专利名称：制造光波导的制作方法
技术领域：
本申请案一般涉及光波导，且具体来说，涉及光波导的制造。
背景技术：
光波导为导引电磁波的结构。常见类型的光波导包括光纤和矩形波导。可以各种方式对光波导进行分类，例如，根据几何形状(例如，平面、条带或纤维波导)、模式结构(单模式、多模式)、折射率分布(步长或梯度指数)或材料(例如，玻璃、聚合物、半导体)。
光波导可用作包括集成式光学电路、光通信系统、激光二极管、干涉仪、分波长多路复用器和显示装置的各种类型的装置中的组件。虽然制造光波导的现有方法大体上令人满意，但需要使用更低成本的工艺来生产光波导。
发明内容
本发明提供用于制造波导的改进的方法和装置。一些所述方法涉及使用用于将衬底和/或其它组件成形的压印工艺来形成所述波导的至少一部分。一些实施方案提供用于通过省略先前可能被视为经由半导体制造工艺形成波导所必需的步骤的步骤来制成波导特征的工艺。此外，一些实施方案提供通过有意引起迄今为止被视为半导体制造工艺中的缺陷的缺陷来形成波导特征的工艺。一些所述方法和装置可以实质上比迄今为止所可能的成本低的成本来生产波导。
—些实施方案提供一种形成波导的方法，其包括以下步骤将波导特征的轮廓按压到第一层中；将所述第一层粘贴到具有比所述第一层低的折射率的第二层；以及使用具有比所述第一层低的折射率的第三层包覆所述波导特征。一些实施例提供一种根据所述方法形成的波导。
所述按压工艺可涉及压印和/或冲压。可将所述按压、粘贴和/或包覆执行为卷到卷工艺的部分。
所述粘贴工艺可涉及使用压敏粘合剂将一层粘贴到另一层(例如，将所述第一层粘贴到所述第二层)。在一些所述实施方案中，所述压敏粘合剂可具有比所述第一层的折射率低的折射率。
所述方法可涉及在所述包覆之前移除所述第一层的至少一些的工艺。举例来说， 所述移除工艺可涉及等离子体灰化工艺和/或溶剂处理。视实施方案而定，所述波导特征在所述移除工艺期间可受到或可不受到保护。
形成波导的替代方法包括以下步骤将波导特征的轮廓按压到第一层中；在所述第一层上形成第二层；在所述第二层上溅镀不连续的第三层，所述第三层具有比所述第二层高的折射率；以及在所述第三层上形成第四层。所述第四层可具有比所述第三层低的折射率。一些实施例提供一种根据所述方法形成的波导。
根据一些实施方案，所述形成工艺可涉及溅镀。替代地或另外，所述形成工艺可涉及旋涂、化学气相沉积和/或原子层沉积。所述按压工艺可能需要压印和/或冲压。可将所述按压、形成和/或溅镀执行为卷到卷工艺的部分。
所述方法可进一步涉及在形成所述第四层之前移除所述第二层和/或所述第三层的至少一些的工艺。所述移除工艺可包含等离子体灰化工艺和/或溶剂处理。所述波导特征在所述移除工艺期间可受到或可不受到保护。
本文提供形成波导的其它方法。一些所述方法包括以下步骤将波导特征的轮廓按压到第一层中；在所述第一层上溅镀第二层，所述第二层具有比所述第一层高的折射率； 以及在所述第二层上形成第三层。所述第三层可具有比所述第二层低的折射率。在一些实施方案中，所述形成工艺可包含溅镀。一些实施例提供一种根据所述方法形成的波导。
所述方法还可涉及在形成所述第三层之前移除所述第二层的至少一些的工艺。所述移除工艺可包含等离子体灰化和/或溶剂处理工艺。所述波导特征在所述移除工艺期间可受到或可不受到保护。
本文还提供用于制造波导的系统。一种所述系统包括以下元件压印设备，其经配置以用于将波导特征的轮廓按压到第一层中；第一沉积设备，其经配置以在所述第一层上形成第二层；溅镀设备，其经配置以在所述第二层上溅镀第三层，所述第三层具有比所述第二层高的折射率；以及第二沉积设备，其经配置以在所述第三层上形成第四层，所述第四层具有比所述第三层低的折射率。
所述第一沉积设备可经配置以在所述第一层上溅镀所述第二层。替代地或另外， 所述第一沉积设备可经配置以通过旋涂、化学气相沉积和/或原子层沉积在所述第一层上形成所述第二层。
一种用于形成波导的替代系统包括以下元件用于将波导特征的轮廓按压到第一层中的设备；用于在所述第一层上溅镀第二层的设备，所述第二层具有比所述第一层高的折射率；以及用于在所述第二层上形成第三层的设备。所述第三层可具有比所述第二层低的折射率。
所述形成设备可包含(例如)溅镀装置。所述系统还可包括用于在形成所述第三层之前移除所述第二层的至少一些的设备。
本发明的这些和其它方法可由各种类型的硬件、软件、固件等实施。举例来说，本发明的一些特征可至少部分由包含于机器可读媒体中的计算机程序实施。所述计算机程序可包括用于控制一个或一个以上装置(例如，用于制造波导的装置)执行本文所描述的方法的指令。
图IA为概括制造光波导的一些方法的流程图。
图IB为根据本文所描述的一些实施方案的用于制造光波导的卷到卷工艺中的压印步骤的一个实例的示意描绘。
图2A到图2D提供根据本文所描述的一些实施方案(例如，参考图1A)的光波导的制造中的各种步骤的实例。
图2E和图2F提供根据本文所描述的一些替代实施方案(例如，参考图1A)的光波导的制造中的各种步骤的实例。
图3为概括制造光波导的一些替代方法的流程图。
图4说明根据本文所描述的一些实施方案(例如，参考图3)的光波导的制造中的一个步骤。
图5为根据本文所描述的一些实施方案的用于制造光波导的“卷到卷”工艺的一实例的示意描绘。
具体实施例方式虽然将参考少数特定实施例描述本发明，但描述仅说明本发明且不应解释为限制本发明。在不脱离如由所附权利要求书界定的本发明的真实精神和范围的情况下，可对优选实施例作出对本发明的各种修改。举例来说，不必按所指示的次序执行本文所展示和描述的方法的步骤。还应理解，本发明的方法可包括比所指示的步骤多或少的步骤。在一些实施方案中，可组合本文描述为单独步骤的步骤。相反地，可以多个步骤实施本文描述为单个步骤的步骤。
类似地，可通过以任何便利的方式分组或划分任务来分派装置功能性。举例来说， 当本文将步骤描述为由单个装置(例如，由单个压印装置)执行时，所述步骤可替代地由多个装置执行，且反之亦然。
本文常使用术语“低折射率”、“高折射率”等。这些术语通常意指与本文所描述的其它材料的折射率相比相对高或低的折射率。举例来说，本文所描述的波导将通常包括安置于具有相对较低的折射率的“低折射率”材料之间的具有相对较高的折射率的“高折射率”材料。所述术语不一定意味着(例如)“高折射率”材料具有高于预定阈值水平的折射率。
现将参考图IA的方法100描述制造波导的一些方法。在步骤105中，将制备高折射率层用于压印。高折射率材料可包含(例如)聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚对苯二甲酸乙二酯 (“PET”)、聚酰亚胺或光致抗蚀剂材料。
制备步骤(至少在某种程度上)可视实施方案而定。制备步骤可涉及(例如)将高折射率材料的一区段定位于印模下方或对置的印模之间，将高折射率材料的薄片馈入到压印装置中等。在其它实施方案中，步骤105可涉及切割或以其它方式将高折射率材料成形，且将其放置于待压印的位置中。在一些实施方案中，步骤105或步骤110可涉及加热高折射率层。
在步骤110中，压印高折射率层。步骤110将涉及将压力施加到高折射率层，且可涉及加热与按压的组合。传统上，压印工艺将通常涉及按压经图案化的“阳(male)”模(或类似物)与对置的“阴(female)”模之间的材料。然而，本文将使用术语“压印”以包括类似工艺，例如，可视为“冲压”的工艺。在一些所述工艺中，将材料按压于经图案化的表面与未经图案化的表面之间。
在一些实施方案中，步骤105和110涉及将高折射率材料的薄片馈入到一对经图案化的辊中或单个经图案化的辊下方。所述实施方案对于“卷到卷”制造工艺可为有利的。
图IB中描绘一个所述实例。此处，层150被馈入到辊155和160之间，且由辊155 和160压印。辊155和160可由任何合适的材料，优选为相对耐用的材料(例如金属)形成。举例来说，在一些实施方案中，辊155和160可由黄铜制成。在方法100的实例中，层 150可为高折射率层。在替代实施方案(例如，下文参考图3所描述的方法300的实施方案)中，层150可为衬底，例如低折射率衬底。在压印工艺期间，层150在阳区段165与对置的阴区段170之间经挤压以产生结构175和沟槽180。
图2A和图2B提供压印步骤之前和之后的材料(此处为高折射率材料205)的另一实例。在压印步骤之前，如在图2A中所描绘的时间，高折射率材料205具有相对均勻的厚度。在压印步骤之后(例如，步骤110)，高折射率材料205包括结构175和沟槽180。仅以实例的方式提供结构175和沟槽180的高度、宽度、形状、间距等。举例来说，在一些实施方案中，结构175的宽度和/或厚度可大约为数毫米、数百微米、数十微米、数微米等。
在步骤115中，制备低折射率层。此步骤至少在某种程度上可视实施方案和/或用于低折射率层的材料的类型而定。举例来说，低折射率层可包含玻璃、塑料、聚合物(例如，聚碳酸酯)、聚(甲基丙烯酸甲酯)(“PMMA”)等。
步骤115可涉及(例如)将低折射率材料的一区段定位成邻近于高折射率材料的对应区段。步骤115还可涉及将粘附材料施加于低折射率层和/或高折射率层。举例来说， 步骤115可涉及将压敏粘附材料(例如，低折射率压敏粘附材料)施加于低折射率层。在卷到卷制造工艺中，步骤115可涉及(例如)使低折射率层与高折射率层对准以用于进一步的卷到卷处理。在其它实施方案中，步骤115可涉及切割低折射率材料的薄片的一部分， 且将其放置于待粘贴到高折射率层的位置。
在步骤120中，将高折射率层附接到低折射率层。步骤120可涉及(例如)使用辊、压机、印模等将低折射率层与高折射率层按压在一起。在替代实施方案中，高折射率层经由低折射率压敏粘合剂而附接到具有任意光学特性的衬底。根据所述实施方案，衬底可由或可不由低折射率材料形成。在卷到卷制造工艺中，步骤120可涉及(例如)将低折射率材料的薄片和高折射率材料的薄片馈入到一对辊中或单个辊下方等等。在一些实施方案中，步骤115和/或步骤120可涉及加热低折射率层和/或高折射率层。
图2C中提供将经压印的高折射率层205粘贴到低折射率层210的一个实例。由此，图2C提供图IA的步骤120的结果的一个实例。如同本文所提供的其它说明，高折射率层205和低折射率层210的相对尺寸未必按比例，且仅仅以说明的方式而制作。
在施加低折射率材料的第二层(步骤130)之前可或可不部分移除沟槽180和/ 或结构175 (任选步骤125)。在本发明的一些波导制造工艺中，在不从沟槽180或结构175 中移除材料的情况下施加低折射率材料的第二层。举例来说，可通过溅镀、旋涂、喷涂或任何其它便利的工艺来施加低折射率材料(例如聚合物、塑料等)的第二层。
图2D提供一个所述工艺的结果的实例。此处，高折射率层205的结构175和沟槽 180已被包覆于第二低折射率材料215中。在此实例中，低折射率材料215包含低折射率聚合物。然而，低折射率材料215的类型和厚度可根据实施方案而变化。
然而，对于一些应用，可能需要结构175彼此之间较完全地去耦。移除一些或所有沟槽180 (例如)可减少邻近的高折射率区域175之间的光的“泄漏”。因此，在替代实施方案中，将移除一些或所有沟槽180。步骤125可涉及(例如)溶剂处理、等离子体灰化工艺等。在等离子体灰化工艺的一个实例中，使用等离子体源产生(例如，氧或氟的)单原子反应性物质。反应性物质与高折射率层组合以形成灰，可使用真空泵等移除灰。
图2E提供一个所述工艺的结果的实例。此处，已移除高折射率层205的沟槽180， 留下结构175。在图2F中描绘的随后时间，已执行步骤130。结构175和低折射率层210 的部分已被包覆于第二低折射率材料215中。
在工艺100结束之前，可执行一个或一个以上最终处理步骤。举例来说，可加热、 干燥或以其它方式固化所述结构。波导可经切割或经切块为较小的部分、经封装等。
现将了解，本文所描述的一些实施方案省略了先前一直被视为经由半导体制造工艺形成光波导所必需的步骤的步骤。与经由常规光刻工艺制造波导相比，可根据本文中所提供的许多实施方案在不制备和应用光罩或使用类似的图案化工艺的情况下制造波导。当根据方法100等制造波导时，无需用光致抗蚀剂涂覆衬底，定位光罩，将光罩暴露于光等。 类似地，无需移除衬底的未暴露区域。因此，本文所描述的方法可允许以与经由现有技术方法制成的光波导相比实质上更低的成本制成光波导。
现将参考图3和图4描述一些替代实施方案。首先参考图3，现将描述方法300的一些步骤。如同方法100，方法300也提供用于通过省略先前被视为经由半导体制造工艺形成波导所必需的步骤的步骤(例如，光罩遮蔽、使用光致抗蚀剂、移除衬底的未暴露部分等)来制成光波导的工艺。此外，方法300的一些实施方案涉及用于通过有意引起迄今为止一直被视为半导体制造工艺中的缺陷的缺陷来制成光波导的工艺。
在步骤305中，制备衬底以用于压印。在一些实施方案中，衬底可由例如塑料、聚合物(例如，聚碳酸酯)等低折射率材料形成。然而，在替代实施方案中，衬底可不包含低折射率材料。制备步骤可视实施方案而定。对于“卷到卷”制造工艺，制备步骤可涉及(例如)将衬底的一区段定位于印模下方或对置的印模之间，定位衬底以供馈入到辊中等。在其它实施方案中，步骤305可涉及切割衬底薄片的一部分，且将其放置于待压印的位置中。 在一些实施方案中，步骤305或步骤310可涉及加热衬底。
在步骤310中，压印衬底。步骤310可涉及按压经图案化的“阳”模与对置的“阴” 模之间的衬底，按压经图案化的表面与未经图案化的表面之间的衬底，将衬底薄片馈入到一对经图案化的辊中或单个经图案化的辊下方等。
在一些实施方案中，如此处，在衬底上沉积第一低折射率层(步骤315)。所述低折射率层可由任何适当的材料制成且以任何便利的方式沉积。在一些实施方案中，如图4中所描绘，低折射率层410沉积于衬底405上作为相对保形层。举例来说，可经由化学气相沉积(“CVD”)、原子层沉积(“ALD”)、旋涂、喷涂等沉积低折射率层。
在此实例中，高折射率层415经溅镀到相对保形低折射率层410上。高折射率层 415的溅镀沉积将趋于使高折射率层415的大部分形成于结构175和沟槽180上，而很少沉积于壁413上。虽然通常将所述不均勻的沉积视为问题，但高折射率层415的溅镀沉积将允许高折射率材料选择性地累积于结构175和沟槽180上，借此隔离波导的高折射率部分。 因此，所述实施方案涉及用于通过有意引起迄今为止被视为半导体制造工艺中的缺陷的缺陷来制成光波导的工艺。
图4中的元件未按比例绘制。在一些优选实施方案中，高折射率层415的厚度、 将实质上大于结构175相对于沟槽180的高度t2。举例来说，在一些实施方案中，t2将大于 、至少五倍，在其它实施方案中，t2将大于、至少十倍，而在其它实施方案中，t2将大于、 至少20倍。
将低折射率层410施加于保形层中并非必需的。因此，在替代实施方案中，高折射率层415和低折射率层410两者均可经由溅镀或另一较不保形的工艺沉积。
在衬底由低折射率材料形成的其它实施方案中，可省略步骤315。举例来说，可直接将高折射率层415溅镀到低折射率衬底405上。所述实施方案可进一步简化制造工艺。
溅镀可引起(例如)高折射率层415中的不规则边缘、团块或其它不合意的特征。 因此，在任选择步骤325中，实施某一类型的平滑工艺。举例来说，步骤325可涉及后沉积蚀刻工艺、溶剂清洗等。
在本实例中，在步骤330中沉积第二低折射率层420。此处，可通过喷涂、旋涂、 ALD、CVD或任何其它便利的方式施加第二低折射率层420。对于将高折射率层415直接溅镀到低折射率衬底405上的实施方案，低折射率层420可实际上为第一且唯一的经沉积的低折射率层。
在步骤335中，发生最终处理。步骤335可涉及一个或一个以上程序，例如加热、 干燥或以其它方式固化波导。波导可被切割或切块为较小的部分、经封装等。所述工艺在步骤340中结束。
图5为描绘可用于实施本发明的一些卷到卷光波导制造工艺的设备的示意图。以下实例将解释可如何使用所述装置来实施上文参考图3所描述的一些工艺。
在此实例中，衬底501为聚合物、塑料等薄片。将衬底501从卷505展开，且馈入到压印设备510中(参看图3的步骤305和310)。压印设备510可为任何便利类型的压印设备，例如，如上文所描述的辊类型的压印设备。压印设备510还可包括经配置以(例如) 在压印工艺之前和/或在压印工艺期间将热量赋予衬底501的加热装置。在一些实施方案中，可(例如)经由嵌入式电阻器，通过在压印设备中循环热流体等来加热压印设备的表面 (例如，印模、辊等的表面)。衬底501的经压印的表面515在离开压印设备510之后即展示出。
设备520经配置以在衬底501的经压印的表面515上沉积第一低折射率层。(参看图3的步骤315)。在一些实施方案中，设备520可包含经配置以用于CVD工艺、用于ALD 工艺、用于在低折射率材料的薄膜上进行喷涂等的腔室。在替代实施方案中，设备520可包含经配置以用于低折射率材料的溅镀沉积的腔室。
设备525经配置以在低折射率层的至少部分上沉积高折射率层。(参看图3的步骤320)。在一些优选实施方案中，设备520可包含经配置以用于高折射率材料的溅镀沉积的腔室。如本文其它地方所论述，溅镀沉积工艺将趋于实质上在沟槽和凸起结构中比在结构的垂直或近似垂直的侧面上沉积更多的材料。因此，高折射率材料的溅镀沉积具有趋于隔离将用于在光波导中传输光的高折射率材料的沉积物的有利效应。然而，在替代实施方案中，设备520可包含经配置以用于在高折射率材料的薄膜上进行喷涂，或经配置以用于一些其它沉积工艺的腔室。
设备530经配置以在高折射率材料和其它表面上(例如，在其上未沉积高折射率
9材料的低折射率材料的第一层的表面上)沉积第二低折射率层。(参看图3的步骤330)。 视实施方案而定，设备530可包含经配置以用于CVD工艺、用于ALD工艺、用于在低折射率材料的薄膜上进行喷涂、用于低折射率材料的溅镀沉积等的腔室。根据所要的实施方案，所得波导材料535可经固化、经切割、经封装等。(参看图3的步骤335)。虽然未在图5中展示，但可存在安置于设备525与设备530之间的设备，其经配置以执行平滑工艺(例如，如上文参考图3的步骤325所描述的工艺)。
虽然本文已展示和描述本发明的说明性实施例和应用，但仍在本发明的概念、范围和精神内的许多变化和修改是可能的，且这些变化应在细读本申请案之后变得清楚。因此，本发明的实施例将被视为说明性而非限制性的，且本发明不限于本文中所给出的细节， 而可在所附权利要求书的范围和等效物内进行修改。
权利要求
1.一种形成波导的方法，其包含 将波导特征的轮廓按压到第一层中；将所述第一层粘贴到具有比所述第一层低的折射率的第二层；以及使用具有比所述第一层低的折射率的第三层包覆所述波导特征。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述按压包含压印。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中所述按压包含冲压。
4.根据权利要求1到3中任一权利要求所述的方法，其中将所述按压、粘贴或包覆中的至少一者作为卷到卷工艺的部分来执行。
5.根据权利要求1到4中任一权利要求所述的方法，其中所述粘贴包含使用压敏粘合剂将所述第一层粘贴到所述第二层。
6.根据权利要求1到5中任一权利要求所述的方法，其进一步包含在所述包覆之前移除所述第一层的至少一些的工艺。
7.一种根据权利要求1到6中任一权利要求所述的方法形成的波导。
8.根据权利要求5所述的方法，其中所述压敏粘合剂具有比所述第一层的折射率低的折射率。
9.根据权利要求6所述的方法，其中所述移除工艺包含等离子体灰化工艺或溶剂处理中的至少一者。
10.根据权利要求6所述的方法，其中在所述移除工艺期间不保护所述波导特征。
11.一种形成波导的方法，其包含 将波导特征的轮廓按压到第一层中； 在所述第一层上形成第二层；在所述第二层上溅镀不连续的第三层，所述第三层具有比所述第二层高的折射率；以及在所述第三层上形成第四层，所述第四层具有比所述第三层低的折射率。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述形成包含溅镀。
13.根据权利要求11或权利要求12所述的方法，其中所述形成包含旋涂、化学气相沉积或原子层沉积中的至少一者。
14.根据权利要求11到13中任一权利要求所述的方法，其中所述按压包含压印或冲压。
15.根据权利要求11到14中任一权利要求所述的方法，其中将所述按压、形成或溅镀中的至少一者作为卷到卷工艺的部分来执行。
16.根据权利要求11到15中任一权利要求所述的方法，其进一步包含在形成所述第四层之前移除所述第二层或所述第三层的至少一些的工艺。
17.一种根据权利要求11到16中任一权利要求所述的方法形成的波导。
18.根据权利要求16所述的方法，其中所述移除工艺包含等离子体灰化工艺或溶剂处理中的至少一者。
19.根据权利要求16所述的方法，其中在所述移除工艺期间不保护所述波导特征。
20.一种形成波导的方法，其包含 将波导特征的轮廓按压到第一层中；在所述第一层上溅镀第二层，所述第二层具有比所述第一层高的折射率；以及在所述第二层上形成第三层，所述第三层具有比所述第二层低的折射率。
21.根据权利要求20所述的方法，其中所述形成包含溅镀。
22.根据权利要求20或权利要求21所述的方法，其进一步包含在形成所述第三层之前移除所述第二层的至少一些的工艺。
23.一种根据权利要求20到22中任一权利要求所述的方法形成的波导。
24.根据权利要求22所述的方法，其中所述移除工艺包含等离子体灰化或溶剂处理。
25.根据权利要求22所述的方法，其中在所述移除工艺期间不保护所述波导特征。
26.一种用于制造波导的系统，其包含压印设备，其经配置以用于将波导特征的轮廓按压到第一层中； 第一沉积设备，其经配置以在所述第一层上形成第二层；溅镀设备，其经配置以在所述第二层上溅镀第三层，所述第三层具有比所述第二层高的折射率；以及第二沉积设备，其经配置以在所述第三层上形成第四层，所述第四层具有比所述第三层低的折射率。
27.根据权利要求26所述的系统，其中所述第一沉积设备经配置以在所述第一层上溅镀所述第二层。
28.根据权利要求26或权利要求27所述的系统，其中所述第一沉积设备经配置以通过旋涂、化学气相沉积或原子层沉积中的至少一者在所述第一层上形成所述第二层。
29.一种用于形成波导的系统，其包含用于将波导特征的轮廓按压到第一层中的构件；用于在所述第一层上溅镀第二层的构件，所述第二层具有比所述第一层高的折射率；以及用于在所述第二层上形成第三层的构件，所述第三层具有比所述第二层低的折射率。
30.根据权利要求29所述的系统，其中所述用于形成的构件包含溅镀装置。
31.根据权利要求29或权利要求30所述的系统，其进一步包含用于在形成所述第三层之前移除所述第二层的至少一些的构件。
全文摘要
本发明提供用于制造波导的方法和装置。一些所述方法涉及使用用于将衬底和/或其它组件成形的压印工艺来形成所述波导的至少一部分。一些实施方案提供用于通过省略先前可能被视为经由半导体制造工艺形成波导所必需的步骤的步骤来制成波导特征的工艺。一些实施方案提供通过有意引起迄今为止一直被视为半导体制造工艺中的缺陷的缺陷来形成波导特征的工艺。一些所述方法和装置可以实质上比迄今为止可能的成本低的成本来生产波导。
文档编号G02B6/122GK102187257SQ200980141775
公开日2011年9月14日 申请日期2009年10月20日 优先权日2008年10月21日
发明者克拉伦斯·徐 申请人:高通Mems科技公司