专利名称：一种晶体倍频器的制作方法
技术领域：
本发明涉及激光领域，特别是涉及一种晶体倍频器。
背景技术：
通常情况下，为了减少激光器的腔内损耗，降低阈值，提高输出功率，我们往往需 要在激光晶体的通光面上镀增透膜或者利用布儒斯特角来降低反射率。但是，对于常规的 膜料而言，紫外激光的照射将产生不可逆转的损伤，从而使得激光器的腔内损耗严重上升、 极大地提高了激光器的阈值、降低工作效率。而基频光与倍频光的布儒斯特角则存在较大 的差异，难以同时实现增透效果。常规的处理方式是使用特殊的紫外膜料进行镀膜，降低紫 外吸收以减少对膜层的损伤，但长期的紫外激光仍然可能对该膜层造成损伤。这无疑导致 倍频紫外激光器的工作效率、工作性能以及工作寿命受到严重的限制。
发明内容
针对上述问题，本发明的目的在于设计一种晶体倍频器，达到晶体器件的输出端 无需镀与紫外倍频光相关的膜系，进而防止紫外倍频光对膜层的损伤光对膜层损伤，同时 也简化了镀膜的工艺难度的目的。为达到上述目的，本发明提出的技术方案为一种晶体倍频器，其特征在于所述 的晶体入射端面(101)与光轴(102)方向成使入射基频光产生走离效应的角度，且e光 (106)走离方向对应的侧面抛光为e光全反射面(105)，另一个侧面抛光割成与全反射面反 射的e光(106)成布儒斯特角的角度(103)。进一步，作为本发明的优选方式，为了避免靠近基频光输出端产生的紫外光在侧 面反射后从基频光输出端口输出，全反射面(105)中靠近基频光输出端面(107)的晶体表 面磨砂(104)。进一步，所述的入射基频光为0光或0光和e光。进一步，作为本发明的一种优选方式，所述的晶体基频光入射端面(101)和输出端 面(107)镀有对基频光高透的增透膜或所述的基频光与输出端成布儒斯特角。本发明提供一种利用非线性晶体的Walk-Off (走离)效应(即当光束的传播方向 与晶体的光轴不平行也不垂直时，e光的波矢量方向和能流密度方向将发生分离，产生所谓 的Walk-off (走离)现象)使非线性过程中产生的为e光的紫外倍频光被侧面反射并在另 一个侧面以布儒斯特角输出的紫外激光器制造方式。在基频光的通光面上将只需镀基频光 的增透膜或者是利用布儒斯特角进行增透，简化了激光器的器件增透膜的镀膜工艺，有利 于实现更低的腔内损耗、降低激光器的阈值、提高激光器的输出功率等。这些改进对于制 造更为优异的紫外激光器有着极大的帮助。由于基频光穿过倍频晶体的整个过程中倍频光 将持续产生，为了避免靠近基频光输出端产生的紫外光在侧面反射后从基频光输出端口输 出，靠近基频光输出端的倍频晶体侧面需要进行磨砂处理。
图1为本发明专利晶体倍频器的典型结构； 图2本发明专利实施例1的主视图3为发明专利实施例1的俯视图； 图4为本发明专利实施例2的具体结构图。
具体实施例方式下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步说明。如图1晶体倍频器的典型结构所述，一种晶体倍频器，其特征在于所述的晶体入 射端面(101)与光轴(102)方向成使入射基频光产生走离效应的角度，且e光(106)走离 方向对应的侧面抛光为e光全反射面(105)，另一个侧面抛光割成与全反射面反射的e光 (106)成布儒斯特角的角度(103)。如图1所示入射基频光ο光通过倍频晶体，并在这一过程中产生倍频光e光，倍 频光走离并在抛光过的倍频晶体侧面(即全反射面105)发生全反射，后从上述全反射面 (105)相对的那个晶体侧面以布儒斯特角(103)无损出射。倍频光的全反射面(103)可以 与基频光ο光的光学轨迹平行，也可以是呈现一定的角度。另外，由于基频光穿过倍频晶体的整个过程中倍频光将持续产生，为了避免靠近 基频光输出端产生的为e光的紫外倍频光在全反射面(103)反射后从基频光输出端口输 出，靠近基频光ο光输出端的倍频晶体侧面需要进行磨砂处理。为达到更好的效果，所述的晶体基频光入射端面(101)和输出端面(107)镀有对 基频光高透的增透膜。实施例1
如图2、图3所示为本发明实施例1所示，入射基频光以布儒斯特角射入、射出倍频晶 体，并在这一过程中产生倍频光e光，倍频光走离并在抛光过的倍频晶体侧面发生全反射， 后从全反射面相对的晶体侧面以布儒斯特角无损出射。类似于图1所示，倍频光的反射面 可以与基频光ο光的光学轨迹平行，也可以是呈现一定的角度。由于基频光穿过倍频晶体 的整个过程中倍频光将持续产生，为了避免靠近基频光输出端产生的为e光的紫外倍频光 在侧面反射后从基频光输出端口输出，靠近基频光ο光输出端的倍频晶体侧面需要进行磨 砂(204)处理。实施例2
如图4本发明实施例2所示，入射基频光(同时包括ο光与e光)通过镀有基频光增透 膜的倍频晶体，并在这一过程中产生倍频光e光，基频光的e光λ 1以及产生的倍频光e光 λ 2在抛光过的倍频晶体侧面发生全反射，倍频光随之从全反射面相对的那个晶体侧面以 布儒斯特角无损出射。类似于图1所示，倍频光的反射面可以与基频光ο光的光学轨迹平 行，也可以是呈现一定的角度。由于基频光穿过倍频晶体的整个过程中倍频光将持续产生， 为了避免靠近基频光输出端产生的e光紫外倍频光在侧面反射后从基频光输出端口输出， 靠近基频光ο光输出端的倍频晶体侧面需要进行磨砂处理。综上所述，本发明利用非线性晶体的Walk-Off (走离)效应使非线性过程中产生 的为e光的紫外倍频光被侧面反射并在另一个侧面以布儒斯特角输出。从而使晶体器件的输出端无需镀与紫外倍频光相关的膜系，从而回避紫外倍频光对膜层的损伤光对膜层损伤 问题，同时也简化了镀膜的工艺难度(仅需针对基频光进行镀膜)。
尽管结合优选实施方案具体展示和介绍了本专利，但所属领域的技术人员应该明 白，在不脱离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围内，在形式上和细节上可以对 本发明做出各种变化，均为本发明的保护范围。
权利要求
1.一种晶体倍频器，其特征在于所述的晶体入射端面(101)与光轴(102)成使入射基 频光产生走离效应的角度，且e光(106)走离方向对应的侧面抛光为e光全反射面(105)， 另一个侧面抛光割成与全反射面反射的e光(106)成布儒斯特角的角度(103)。
2.根据权利要求1所述的一种晶体倍频器，其特征在于所述的全反射面(105)中靠近 基频光输出端面(107)的晶体表面磨砂(104)。
3.根据权利要求1所述的一种晶体倍频器，其特征在于所述的入射基频光为0光或0 光和e光。
4.根据权利要求1所述的一种晶体倍频器，其特征在于所述的全反射面(105)与基频 光ο光的光学轨迹平行或呈现一定的角度。
5.根据权利要求1-4任一权利要求所述的一种晶体倍频器，其特征在于所述的晶体基 频光入射端面(101)和输出端面(107)镀有对基频光高透的增透膜。
6.根据权利要求1-4任一权利要求所述的一种晶体倍频器，其特征在于，所述的入射 基频光以布儒斯特角射入、射出倍频晶体。
全文摘要
本发明公开了一种晶体倍频器，本发明利用非线性晶体的Walk-Off(走离)效应使非线性过程中产生的为e光的紫外倍频光被侧面反射并在另一个侧面以布儒斯特角输出，从而使晶体器件的输出端无需镀与倍频光相关的膜系，从而回避紫外倍频光对膜层的损伤光对膜层损伤问题，同时也简化了镀膜的工艺难度。
文档编号G02F1/35GK102073187SQ20101058149
公开日2011年5月25日 申请日期2010年12月10日 优先权日2010年12月10日
发明者任策, 凌吉武, 吴砺, 林江铭 申请人:福州高意光学有限公司