专利名称：光电模块的制作方法
技术领域：
本发明关于ー种光电模块，特别涉及ー种整合导光结构与娃穿孔结构的光电模块。
背景技术：
电子装置中通常会配设ー连接器与一其它组件电性连接，以使电子装置与他装置沟通或传输讯号，然而，随着科技的进步，电子装置朝向轻薄化趋势发展，以传统模具所制作的连接器塑料本体以及应用冲压技术所制作的导电端子并不易装设于轻薄化的电子装
置中。 以光电耦合组件作为光电转换与电信号传输上的基本设计，在目前的各种电路构造、电子装置或相关系统中已得到了广泛的应用，在光电耦合组件的相关单元的尺寸设计均较小的条件之下，将光纤组装或植入至耦光装置内以将光信号导出或导入耦光装置以进行传输，便具有相当的难度与不便，甚至会产生误差，进而使光信号无法准确传递至光纤中而影响传输，再者，光纤系需在耦光装置内作固定式组装或植入，使得除了无法提供反复的插拔与组装外，所外露的光纤后端亦会形成线状的延伸而造成使用上的不便。另外，ー种娃基微光学平台的光学连结技术可以作为板对板或USB 3. O光学连结技术的ー个应用平台，在架构上，此硅基微光学平台的光学连结收发模块包含有单石积体化的45°微反射面、置放光纤数组的V型凹槽、具2. 5 GHz以上高频传输线与锡金焊料等，并可经由适当的光学对位而将垂直腔面发射激光器面射型激光与光侦测器封装至该微光学平台上。此外，目前已发展将芯片与激光器整合于娃基微光学平台之上；但芯片与激光组件之间通常是通过焊线(wire)而作电性连接，因而影响了组件之间的传输速度。因此，基于上面所述的缺点得知上述光电连接器的效能尚有待进ー步提升之处。
发明内容
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种新的光电模块结构，将基板与导光结构及穿孔结构进行整合，使得控制单元与光电组件整合至単一基板上
为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的
本发明提供一种光连接器，包含一基板，具有一上表面、一下表面、一穿孔结构及ー导电材料，其中上表面与下表面相对，穿孔结构由上表面穿过基板至下表面，穿孔结构中填入第一导电材料；一第一及第ニ传输线，分别形成于基板的上表面及下表面，以电性连接穿孔结构中的导电材料；一光电组件，设置于基板上并电性连接第一传输线，其中光电组件适于提供或接收一光讯号；ー导光结构，设置于基板上；以及ー控制单元，透过第一、第二传输线及导电材料电性连接光电组件。本发明之一实施例提供ー种光电模块，包含一基板、一光电组件及ー控制单兀；基板具有一上表面、一下表面、一凹槽结构、一穿孔结构及ー导电材料，其中上表面与下表面相对，凹槽结构设置于上表面且具有两相对的第一反射面及第ニ反射面，穿孔结构由上表面穿过基板至下表面，穿孔结构中填入导电材料；光电组件设置于基板上，适于提供或接收一光讯号，第一反射面与第二反射面皆位于光讯号的光路径上；控制单元设置于上表面上，且电性连接导电材料及光电组件，以控制光电组件。本发明之一实施例的光电模块包括一基板、一光电组件、一导光结构及ー控制单元；基板具有一上表面、一下表面、一第一凹槽结构、一第一穿孔结构及一第一导电材料，其中上表面与下表面相对，第一凹槽结构设置于上表面，第一穿孔结构由第一凹槽结构之底面穿过基板至下表面，第一穿孔结构中填入第一导电材料；光电组件设置于基板上，其中光电组件适于提供或接收一光讯号；导光结构设置于基板上，且导光结构位于光讯号的光路径上；控制单元设置于第一凹槽结构中，且电性连接第一导电材料及光电组件，以控制光电组件。本发明之一实施例的光电模块包括一第一基板、一光电组件、ー导光结构、一上层结构、一第一穿孔结构、一第一导电材料及ー控制单兀；第一基板具有一上表面、一下表面、一凹槽结构，其中上表面与下表面相对，凹槽结构设置于上表面；光电组件设置于凹槽结构 中，其中光电组件适于提供或接收一光讯号；导光结构设置于第一基板的上表面上，且导光结构位于光讯号的光路径上；上层结构设置于第一基板饿上方，用以搭配第一基板固定导光结构，其中上层结构具有一位于光讯号之光路径上的反射面，用以于光电组件与导光结构之间传递光讯号；第一导电材料填入第一穿孔结构中；控制单元电性连接第一导电材料及光电组件，以控制光电组件。综合上述，本发明提出一种新的光电模块结构，将基板与导光结构及穿孔结构进行整合，使得控制单元与光电组件整合至単一基板上。基板整合穿孔结构、导光结构与反射面，可以将电讯号经由穿孔结构中的导电材料而传送至控制单元，进而驱动光电组件发光，光讯号进入导光结构之后，经过两次45度面的反射之后，可以将光束转折至正向(上)出光，且导光结构可以做高效率的光束导引，另外，此种正向出光的设计将利于后续使用光学透镜调整光束。由于穿孔结构及其中的导电材料，因此对于控制单元与光电组件无须打线(Wire)制程便可完成模块的构装，在高频特性、高速传输、组件组装速度上获得提升。
图I显示根据本发明之一实施例的光电模块的示意图。图2显示根据本发明之一实施例的光电模块的示意图。图3显示根据本发明又一实施例的光电模块的示意图。图4显示根据本发明再一实施例的光电模块的示意图。图5显示根据本发明另ー实施例的光电模块的示意图。图6显示根据本发明又一实施例的光电模块的示意图。图7显示根据本发明再一实施例的光电模块的示意图。图8显示根据本发明之一实施例的光电模块的上视示意图与截面示意图。主要组件符号说明 光电模块10基板 14、100、100a、IOOb 上表面14a、IOOc 下表面14b、IOOd 穿孔结构16、101、101b 导电材料 16a、101a、IOlc 扩散式导电图案102、102a、102c 导线102b
上导电凸块103a、103b 下导电凸块104 控制芯片12、105、105a 光电组件13、106 传输线17、18
导光结构 15、107、107a、107b 凹槽结构 108、108c、108d、108e、108f 第一反射面108a 第二反射面108b 调光部件109 外壳110 上盖IlOb 上层结构IlOc
层板、印刷电路板、陶瓷基板11、111 导电凸块112 焊接线12具体实施例方式本发明将配合实施例与附图述于下，本发明中所有的实施例仅为例示之用，并非用以限制，因此除文中的实施例外，本发明亦可广泛地应用在其它实施例中，且本发明并不受限于任何实施例，应以权利要求及其同等领域而定。图I显示为根据本发明之一实施例的光连接器的示意图，在本实施例中，光连接器10可以作为微型化被动式光连结发射端或接收端，其包含半导体基板14、控制芯片12、光电组件13、导光结构15,换言之,本发明可以利用导光结构15而单向传输或双向传输；半导体基板14具有一上表面14a、一下表面(bottom surface) 14b、一穿孔结构16及一导电材料16a,其中上表面14a与下表面14b相对,穿孔结构16由上表面14a穿过基板14至下表面14b，穿孔结构16中填入导电材料16a ;上述半导体基板14、控制芯片12分别配置于印刷电路板(PCB) 11之上，而光电组件13配置于半导体基板14之上，控制芯片12例如为一驱动电路芯片、控制芯片或转阻放大器(Trans-impedance Amplifier TIA)芯片，其中驱动电路芯片可以用以驱动光电组件13使其发光；举例而言，半导体基板14，例如硅基板(Si sub-mount),是作为娃基微光学平台(Silicon Optical Bench),其中具有凹槽结构以利于导光结构15配置于其上，以及某一角度(例如45度)的反射面，该反射面可作为各式光电组件中所需的光学反射面，传输线(导线)18形成于半导体基板14的上表面14a以利于电性连接光电组件13，光电组件13为光发射或接收组件，例如包括激光器、垂直共振腔表面发射激光器(VCSEL: Vertical Cavity Surface Emitting Laser)、光检测器(PhotoDetector)或发光二极管。本发明传输线18藉由穿孔结构(TSV: through silicon via) 16中的导电材料以及形成半导体基板14的下表面14b的传输线17直接接触印刷电路板11，再经由印刷电路板11上的电路连接至控制芯片12，換言之，控制芯片12通过传输线(导线)17与印刷电路板11电性连接，而光电组件13通过传输线18、穿孔结构16中的导电材料与传输线17电性连接印刷电路板11，结果，控制芯片12通过传输线18、穿孔结构16中的导电材料16a与传输线17电性连接光电组件13，传输线18及17，例如为适用于频率10 GHz或更高的高频传输线，分别形成于半导体基板14的上表面14a与下表面14b以利于电性连接控制芯片12及光电组件13。从上述可知，控制芯片12与光电组件13之间可以通过传输线电性沟通，然后再通过导光结构15而将光讯号传递/接收至/从外接装置，換言之，外接装置与光电组件 13之间可以双向传输光讯号，举例而言，导光结构15作为光输出/入部分，可以米用光纤(fiber)、波导(waveguide)或是跨接线(jumper)的形式来传输讯号。举ー实施例而言，上述半导体基板14具有凹槽结构形成于其下的一特定深度，该凹槽结构的第一端形成一反射面，并且该凹槽结构中具有沟槽数组；基于光学平台(凹槽结构)中的沟槽数组，使得导光结构15得以被动式地对准沟槽数组。举例而言，上述光电组件13是配置以接近凹槽结构的第一端，并经由反射面而光学率禹接导光结构15,因此，光电组件13的光路径13a包含从光电组件13发出的光讯号经由反射面的反射而进入导光结构15，或者是通过导光结构15的光经由反射面的反射而进入光电组件13以接收光讯号。图2显示为根据本发明之一实施例的光电模块的示意图，在本实施例中，光电模块10可以作为微型化被动式光连结发射端或接收端，其包含例如为半导体材料的基板100、扩散式导电图案(fan-out conductive pattern) 102、上导电凸块(solderbumps) 103a/103b、下导电凸块104、控制芯片105、光电组件106与导光结构107 ;基板100具有一上表面100c、一下表面100d、一凹槽结构108、一第一穿孔结构101及一第一导电材料101a，其中上表面IOOc与下表面IOOd相対，凹槽结构108设置于上表面IOOc且具有两相对的第一反射面108a及第ニ反射面108b,第一穿孔结构由上表面IOOc穿过基板100至下表面IOOd,第一穿孔结构101中例如填入第一导电材料IOla以形成娃穿孔(TSV: throughsilicon via)，硅穿孔并且电性连接扩散式导电图案102，其中扩散式导电图案102形成于基板100的上表面100c，上导电凸块103a/103b分别可直接电性连接控制芯片105、光电组件106及扩散式导电图案102或透过扩散式导电图案102电性连接控制芯片105及光电组件106，换言之，控制芯片105是通过扩散式导电图案102而电性连接光电组件106，且控制芯片105通过上导电凸块103a并经由扩散式导电图案102、第一导电材料IOla而电性连接其下的层板(laminate) 111，在此实施例中，上导电凸块103a电性连接扩散式导电图案102。上述扩散式导电图案102可以使得控制芯片105的下表面接脚(例如导电凸块)被扩散式散出至控制芯片105所覆盖面积之外，以提供其它装置与之有较好的连接，并可以减低接脚间之电磁干扰。基板100例如为一娃中介层100 (Silicon Interposer),导光结构107为一波导结构(waveguide),设置于凹槽结构108中并位于第一反射面108a与第二反射面108b之间，基板100设置有凹槽结构108的部分构成ー硅基微光学平台(Silicon OpticalBench) 108，位于凹槽结构108的相对ニ侧面的第一反射面108a及第ニ反射面108b分别具有45度角，以作为各式光电组件中所需的光学反射面，上述光电组件106可配置于接近凹槽结构108的ー侧，例如第一反射面108a，举例而言，光电组件106设置于基板100上，其中光电组件106适于提供或接收一光讯号，且第一反射面108a与第二反射面108b皆位于光讯号的光路径上，导光结构107例如包含折射率约I. Π. 6的高分子材料，其可以利用薄膜沉积制程来制作以达到波导的效应，导光结构107可以选择填满或不填满于对应的凹槽结构108之中，端视实际应用而定。举ー实施例而言，基板100除了可以作为驱动集成电路/转阻放大器(Driver IC/ TIA)或垂直共振腔表面发射激光器/光检测器(VCSEL/PD)的次封装平台(sub-mount)之夕卜，还可整合其它逻辑组件(logic device)、内存(memory)或整合被动组件(IntegratedPassive Devices, IPD)等组件于其上,在另ー实施例中，可以整合处理芯片、中央处理单元芯片、影像芯片、音效芯片或数据芯片。光电模块10更包括ー层板111,层板111配置于基板100之下，下导电凸块104电性稱合层板111及第ー导电材料101a,在另ー实施例中，一第二扩散式导电图案(图未示)可选择配置于基板100的下表面IOOd并连接下导电凸块104，上述第二扩散式导电图案102a可以使得基板100的下表面IOOd接脚被扩散式散出，以提供其它装置与之有较好的连接，并可以减低接脚间的电磁干扰；层板111例如为ー印刷电路板，其通过其下的导电凸块112以电性耦合外部组件，另外，光电模块更包括一具有ー调光部件109的外壳110，其中调光部件109的位置对应第二反射面108b的位置并位于光讯号的光路径上；其中调光部件109为一透镜；在一例子中，外壳110密封整体基板100于层板111之上,控制芯片105为ー控制単元，设置于基板100之上表面100c上，且电性连接硅穿孔101及光电组件106，以控制光电组件106。在一实施例中，基板100作为娃中介层材料,若要与位于底面的层板111电性率禹合，需要满足层板111中的导线(trace)的精度；而若层板111为印刷电路板(PCB)，则基板100之下的下导电凸块104需要满足印刷电路板111的制程精度，換言之，为了要使得控制芯片105与底下的印刷电路板111电性耦合，下导电凸块104藉由第二扩散式导电图案将其电性向外扩散式分布，而下导电凸块104之间距设定会依据印刷电路板111的精度要求而定，倘若层板111为氧化铝基板，则基板100之下的下导电凸块104的间距可以较小。硅穿孔的深度取决于通孔种类(先形成通孔或后形成通孔)及其应用，硅穿孔的通孔深度自20微米至500微米，通常介于约50微米至约250微米，硅穿孔的通孔开ロ具有一入ロ大小(via size)，诸如在介于约20微米至约200微米等级之直径，通常介于约25微米至约75微米,娃穿孔的深宽比(aspect ratio)自0. 3 :1至大于20 :1,例如系介于约4 I至约15 :1。举ー实施例而言，硅穿孔的通孔，即第一穿孔结构101，包含一在基板上表面IOOc的开ロ、从基板上表面IOOc延伸的侧壁、及一底部,形成娃穿孔的方法包含将基板100浸入ー电解金属(例如铜)沉积组成物，其中电解金属(例如铜)沉积组成物包含金属(例如铜)离子源、酸(选自无机酸、有机磺酸、及/或其混合物)、一或多种有机化合物(促使通孔底部的铜沉积速度比通孔开ロ处的金属沉积速度快)、以及氯化物离子；及将电流供应至电解沉积组成物使铜金属沉积在底部及侧壁上以供由下至上填充，因而产生铜填充的硅穿孔。控制芯片105例如为一驱动电路芯片、控制芯片或转阻放大器(Trans-impedanceAmplifier TIA)芯片，其中驱动电路芯片可以用以驱动光电组件106使其发光，控制芯片105与光电组件106通过扩散式导电图案102连接上导电凸块103a/103b，而彼此电性沟通，控制芯片105与层板111通过控制芯片105下之上导电凸块103a、扩散式导电图案102、硅穿孔、下导电凸块104而彼此电性沟通，第一导电材料IOla电性连接扩散式导电图案102与下导电凸块104，光电组件106可为光发射或接收组件，例如为激光器、垂直 共振腔表面发射激光器(VCSEL: Vertical Cavity Surface Emitting Laser)、光检测器(PhotoDetector)或发光二极管，以光发射组件举例而言，光电组件106主要的功能系根据控制芯片105所传递的电信号来产生或发射出对应转换后的光束或光信号以进行传输，光电组件106所发射的激光束经由第一反射面108a而反射，经由导光结构107而在其内传输，之后经由第二反射面108b而将激光束垂直导引出基板100，举例而言，光电组件106的发射光的光路径包含光电组件106的出光ロ一导光结构107 — 45度反射面108a—导光结构107中传输一45度反射面108b —导光结构107 —出光一经由调光部件109而与外界光电组件耦合，光电组件106的接收的光路径为与上述相反之，其中光电组件106则为接收端。举ー实施例而言，经由导光结构107出光的激光束可以经由调光部件109以进ー步进行光型的调整，然后加以耦合至外部光纤或另ー导光结构，举ー实施例而言，调光部件109的结构误差容忍度(Tolerance)为±10微米，调光部件109之对准误差容忍度为±20微米，调光部件109可为光学透镜或准直透镜(collimation lens)，光学透镜例如为塑料光学透镜。图3显示为根据本发明之另ー实施例的光电模块的示意图，在本实施例中，基板IOOa包含ニ个凹槽结构(第一凹槽结构108d、第二凹槽结构108c)形成于基板100a上，其中导光结构107a配置于第二凹槽结构108c内，此导光结构107a例如为光纤。上述光电组件106可配置于接近第二凹槽结构108c的ー侧面，控制芯片105则配置于第一凹槽结构108d内，另，第二凹槽结构108c靠近光电组件106的侧面可以制作为45度反射面，本发明藉由形成第一凹槽结构108d将可降低硅穿孔的深度，使得硅穿孔的制作变得容易，第一凹槽结构108d的制作可以弹性地选择湿式蚀刻、干式蚀刻或者是湿式及干式蚀刻，此外，利用高频的导线(trace) 102b形成于第一凹槽结构108d的底面及侧面上与基板IOOa的部分上表面，并且透过上导电凸块103a与103b而电性连接控制芯片105与光电组件106，此外，在本实施例中，球格数组(BGA)型态的封装结构可以用于连接印刷电路版111，而无需焊接线(,wire-bonding)。图4显示为根据本发明再一实施例的光电模块的示意图，在本实施例中，第二凹槽结构108e与图2的第二凹槽结构108c的深度具有差异，举例而言，第二凹槽结构108e与第一凹槽结构108d是利用相同的蚀刻制程或步骤所形成，因此其深度约略相等，并且其深度大于图3的第二凹槽结构108c的深度。在本实施例中，第一穿孔结构101形成于基板IOOa中，由第一凹槽结构108d的底面延伸至基板IOOa的下表面100d，并填入第一导电材料IOla以形成第一硅穿孔，第二穿孔结构IOlb形成于基板IOOa中，由基板IOOa的上表面IOOc延伸至基板IOOa的下表面IOOd,第二导电材料IOlc填入第二穿孔结构IOlb中以形成第二硅穿孔，第二导电材料IOlc并电性连接光电组件106。第二硅穿孔系直接穿透基板IOOa位于光电组件106之下的部分，通过导电凸块103b、104而电性耦接光电组件106与印刷电路版111，因此，本实施例可以直接于光电组件106位置之下制作第二硅穿孔而取代前述高频导线102b的例子，并且通过第一硅穿孔、第ニ硅穿孔将光电组件106与控制芯片105作整合，光电组件106与控制芯片105也可以通过硅穿孔101、印刷电路版111与第二硅穿孔而彼此电性连接。图5显不为根据本发明之一实施例的光电模块的不意图，在本实施例中，对于 光电集成电路型态(0E IC type)、球格数组(BGA)型态的封装结构可以用于连接陶瓷基板结构111，此外，上盖(case) IlOb覆盖并保护整体光电模块以免受外在环境污染，举例而言，导电凸块112外露于上盖IlOb之外以利于连接外部组件，在另ー实施例中，上盖(case) IlOb仅覆盖基板IOOa上的光电组件106、控制芯片105与导光结构107a，如图6所
/Jn ο图7显示为根据本发明的再一实施例的光电模块的示意图，在本实施例中，基板IOOb具有一凹槽结构108f，而光电组件106与控制芯片105整合于基板IOOb的凹槽结构108f中，其中光电组件106与控制芯片105分别透过第一导电材料IOla与第二导电材料IOlc而电性稱合印刷电路版111，导光结构107b配置于基板IOOb上,基板IOOb置于印刷电路版111之上，举例而言，光电组件106的主动区与接触垫位于同一侧，本实施例中，光电模块更包括一上层结构(top structure) 110c,配置于导光结构107b之上，并搭配基板IOOb而固定导光结构107b,此上层结构IlOc具有45度反射面，以利于光电组件106的垂直出光得以经由此45度反射面之反射而以水平方向前进至导光结构107b而传输至外部，在此实施例中，光电组件106与控制芯片105通过第一导电材料101a、印刷电路版111与第二导电材料IOlc而彼此电性连接。第一穿孔结构101形成于基板IOOb中，由凹槽结构108f的底面延伸至基板IOOb的下表面100d，第一穿孔结构101中并填入第一导电材料IOla以形成硅穿孔，并电性连接控制芯片105，第二穿孔结构IOlb形成于基板IOOb中，由凹槽结构108f之底面延伸至基板IOOb的下表面100d，第二导电材料IOlc填入第二穿孔结构IOlb中以形成硅穿孔，并电性连接光电组件106。此外,如图8所不,在另一实施例中，仅有光电组件106配置于基板IOOb的凹槽结构108f内，而控制芯片105配置于另一基板上，例如陶瓷基板(Ceramics sub-mount) 111上，导电凸块103a设置于陶瓷基板111上，硅穿孔101设置于陶瓷基板111中并电性连接上导电凸块103a及导电凸块112，控制芯片105通过上导电凸块103a而电性耦接硅穿孔101，且透过娃穿孔101而电性稱接陶瓷基板111下的导电凸块112 ;焊接线(wire-bonding) 122电性连接光电组件106与第一导电材料101a,基于陶瓷基板结构,本实施例可以整合至球格数组(BGA)型态或平面闸格数组(Land Grid Array ；LGA)型态光电集成电路上，在此实施例中，可以包含另ー控制芯片105a，透过扩散式导电图案102c而电性连接其它组件；控制芯片105a可以通过第一导电材料IOla而电性耦接陶瓷基板111上的导线电路；光电组件106与控制芯片105及/或控制芯片105a通过第一导电材料IOla及陶瓷基板111之上或下的导线电路与焊接线122电性连接。光电模块可连接一光纤连接器(fiber connector)以用于传递光讯号予外部组件。综合上述，本发明的实施例提出一种新的光电模块结构，整合导光结构与硅穿孔结构，使得IC与VCSEL/ro整合至单一基板上。
基板整合硅穿孔结构、导光结构(例如光波导)与45度反射面，可以将电讯号经由硅穿孔而传送至一特定功能之芯片(IC)，进而驱动VCSEL主动组件发光，光讯号进入导光结构之后，经过两次45度面的反射之后，可以将光束转折至正向(上)出光，且导光结构可以做高效率的光束导引，另外，此种正向出光的设计将利于后续使用光学透镜调整光束。本发明实施例的光电模块由于硅穿孔结构对于IC与VCSEL/ro无须打线(Wire)制程便可完成模块的构装，在高频特性、高速传输、组件组装速度上获得提升，导光结构可以利用折射率约I. ri. 6的高分子材料，或者利用薄膜沉积制程制作以达到波导的效应。对熟悉此领域技艺者，本发明虽以实例阐明如上，然其并非用以限定本发明之精神。在不脱离本发明之精神与范围内所作之修改与类似的配置，均应包含在本发明权利要求内，此范围应覆盖所有类似修改与类似结构，且应做最宽广的诠释。
权利要求
1.ー种光电模块，其特征在于，包含 一基板，具有一上表面、一下表面、一凹槽结构、一穿孔结构及ー导电材料，其中该上表面与该下表面相对，该凹槽结构设置于该上表面且具有两相对的第一反射面及第ニ反射面，该穿孔结构由该上表面穿过该基板至该下表面，该穿孔结构中填入该导电材料； 一光电组件，设置于该基板上，其中该光电组件适于提供或接收一光讯号；以及 一控制单元，设置于该基板的该上表面上，且电性连接该导电材料及该光电组件，以控制该光电组件。
2.并位于该第一反射面与该第二反射面之间。
3.如权利要求I所述的光电模块，其特征在于，更包括一扩散式导电图案，形成于该基板的该上表面或该下表面，其中该控制単元透过该扩散式导电图案电性连接该光电组件。
4.如权利要求I所述的光电模块，其特征在于，更包括一具有一调光组件的外壳，设置于该基板之上，其中该调光组件的位置对应该第二反射面的位置。
5.ー种光电模块，其特征在于，包含 一基板，具有一上表面、一下表面、一第一凹槽结构、一第一穿孔结构及一第一导电材料，其中该上表面与该下表面相对，该第一凹槽结构设置于该上表面，该第一穿孔结构由该第一凹槽结构的底面穿过该基板至该下表面，该第一穿孔结构中填入该第一导电材料； 一光电组件，设置于该基板上，其中该光电组件适于提供或接收一光讯号； ー导光结构，设置于该基板上；以及 一控制单元，设置于该第一凹槽结构中，且电性连接该第一导电材料及该光电组件，以控制该光电组件。
6.如权利要求5所述的光电模块,其特征在于,更包括一第二凹槽结构,形成于该基板的该上表面且具有一反射面，其中该反射面利于该光电组件与该导光结构之间传递该光讯号。
7.如权利要求5所述的光电模块,其特征在于,更包括一扩散式导电图案,形成于该基板的该上表面，并电性连接该光电组件与该控制単元。
8.如权利要求7所述的光电模块,其特征在于,更包括复数个第一导电块,形成于该控制単元与该基板之间，其中该控制単元通过该复数个第一导电块电性连结该第一导电材料及该扩散式导电图案。
9.如权利要求7所述的光电模块,其特征在于,更包括至少ー第二导电块,形成于该光电组件与该基板之间，其中该光电组件通过该至少ー第二导电块电性连接该扩散式导电图案。
10.如权利要求5所述的光电模块，其特征在于，该基板更包括一第二穿孔结构及一第ニ导电材料，其中该第二穿孔结构由该上表面穿过该基板至该下表面，且该第二穿孔结构中填入该第二导电材料，该第二导电材料连接该光电组件。
11.如权利要求10所述的光电模块,其特征在于,更包括一印刷电路板,位于该基板的下方并电性连接该第一导电材料及该第二导电材料。
12.ー种光电模块，其特征在于，包含 一第一基板，具有一上表面、一下表面、一凹槽结构，其中该上表面与该下表面相对，该凹槽结构设置于该上表面； 一光电组件，设置于该凹槽结构中，其中该光电组件适于提供或接收一光讯号； ー导光结构，设置于该第一基板的该上表面上； 一上层结构，设置于该第一基板的上方，用以搭配该第一基板固定该导光结构，其中该上层结构具有一反射面，以利于该光电组件与该导光结构之间传递该光讯号； 一第一穿孔结构； 一第一导电材料，填入该第一穿孔结构中；以及 一控制单元，电性连接该第一导电材料及该光电组件，以控制该光电组件。
13.如权利要求12所述的光电模块,其特征在于,该第一穿孔结构形成于该第一基板中，由该凹槽结构之底面延伸至该第一基板的该下表面。
14.如权利要求12所述的光电模块，其特征在于，更包括一第二穿孔结构及一第二导电材料，其中该第二穿孔结构形成于该第一基板中，由该凹槽结构的底面延伸至该第一基板的该下表面，该第二导电材料填入该第二穿孔结构中并电性连接该光电组件。
15.如权利要求14所述的光电模块,其特征在于,更包括一印刷电路板,位于该基板的下方并电性连接该第一导电材料及该第二导电材料。
16.如权利要求12所述的光电模块，其特征在于，更包括一第二基板，位于该第一基板的下方，其中该第一穿孔结构形成于该第二基板中，由该第二基板的上表面延伸至该第二基板的下表面。
17.如权利要求16所述的光电模块,其特征在于,更包括一导电组件，电性连接该光电组件与该第一穿孔结构。
18.如权利要求16所述的光电模块,其特征在于,该第二基板包含ー陶瓷基板。
19.ー种光电模块,其特征在于,包含 一基板，具有一上表面、一下表面、一穿孔结构及ー导电材料，其中该上表面与该下表面相对，该穿孔结构由该上表面穿过该基板至该下表面，该穿孔结构中填入该导电材料； 一第一及第ニ传输线，分别形成于该基板的该上表面及该下表面，以电性连接该穿孔结构中的该导电材料； 一光电组件，设置于该基板上并电性连接该第一传输线，其中该光电组件适于提供或接收一光讯号； ー导光结构，设置于该基板上；以及 一控制单元，通过该第一、该第二传输线及该导电材料电性连接该光电组件。
20.如权利要求19所述的光电模块，其特征在于，该控制単元包含转阻放大器芯片或驱动电路芯片，其中该光电组件包含激光器、垂直共振腔表面发射激光器、光检测器或发光ニ极管。
21.如权利要求19所述的光电模块，其特征在干，该导光结构包含光纤、波导或跨接线。
全文摘要
一种光电模块，包含一基板、一光电组件及一控制单元，基板具有一上表面、一下表面、一凹槽结构、一穿孔结构及一导电材料，其中上表面与下表面相对，凹槽结构设置于上表面且具有两相对的第一反射面及第二反射面，穿孔结构由上表面穿过基板至下表面，穿孔结构中填入导电材料，光电组件设置于基板上，适于提供或接收一光讯号，第一反射面与第二反射面皆位于光讯号的光路径上，控制单元设置于上表面上，且电性连接导电材料及光电组件，以控制光电组件。
文档编号G02B6/42GK102692685SQ20121007960
公开日2012年9月26日 申请日期2012年3月23日 优先权日2011年3月24日
发明者卢冠甫, 张家齐, 颜俊强 申请人:源杰科技股份有限公司