光时，根据部位不 同有选择地M^对被转印体的曝光光的照射量，在被转印体上的光敏抗蚀剂膜 上，形成包含残留膜值不同的部分的期望转印图案，所M光部至少由遮光膜形成，所述半透光部由至少M曝光光的一部分的半透光膜形成。
3. 根据权利要求2所述的光掩膜，其特征在于 所述掩膜图案的遮光部在透明皿上依次具有半透光M^遮光膜。
4. 根据权禾腰求2所述的光掩膜，其特征在于 所述掩膜图案的遮光部在透明基板上依次具有遮光膜及半透光膜。
5. 根据权利要求2所述的光掩膜，其特征在于所述导电性图案由与形成所述半透光部的半透光膜相同的材料构成。
6. 根据权利要求2所述的光掩膜，其特征在于-所述导电性图案是由通过曝光不会转印到被转印体上的线幅形成的直线 或曲线状的线图案。
7. 根据权禾腰求2所述的光掩膜，其特征在于所述导电性图案是半透光性或透光性的图案。
8. 根据权利要求2所述的光繊，其特征在于 从电气孤立的任意一对掩膜图案，分别弓I出多个所述导电性图案。
9. 一种光掩膜的制造方法，该光掩膜具有用于在被转印体上形成期望的转印图案的掩膜图案，所述制造方法具有如下工序在透明基板上使用形成了半透光膜和遮光膜的掩膜版，利用光刻法在所 述半透光膜和所M光膜上分别进行期望的布图，形成由遮光部、透光部和将用于掩膜使用时的曝光光的透过量减少给定量的半透光部构成的所述掩膜图 案'-在所述布图时，形成从电气孤立的多个掩膜图案分别引出的导电性 图案，该导电性图案具有互不接触、且较之所述多个掩膜图案间更互相 邻近的部分。
10. 根据权利要求9所述的光掩膜的制造方法，其特征在于 所述导电性图案由与形成所述半透光部的半透光膜相同的材料构成。
11. 根据权利要求10所述的光掩膜的制造方法，其特征在于 使用在透明基板上依次形成有半透光膜、遮光膜的掩膜版。
12. —种光掩膜的制造方法，该光掩膜具有用于在被转印体上形成期望 的转印图案的掩膜图案，该光掩膜的制造方法具有形成由遮光部、透光部和将 用于掩膜使用时的曝光光的透过量减少给定量的半透光部构成的所述掩膜图 案的工序，还包含在透明基板上使用形成所 光膜的掩膜 行布图，形成透光 部和遮光部的遮光膜图案，在包含该遮光膜图案的M面上形成半透光膜，对 该半透光膜和该遮光膜实施布图，形成透明S^及露出的透光部的工序，所述半透光部包含从电气孤立的多个掩膜图案分别弓I出的导电性图案，该 导电性图案具有互不接触、且较之戶，多个掩膜图案间更互相邻近的部分。
13. —种光掩膜的制造方法，该光掩膜具有用于在被转印体上形成期望 的转印图案的掩膜图案，该光掩膜的诺隨方法具有形成由遮光部、透光部和将 用于掩膜使用时的曝光光的透过量减少给定量的半透光部构成的所述掩膜图 案的工序，还包含在透明基板上，使用形成所 光膜的掩膜版进行布图，形成遮 光部的遮光膜图案，在包含该遮光膜图案上的整个面上形成半透光膜，在该半 透光膜上进行布图，形成透明繊露出的透光部的工序，所述半透光部包含从电气孤立的多个掩膜图案分别引出的导电性图案，该 导电性图案具有互不接触、且较之所述多个掩膜图案间更互相邻近的部分。
14. 根据权利要求10所述的光掩膜的制造方法，其特征在于 从电气孤立的任意一对掩膜图案，分别引出多个所述导电性图案。
15. —种图案转印方法，其特征在于使用基于权利要求1至8中的任一项所述的光掩膜或权利要求9至13中 的任一项所述的制造方法制造的光掩膜，向被转印体照射曝光光，在被转印体 上形成期望的转印图案。
全文摘要
本发明提供一种光掩膜及光掩膜的制造方法、以及图案转印方法。本发明的课题在于提供一种灰度掩膜等的光掩膜，可抑制掩膜使用时的处理中引起的图案的静电破坏的发生，即便万一产生静电破坏，也不影响使用于设备形成的掩膜图案。本发明是在透明基板(24)上具有用于在被转印体上形成期望的转印图案的掩膜图案(例如灰度掩膜)的光掩膜，具有从电气孤立的多个掩膜图案(10a、10b、10c)中分别引出的导电性图案(11a和11b、11c和11d、12a和12b、12c和12d)。该导电性图案具有互不接触、且较之所述各掩膜图案间更互相邻近的部分，例如由半透光膜或透光膜形成。
文档编号G03F1/68GK101441408SQ200810173369
公开日2009年5月27日 申请日期2008年11月20日 优先权日2007年11月22日
发明者佐野道明 申请人:Hoya株式会社