专利名称：光刻胶组合物的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻胶组合物。
背景技术：
用于采用光刻工艺的半导体微制造的光刻胶组合物包含树脂，其具有衍生自具 有酸不稳定基团的化合物的结构单元，且不溶于或难溶于碱水溶液中但通过酸的作用变得 可溶于碱水溶液中；产酸剂，其包含通过辐射产生酸的化合物；以及碱性化合物。美国专利5，914，219公开了一种光刻胶组合物，其包含树脂，其具有衍生自具有 酸不稳定基团的化合物的结构单元，且不溶于或难溶于碱水溶液中但通过酸的作用变得可 溶于碱水溶液中；产酸剂，其包含通过辐射产生酸的化合物；以及作为碱性化合物的四丁 基氢氧化铵。
发明内容
权利要求
1. 一种光刻胶组合物，包含包含式(I)表示的结构单元的树脂和式(D’ )表示的化合物
2.根据权利要求1的光刻胶组合物，其中式(D’)表示的所述化合物为式(D)表示的 化合物
3.根据权利要求2的光刻胶组合物，其中R1、R2、R3和R4独立地表示C1-C6烷基。
4.根据权利要求1、2或3的光刻胶组合物，其中Q1和Q2为氟原子。
5.根据权利要求1、2或3的光刻胶组合物，其中A+为式(IIIa)表示的阳离子
6.根据权利要求1、2或3的光刻胶组合物，其中所述树脂还包含式(II)表示的结构单元
7.根据权利要求1、2或3的光刻胶组合物，其中所述树脂还包含式(VI)表示的结构单元
8.根据权利要求1、2或3的光刻胶组合物，其中所述树脂还包含式(VII)表示的结构 单元
9.根据权利要求1、2或3的光刻胶组合物，其中所述树脂还包含式(VIII)表示的结构 单元
10.根据权利要求1、2或3的光刻胶组合物，其还包含溶剂。
11.一种产生光刻胶图案的方法，包括以下步骤(1)-(5)(1)在衬底上施加根据权利要求1、2或3的光刻胶组合物的步骤，(2)通过进行干燥形成光刻胶膜的步骤，(3)使所述光刻胶膜暴露于辐射的步骤，(4)烘焙经曝光的所述光刻胶膜的步骤，和(5)利用碱性显影剂使经烘焙的所述光刻胶膜显影由此形成光刻胶图案的步骤。
12.根据权利要求1、2或3的光刻胶组合物用于利用电子束光刻系统或极紫外光刻系 统产生光刻胶图案的用途。
全文摘要
本发明提供了一种光刻胶组合物，其包含包含式(I)表示的结构单元的树脂和式(D’)表示的化合物其中Q1和Q2独立地表示氟原子等，U表示C1-C20二价烃基等，X1表示-O-CO-等，A+表示有机反荷离子，其中R51、R52、R53和R54独立地表示C1-C20烷基等，A11表示可具有一个或更多个取代基并可含有一个或更多个杂原子的C1-C36饱和环状烃基。
文档编号G03F7/20GK102117013SQ201010623818
公开日2011年7月6日 申请日期2010年12月31日 优先权日2010年1月5日
发明者安藤信雄, 山下裕子 申请人:住友化学株式会社