光刻设备和可移除构件的制作方法

专利名称：光刻设备和可移除构件的制作方法
技术领域：
本发明涉及光刻设备以及用于改善至/来自光刻设备的物体或光刻设备中的物体的热传递的可移除构件。
背景技术：
光刻设备是一种将所需图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成待形成在所述IC的单层上的电路图案。可以将该图案转移到衬底(例如，硅晶片)上的目标部分(例如，包括一部分管芯、一个或多个管芯)上。所述图案的转移通常是通过将图案成像到提供到衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。通常，单个衬底将包含连续形成图案的相邻目标部分的网络。公知的光刻设备包括所谓的步进机，在所述步进机中，通过将整个图案一次曝光到所述目标部分上来辐射每一个目标部分；以及所谓的扫描器，在所述扫描器中，通过辐射束沿给定方向(“扫描”方向)扫描所述图案、同时沿与该方向平行或反向平行的方向扫描所述衬底来辐射每一个目标部分。也可能通过将图案压印(imprinting)到衬底的方式从图案形成装置将图案转移到衬底上。在光刻设备中，衬底被放置在衬底台上。通常，衬底被放置在连接至衬底台的突节板上。突节板包括多个突节，该突节是放置衬底的突起。因而，在衬底和突节板的处于突节之间的表面之间存在间隙。使用整体衬底台调节系统对衬底进行热调节。这种调节系统通常使用流体作为热传递介质，以将衬底台的温度保持基本上恒定。

发明内容
重叠和聚焦技术规范需要精确的衬底热调节。然而，这是困难的。例如，干式光刻设备的困难在于由于被投影束加热升温而在衬底上具有过热斑。例如，浸没光刻设备的困难在于由于蒸发而具有冷点。例如，极紫外(EUV)辐射光刻设备因为存在真空而遇到些问题。处理可能存在的衬底局部升温或冷却的一种方法是通过在突节之间的突节板上沉积一个或多个加热器/传感器用于热感测和加热。传感器和加热器实质上都可以是局部的，这意味着在平面上它们仅覆盖衬底的局部区域。每个加热器/传感器组合被单独地控制，由此获得局部热调节。使用柔性接触可以实现突节板和衬底台的剩余部分之间的电接触。光刻设备中的其他物体也需要进行热调节，期望是能够考虑在加热/冷却过程中的局部变化的热调节。例如，光刻设备的一个或多个透镜可以受益于这种系统。期望地，例如提供用以热调节光刻设备内的物体的一种设备。根据一方面，提供一种光刻设备，布置成将图案形成装置的图案传递至衬底上，所述光刻设备包括用以改进至/来自物体的热传递的构件。
根据一方面，提供一种光刻设备，布置成将图案形成装置的图案传递至衬底上，所述光刻设备包括第一物体；和多个碳纳米管，所述多个碳纳米管延伸朝向第一物体，其中轴线基本上与垂直第一物体的表面的方向对准、以改善至/来自所述第一物体的热传递。
根据一方面，提供一种可移除构件，用以改善至/来自光刻设备的物体或光刻设备中的物体的热传递，所述可移除构件包括至少一个加热器和至少一个温度传感器。


现在参照随附的示意性附图，仅以举例的方式，描述本发明的实施例，其中，在附图中相应的附图标记表示相应的部件，且其中图1示出了根据本发明一个实施例的光刻设备；图2示出突节板和平面构件的平面图；图3以平面图示出突节板和平面构件的横截面；以及图4以平面图示出突节板和平面构件的横截面。
具体实施例方式图1示意地示出了根据本发明一个实施例的光刻设备。所述设备包括照射系统(照射器)IL，其配置用于调节辐射束B (例如，紫外(UV)辐射或极紫外(EUV)辐射)；支撑结构(例如掩模台)MT，其构造用于支撑图案形成装置(例如掩模)MA，并与用于根据确定的参数精确地定位图案形成装置的第一定位装置PM相连；衬底台(例如晶片台)WT，其构造成用于保持衬底(例如涂覆有抗蚀剂的晶片)W，并与配置用于根据确定的参数精确地定位衬底的第二定位装置PW相连；和投影系统(例如折射式投影透镜系统)PS，其配置成用于将由图案形成装置MA赋予辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C (例如包括一根或多根管芯)上。照射系统可以包括各种类型的光学部件，例如折射型、反射型、磁性型、电磁型、静电型或其它类型的光学部件、或其任意组合，以引导、成形、或控制辐射。所述支撑结构MT支撑图案形成装置。支撑结构以依赖于图案形成装置的方向、光刻设备的设计以及诸如图案形成装置是否保持在真空环境中等其他条件的方式保持图案形成装置。所述支撑结构可以采用机械的、真空的、静电的或其它夹持技术保持图案形成装置。所述支撑结构可以是框架或台，例如，其可以根据需要成为固定的或可移动的。所述支撑结构可以确保图案形成装置位于所需的位置上(例如相对于投影系统)。在这里任何使用的术语“掩模版”或“掩模”都可以认为与更上位的术语“图案形成装置”同义。这里所使用的术语“图案形成装置”应该被广义地理解为表示能够用于将图案在辐射束的横截面上赋予辐射束、以便在衬底的目标部分上形成图案的任何装置。应当注意，被赋予辐射束的图案可能不与在衬底的目标部分上的所需图案完全相符(例如如果该图案包括相移特征或所谓辅助特征)。通常，被赋予辐射束的图案将与在目标部分上形成的器件中的特定的功能层相对应，例如集成电路。图案形成装置可以是透射式的或反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编程反射镜阵列以及可编程液晶显示(LCD)面板。掩模在光刻术中是公知的，并且包括诸如二元掩模类型、交替型相移掩模类型、衰减型相移掩模类型和各种混合掩模类型之类的掩模类型。可编程反射镜阵列的示例采用小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以独立地倾斜，以便沿不同方向反射入射的辐射束。所述已倾斜的反射镜将图案赋予由所述反射镜矩阵反射的辐射束。这里使用的术语“投影系统”应该广义地解释为包括任意类型的投影系统，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、电磁型和静电型光学系统、或其任意组合，如对于所使用的曝光辐射所适合的、或对于诸如使用浸没液或使用真空之类的其他因素所适合的。这里使用的术语“投影透镜”可以认为是与更上位的术语“投影系统”同义。如这里所示的，所述设备是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替代地，所述设备可以是反射型的(例如，采用如上所述类型的可编程反射镜阵列，或采用反射式掩模)。所述光刻设备可以是具有两个(双台)或更多衬底台(和/或两个或更多的图案形成装置台)的类型。在这种“多台”机器中，可以并行地使用附加的台，或可以在一个或更多个台上执行预备步骤的同时，将一个或更多个其它台用于曝光。所述光刻设备还可以是这种类型，其中衬底的至少一部分可以由具有相对高的折射率的液体覆盖(例如水)，以便填满投影系统和衬底之间的空间。浸没液体还可以施加到光刻设备的其他空间中，例如掩模和投影系统之间的空间。浸没技术在本领域是熟知的，用于提高投影系统的数值孔径。这里使用的术语“浸没”并不意味着必须将结构(例如衬底)浸入到液体中，而仅意味着在曝光过程中液体位于投影系统和该衬底之间。参照图1，所述照射器IL接收从辐射源SO发出的辐射束。该源SO和所述光刻设备可以是分立的实体(例如当该源为准分子激光器时)。在这种情况下，不会将该源考虑成形成光刻设备的一部分，并且通过包括例如合适的定向反射镜和/或扩束器的束传递系统BD的帮助，将所述辐射束从所述源SO传到所述照射器IL。在其它情况下，所述源可以是所述光刻设备的组成部分(例如当所述源是汞灯时)。可以将所述源SO和所述照射器IL、以及如果需要时设置的所述束传递系统BD —起称作辐射系统。所述照射器IL可以包括用于调整所述辐射束的角强度分布的调整器AD。通常，可以对所述照射器IL的光瞳平面中的强度分布的至少所述外部和/或内部径向范围(一般分别称为σ-外部和ο-内部)进行调整。此外，所述照射器IL可以包括各种其它部件，例如积分器IN和聚光器CO。可以将所述照射器用于调节所述辐射束，以在其横截面中具有所需的均勻性和强度分布。与源SO类似，照射器IL可以被看作或不被看作光刻设备的部分。例如，照射器IL可以是光刻设备的组成部分，或可以是与光刻设备分离的实体。在后一种情形中，光刻设备可以配置成允许照射器IL安装其上。可选地，照射器IL是可拆卸的并且可以单独地提供(例如，由光刻设备制造商或其他提供者)。所述辐射束B入射到保持在支撑结构(例如，掩模台MT)上的所述图案形成装置(例如，掩模MA)上，并且通过所述图案形成装置来形成图案。已经穿过图案形成装置MA之后，所述辐射束B通过投影系统PS，所述投影系统将辐射束B聚焦到所述衬底W的目标部分C上。通过第二定位装置PW和位置传感器IF(例如，干涉仪器件、线性编码器或电容传感器)的帮助，可以精确地移动所述衬底台WT，例如以便将不同的目标部分C定位于所述辐射束B的路径中。类似地，例如在从掩模库的机械获取之后，或在扫描期间，可以将所述第一定位装置PM和另一个位置传感器(图1中未明确示出)用于相对于所述辐射束B的路径精确地定位图案形成装置MA。通常，可以通过形成所述第一定位装置PM的一部分的长行程模块(粗定位)和短行程模块(精定位)的帮助来实现支撑结构MT的移动。类似地，可以采用形成所述第二定位装置PW的一部分的长行程模块和短行程模块来实现所述衬底台WT的移动。在步进机的情况下(与扫描器相反)，支撑结构MT可以仅与短行程致动器相连，或可以是固定的。可以使用图案形成装置对准标记M1、M2和衬底对准标记P1、P2来对准图案形成装置MA和衬底W。尽管所示的衬底对准标记占据了专用目标部分，但是它们可以位于目标部分之间的空间(这些公知为划线对齐标记)中。类似地，在将多于一个的管芯设置在图案形成装置MA上的情况下，所述图案形成装置对准标记可以位于所述管芯之间。可以将所示的设备用于以下模式中的至少一种中1.在步进模式中，在将支撑结构MT和衬底台WT保持为基本静止的同时，将赋予所述辐射束的整个图案一次投影到目标部分C上(即，单一的静态曝光)。然后将所述衬底台WT沿X和/或Y方向移动，使得可以对不同目标部分C曝光。在步进模式中，曝光场的最大尺寸限制了在单一的静态曝光中成像的所述目标部分C的尺寸。2.在扫描模式中，在对支撑结构MT和衬底台WT同步地进行扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上(即，单一的动态曝光)。衬底台WT相对于支撑结构MT的速度和方向可以通过所述投影系统PS的(缩小)放大率和图像反转特征来确定。在扫描模式中，曝光场的最大尺寸限制了单一动态曝光中所述目标部分的宽度(沿非扫描方向)，而所述扫描运动的长度确定了所述目标部分的高度(沿所述扫描方向)。3.在另一个模式中，将用于保持可编程图案形成装置的支撑结构MT保持为基本静止，并且在对所述衬底台WT进行移动或扫描的同时，将赋予所述辐射束的图案投影到目标部分C上。在这种模式中，通常采用脉冲辐射源，并且在所述衬底台WT的每一次移动之后、或在扫描期间的连续辐射脉冲之间，根据需要更新所述可编程图案形成装置。这种操作模式可易于应用于利用可编程图案形成装置(例如，如上所述类型的可编程反射镜阵列)的无掩模光刻术中。也可以采用上述使用模式的组合和/或变体，或完全不同的使用模式。本发明的多个实施例将在下面结合其在调节光刻设备的衬底W的应用而被详细描述。然而，本发明的一个实施例可以应用于光刻设备的任何其他物体或光刻设备中的任何其他物体。这些示例包括透镜、掩模、台(例如衬底台)或需要调节的任何其他物体或物体组。本发明的一个实施例用于改善至/来自其温度被调节的物体的热传递。先前的温度调节器通常在温度传感器/加热器与其温度正在被调节的物体之间留有间隙。例如，在衬底W的情形中，一个或多个加热器/传感器12、14组合可以设置在衬底W下面的突节板20的突节25之间。然而，在加热器/传感器12、14组合的顶部和衬底W的底部之间保持间隙。也就是说，加热器/传感器12、14组合在厚度小于高度的突节25之间的突节板20的表面上形成为例如薄膜线。由于加热器/传感器12、14组合和被热调节的物体之间的热路径(更具体地，热阻)长度，这种系统的性能受到限制。因此，通常在校正物体内的热变化方面这种系统是缓慢的。此外，因为突节25之间的突节板20的表面的表面性能，产量受到限制。在一个实施例中，设置平面构件10。构件10是平的。构件10在平面的方向上是细长的。构件10是二维的。这允许构件10在将要被调节的整个表面上展开。平面构件10安装在光刻设备的第一物体上(例如突节板20)。平面构件10包括改善至/来自第二物体(例如衬底W)的热传递的一种材料或多种材料。热可以传递至第一物体(例如突节板20)/从第一物体(例如突节板20)传递出来或从至少一个加热器12传递热。加热器12可以与平面构件10形成一体或连接至平面构件10或与平面构件10分离开，或者加热器12可以与第一物体形成一体或连接至第一物体或与第一物体分离开。在一个实施例中，加热器12用作散热器以冷却物体。当较少的热需要处理，则加热器的温度可以升高。可以在容易产生热斑而不是冷点(cold spot)的干燥设备或EUV设备中采用这种系统。构件10不必是平面的。如下文所述，使用薄膜和/或(结合)碳纳米管是有利的。如果构件具有低的刚性，则所述构件可以围绕其自身温度被所述构件调节的物体的表面(例如曲面)而形成。平面构件10可以与突节板20分开。在一个实施例中，平面构件10可以从突节板20移除离开。因而，可以制造具有完好表面的平面构件10，以改善在应用可以应用于平面构件10的一个或多个加热器和温度传感器12、14方面(例如以传导路径的方式，诸如由薄膜技术沉积的薄膜线或轨道)的产出。图2以平面图的形式示出安装在具有多个突节25的突节板20上的平面构件10。如图所示，平面构件10包括轨道形式的加热器12和轨道形式的温度传感器14。加热轨道和感测轨道形成加热器和温度传感器组合。平面构件10可以包括多于一个的加热器12和/或温度传感器14。每个加热器12和/或温度传感器14在平面上可以限定至平面构件10的局部区域。在一个实施例中，每个加热器12具有相应的温度传感器14。在一个实施例中，对应的加热器12和温度传感器14可以包含于单个轨道(例如具有驱动器、以驱动轨道交替地作为加热器和温度传感器)。如图2所示，平面构件10可以包括多个通孔50。突节板20的突节25突出通过通孔50。平面构件10是可移除的优点在于，当其停止适当地发挥作用时，例如因为多个加热器和/或传感器轨道中的一个有缺陷，平面构件10可以被移除并容易地被替换。附加地或替换地，平面构件10可以被颗粒污染，例如来自衬底W的下侧的颗粒。这种颗粒本身可能嵌入平面构件10内。为了清洁可以移除平面构件10，或可以移除并丢弃平面构件10并用新的平面构件10替换。图3示出平面构件10的横截面。如图所示，在使用时平面构件10的顶表面形成为与突节25的顶表面基本上平行。以此方式，在使用时衬底W的下表面与平面构件10接触。在一个实施例中，弹性构件30可以设置在平面构件10下面的突节25之间的空间内。弹性构件30可以是平面构件10的一部分或可以是分立的部件。平面构件10和/或弹性构件30的尺寸形成为使得当衬底W不在突节板20上的合适位置时，平面构件10的顶表面突出到突节25的顶表面之上。当衬底W被放置在突节25上并且施加夹持力(例如，静电地或通过在突节25之间的空间内产生负压)至衬底W时，例如平面构件10和/或弹性构件30等构件的弹性或弹力导致平面构件10的顶表面被压与衬底W的底表面接触。这具有污染物不影响衬底W的平整度(flatness)的优点，因为该构件将变形以容纳污染物。提供弹性构件30的优点在于弹性构件30和平面构件10的组合在突节25之间提供给衬底W的机械支撑。在一个实施例中，弹性构件30的弹性或弹力导致平面构件10被压与衬底W接触。在一个实施例中，由于其弹性对平面构件10施加压力使平面构件10与第二物体接触(例如衬底W)的构件30具有小于8000MPa的杨氏模量，期望小于6000MPa、4000MPa或3000MPa。在一个实施例中，弹性构件30包括泡沫材料衬底，例如聚氨酯泡沫材料衬底或碳
纳米管。在一个实施例中，泡沫材料是闭孔泡沫材料。这种实施方式可以尤其适于衬底台WT是静电夹持件或位于EUV设备中的情形。在一个实施例中，泡沫材料是开孔泡沫材料。在衬底台WT是在突节25之间使用负压以将衬底W夹持至突节板20的类型的情形中，或者光刻设备将衬底W和衬底台WT放置在真空中的情形中，这尤其是有利的。在一个实施例中，平面构件10不与衬底W接触。也就是说，在平面构件10和衬底W之间存在间隙。在某些情形中这是有利的。例如，在该实施例中衬底W下表面的刮擦和由此产生污染物颗粒的风险降低。然而，该实施例在靠近衬底W的下侧提供一个或多个加热器12和传感器14以改善至/来自衬底W的热传递方面仍然是有利的。附加地，如果平面构件10不是可移除的，则这也处理污染物问题，因为污染物将落在突节25之间的平面构件10上并且将不会接触衬底W的下表面。附加地或替换地，该实施例在使用突节25之间的负压操作衬底台WT的情形中是有用的。这是因为在突节25之间将存在足够的空间以实现想要的负压。另一方面，有必要确保平面构件10和/或弹性构件30是多孔的。在一个实施例中，平面构件10和弹性构件30是整体的并且都形成可移除的平面构件10的一部分。在一个实施例中，弹性构件30例如通过粘合剂连接至突节板20，并且平面构件10被简单地放置在弹性构件30上，但是没有连接其上。本发明的一个实施例显著地增大衬底W的有效热区域。在没有平面构件10的情况下，通过突节25的传导可以实现大部分热调节。在本发明一个实施例中，还可以存在衬底台WT的通常的流体调节和由此带来的通过突节25的热传递。然而，使用平面构件10增大至/来自衬底W的热传递，尤其是在平面构件10被压抵靠衬底W的下表面的时候。即使在平面构件10和衬底W的下表面之间存在间隙，由于传感器/加热器和衬底W之间的热距离减小，至/来自衬底W的热传递被改善。在一个实施例中，温度传感器14和/或加热器12被应用至平面构件10的顶表面。通过例如电绝缘涂层等涂层包封传感器14和/或加热器12。任何传感器/加热器可以应用在绝缘涂层或绝缘层上。弹性构件30和/或平面构件10的底表面可以具有位于其上的电绝缘层。图4示出另一实施例的横截面。在图4中，平面构件10的实施例包括多个碳纳米管。碳纳米管具有高的导热率(大于IOOOWnr1K-1)。因此，传感器/加热器可以设置在离开衬底W的下表面的平面构件10内。例如，加热器/传感器可以设置在平面构件10的面对且离开衬底W的下表面的表面上。在一个实施例中，碳纳米管被长成碳纳米管。在一个实施例中，碳纳米管的轴线基本上垂直于突节板20和/或衬底W的表面。碳纳米管的沿碳纳米管的轴线的导热率远大于沿横截其轴线的导热率。碳纳米管可以形成为使得当衬底W没有定位在突节板20上时它们突出到突节25的顶表面的平面之上。当随后衬底W被夹持至突节板20时，碳纳米管弯曲或压缩。以此方式，碳纳米管可以被形成为压缩与衬底W的下表面接触并进一步改善热接触。在一个实施例中，碳纳米管的长度使得在平面构件10的顶部和衬底W的下表面之间存在间隙。在一个实施例中，在平面构件10的顶表面上设置涂层。涂层可以是电绝缘材料(例如，在衬底台WT是静电夹持件的情形中)和/或可以是用以减小衬底W的下表面上的平面构件10的磨蚀的涂层的形式。碳纳米管是极硬的并且因此会损坏衬底W的下表面。这会有害地导致污染物颗粒的产生。通过设置减小这种损坏的涂层(例如比碳纳米管软的涂层)，该实施例的可能的缺点可以被消除。期望地，涂层应该具有高的导热率系数。涂层的一个示例是金(因为金软并且具有3151!!!- -1的导热率)。在一个实施例中，平面构件10具有至少ZOOWnr1Ir1或至少lOOOWn^IT1的导热率。在一个实施例中，导热率为至少2000、3000或SOOOWn^IT1。这有助于确保实现较好的热传递的目的。在一个实施例中，在突节25之间的表面上的突节板20上合适位置处生长碳纳米管。在一个实施例中，碳纳米管被形成为可移除构件的一部分，使得平面构件10可移除离开突节板20。通过诸如CVD、电弧放电、激光烧蚀、高压一氧化碳(HIPc0)等任何技术可以生长碳纳米管。可以以任何已知的方式在两个板(在这种情形中，在具有半导体沉积物的突节板20和在突节板20上合适位置处的替代衬底W之间以控制碳纳米管的长度并因而有助于防止需要进一步的处理步骤)之间实现碳纳米管层。使用与以上所述类似的方案可以形成包括碳纳米管的平面构件10，除了平面构件10不必形成在光刻设备内的突节板20上。相反，碳纳米管可以形成在不同的(伪)突节板20上，可选地，在所述不同的(伪)突节板20上衬底层已经被放置在突节25之间的突节板20的表面上，在其顶部上是随后将生长为碳纳米管的半导体沉积物。在生长碳纳米管之前，传感器/加热器组合可以设置在衬底的顶部上。在一个实施例中，设置多个感测轨道14用于每个加热轨道12。因为可以容纳一定量的有缺陷的感测轨道14，这会导致产量提高。在一个实施例中，平面构件10设置成完全为了其机械性能。也就是说，平面构件10安装在第一物体上以在第一物体的支撑点(例如突节邪)之间支撑第二物体。在一个实施例中，当第一物体是突节板25时，平面构件10在突节25之间的位置处支撑衬底。 在一个实施例中，碳纳米管具有IOVmm2-IOicVmm2范围内的密度。在一个实施例中，碳纳米管的密度在平面上是变化的。这是有利的，因为这随后可以用单一材料获得局部变化的机械技术规范(例如，刚性性能)。在一个实施例中，加热器12和/或传感器14由碳纳米管形成(生长)。这导致传导率和分辨率的有益的增大。虽然在本文中详述了光刻设备用在制造ICs (集成电路)，但是应该理解到，这里所述的光刻设备可以有其他应用，例如制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(IXDs)、薄膜磁头等。本领域技术人员应该认识到，在这种替代应用的情况中，可以将这里使用的任何术语“晶片”或“管芯”分别认为是与更上位的术语“衬底”或“目标部分”同义。这里所指的衬底可以在曝光之前或之后进行处理，例如在轨道(一种典型地将抗蚀剂层涂到衬底上，并且对已曝光的抗蚀剂进行显影的工具)、量测工具和/或检验工具中。在可应用的情况下，可以将所述公开内容应用于这种和其他衬底处理工具中。另外，所述衬底可以处理一次以上，例如为产生多层IC，使得这里使用的所述术语“衬底”也可以表示已经包含多个已处理层的衬底。虽然上面详述了本发明的实施例在光学光刻技术的应用，应该注意到，本发明可以有其它的应用，例如压印光刻，并且只要情况允许，不局限于光学光亥Ij。在压印光刻中，图案形成装置中的拓扑限定了在衬底上产生的图案。可以将所述图案形成装置的拓扑印刷到提供给所述衬底的抗蚀剂层中，在其上通过施加电磁辐射、热、压力或其组合来使所述抗蚀剂固化。在所述抗蚀剂固化之后，所述图案形成装置从所述抗蚀剂上移走，并在抗蚀剂中留下图案。这里使用的术语“辐射”和“束”包含全部类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如，具有约365、355、248、193、157或126nm的波长)和极紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm范围的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。在允许的情况下，术语“透镜”可以表示不同类型的光学部件中的任何一种或其组合，包括折射式的、反射式的、磁性的、电磁的以及静电的光学部件。尽管以上已经描述了本发明的具体实施例，但应该认识到，本发明可以以与上述不同的方式来实现。上述本说明书是示例性的而不是限制的。因此，本领域技术人员清楚在不脱离所附权利要求的范围的情况下可以对本发明进行修改。
权利要求
1.一种光刻设备，布置成将图案从图案形成装置传递至衬底上，所述光刻设备包括用以改善至/来自物体的热传递的构件。
2.如权利要求1所述的光刻设备，其中，所述构件具有至少ZOOWm-1K-1的导热率。
3.如权利要求1或2所述的光刻设备，其中，所述构件安装在第一物体上并且至其的热传递/来自其的热传递被改善的所述物体是第二物体。
4.一种光刻设备，布置成将图案从图案形成装置传递至衬底上，所述光刻设备包括第一物体；和多个碳纳米管，所述多个碳纳米管延伸朝向第一物体，其中轴线基本上与垂直于第一物体的表面的方向对准、以改善至/来自所述第一物体的热传递。
5.如权利要求4所述的光刻设备，还包括局部加热器，所述多个碳纳米管定位在局部加热器和第一物体之间。
6.如权利要求4或5所述的光刻设备，还包括多个局部温度传感器，所述多个碳纳米管定位在局部温度传感器和第一物体之间。
7.—种可移除构件，用以改善至/来自光刻设备的物体或光刻设备中的物体的热传递，所述可移除构件包括加热器和温度传感器。
8.如权利要求7所述的可移除构件，其中，所述构件是平面的。
9.如权利要求7或8所述的可移除构件，还包括多个局部加热器和/或多个局部温度传感器。
10.一种光刻设备，包括根据权利要求7-9中任一项所述的可移除构件。
全文摘要
一种光刻设备和可移除构件。所述光刻设备布置成将图案形成装置的图案传递至衬底上，所述光刻设备具有第一物体和安装在第一物体上以改善至/来自第二物体的热传递的平面构件。
文档编号G03F7/20GK102566304SQ20111040169
公开日2012年7月11日 申请日期2011年12月6日 优先权日2010年12月23日
发明者R·A·C·M·比伦斯, T·P·M·卡迪 申请人:Asml荷兰有限公司