专利名称：电光装置以及电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及例如反射型液晶面板这样的电光装置以及使用该电光装置投影图像的投影机等的电子设备。
背景技术：
例如反射型液晶面板构成为一对元件基板和相对基板保持一定的间隙并且通过密封件贴合，并且在该间隙封入液晶。在元件基板中与相对基板相对的面，按每个像素以矩阵状排列有反射性的像素电极。另一方面，在相对基板中与元件基板相对的面，以与所有像素电极相对的方式设置共用电极。在这样的反射型液晶面板中，特别是显示区域对角在1英寸以下的例如应用于投影机的光阀的液晶面板中，存在由于像素电极的有无产生的台阶差使得产生液晶取向的混乱和/或光学的散射等，使得对比度比变低的情况。为了消除此台阶差，在元件基板中，使用绝缘层覆盖像素电极的表面，并且通过CMP(Chemical Mechanical Polishing 化学机械抛光)处理来平坦化。进一步地，还提出了如下技术在排列有像素电极的有效显示部的外侧，与像素电极大致同密度地也设置对显示不起作用的、与像素电极同一层的导电图形，使得在有效显示部的缘端部的内侧和外侧在平坦度上难以产生差别(参照专利文献1)。专利文献1日本特开2006-267937号公报(参照图4)但是，反射型液晶面板中，作为元件基板使用完全没有光透射性的硅基板的结构很多。在如此构成中，将通过紫外线固化的光固化性树脂用于贴合元件基板和相对基板的密封件的情况下，为了固化该密封件，仅仅从相对基板侧只照射光。如此，存在不能充分地固化密封件，或者为了照射固化所需充分的光亮而耗费时间的问题。一般认为在将石英等具有至少透射紫外线的性质的基板用于元件基板、并且也从元件基板的背面侧(与相对基板相反的一侧)照射光，也就是从基板两面照射光的结构中， 难以发生该问题。但是，对于在上述元件基板中在要形成密封件的预定的部分形成上述导电图形这一点上需要留意。也就是说，在反射型液晶面板中所使用的像素电极，包括铝等具有反射性的金属层，所以即使从元件基板的背面侧照射光，也通过在密封件的正下方形成的导电图形反射，从元件基板的背面侧照射的光难以到达密封件。如此，可能存在同样的不能充分地使密封件固化等的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述问题做出的，其目的之一是提供在确保元件基板的相对面的平坦性的基础上，除了从相对基板的观察侧照射的光之外，还能够通过从元件基板的背面侧照射的光使密封件固化的技术。为了实现上述目的，本发明的电光装置，其特征在于，具备具有光透射性的、相互相对配置的相对基板和元件基板；被夹持在所述相对基板与所述元件基板之间的电光元件；将所述相对基板和所述元件基板相互贴合的密封件；在所述元件基板上的进行图像显示的有效像素部排列、并且具有反射性的多个像素电极；与所述多个像素电极同一层，在俯视时设置在所述有效像素部与所述密封件之间的第一导电图形；以及，与所述多个像素电极同一层，在俯视时与所述密封件重叠的第二导电图形；所述第二导电图形，俯视时的每单位面积的面积密度小于所述第一导电图形的面积密度。重叠于密封件的第二导电图形与设置在有效像素部与密封件之间的用于使元件基板的相对面平坦化的第一导电图形相比，面积密度小，所以即使在从元件基板的背面侧照射光时，通过第二导电图形反射的光量也减少。因此，相应地，通过第二导电图形到达密封件的光量增多，所以在确保元件基板的平坦性的基础上，还能够通过从元件基板的背面侧照射的光使密封件固化。这里所述的光透射性，相对于相对基板和元件基板来说意思稍微不同。即，相对基板一般位于观察侧，所以对于相对基板而言要求透射使得密封件固化的光分量例如紫外线分量并且透射可见光的性质，与此相对，对于元件基板而言只要具有仅透射使得密封件固化的光分量的性质就足够。在上述构成中，所述第二导电图形可以包括俯视时在相对于所述密封件的延伸设置方向交叉的方向延伸设置的多个布线。如果这样地构成，则第二导电图形在设置密封件的部分按缝隙状开口，所以能够使从元件基板的背面侧照射的光高效地到达密封件。在此，可以具备连接于所述第二导电图形、在所述密封件的外侧形成的第三导电图形。如果这样地构成，则容易通过第三导电图形从外部向第二导电图形施加电压。此时，作为向第二导电图形施加的电压，优选是向在所述相对基板中的与所述元件基板相对的相对面所形成的共用电极施加的共用电压。由此，能够避免向由共用电极和第二导电图形所夹持的密封件施加直流分量。此外，优选，在所述密封区域，具有电连接所述多个布线彼此的连接部。如果不具有连接部，则因布线电阻导致施加到密封件的电压产生不均，通过设置连接部，能够抑制这样的不均。此外，在上述构成中，优选，所述像素电极设置为对应于俯视多个扫描线和多个数据线时的交叉处，所述像素电极排列的间距等于所述多个扫描线或所述多个数据线的排列间隔，所述多个布线排列的间距等于所述像素电极排列的间距，进一步优选，所述多个布线的各自的宽度比俯视时的所述像素电极的一边窄。由此，容易使第二导电图形的面积密度小于所述第一导电图形的面积密度。在上述构成中，优选，在具有相对于所述像素电极、所述第一导电图形和所述第二导电图形位于与所述相对基板相反侧的下层导电图形时，在俯视时，所述第二导电图形相对于所述下层导电图形重叠。根据该构成，能够防止来自元件基板的背面侧的照射光被下层布线图形遮光。本发明除了电光装置之外，还能够作为包括该电光装置的电子设备来定义。作为这样的电子设备，可列举对通过反射型液晶面板反射的光调制图像放大投影的投影机。
图1是表示本发明实施方式中的反射型液晶面板的构成的图。图2是表示反射型液晶面板的电路构成的图。图3是表示反射型液晶面板的像素的等效电路的图。图4是表示反射型液晶面板的像素构成的俯视图。
图5是表示反射型液晶面板的像素构成的俯视图。图6是表示反射型液晶面板的像素构成的俯视图。图7是表示反射型液晶面板的像素构成的部分剖面图。图8是用于说明反射型液晶面板的元件基板的各区域的图。图9是表示各区域中的元件基板的电极的构成的俯视图。图10是表示密封区域等中的元件基板的电极层叠结构的剖面图。图11是表示应用了反射型液晶面板的投影机的构成的图。标号说明90密封件、100液晶面板、101元件基板、102相对基板、105液晶、108共用电极、 116 TFT、118像素电极、120液晶元件、131第一导电图形、132第二导电图形、133第三导电图形、136、138、141、151布线、137缝隙、1100投影机
具体实施例方式实施方式以下，关于本发明的实施方式进行说明。此实施方式中的电光装置，是作为后述的投影机的光阀使用的反射型的液晶面板。并且，本实施方式中液晶面板的特征部分在于密封件重叠的部分的布线的结构，需要说明该布线与有效显示部中的导电层处于怎样的关系，所以首先说明液晶面板的结构的概略情况。另外，以下的图中，为了使得各层、各部材、 各区域等成为能够辨认的大小，有时使得比例尺不一样。图1 (A)是表示实施方式中的液晶面板100的结构的立体图，图1⑶是图1㈧中 H-h线剖断的剖面图。如这些图中所示，液晶面板100具有如下结构形成有像素电极118的元件基板 101和设置有共用电极108的相对基板102，通过包含间隔物(图中省略)的密封件90 保持一定的间隙，以电极形成面互相相对的方式贴合，在此间隙中封入例如VA(Vertical Alignment 垂直取向)型液晶105。本实施方式中，在元件基板101以及相对基板102中，各自使用玻璃和/或石英等具有光透射性的基板。在元件基板101，在图I(A)中的Y方向的尺寸比相对基板102长，由于在进深侧(h侧)对齐的状态下贴合，所以元件基板101的跟前侧(H侧)的一边从相对基板102伸出。在此伸出的区域，沿着X方向设置有多个端子107。并且，多个端子107构成为连接到FPC(Flexible Printed Circuits 挠性印制电路)基板，从外部上级装置被供给各种信号和/或各种电压、影像信号。元件基板101中，在与相对基板102相对的面形成的像素电极118，详细的情况如后所述，是将铝等的反射性金属层图形化而成。在相对基板102中，在与元件基板101相对的面设置的共用电极108是ITOandium Tin Oxide 氧化铟锡)等的具有透明性的导电层。并且，密封件90，如后所述当俯视时沿着相对基板102的内缘形成为框缘状，为了封入液晶105，在其一部分开口。因此，在液晶105封入后，此开口部分通过封闭件92封闭。 另外，在元件基板101的相对面以及相对基板102的相对面，各自设置在不施加电压的状态下使液晶分子沿着基板面的法线方向取向的取向膜，在图I(B)中省略。关于图I(B)中所示的元件基板101的区域a、b、c、d，参照图8进行说明。图8是在图1 (A)中从上方也就是从相对基板102俯视时示出元件基板101的俯视图。图8中，a是对显示有作用的像素电极118以矩阵状排列的有效显示区域(有效像素部)，b是位于比有效显示区域a靠外侧并且位于形成密封件90的区域的内侧的无效显示区域。c是与形成密封件90的区域重叠的密封区域，d是位于密封区域c的外侧的密封外侧区域，不包括排列有端子107的部分。并且，图8中省略了密封件90的开口部分以及封闭件92。接着，关于液晶面板100的电构成参照图2进行说明。此处，图2与图8相反，示出在图I(A)中从下方也就是从元件基板101的背面侧俯视时的位置关系。如上所述，液晶面板100将元件基板101和相对基板102保持一定的间隙贴合，并且在此间隙中夹持有液晶105。元件基板101中在与相对基板102相对的相对面，在图中沿着X方向设置作为多行的m行的扫描线112，另一方面沿着Y方向、且与各扫描线112相互保持电绝缘地设置作为多列的η列的数据线114。在元件基板101的有效显示区域a，分别对应于m行的扫描线112与η列的数据线 114的交叉处，设置作为开关元件的一个例子的η沟道型TFT116和具有反射性的像素电极 118的组。TFT116的栅电极与扫描线112连接，源电极连接于数据线114，漏电极与像素电极118连接。因此，本实施方式中，在有效显示区域a，按m行η列以矩阵状排列像素电极 118。并且，图2中，从背面侧看到的元件基板101的相对面，由于成为纸面进深侧，本应该用虚线示出扫描线112、数据线114、TFT116、像素电极118等，但是由于很难分辨，所以各自都以实线示出。本实施方式中，为了区别数据线114，有时采用将图2中从左侧开始依次称为第1、
2、3........(n-l)、n列的叫法。同样地，为了区别扫描线112，有时采用将图2中从上侧
开始依次称为第1、2、3........(m-l)、m行的叫法。数据线驱动电路160，驱动第1、2、3........η列的数据线114。详细地，数据线驱
动电路160，使通过端子107供给的影像信号通过同样经由端子107供给的各种控制信号，
分配并保持在第1、2、3........η列的数据线114、作为数据信号XI、Χ2、Χ3.......Xn供
给。另外，数据线驱动电路160，如图8所示，在无效显示区域b中，在沿着设置有多个端子 107的一边的区域设置。2个扫描线驱动电路170，从两侧驱动第1、2、3........m行的扫描线112。详细
地，扫描线驱动电路170，利用经由端子107供给的各种控制信号分别生成扫描信号Y1、Y2、
Υ3........Ym，并从第1、2、3........m行的扫描线112的两侧供给。并且，扫描线驱动电
路170，如图8所示，在无效显示区域b中，分别设置在与形成有数据线驱动电路160的区域相邻的2边的区域。另一方面，相对基板102中，在与元件基板101相对的相对面，在整个面上设置具有透明性的共用电极108。对共用电极108，在元件基板101中，依次通过端子107、布线 107a以及与相对基板102之间的导通点94，施加电压LCcom。并且，导通点94在俯视时，如图8所示，位于在基板内周缘形成的密封件90的框外的四角，通过银糊剂等的导通材料实现与共用电极108的导通。图3是表示有效显示区域a中像素110的等效电路的图，构成为对应于扫描线112和数据线114的交叉处，排列通过像素电极118和共用电极108夹持有液晶105的液晶元件120。在图2中省略，实际上如图3所示，相对于液晶元件120并联设置了辅助电容(存储电容)125。此辅助电容125，一端连接于像素电极118，另一端共同连接于电容线115。本实施方式中，对电容线115施加与共用电极108同样的电压LCcom。如上所述的构成中，扫描线驱动电路170选择某1行的扫描线，将该扫描线112设为H电平时，栅电极连接到该扫描线的TFT116变为导通状态，成为像素电极118与数据线 114电连接的状态。因此，扫描线112为H电平时，如果数据线驱动电路160将对应于灰度的电压的数据信号供给到数据线114，则该数据信号通过已经变为导通状态的TFT116被施加到像素电极118。扫描线112变为L电平时，TFT116变为截止状态，施加到像素电极的电压通过液晶元件120的电容性以及辅助电容125保持。扫描线驱动电路170，顺序选择从第1行到第m行的扫描线112，并且数据线驱动电路160，对位于被选择的扫描线112的1行的量的像素，通过数据线114供给数据信号，由此，对所有的液晶元件120施加、保持与灰度对应的电压。此工作在每1帧(每1个垂直扫描期间)反复进行。液晶元件120中，液晶105的分子取向状态相应于在像素电极118以及共用电极 108之间产生的电场的强度而变化。 图1 (A)中从相对基板102的顶面入射的光，经过了省略图示的偏振器、相对基板 102、共用电极108、液晶105这样的路径之后，通过像素电极118反射，沿着与之前逆向的路径出射。此时，在液晶元件120中，出射光量相对入射光量的比率也就是反射率，随着在液晶元件120施加、保持的电压变高而变大。如此，液晶面板100中，反射率按每个液晶元件120变化，所以液晶元件120作为应该显示的图像的最小单位的像素发挥功能。液晶元件120，在俯视时由像素电极118规定，所以像素电极118的排列区域是上述的有效显示区域a。接着，关于元件基板101中的有效显示区域a的元件结构进行说明。图4 图6是表示像素的构成的俯视图，图7是图4 图6中的J-j线剖切的部分剖面图。并且，图4 图6中，为了说明从相对面俯视元件基板101时的结构，省略层间绝缘膜等非导电性的图示，并且图4示出元件结构中直到数据线层为止，图5示出屏蔽电极层，图6示出像素电极层。首先，如图7所示，在作为元件基板101的基材的基板11，设置有基底绝缘膜40， 进一步地在基底绝缘膜40设置包含多晶硅的半导体层30。半导体层30的表面，通过热氧化的绝缘膜32覆盖。关于半导体层30的平面形状，形成为长边在图4中的纵向即之后形成的数据线114延伸的方向延伸的矩形。扫描线112配设为在图4中的横向延伸并且在形成为矩形的半导体层30的中央部大致直行。其结果是，如图4以及图7所示，半导体层30中，与扫描线112重叠的部分成为沟道区域30a。半导体层30中，相对于沟道区域30a在图7中的左方向(图4的下方向)是源区域30s、在图7中的右方向(图4的上方向)是漏区域30d。其中，源区域30s通过在绝缘膜32以及第1层间绝缘膜41分别开孔的接触孔51连接到中继电极61。漏区域30d也同样地，通过在绝缘膜32以及第1层间绝缘膜41分别开孔的接触孔52连接到中继电极62。中继电极61、62，是分别将在第1层间绝缘膜41上成膜的导电性的多晶硅膜图形化而成的。关于中继电极61的平面形状，是比接触孔51大一圈的程度，隐藏在位于上层的数据线114的分支部分，所以在图4中省略。另一方面，关于中继电极62，是包括以覆盖半导体层30的方式在图4中的纵向延伸的部分以及以覆盖扫描线112的方式在横向延伸的部分的大致T形状。图7中，以覆盖第1层间绝缘膜41或者中继电极61、62的方式，使电介质层34成膜。并且，电介质层34是例如硅氧化膜。数据线114以及电容电极11 ，是将以覆盖电介质层34的方式形成的导电性的二层膜图形化而成的。详细而言，将作为下层而成膜的导电性的多晶硅膜以及作为上层而成膜的铝膜的二层膜(数据线层21)图形化而成。数据线114形成为在图4中在半导体层30的左侧相邻处，在与扫描线112垂直的纵向上延伸，并且朝向半导体层30中的源区域30s (中继电极61)分支，通过在电介质层 34开孔的接触孔50连接到中继电极61。因此，数据线114通过中继电极61连接到源区域 30s。电容电极11 以覆盖中继电极62的方式成为大致T形状，为了避开与漏区域30d 相连的接触孔53，成为一部分形成缺口的形状。图7中，以覆盖数据线114、电容电极11 或者电介质层34的方式，形成第2层间绝缘膜42。中继电极71以及屏蔽电极72，是将以覆盖第2层间绝缘膜42的方式形成的导电性的二层膜图形化而成的。详细而言，将作为下层而成膜的铝膜以及作为上层而成膜的氮化钛膜的二层膜(屏蔽电极层22)图形化而成。中继电极71，通过在第2层间绝缘膜42以及电介质层34分别开孔的接触孔53连接到中继电极62。并且，屏蔽电极72通过在第2层间绝缘膜42开孔的接触孔M连接到电容电极1Mb。屏蔽电极72的平面形状，当俯视时如图5所示，以覆盖数据线114和半导体层30 的方式在纵向延伸且在扫描线112的上方向右横方向突出地形成。屏蔽电极72通过设置在该右横方向的突出部分的接触孔M连接于电容电极11恥。另一方面，中继电极71的平面形状，同样如图5所示，在扫描线112的上方，以与屏蔽电极72的右横方向的突出部分相邻的矩形，按每个像素形成为岛状。在图7中，以覆盖中继电极71、屏蔽电极72或者第2层间绝缘膜42的方式形成第3层间绝缘膜43。像素电极118是将以覆盖第3层间绝缘膜43的方式形成的铝膜(像素电极层23)图形化而成的，通过在第3层间绝缘膜43开孔的接触孔55连接到中继电极 71。因此，像素电极118依次通过中继电极71以及中继电极62连接到漏区域30d。像素电极118的平面形状，如图6所示，为大致正方形，关于其配置，如图5中虚线所示，正方形的各边在俯视时处于被包含在扫描线112以及数据线114内的位置关系。以覆盖该像素电极118或者第3层间绝缘膜43的方式，通过以TEOS (Tetra Ethyl Ortho Silicate 原硅酸四乙酯)为原料的化学气相生长形成氧化硅膜。此时，氧化硅膜在像素电极118的表面也形成，但是通过CMP处理削除，所以结果如图7所示，氧化硅膜36仅仅在相邻的像素电极118彼此的间隙部分残留。通过如此的处理，使元件基板101的相对面平坦化。然后，在平坦化后的表面形成包含无机材料的取向膜38。此取向膜38，在图示中省略详细情况，例如通过硅氧化物的斜向蒸镀，使多个微小的柱状结构体在按同一方向倾斜的状态下气相生长而得到。如此的构成中，屏蔽电极72，没有特别图示，伸出到密封外侧区域d为止。而且， 例如在图2中通过端子107以及连接点107b，共同地被施加与共用电极108相同的电压 LCcom0因此，有效显示区域a中，即使数据线114由于数据信号的供给而使电压变动，在像素电极118中，特别是与截止状态的TFTl 16相关的像素电极118中，因电容耦合导致的电位变动被抑制。进一步地，俯视时来自相对基板102的入射光，在相邻的像素电极118的间隙部分，不被像素电极118反射而进入，但是由于半导体层30被屏蔽电极72覆盖，所以不会由于来自相对面侧的进入光而损伤TFT116的截止泄漏特性。并且，辅助电容125，由中继电极62、电介质层34和电容电极11 的层叠结构而构成。电容电极115b，按每个像素形成为独立的岛状，通过接触孔讨连接到屏蔽电极72， 所以在各像素的范围内共同被施加电压LCcom。因此，从等效电路来看，如图3所示那样。本实施方式中，在有效显示区域a中，含有铝的导电层，按照层叠的顺序来说，为构成数据线114以及电容电极11 的数据线层21、构成中继电极71以及屏蔽电极72的屏蔽电极层22、和构成像素电极118的像素电极层23共计3层。接着，对上述3层的导电图形在无效显示区域b、密封区域c以及密封外侧区域d 怎样构成进行说明。图9 (A)是将图8中的L区域、也就是端子107排列的一边附近，从有效显示区域a 开始到无效显示区域b、密封区域c、密封外侧区域d为止，部分地放大的俯视图，示出俯视元件基板101的相对面时的像素电极层23的图形形状。如该图所示并且如上所述，有效显示区域a中，像素电极118以矩阵状排列。在此， 设像素电极118的X方向的尺寸为fe、Y方向的尺寸为Wy。并且，本发明中由于像素电极 118为正方形，所以Wx等于Wy。另外，像素电极118的排列间距以对角线中心计算，设X方向的间距为1^、Y方向的间距为Py时，间距I3X与数据线114的排列间隔相等，间距Py与扫描线112的排列间隔相等。并且，由于像素电极118为正方形，所以I^x等于Py。并且，实施方式中，像素电极118为正方形，但在应用于光阀以外的其他用途例如应用于数码相机的EVF(Electr0nic View Finder 电子取景器)等的情况下，构成为1个点分割为例如R(红)、G (绿)、B (蓝)的3个像素并且1个点成为正方形，所以像素电极118 为长方形。因此，像素电极118的尺寸，不一定必须是Wx等于Wy，关于间距，也不一定必须是I3X等于Py。无效显示区域b中，设置有将像素电极层23图形化后的第一导电图形131。该第一导电图形131是使得X方向的尺寸为ffx、Y方向的尺寸为Wy的电极135即与像素电极 118相同尺寸的电极135按像素电极118的排列不变地进行矩阵状排列，并且将在纵向和横向相邻的电极135彼此在各边中央附近连接并图形化而成的。因此，电极135互相实现电导通。
当然，第一导电图形131和像素电极118不导通。在密封区域c，设置有将像素电极层23图形化后的第二导电图形132。第二导电图形132具有在L区域设置为按间距的间隔相互平行地在相对于密封件的延伸设置方向垂直的方向(图9(A)中Y方向)延伸的多条布线136。在此，多条布线136的各条在与无效显示区域b的边界分别连接于第一导电图形131。此夕卜，布线136的线宽W3比像素电极118和电极135的尺寸fe窄。因此，第二导电图形132具有多个以比像素电极118彼此或电极135彼此的间隙(I5x-Wx)宽的宽度 (Px-W3)开口的缝隙137。换言之，在俯视时，在密封区域c中表示第二导电图形132在每单位面积所占的面积的比例的面积密度，比在无效显示区域b中第一导电图形131的面积密度小，所以相应地，第二导电图形132的开口率比第一导电图形131的开口率大。此外，第二导电图形132包括在密封件的延伸设置方向(图9㈧中X方向)上延伸、使多条布线136彼此短路的布线138。该布线138在图9(A)的例子中是一条，但也可以是多条。在密封外侧区域d，设置有将像素电极层23图形化后的第三导电图形133。该第三导电图形133是使得与像素电极118相同尺寸的电极139按像素电极118的排列不变地进行矩阵状排列、并且将在纵向和横向相邻的电极139彼此在各边中央附近连接并图形化而成的，即，是与第一导电图形131相同的基本图形的重复。第三导电图形133在密封区域c的边界分别连接于布线136。另一方面，向第三导电图形例如如图2所示经由端子107和包括在密封外侧区域d中的连接点107c (在图9 (A) 中省略)施加电压LCcom。因此，还经由第三导电图形133向第二导电图形132和第一导电图形131施加电压 LCcom0此外，在本实施方式中，从密封外侧区域d，通过数据线层21和屏蔽电极层22的图形化形成用于连接于在有效显示区域a形成的各种电极等的布线和/或用于向在无效显示区域b形成的数据线驱动电路160以及扫描线驱动电路170供给信号等的布线。于是，下面特别对在密封区域c的附近将数据线层21和屏蔽电极层22图形化后的布线进行说明。数据线层21和屏蔽电极层22与像素电极层23相比位于下层(参照图 7)。因此，当对将数据线层21和屏蔽电极层22图形化后的布线进行总称时，有时称为下层导电图形。图9(B)是与图9(A)同样地放大了图8的L区域的俯视图，示出从元件基板101 的相对面俯视时屏蔽电极层22的图形化后的形状。如该图所示，在密封区域c，将屏蔽电极层22图形化后的多条布线141设置为在俯视时与构成第二导电图形132的布线136重叠。详细而言，多条布线141按间距的间隔以在相对于密封件的延伸设置方向垂直的方向延伸的方式相互平行地设置，并且当将布线 141的线宽设为W2时，以使得线宽W2变为布线136的线宽W3的方式使得线中心对齐而形成。在图9(B)中，为了表示用实线示出的布线141的位置关系，用虚线表示将像素电极层23图形化后的电极135、139等。将屏蔽电极层22图形化后的布线141在图9 (B)的无效显示区域b中在途中终止，这是为了例如经由接触孔与设置在更下层的布线层等连接。实际上，布线141根据无效显示区域b中的布线的用途、性质等图形化为各种形状。同样地，在密封外侧区域d，布线141 成为与密封区域c同样的形状，但实际上根据用途等可图形化为各种形状。此外，多条布线141大多互相电独立地使用，所以不设置第二导电图形132的布线 138这样的使布线彼此短路的布线。在密封区域c，在将屏蔽电极层22图形化后的布线141的下层，以俯视时与布线 136,141双方重叠的方式设置有将数据线层21图形化后的多条布线151。详细而言，关于多条布线151，也按间距的间隔以在相对于密封件的延伸设置方向垂直的方向延伸的方式相互平行地设置，并且当将布线151的线宽设为Wl时以使得线宽Wl变为布线141的线宽W2的方式使线中心对齐而形成。因此，密封区域c中俯视时的布线151的形状与布线141没有区别，所以在图9 (B) 中用括号括出。在无效显示区域b和密封外侧区域d，布线151在根据其用途等图形化为各种形状这一方面也与布线141同样。图10是在图9㈧或⑶的K-k线处剖切时的部分剖面图。图9㈧和⑶仅示出元件基板101，在图10中为了方便也示出相对基板102。如图10所示，在元件基板101中形成在密封区域的第二导电图形132(布线136) 设置在相对于下层导电图形的布线141和布线151在上层重叠的位置。因此，在元件基板 101和相对基板102贴合时，从元件基板101的背面侧照射来的光经由缝隙137到达密封件 90。此外，在不构成第一导电图形131、第二导电图形132以及第三导电图形133的部分，即在无效显示区域b、密封区域c以及密封外侧区域d中不存在像素电极层23的部分， 通过与有效显示区域a同样的CMP处理埋入有氧化硅膜36。因此，元件基板101的相对面 (表面)不仅在有效显示区域a还在其周边区域平坦化。因此，根据本实施方式，在确保元件基板101的平坦性的基础上，除了从相对基板 102的观察侧照射的光之外，还能够通过从元件基板101的背面侧照射的光，使密封件固化。在本实施方式中，在密封外侧区域d形成第三导电图形133并实施CMP处理的理由如下。即，这是因为元件基板101实际上在晶片上形成多个后通过切割一个一个分别切取，CMP处理在晶片阶段执行，所以在相邻的元件基板彼此的边界也残留第三导电图形133 与不残留的情况相比，能够进一步确保平坦性。此外，在密封区域c中，密封件90成为由共用电极108和第二导电图形132(布线 136)夹持的结构。对第二导电图形132依次经由端子107、连接点107c以及第三导电图形 133施加与共用电极108相同的电压LCcom，所以施加于密封件90的电压为零。因此，即使会通过施加直流而使保湿性劣化的成分包含于密封件90中，也能够防止那样的劣化。除此之外，第二导电图形132使多条布线136分别在相对于密封件的延伸设置方向交叉的垂直方向延伸，并且在密封件的延伸设置方向并排排列，这些布线136彼此通过布线138短路。因此，在密封区域c中，不会向布线136施加因布线电阻而不同的电压。此外，对第一导电图形131也经由第三导电图形133和第二导电图形132施加电压LCcom，所以在无效显示区域b也不会向液晶105施加直流分量。关于密封区域c，以端子107排列的一边附近的L区域为例进行了说明，关于设置有扫描线驱动电路170的例如M区域，则是将图9A逆时针旋转90度后的内容。此时，密封件的延伸设置方向为Y方向，所以在第二导电图形132中，布线136的延伸方向成为X方向， 使这些布线136彼此短路的布线138的延伸方向为Y方向。布线136的排列间距与扫描线 112的排列间隔相等。此外，在本实施方式的液晶面板100中，在密封区域c中将像素电极层23图形化后的布线136的线宽W3、将屏蔽电极层22图形化后的布线141的线宽W2、以及将数据线层21图形化后的布线151的线宽Wl分别设为W3 = W2 = W1，但只要是从相对面俯视时相互重叠、下层导电图形不从布线136伸出的位置关系即可。只要满足该位置关系，则可以是 W3 ^ W2 ^ W1 ο对下层导电图形使用了将数据线层21和屏蔽电极层22图形化后的结构，但也可以采用构成扫描线112的多晶硅膜和/或构成中继电极61、62的多晶硅膜。此外，本发明不限定于液晶面板，只要是在两张基板间在由密封件包围的显示区域内夹持电光物质的显示面板即可。例如，还可以应用于有机EL面板、无机EL面板、电泳装置等。即使是这样的构成，也可以获得与上述实施方式、变形例大致同样的作用效果。电子设备下面对应用了上述实施方式的反射型液晶面板100的电子设备进行说明。图11 是表示将液晶面板100作为光阀使用的投影机1100的构成的俯视图。如该图所示，投影机1100是将实施方式的反射型液晶面板100与R(红)、G(绿)、 B(蓝)的各色对应的三板式。在投影机1100的内部沿系统光轴PL配置有偏振照明装置 1110。在该偏振照明装置1110中，来自灯1112的出射光通过利用反射器1114进行的反射成为大致平行的光束，入射到第一积分透镜1120。通过该第一积分透镜1120，来自灯1112 的出射光被分割为多个中间光束。该分割出的中间光束通过在光入射侧具有第二积分透镜的偏振变换元件1130，被变换为偏振方向大致统一的一种偏振光束(s偏振光束)，从偏振照明装置1110出射。从偏振照明装置1110出射的s偏振光束通过偏振分束器1140的s偏振光束反射面1141反射。在该反射光束中，蓝色光(B)的光束在分色镜1151的蓝色光反射层被反射， 通过液晶面板100B调制。此外，透射了分色镜1151的蓝色光反射层的光束中，红色光(R) 的光束在分色镜1152的红色光反射层被反射，通过液晶面板100R调制。另一方面，透射了分色镜1151的蓝色光反射层的光束中，绿色光(G)的光束透射分色镜1152的红色光反射层，通过液晶面板100G调制。在此，液晶面板100R、100G、100B与上述实施方式的液晶面板100同样，通过供给的与R、G、B各色对应的数据信号分别驱动。S卩，该投影机1100中，液晶面板100构成为对应于R、G、B各色设置三组，相应于与R、G、B各色对应的影像信号分别被驱动。通过液晶面板100R、100G、100B分别调制的红色、绿色、蓝色的光通过分色镜 1152、1151、偏振分束器1140依次合成后，通过投影光学系统1160投影到屏幕1170。通过分色镜1151、1152向液晶面板100R、100B、100G入射与R、G、B的各原色对应的光束，所以不需要滤色器。
作为电子设备，除了参照图11说明的投影机之外，还可列举上述EVF、背投型电视机、头戴式显示器等。
权利要求
1.一种电光装置，其特征在于， 具备具有光透射性的元件基板；具有光透射性，与所述元件基板相对配置的相对基板； 夹持在所述相对基板与所述元件基板之间的电光元件； 将所述相对基板和所述元件基板相互贴合的密封件；在所述元件基板上的进行图像显示的有效像素部排列，并且具有反射性的多个像素电极；与所述多个像素电极同一层，俯视时设置在所述有效像素部与所述密封件之间的第一导电图形；以及与所述多个像素电极同一层，俯视时与所述密封件重叠的第二导电图形， 所述第二导电图形，俯视时的每单位面积的面积密度小于所述第一导电图形的面积密度。
2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，所述第二导电图形包括俯视时在相对于所述密封件的延伸设置方向交叉的方向延伸设置的多个布线。
3.根据权利要求2所述的电光装置，其特征在于，具备连接于所述第二导电图形、在所述密封件的外侧形成的第三导电图形。
4.根据权利要求3所述的电光装置，其特征在于，具有在所述相对基板中的与所述元件基板相对的相对面形成、被施加预定的共用电压的共用电极，向所述第二导电图形经由所述第三导电图形施加所述共用电压。
5.根据权利要求4所述的电光装置，其特征在于，所述第二导电图形包括电连接所述多个布线彼此的连接部。
6.根据权利要求2所述的电光装置，其特征在于，所述像素电极对应于俯视多个扫描线与多个数据线时的交叉处来设置， 所述像素电极排列的间距等于所述多个扫描线或所述多个数据线的排列间隔， 所述多个布线排列的间距等于所述像素电极排列的间距。
7.根据权利要求6所述的电光装置，其特征在于，所述多个布线的各自的宽度比俯视时的所述像素电极的一边窄。
8.根据权利要求2所述的电光装置，其特征在于，具有相对于所述像素电极、所述第一导电图形和所述第二导电图形位于与所述相对基板相反侧的下层导电图形，俯视时，所述第二导电图形相对于所述下层导电图形重叠。
9.一种电子设备，其特征在于，具有权利要求1 8中任一项所述的电光装置。
全文摘要
本发明涉及电光装置和电子设备，在元件基板的相对面的有效显示区域(a)，具有反射性的像素电极(118)以预定间距按矩阵状排列。在俯视时比有效显示区域(a)靠外侧且比密封区域(c)靠内侧的无效显示区域(b)，设置与像素电极(118)同一层的第一导电图形(131)。在密封区域(c)设置与像素电极(118)同一层的第二导电图形(132)。俯视时的第二导电图形(132)的面积密度比第一导电图形(131)的面积密度小。
文档编号G02F1/1345GK102455535SQ20111031655
公开日2012年5月16日 申请日期2011年10月18日 优先权日2010年10月18日
发明者原弘幸, 横田智己 申请人:精工爱普生株式会社