专利名称：多畴垂直取向液晶显示面板的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种液晶显示面板，尤其涉及一种多畴垂直取向液晶显示面板。
背景技术：
液晶显示器(liquid crystal display, LCD)是目前最被广泛使用的一种平 面显示器，具有低功耗、外型薄、重量轻以及低驱动电压等特征。 一般而言，LCD 的显示区域包含多个子像素区域，每个子像素区域一般为两条栅极线(gate line, 又称扫描线)与两条数据线(data line)交叉所定义的矩形或者他形状区域， 其内设置有薄膜晶体管(TFT)以及像素电极，薄膜晶体管充当开关元件。通过在 像素中设置TFT形成有源矩阵液晶显示器，适合大画面、高分辨率、多灰度的液
晶显示元fK
薄膜晶体管液晶显示器(TFT LCD)都向着高对比、无灰阶反转、高亮度、高色
饱和度、快速反应以及广视角等方向发展。目前常见的广视角技术包括扭转向 列型液晶(TN)加上广视角膜(wide viewing film)、共平面切换式(In-Plate Switching, IPS)液晶显示器、边缘切换式(Fringe Field Switching, FFS)液晶 显示器与多畴垂直配向式(Multi-domain Veritcal Alignment, MVA)液晶显示器。 以多畴垂直配向式液晶显示面板为例，其可通过一些配向图案(alignment pattern),如配向凸出物(alignment protrusion)或狭缝(slit)，以使得每一像 素中的液晶分子呈多方面排列，进而得到数个不同的配向畴(domain)，因此多畴 垂直配向式液晶显示面板能够达成广视角的要求。然而，在不同视角观看同一图 像时，使用者所看到的图像色饱和度会有所不同，即所谓的色偏(color shift)。
为了改善前述的色偏问题，许多将单一像素区分为两种不同电压区域的概念 便相继被提出，此概念主要是在单一像素中使用两个彼此电性绝缘的像素电极， 并通过驱动使两个彼此电性绝缘的像素电极具有不同的电压。如电容耦合式 (Capacitance Co叩ling， C-C type),双晶体管双栅极线或双数据线(DoubleTransistor, T-T type)， 公共电极线调制式(Common voltage swinging, Com-swing)。然而，使用T-T式和Com-swing式技术需要额外的芯片(IC)和电 子元器件，增加成本。C-C式技术不需要增加额外的成本，使得单一像素具有两个 不同的电压，进行获得不同的配向畴。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是提供一种多畴垂直取向液晶显示面板，可 以通过电容耦合实现多畴显示。
本实用新型为解决上述技术问题而采用的技术方案是提供一种多畴垂直取向 液晶显示面板，包括
多条沿第一方向延伸的栅极扫描线；
多条沿第二方向延伸的数据线，栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域； 多条沿第一方向延伸的公共电极线；
设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极，所述像素电极包括彼此绝缘的第一 像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和第二像素电极分别和第一薄膜晶体管 和第二薄膜晶体管相连；
其中，所述第一像素电极通过第一像素电极连接线相连，所述第二像素电极通过 第二像素电极连接线相连，所述公共电极线和像素电极连接线多处相交叠。
上述的多畴垂直取向液晶显示面板，其中，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶 体管具有不同的沟道宽/长比值。
上述的多畴垂直取向液晶显示面板，其中，所述公共电极线呈H型。
上述的多畴垂直取向液晶显示面板，其中，所述液晶显示面板还包括和所述第 一像素电极相连的电容耦合线，所述电容耦合线位于所述第二像素电极的下方。
本实用新型对比现有技术有如下的有益效果本实用新型提供的多畴垂直取向液 晶显示面板，其中，公共电极线和第一像素电极连接线，第二像素电极连接线多处相 交叠，通过电容耦合实现多畴显示，有利于改善色偏，同时该像素结构设计可增加 储存电容值，有效提高像素开口率。
图1是本实用新型的薄膜晶体管阵列基板的俯视图。图2是沿图1 A-A，线的剖面图。 图3是图1的像素结构的等效电路图。
图中
100阵列基板
112公共电极线
210第一薄膜晶体管
214欧姆接触层
314第二像素电极连接线
324漏极
510像素电极
Clcl， Clc2液晶电容
110扫描线 114储存电容线 211第二薄膜晶体管 310数据线 316电容耦合线 410， 411接触孔 512第一像素电极 Cstl， Cst2储存电容
111栅极 120栅绝缘层 212半导体层 312第一像素电极连接线 322源极 420层间绝缘层 514第二像素电极 Cx耦合电容
具体实施方式
以下结合附图和实施例对本实用新型作进一步的描述。 图1是本实用新型的薄膜晶体管阵列基板的俯视图。
请参照图l，本实施例的薄膜晶体管阵列基板100上包括多条扫描线110，多条 数据线310，多个彼此独立的公共电极线112以及多个像素电极510。每一个像素与对 应的扫描线110及数据线310电性连接，而公共电极线112位于每一像素电极510的 下方。此外，每一像素包括多个薄膜晶体管210，多个像素电极510。每一个像素电极 510分别通过不同的薄膜晶体管元件与对应的扫描线110以及数据线310电性连接。
本实施例中，基板100可以是玻璃基板、塑料基板、或是其它硬质基板或软质基 板。 一般而言，扫描线110的延伸方向例如是与数据线310的延伸方向垂直。当然随 着像素的形状与排列方式不同，如条状排列、三角形排列、蜂巢状排列等。本实用新 型可采用不同形态的扫描线110与数据线310。其中，各个像素包括第一像素电极连 接线312，第二像素电极连接线314，电容耦合线316，其中电容耦合线316位于第二 像素电极514下方。第一像素电极连接线312通过接触孔410将多个第一像素电极512 电性连接；第二像素电极连接线314通过接触孔411将多个第二像素电极514电性连 接。其中，公共电极线112和第一像素电极连接线312多处相交叠，公共电极线112线314多处相交叠。此外，公共电极线112可以呈H型，沿着第 一像素电极连接线312和第二像素电极连接线314延伸，进一步增加其和像素电极连 接线交叠面积。
请继续参见图1，由于电容耦合线316与第一像素电极512电极连接，且电容耦 合线316的电压与第二像素电极514的电压不同，因此电容耦合线316可通过电容耦 合效应而影响第二像素电极514的电压。详细地，在第一薄膜晶体管T1与第二薄膜晶 体管T2开启的期间，第二像素电极514的电压仍会受到电容耦合线316的影响。
本实施例中，第一像素电极连接线314与公共电极112多处相交叠，形成MIM(金 属-绝缘层-金属)电容，作为储存电容Cstl的一部分，可有效地增加储存电容值；同 样地，第二像素电极连接线316与公共电极线112多处相交叠，亦形成MIM金属，作 为储存电容Cst2的一部分。同时，在保持一定的储存电容值的情况下，可适当减小公 共电极112的宽度，有效地提高像素开口率。
此外，本实施例将第一薄膜晶体管Tl与第二薄膜晶体管T2的沟道宽/长比值分 别设计为W1/L1以及W2/L2，并使第一薄膜晶体管Tl与第二薄膜晶体管T2的沟道宽/ 长比值有所差异(即令W1/L1-W2/L2)。在一较佳实施例中，为了使第一薄膜晶体管T1 与第二薄膜晶体管T2的沟道宽/长比值有足够的差异，通常会使第一薄膜晶体管Tl 与第二薄膜晶体管T2的沟道宽/长比值满足(Wl/Ll)/(W2/L2) 的条件。
图2是沿图1 A-A'线的剖面图。
请参照图2，本实施例的薄膜晶体管Tl包括栅极lll、半导体层212、源极322、 漏极324。为了降低源漏极与半导体层之间的电阻，欧姆接触层214置于两者之间。 栅绝缘层120与层间绝缘层420采用增强等离子化学气相沉积(PECVD)的方法，将绝缘 膜沉积于两层金属之间。栅极111与存储电容线114可由铝或铝合金之类的金属构成， 源极322、漏极324可由铝、铬等金属构成，像素电极510可由ITO (氧化铟锡)等透 明导电薄膜构成，置于层间绝缘层420之上。
图3是图1的像素结构的等效电路图。
请参照图3，本实施例的储存电容包括第一储存电容Cstl，和第二储存电容Cst2。 第一储存电容Cstl包括公共电极线112与第一像素电极512构成的储存电容以及公共 电极线112与第一像素电极连接线312构成的储存电容；第二储存电容Cst2包括公共 电极线112与第二像素电极514构成的储存电容以及公共电极线112与第二像素电极
6连接线314构成的储存电容。其中，第一像素电极512是通过接触孔410电性连接于 薄膜晶体管Tl的漏极，第二像素电极514是通过接触孔410电性连接于薄膜晶体管 T2的漏极。第一像素电极512与第二像素电极514分别与对侧的彩色滤光片(未示出) 形成液晶电容Clcl和Clc2。 Cx是由电容耦合线316与第二像素电极514构成，从而 影响第二像素电极514的电压。
虽然本实用新型已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本实用新型，任何 本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，当可作些许的修改和完善， 因此本实用新型的保护范围当以权利要求书所界定的为准。
权利要求1、一种多畴垂直取向液晶显示面板，包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线；多条沿第二方向延伸的数据线，栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域；多条沿第一方向延伸的公共电极线；设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极，所述像素电极包括彼此绝缘的第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和第二像素电极分别和第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管相连；其特征在于，所述第一像素电极通过第一像素电极连接线相连，所述第二像素电极通过第二像素电极连接线相连，所述公共电极线和像素电极连接线多处相交叠。
2、 如权利要求l所述的多畴垂直取向液晶显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管具有不同的沟道宽/长比值。
3、 如权利要求1所述的多畴垂直取向液晶显示面板，其特征在于，所述公共电 极线呈H型。
4、 如权利要求1至3任一项所述的多畴垂直取向液晶显示面板，其特征在于，所述液晶显示面板还包括和所述第一像素电极相连的电容耦合线，所述电容耦合线位 于所述第二像素电极的下方。
专利摘要本实用新型公开了一种多畴垂直取向液晶显示面板，包括多条沿第一方向延伸的栅极扫描线；多条沿第二方向延伸的数据线，栅极扫描线和数据线交叉形成像素区域；多条沿第一方向延伸的公共电极线；设置在像素区域内的薄膜晶体管和像素电极，所述像素电极包括彼此绝缘的第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和第二像素电极分别和第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管相连；其中，所述第一像素电极通过第一像素电极连接线相连，所述第二像素电极通过第二像素电极连接线相连，所述公共电极线和像素电极连接线多处相交叠。本实用新型提供的多畴垂直取向液晶显示面板，可以通过电容耦合实现多畴显示。
文档编号G02F1/139GK201298129SQ200820156558
公开日2009年8月26日 申请日期2008年12月4日 优先权日2008年12月4日
发明者高孝裕 申请人:上海广电光电子有限公司