专利名称：一种薄膜晶体管液晶显示装置及其修复方法
技术领域：
本发明属于液晶显示领域，尤其涉及一种薄膜晶体管液晶显示装置及其修复方法。
背景技术：
在制作薄膜晶体管液晶显示装置(TFT-1XD, Thin Film Transistor-LiquidCrystal Display)的工艺过程中，由于成膜质量的好坏、环境的洁净度、装置件本身的设计以及设备本身等问题，不可避免的会产生杂质颗粒、膜脱落等问题，进而导致像素信号不能正常驱动、像素点缺陷等问题。这些问题在显示区域的任一点出现，都会导致薄膜晶体管液晶显示装置的显示品质大大降低。现有的解决方式一般为在做成液晶盒并加电测试后，将亮点缺陷用激光修补方式打成暗点。具体原理为，将栅极线与像素电极短路，使像素电极大部分时间处于负电压，相对于彩膜基板上的共同电极电压形成绝对值较大的电压差，从而使液晶始终处于旋转状态，薄膜晶体管液晶显示装置显示为暗点以达到修复亮点的目的。但是，液晶显示装置中，由于彩膜基板一侧有黑色矩阵的存在，所以激光焊接栅极线与像素电极只能从薄膜晶体管阵列基板一侧进行焊接，一般包括两种方式:a、通过激光焊接栅极线和漏极凸出部位的金属，使栅极线和漏极凸出部位的金属短路，最终实现栅极线与像素电极的短路；b、直接通过激光焊接像素电极与栅极线金属，最终实现栅极线与像素电极的短路。参考图1和图2，，图1为薄膜晶体管液晶显示装置薄膜晶体管阵列基板的正视图，图2为薄膜晶体管阵列基板背视图，图中数据线D1、D2与栅极线G1、G2围成一个像素，在一个像素内有像素电极3，在一个像素内设置有U形的共通线C，虚线601和602所围的两个区域内的黑点4和5分别为激光修复点，601内包括有漏极I和源极2。在修复亮点时可以采用以下两种方式，a:在601区域内，激光焊接修复点4，使漏极I与栅极交叠的部位与邻近的栅极线G2短路，以达到修复目的；b:激光焊接602区域内的修复点5，使像素电极3与邻近的栅极线Gl短路，以达到修复目的。但是，现有的修复薄膜晶体管显示装置亮点的方法都会出现修复失败的现象，并且在一些特定情况下，修复失败的几率较大，修复成功率较低。
发明内容
有鉴于此，本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管液晶显示装置及其修复方法，以解决现有的薄膜晶体管液晶显示装置修复成功率较低的问题。该薄膜晶体管液晶显示装置，包括:基板、栅极线、共通线、栅极绝缘层、硅岛、数据线、源极、漏极、钝化层和像素电极，所述像素电极包括像素电极的透光区和像素电极的不透光区，所述栅极线上设置有修复标记，所述修复标记对应于漏极与栅极交叠的部位或对应于像素电极的不透光区；当所述修复标记对应于像素电极的不透光区时，对应于所述修复标记的栅极绝缘层和钝化层之间包括遮光结构。优选的，当所述修复标记对应于漏极与栅极交叠的部位时，所述修复标记具有沿栅极线向内凹进的修复标记图形。优选的，当所述修复标记对应于漏极与栅极交叠的部位时，所述修复标记具有沿栅极线向外凸出的修复标记图形。优选的，所述共通线上与所述修复标记图形对应的位置具有沿共通线向内凹进的图形。优选的，当所述修复标记对应于像素电极的不透光区时，所述修复标记具有穿透所述栅极线的修复标记图形。优选的，所述遮光结构的制作材料与数据线的制作材料相同，且所述遮光结构与数据线、源极、漏极在同一光刻过程中同时形成。优选的，所述遮光结构的制作材料与硅岛的制作材料相同，且所述遮光结构与硅岛在同一光刻过程中形成。优选的，所述修复标记为圆形的修复标记。优选的，所述修复标记为矩形的修复标记。一种上述任一项所述薄膜晶体管液晶显示装置的修复方法，其特征在于，激光焊接所述修复标记所标示出的位置，使所述栅极线与所述漏极与栅极交叠的部位或像素电极的不透光区电连接。由于本发明所提供的薄膜晶体管液晶显示装置的栅极线上设置有修复标记，且所述修复标记对应于漏极与栅极交叠的部位或对应于像素电极的不透光区；当所述修复标记对应于像素电极的不透光区时，对应于所述修复标记的栅极绝缘层和钝化层之间包括遮光结构。可见，在所述修复标记对应于漏极与栅极交叠的部位的情况下，在修复薄膜晶体管液晶显示装置亮点的过程中，可以精确判断修复点的位置，以避免栅极线和源极之间短路现象的发生，提高修复成功率；在所述修复标记对应于像素电极的不透光区的情况下，在修复薄膜晶体管液晶显示装置亮点的过程中，可以避免像素边缘漏光现象的发生，并且由于对应于所述修复标记的栅极绝缘层和钝化层之间包括遮光结构，所以所述修复标记处不会出现漏光的情况，进而提高修复成功率。
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是现有的薄膜晶体管液晶显示装置正视结构示意图；图2是现有的薄膜晶体管液晶显示装置背视结构示意图；图3是现有的薄膜晶体管液晶显示装置结构漏极在允许范围内偏移后的结构示意图；图4是本发明所提供的一种薄膜晶体管液晶显示装置的背视结构示意图；图5是本发明所提供的另一种薄膜晶体管液晶显示装置的局部背视结构示意图6是本发明所提供的又一种薄膜晶体管液晶显示装置的背视结构示意图；图7是本发明所提供的再一种薄膜晶体管液晶显示装置的背视结构示意图。
具体实施例方式为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。正如背景技术所述，现有的修复薄膜晶体管液晶显示装置亮点的方法都会出现修复失败的现象，并且在一些特定情况下，修复失败的几率较大，修复成功率较低。发明人经研究发现，针对方法a而言，如图3所示，若漏极I在允许范围内相对于栅极线G2发生偏移，背视时，漏极I与栅极交叠的部位被栅极线G2遮挡，无法判断源极2的位置，修复时，修复点4-1可能会与源极2交叠，从而造成栅极线G2和源极2以及漏极I之间均短路，而栅极线G2与源极2之间的短路是不希望看到的，致使修复失败；针对方法b而言，如图2所示，在像素的不透光区由于被栅极线Gl的遮挡，无法判断具体修复位置，修复成功率较低，若修复点5位于像素透光区的边缘位置，则往往会出现像素边缘漏光的现象发生，导致修复品质下降，致使修复失败，造成生产的时间及成本的浪费。本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示装置，包括:基板、栅极线、共通线、栅极绝缘层、硅岛、数据线、源极、漏极、钝化层和像素电极，所述像素电极包括像素电极的透光区和像素电极的不透光区，其特征在于:所述栅极线上设置有修复标记，所述修复标记对应于漏极与栅极交叠的部位或对应于像素电极的不透光区；当所述修复标记对应于像素电极的不透光区时，对应于所述修复标记的栅极绝缘层和钝化层之间包括遮光结构。由上述方案可以看出，由于本发明所提供的薄膜晶体管液晶显示装置的栅极线上设置有修复标记，且所述修复标记对应于漏极与栅极交叠的部位或对应于像素电极的不透光区；所述修复标记对应于像素电极的不透光区的情况下，对应于所述修复标记的栅极绝缘层和钝化层之间包括遮光结构。所以，在所述修复标记对应于漏极与栅极交叠的部位的情况下，在修复薄膜晶体管液晶显示装置亮点的过程中，可以精确判断修复点的位置，以避免栅极线和源极之间短路现象的发生，提高修复成功率；在所述修复标记对应于像素电极的不透光区的情况下，在修复薄膜晶体管液晶显示装置亮点的过程中，可以避免像素边缘漏光现象的发生，并且由于对应于所述修复标记的栅极绝缘层和钝化层之间包括遮光结构，所以所述修复标记处不会出现漏光的情况，进而提高修复成功率。以上是本申请的核心思想，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是本发明还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。实施例一:本实施例公开了一种薄膜晶体管液晶显示装置，包括:基板、栅极线、共通线、栅极绝缘层、硅岛、数据线、源极、漏极、钝化层和像素电极，所述像素电极包括像素电极的透光区和像素电极的不透光区，所述栅极线上设置有修复标记，所述修复标记对应于漏极与栅极交叠的部位。具体设置如图4所示:基板(图中未示出)，所述基板为玻璃基板或是其他材料的基板。栅极线Gl 1、G12和共通线Cl I，所述栅极线Gl 1、G12和共通线Cll设置在第一金
属层，所述第一金属层设置在基板表面上。具体的，所述共通线Cll在每个其所对应的像素区域内为U形，且在与栅极线Gll或G12平行的方向上通过第一金属层导通，所述栅极线上设置有栅极，且所述栅极线G12上设置有修复标记X，所述修复标记具有沿栅极线G12向内凹进的矩形的修复标记图形。栅极绝缘层(图中未示出)，所述栅极绝缘层设置在第一金属层表面上，在位于所述栅极线的栅极上方的栅极绝缘层表面上设置有硅岛(图中未示出)。第二金属层，所述第二金属层设置在栅极绝缘层表面上，且所述第二金属层内设置有数据线Lll和L12、源极Sll和漏极D11，所述源极Sll和数据线Lll为一整体结构，所述漏极Dll与栅极交叠的部分和源极Sll均设置在硅岛表面上，且所述硅岛与栅极、源极S11、漏极Dll—起构成了 TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)，多条数据线和多条栅极线确定多个像素区。钝化层(图中未示出)，所述钝化层设置在第二金属层表面上，且所述钝化层内设置有接触孔。第三金属层，所述第三金属层设置在钝化层表面上，优选为透明的氧化铟锡层，且在所述第三金属层内设置有像素电极Pl I，所述像素电极通过接触孔与漏极Dll电连接，另夕卜，所述像素电极Pll的一部分位于透光区，称作像素电极的透光区，所述像素电极Pll的另一部分位于不透光区，称作像素电极的不透光区，本发明所述像素电极的不透光区具体指的是像素电极PU与栅极线Gll交叠的区域。具体的，所述修复标记X对应于漏极Dll与栅极交叠的部位，具有矩形的修复标记图形，还可以具有圆形或其他可以起到标示作用的修复标记图形，需要说明的是，所述修复标记X的规格需适中，不能太小使得操作人员不易辨认，更不能太大而影响液晶显示装置整体的显示效果。更具体的，所述修复标记X具有沿栅极线G12向内凹进的修复标记图形(如图4所示)或是沿栅极线G12向外凸出的修复标记图形。如图5所示，在所述修复标记X-1对应于漏极Dll与栅极交叠的部位且具有沿栅极线G12向外凸出的修复标记图形的情况下，在所述共通线Cll上与所述修复标记图形对应的位置设置有沿共通线Cll向内凹进的图形，以防止所述栅极线G12和共通线Cll导通。由于本发明所提供的薄膜晶体管液晶显示装置的栅极线上设置有修复标记，且所述修复标记对应于漏极与栅极交叠的部位，所以，在修复薄膜晶体管液晶显示装置亮点的过程中，可以精确判断修复点的位置，以避免栅极线和源极之间短路现象的发生，提高修复成功率。实施例二:本实施例与实施例一不同之处在于，所述修复标记对应于像素电极的不透光区，且对应于所述修复标记的栅极绝缘层和钝化层之间包括遮光结构。如图6所示，图6-a为俯视图，修复标记Xl对应于像素电极Pll的不透光区，且所述修复标记Xl具有穿透所述栅极线Gll的圆形的修复标记图形，即在基板一侧可以利用激光焊接技术在修复标记处将栅极线Gll与像素电极Pll的不透光区焊接到一起，优选的在基板一侧可以利用激光焊接技术在修复标记处将栅极线Gll与像素电极Pll的边缘位置焊接到一起，所述修复标记图形还可以为矩形或是其他可以起到标示作用的图形，在对应于所述修复标记Xl的栅极绝缘层和钝化层之间包括遮光结构(图中未示出)；图6-b为沿A-A’线的剖面图，图中所示，基板11，设置在基板11表面上的栅极线G11，所述栅极线Gll被修复标记Xl分割为两部分，设置在栅极线Gll和基板11表面上的栅极绝缘层12，设置在栅极绝缘层12表面上且对应于所述修复标记Xl的遮光结构Y，设置在遮光结构Y和栅极绝缘层12表面上的钝化层13，设置在钝化层13表面上的像素电极Pll的不透光区。需要说明的是，所述遮光结构的制作材料与数据线的制作材料相同，且所述遮光结构与数据线、源极、漏极在同一光刻过程中同时形成，或者所述遮光结构的制作材料与硅岛的制作材料相同，且所述遮光结构与硅岛在同一光刻过程中形成，或者所述遮光结构为数据线制作材料与硅岛制作材料的叠加，且经过形成所述数据线和硅岛的两次光刻过程中形成。由于本发明所提供的薄膜晶体管液晶显示装置的栅极线Gll上设置有修复标记XI，且所述修复标记Xl对应于像素电极Pll的不透光区，对应于所述修复标记Xi的栅极绝缘层12和钝化层13之间包括遮光结构Y。所以，若薄膜晶体管液晶显示装置的此像素出现亮点，则在修复亮点的过程中，可以避免此像素边缘漏光现象的发生，并且由于对应于所述修复标记Xl的栅极绝缘层12和钝化层13之间包括遮光结构Y，所以所述修复标记Xl处不会出现漏光的情况，进而提高修复成功率。此外，由于遮光结构Y与数据线或硅岛在同一光刻过程中形成，所以遮光结构Y的形成只需改变光刻过程所用到的掩膜版结构，对于制作液晶显示装置本身而言，并不会增加任何额外步骤。实施例三:本实施例与上述实施例不同之处在于,如图7所示,本实施例所公开的液晶显示装置包括第一修复标记Xl I和第二修复标记X12，且对应于所述第二修复标记X12的栅极绝缘层和钝化层之间包括遮光结构。所述第一修复标记Xll与实施例一中所述修复标记X相同，所述修复标记X12与实施例二中所述修复标记Xl相同。可见，在修复薄膜晶体管液晶显示装置亮点的过程中，既可以精确判断修复点的位置，以避免栅极线G12和源极Sll之间短路现象的发生，提高修复成功率，又可以避免像素边缘漏光现象的发生，并且由于对应于所述第二修复标记X12的栅极绝缘层和钝化层之间包括遮光结构，所以所述第二修复标记X12处不会出现漏光的情况，进而提高修复成功率。所以，本实施例所述液晶显示装置在修复亮点的过程中，若因某些不可预见的因素，利用一种方法出现修复失败的问题的时候(栅极线与源极短路的情况除外)，仍然可以利用另外一种修复方法来修复亮点，并且总体的修复成功率有所提高。实施例四:本实施例公开了一种实施例一所公开的液晶显示装置亮点的修复方法，该方法包括:对液晶显示装置加电测试，确定亮点所在的像素，如图4所示，激光焊接所述修复标记X所标示出的位置，将所述栅极线G12与所述漏极Dll与栅极交叠的部位焊接到一起，使栅极线G12与漏极Dll短路，最终实现栅极线G12和像素电极Pll的短路。由于首先确定了修复所需的焊接位置，所以即使漏极Dll出现如图3所示的偏移，在激光焊接时，也不会发生将栅极线G12与源极Sll焊接到一起的现象，提高了焊接成功率。本实施例还公开了一种实施例二所公开的液晶显示装置亮点的修复方法，该方法包括:对液晶显示装置加电测试，确定亮点所在的像素，如图6_a所示，激光焊接所述修复标记所Xl标示出的位置，将所述栅极线Gll与所述像素电极Pll的不透光区焊接到一起，使栅极线Gll与像素电极Pll短路。由于首先确定了修复所需的焊接位置，所以可以在栅极线Gll的遮挡下确定像素电极PU不透光区的位置，使得焊点远离像素电极PU的透光区，避免了像素边缘漏光现象的发生，并且由于对应于所述修复标记Xl的栅极绝缘层和钝化层之间包括遮光结构，所以所述修复标记Xi处不会出现漏光的情况，进而提高修复成功率。本实施例又公开了一种实施例三所公开的液晶显示装置亮点的修复方法，该方法包括:对液晶显示装置加电测试，确定亮点所在的像素，如图7所示，激光焊接所述第一修复标记Xll或第二修复标记X12所标示出的位置,对应的,将所述栅极线G12与所述漏极Dll与栅极交叠的部位焊接到一起，使栅极线G12与漏极Dll短路，最终实现栅极线G12和像素电极Pll的短路，或将所述栅极线Gll与所述像素电极Pll的不透光区焊接到一起，使栅极线Gll与像素电极Pll短路。可见，在修复薄膜晶体管液晶显示装置亮点的过程中，既可以精确判断修复点的位置，以避免栅极线G12和源极Sll之间短路现象的发生，提高修复成功率，又可以避免像素边缘漏光现象的发生，并且由于对应于所述第二修复标记X12的栅极绝缘层和钝化层之间包括遮光结构，所以所述第二修复标记X12处不会出现漏光的情况，进而提高修复成功率。所以，本实施例所述液晶显示装置在修复亮点的过程中，若因某些不可预知的因素，利用一种方法出现修复失败的问题的时候(栅极线与源极短路的情况除外)，仍然可以利用另外一种修复方法来修复亮点，并且总体的修复成功率有所提高。实施例五:
本实施例公开了一种上述实施例所提供的薄膜晶体管液晶显示器阵列基板的制作方法，该制作方法包括:步骤S1、提供基板，在所述基板表面上形成第一金属层，并对第一金属层进行刻蚀，形成栅极线和共通线。具体的，所述基板为玻璃基板或是其他材料的基板。 在所述基板表面上形成栅极线和共通线具体包括:在所述基板表面上采用等离子溅射方式形成第一金属层，即首先将所述基板放入反应腔中，高能粒子撞击具有高纯度的靶材料固体平板，按物理过程撞出原子，这些被撞出的原子穿过真空，最后淀积在基板表面，得到第一金属层。但是第一金属层的形成并不仅限于等离子溅射方式，还可以利用其他的物理气相淀积方式形成，在此不做详细描述。然后再对第一金属层进行光刻，即在所述第一金属层上旋涂光刻胶，形成光刻胶层，利用具有栅极线和共通线图案的掩模版进行曝光，在光刻胶层上形成栅极线和共通线图案，经显影后，在光刻胶层上形成栅极线和共通线图形，以具有栅极线和共通线图形的光刻胶层为掩膜，经干法刻蚀或湿法腐蚀等工艺得到栅极线和共通线，所述栅极线设置有栅极。需要说明的是，本实施例中所述“栅极线和共通线图案”为在光刻胶层表面上的二维的栅极线和共通线图案，图案区域只限于光刻胶层表面而不向表面下延伸，不具有立体形状；所述“栅极线和共通线图形”为具有立体形状的三维图形，该图形的厚度为光刻胶层的厚度。步骤S2、在栅极线、共通线和基板表面上形成栅极绝缘层，并在栅极绝缘层表面上形成非晶硅层，对所述非晶硅层进行刻蚀，形成硅岛。具体的，在所述栅极线、共通线和基板表面上采用化学气相淀积方式形成栅极绝缘层，即首先将表面设置有栅极线和共通线的基板放入反应腔中，气体先驱物传输到基板表面进行吸附作用和反应，然后将反应的副产物移除，得到栅极绝缘层。但是栅极绝缘层的形成并不仅限于化学气相淀积方式，还可以利用其他的物理气相淀积等方式形成，在此不做详细描述。所述栅极绝缘层为SiNx层，并通过相同的工艺在栅极绝缘层表面上形成非晶硅层，对所述非晶硅层进行光刻，在与栅极相对应的位置形成硅岛。步骤S3、在硅岛和栅极绝缘层表面上形成第二金属层，并对第二金属层进行刻蚀，形成数据线、源极和漏极。具体的，采用物理气相淀积工艺在所述硅岛和栅极绝缘层表面上形成第二金属层，之后，采用光刻工艺在所述第二金属层内形成数据线、源极和漏极，所述数据线和源极为一整体结构。步骤S4、在所述数据线、源极、漏极和栅极绝缘层表面上形成钝化层，对所述钝化层进行刻蚀，形成接触孔。具体的，采用化学气相淀积工艺在所述数据线、共通线和栅极绝缘层表面上形成钝化层，之后，采用光刻工艺在所述钝化层内形成接触孔，所述接触孔位于漏极上方的钝化层内。步骤S5、在所述钝化层表面上形成第三金属层，对所述第三金属层进行刻蚀，形成像素电极。具体的，采用物理气相淀积工艺在所述钝化层表面上形成第三金属层，所述第三金属层为透明金属层，制作材料优选为氧化铟锡，之后，采用光刻工艺在第三金属层上形成像素电极，所述像素电极通过接触孔和漏极电连接。需要说明的是，若生产的是实施例一所公开的薄膜晶体管液晶显示装置，则所述栅极线上对应于漏极与栅极交叠的部位的位置处设置有修复标记；若生产的是实施例二所公开的薄膜晶体管液晶显示装置，则所述栅极线上对应于像素电极的不透光区的位置处设置有修复标记，且对应于所述修复标记的栅极绝缘层和钝化层之间包括遮光结构，所述遮光结构与数据线或硅岛在同一光刻过程中形成；若生产的是实施例三所公开的薄膜晶体管液晶显示装置，则所述栅极线上对应于漏极与栅极交叠的部位的位置处设置有第一修复标记，且所述栅极线上对应于像素电极的不透光区的位置处设置有第二修复标记，且对应于所述第二修复标记的栅极绝缘层和钝化层之间包括遮光结构，所述遮光结构与数据线或硅岛在同一光刻过程中形成，或所述遮光结构经过形成数据线和硅岛的两次光刻过程中形成。可见，任一实施例所公开的薄膜晶体管液晶显示装置的生产不会增加任何额外步骤，即不会增加生产成本。本说明书中各个部分采用递进的方式描述，每个部分重点说明的都是与其他部分的不同之处，各个部分之间相同相似部分互相参见即可。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。
权利要求
1.一种薄膜晶体管液晶显示装置，包括:基板、栅极线、共通线、栅极绝缘层、硅岛、数据线、源极、漏极、钝化层和像素电极，所述像素电极包括像素电极的透光区和像素电极的不透光区，其特征在于: 所述栅极线上设置有修复标记，所述修复标记对应于漏极与栅极交叠的部位或对应于像素电极的不透光区； 当所述修复标记对应于像素电极的不透光区时，对应于所述修复标记的栅极绝缘层和钝化层之间包括遮光结构。
2.根据权利要求1所述薄膜晶体管液晶显示装置，其特征在于，当所述修复标记对应于漏极与栅极交叠的部位时，所述修复标记具有沿栅极线向内凹进的修复标记图形。
3.根据权利要求1所述薄膜晶体管液晶显示装置，其特征在于，当所述修复标记对应于漏极与栅极交叠的部位时，所述修复标记具有沿栅极线向外凸出的修复标记图形。
4.根据权利要求3所述薄膜晶体管液晶显示装置，其特征在于，所述共通线上与所述修复标记图形对应的位置具有沿共通线向内凹进的图形。
5.根据权利要求1所述薄膜晶体管液晶显示装置，其特征在于，当所述修复标记对应于像素电极的不透光区时，所述修复标记具有穿透所述栅极线的修复标记图形。
6.根据权利要求5所述薄膜晶体管液晶显示装置，其特征在于，所述遮光结构的制作材料与数据线的制作材料相同，且所述遮光结构与数据线、源极、漏极在同一光刻过程中同时形成。
7.根据权利要求5所述薄膜晶体管液晶显示装置，其特征在于，所述遮光结构的制作材料与娃岛的制作材料相同，且所述遮光结构与娃岛在同一光刻过程中形成。
8.根据权利要求1所述薄膜晶体管液晶显示装置，其特征在于，所述修复标记为圆形的修复标记。
9.根据权利要求1所述薄膜晶体管液晶显示装置，其特征在于，所述修复标记为矩形的修复标记。
10.一种权利要求1-9任一项所述薄膜晶体管液晶显示装置的修复方法，其特征在于，激光焊接所述修复标记所标示出的位置，使所述栅极线与所述漏极与栅极交叠的部位或像素电极的不透光区电连接。
全文摘要
本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示装置及其修复方法，该装置的栅极线上设置有修复标记，修复标记对应于漏极与栅极交叠的部位或对应于像素电极的不透光区；当修复标记对应于像素电极的不透光区时，对应于修复标记的栅极绝缘层和钝化层之间包括遮光结构。在修复该显示装置亮点的过程中，修复标记对应于漏极与栅极交叠的部位的情况下，可以精确判断修复点的位置，以避免栅极线和源极之间短路现象的发生，提高修复成功率；修复标记对应于像素电极的不透光区的情况下，可以避免像素边缘漏光现象的发生，并且由于对应于所述修复标记的栅极绝缘层和钝化层之间包括遮光结构，所以修复标记处不会出现漏光的情况，进而提高修复成功率。
文档编号G02F1/13GK103149755SQ20111040156
公开日2013年6月12日 申请日期2011年12月6日 优先权日2011年12月6日
发明者梁艳峰, 黄贤军, 姜炜 申请人:上海中航光电子有限公司