光掩模用基板、光掩模以及图案转印方法

专利名称：光掩模用基板、光掩模以及图案转印方法
技术领域：
本发明涉及光掩模用基板、光掩模以及图案转印方法。
背景技术：
计算机或便携终端等具有的液晶显示装置具有以下结构将在透光性基材上形成有TFT (薄膜晶体管)阵列(array)的TFT基板和在透光性基材上形成有RGB图案的滤色片粘贴在一起，并在它们之间封入了液晶。滤色片(以下也称作CF)是通过依次实施以下工序来制造的在透光性基材的一个主表面上形成构成颜色边界部的黑矩阵(black matrix)层；进而在被黑矩阵层划分后的透光性基材的一个主表面上形成红色过滤层、绿色过滤层、蓝色过滤层等滤色层(以下也称作彩色层)。上述TFT和滤色片都可应用使用了光掩模的光刻来进行制造。
另一方面，在将光掩模设置(set)于曝光机而进行图案转印时,光掩模由于自重而会略微产生挠曲，因此在专利文献I中记载了用于减轻该挠曲的曝光机支撑机构。专利文献I日本特开平9-306832号公报要求提高液晶显示装置的性能的期待日益增强。尤其是便携终端等尺寸较小、且需要高精细图像的显示装置在几个方面要求超过以往产品的性能。上述性能是色彩的鲜明性(sharpness)(无颜色浑池)、反应速度、分辨力等。出于这种期望，要求制造TFT和CF的光掩模的图案形成精度比以往更高。例如，在TFT形成用的光掩模中，为了提高液晶显示装置的反应速度，在以使TFT图案自身变得细微，或者与主TFT —起组合使用更细微的TFT的方式等在光掩模上形成图案时，必须精细地形成细微尺寸的线宽。此外，在重叠地使用TFT和CF时，如果没有极度精细地控制光掩模上的各个图案的坐标精度以及转印时的定位，则存在以下风险在两者之间产生位置偏差，从而产生液晶的工作不良。另一方面，在CF形成的光掩模中，以下方面仍然存在难题。如上所述，在重叠地使用黑矩阵层和彩色层时，会在掩模上形成图案的同时，由于转印时的变形等而产生坐标偏差，此时，会产生颜色浑浊等问题。在使用光掩模在透光性基材上形成黑矩阵层和滤色层时，最有利的是应用接近式(proximity)曝光。这是因为，与投影式(projection)曝光相比,在曝光机的结构中不需要复杂的光学系统，装置成本也较低，因此生产效率高。但是，在应用接近式曝光时，在转印时难以对变形实施校正，因此与投影曝光相比，转印精度容易劣化。在接近式曝光中，以彼此相对的方式保持形成有抗蚀剂膜的被转印体和光掩模的图案面，使图案面朝向下方，并从光掩模的背面侧照射光，由此将图案转印到抗蚀剂膜上。此时，在光掩模与被转印体之间设置预定的微小间隔(proximity gap)。另外,光掩模具有对形成于透明基板的主表面(第I主表面)的遮光膜进行预定的构图而成的转印用图案。一般而言，在将光掩模设置于接近式曝光用曝光机时，通过曝光机的保持部件保持形成有转印用图案的主平面上的、形成有转印用图案的区域(也称作图案区域)的外侧。
即，在将构成光掩模的外周的相对的两个边各自的附近区域设为保持区域时(两边保持)，曝光机的保持部件与该保持区域抵接，从而能够保持光掩模。根据装置不同，也有保持光掩模的四个边附近的情况(四边保持)。并且，通过使图案面朝向下方，并利用曝光机的保持部件分别从下方支撑上述保持区域，由此使得光掩模保持预定的微小间隔，并且以大致水平的姿势配置于曝光机。另外，如上所述，光掩模会由于自身的重量而挠曲，因此能够利用曝光机的保持机构对挠曲进行一定程度的校正。例如，在专利文献I的方法中，记载了在从下方支撑光掩模的保持部件的支撑点的外侧，从掩模的上方施加预定压力的方法。但是，本申请的发明人发现了如下情况即使该方法对于减轻光掩模的挠曲对图案转印方面的影响是有用的，但仅利用该方法对于制造上述用途的精密显示装置仍是不充分的。例如，发现了如下情况在进行上述接近式曝光时，尽管光掩模具有的转印用图案的形成精度足够高且处于基准范围内，但形成于被转印体上的图案的坐标精度不充分。尤其是，有时配置于光掩模的保持区域附近的转印用图案的转印精度，例如保持区域附近的黑矩阵层或滤色层图案的形成精度劣化，从而在转印后的图案中产生坐标偏差。近年来，随着 液晶显示装置的不断高精细化，不能允许这样的图案转印精度的劣化。此外，根据曝光机不同，有时需要从光掩模的上方进行吸附支撑，但是在这种情况下也不能解决上述问题。

发明内容
本申请发明的目的在于，提供能够提高将形成在光掩模上的转印用图案转印到被转印体时的转印精度，并且提高转印用图案的整个面的坐标精度的光掩模用基板、光掩模以及图案转印方法。根据本发明的第I方式，提供一种光掩模用基板，其用于在第I主表面上形成转印用图案而成为光掩模，其中，在四边形的所述第I主表面上的形成所述转印用图案的图案区域之外，在所述第I主表面的相对的两边附近，具有包含抵接面的保持区域，当曝光机保持所述光掩模时，保持部件与所述抵接面抵接，关于所述保持区域，在设该保持区域内的、处于与所述两边垂直的直线上的相隔P的任意两点的高低差是Zsx时的[Zsx/P]为平坦度指数Fsx，且该保持区域外的、处于与所述两边垂直的直线上的相隔P的任意两点的高低差是Zex时的[Zex/P]为平坦度指数Fex时,满足Fsx < Fex,其中,所述Zsx和Zex的单位是V- m,所述P的单位是mm。根据本发明的第2方式,提供一种光掩模用基板,其用于在第I主表面上形成转印用图案而成为光掩模，其中，在四边形的所述第I主表面上的形成所述转印用图案的图案区域之外，在所述第I主表面的相对的两边附近，具有包含抵接面的保持区域，当曝光机保持所述光掩模时，保持部件与所述抵接面抵接，关于所述保持区域，在设该保持区域内的、处于与所述两边垂直的直线上的相隔P的任意两点的高低差是Zsx时的[Zsx/P]为平坦度指数Fsx时,满足Fsx < 0. 08,其中，所述Zsx的单位是ii m,所述P的单位是mm。根据本发明的第3方式，提供第I或第2方式所述的光掩模用基板，所述保持区域是所述第I主表面上的与所述两边平行的带状区域，所述带状区域分别被夹在与所述两边分别相隔IOmm的直线和相隔50mm的直线之间。根据本发明的第4方式，提供第I 3方式中的任意一个方式所述的光掩模用基板，所述相隔距离P满足5mm ^ P ^ 15mm。根据本发明的第5方式,提供一种光掩模用基板,其用于在第I主表面上形成转印用图案而成为光掩模，其中，在四边形的所述第I主表面上的形成所述转印用图案的图案区域之外，在所述第I主表面的相对的两边附近，具有包含抵接面的保持区域，当曝光机保持所述光掩模时，保持部件与所述抵接面抵接，关于所述保持区域，在设该保持区域内的、处于与所述两边垂直的直线上的相隔P的任意两点的高低差是Zsx时的[Zsx/P]为平坦度指数Fsx时，满足Fsx ( 0. 08，并且，在设该保持区域内的、处于与所述两边平行的直线上的相隔P的任意两点的高低差是Zsy时的[Zsy/P]为平坦度指数Fsy时，满足Fsy < 0. 08，其中，所述Zsx和Zsy的单位是ii m,所述P的单位是mm。根据本发明的第6方式，提供第I 5方式中的任意一个方式所述的光掩模用基板，所述第I主表面是长方形，所述保持区域被设为在所述第I主平面上的所述图案区域之外的、所述第I主表面的相对的长边各自的附近，与所述长边平行的带状区域。根据本发明的第7方式，提供一种光掩模用基板，其用于在第I主表面上形成转印 用图案而成为光掩模，其中，在四边形的所述第I主表面上的形成所述转印用图案的图案区域之外，在所述第I主表面的四边各自的附近，具有包含抵接面的保持区域，当曝光机保持所述光掩模时，保持部件与所述抵接面抵接，在所述保持区域中，针对各个该保持区域，在设该保持区域内的、处于与所述四边中附近的一边垂直的直线上的相隔P的任意两点的高低差是Zsa时的[Zsa/P]为平坦度指数Fsa时，满足Fsa ^ 0. 08,并且，所述保持区域分别是被夹在与附近的所述四边中的一边相隔IOmm的直线和相隔50mm的直线之间的、与附近的所述四边中的一边平行的带状区域，其中，所述Zsa的单位是y m,所述P的单位是mm。根据本发明的第8方式，提供第I 6方式中的任意一个方式所述的光掩模用基板，在所述透明基板的厚度为T时，所述第I主表面的所述保持区域内的平坦度指数Fsx满足FsxS (1/T) X 3. 0,其中，所述T的单位是mm。根据本发明的第9方式，提供第2 6方式中的任意一个方式所述的光掩模用基板，不论在与所述两边垂直的方向上所述两点的位置如何，所述保持区域内的所述两点的高低的相互关系都不变。根据本发明的第10方式，提供一种光掩模用基板，其用于在第I主表面上形成转印用图案而成为光掩模，其中，在处于所述第I主表面的背面的四边形的第2主表面上，在所述第2主表面的相对的两边的附近，具有包含抵接面的背面保持区域，当曝光机保持所述光掩模时，保持部件与所述抵接面抵接，关于所述背面保持区域，在设该背面保持区域内的、处于与所述两边垂直的直线上的相隔P的任意两点的高低差是Zbsx时的[Zbsx/P]为平坦度指数Fbsx时,满足Fbsx ( 0. 08,其中，所述Zbsx的单位是ii m,所述P的单位是mm。根据本发明的第11方式，提供第10方式所述的光掩模用基板，所述背面保持区域是所述第2主表面上的与所述两边平行的带状区域，所述带状区域被夹在与相对的两边分别相隔IOmm的直线和相隔50mm的直线之间。根据本发明的第12方式,提供一种光掩模用基板,其用于在第I主表面上形成转印用图案而成为光掩模，其中，在处于所述第I主表面的背面的四边形的第2主表面上，在所述第2主表面的四边各自的附近，具有包含抵接面的背面保持区域，当曝光机保持所述光掩模时，保持部件与所述抵接面抵接，在所述保持区域中，针对各个该保持区域，在设该保持区域内的、处于与所述四边中附近的一边垂直的直线上的相隔P的任意两点的高低差是Zbsa时的[Zbsa/P]为平坦度指数Fbsa时，满足Fbsa ^ 0. 08,并且，所述保持区域分别是被夹在与附近的所述四边中的一边相隔IOmm的直线和相隔50mm的直线之间的、与附近的所述四边中的一边平行的带状区域。根据本发明的第13方式，提供一种光掩模，其使用了第I 12方式中的任意一个方式所述的光掩模用基板，对形成于所述光掩模基板的第I主表面上的光学膜实施了期望的构图，成为转印用图案。根据本发明的第14方式，提供第13方式所述的光掩模，该光掩模用于接近式曝光。根据本发明的第15方式，提供第13或第14方式所述的光掩模，该光掩模用于制造滤色片。
根据本发明的第16方式，提供一种图案转印方法，使用接近式曝光机，将光掩模所具有的转印用图案转印至被转印体，其中，以所述接近式曝光机的保持部件与所述光掩模的保持区域抵接的方式保持第13 15方式中任意一个方式所述的光掩模，进行曝光。根据本申请发明，能够防止图案转印时的坐标偏差，能够在进行接近式曝光时，提高图案的转印精度。


图I是例示本实施方式的滤色片的制造工序的概略的流程图。图2的(a)是例示在本实施方式的滤色片的制造工序中进行接近式曝光的情形的侧视图，(b)是其俯视图。图3的(a)是例示本实施方式的光掩模的平面结构的俯视图，(b)是例示其变形例的俯视图。图4是例示保持区域附近的图案转印精度降低的情形的示意图，(a)示出了在曝光机内配置光掩模前的状态，(b)示出了在曝光机内配置光掩模后的状态。图5是例示本实施方式的光掩模的制造工序的流程图。图6是例示通过倾斜地入射激光来测定平坦度的情形的示意图。图7是示出光掩模的重叠与坐标偏差的关系的图。标号说明100 第I光掩模；101 :透明基板；103 :抵接面；104 :保持区域；105 :图案区域；112p :转印用图案；200 :第2光掩模；201 :透明基板；203 :抵接面；212p :转印用图案；500 曝光机；503 :保持部件。
具体实施例方式<本发明的一个实施方式>下面对本发明的一个实施方式进行说明。(I)滤色片的制造工序首先，参照图I 图3对液晶显示装置等中使用的滤色片的制造工序进行说明。图I是例示本实施方式的滤色片的制造工序的概略的流程图。图2(a)是例示在本实施方式的滤色片的制造工序中进行接近式曝光的情形的侧视图，图2(b)是其俯视图。图3(a)是例示本实施方式的光掩模的平面结构的俯视图，图3(b)是例示其变形例的俯视图。如图I所示，液晶显示装置用的滤色片10是通过依次实施以下工序来制造的在透光性基材11的一个主表面上形成构成颜色边界部的黑矩阵层12p(图1(a) (e));进而在被黑矩阵层12p划分后的透光性基材11的一个主表面上形成红色过滤层14p、绿色过滤层15p、蓝色过滤层16p等彩色层(图I (f) (j))。下面对各个工序进行说明。(黑矩阵层12p的形成)
首先，准备由透光性树脂或玻璃等构成的透光性基材11，在透光性基材11的一个主表面上形成遮光材料膜12，在遮光材料膜12上形成抗蚀剂膜13(图I (a))。接着，将黑矩阵形成用的第I光掩模100以及形成有作为被转印体的遮光材料膜12和抗蚀剂膜13的透光性基材11配置到接近式曝光用的曝光机500内(图I (b)、图2)。另外，如图3(a)的俯视图所示，第I光掩模100具有转印用图案112p，该转印用图案112p是对形成于透明基板101的第I主表面的遮光膜进行预定的构图而形成的。转印用图案112p的形状例如为格子状，以便形成黑矩阵层12p。此外，在第I光掩模100的透明基板101的一个主表面上，在形成有转印用图案112p的图案区域外侧的、构成透明基板101的主表面外周的相对的两边各自的附近分别设有保持区域104。在保持区域104内，与曝光机500的保持部件503抵接的部分是抵接面103。在保持区域104中，可以形成遮光膜，也可以使透明基板101的一个主表面露出。如图2(a)所示，用曝光机500的保持部件503分别从下方支撑抵接面103，由此使第I光掩模100以水平姿势配置于曝光机500内。并且，使得第I光掩模100所具有的转印用图案112p与形成在透光性基材11上的抗蚀剂膜13相对，例如隔着10 ii m以上300 u m以内的微小间隔进行配置。将第I光掩模100、以及形成有遮光材料膜12和抗蚀剂膜13的透光性基材11配置到接近式曝光用的曝光机500内，当完成了彼此的对位后，使用光源501和照射系统502，从第I光掩模100的背面侧照射紫外线等的光，隔着转印用图案112p对抗蚀剂膜13进行曝光，使抗蚀剂膜13的一部分感光(图I (c)、图2(a))。在曝光中，可使用包含i线、h线、g线的光源。接着，从曝光机500中取出第I光掩模100、以及形成有遮光材料膜12和抗蚀剂膜13的曝光后的透光性基材11。然后，对抗蚀剂膜13进行显影，形成部分地覆盖了遮光膜的抗蚀剂图案13p(图1(d))。然后，以形成的抗蚀剂图案13p为掩模对遮光材料膜12进行蚀刻，在透光性基材11的一个主表面上形成黑矩阵层12p(图1(e))。在形成了黑矩阵层12p后，去除抗蚀剂图案 13p。(红色过滤层的形成)接着，在形成有黑矩阵层12p的透光性基材11的一个主表面上，形成例如由感光性树脂材料构成的红色抗蚀剂膜14(图I (f))。然后，将红色过滤层形成用的第2光掩模200、以及形成有作为被转印体的黑矩阵层12p和红色抗蚀剂膜14的透光性基材11配置到接近式曝光用的上述曝光机500内(图I (g))。
另外，如图3(a)中例示的平面结构那样，第2光掩模200具有具备转印用图案212p的图案区域，该转印用图案212p是通过在透明基板的一个主表面上将遮光膜加工为预定的转印用图案而形成的。另外，转印用图案212p的形状形成为用于形成红色过滤层14p的形状，是与第I光掩模100的转印用图案112p不同的形状。此外，在第2光掩模200的透明基板201的一个主表面上，在形成有转印用图案212p的图案区域外侧的、构成透明基板201的该主表面外周的相对的两边各自的附近分别设有保持区域204。在保持区域204内，与曝光机500的保持部件503抵接的部分是抵接面203。在保持区域204中，可以形成遮光膜，也可以使透明基板201的一个主表面露出。如图2 (a)所示，用曝光机500的保持部件503分别从下方保持抵接面203，由此使第2光掩模200以水平姿势配置于曝光机500内。并且，使第2光掩模200所具有的转印用图案212p与形成在透光性基材11上的红色抗蚀剂膜14相对，隔着上述微小间隔进行配
置。 将第2光掩模200、以及形成有黑矩阵层12p和红色抗蚀剂膜14的透光性基材11配置到接近式曝光用的曝光机500内，当完成了彼此的对位后，使用光源501和照射系统502，从第2光掩模200的背面侧照射紫外线等的光，隔着转印用图案212p对红色抗蚀剂膜14进行曝光，使红色抗蚀剂膜14的一部分感光(图I (h))。接着，从曝光机500中取出第2光掩模200、以及对红色抗蚀剂膜14进行曝光后的透光性基材11。然后，对红色抗蚀剂膜14进行显影来去除多余的红色抗蚀剂膜14，并对残留的红色抗蚀剂膜14进行烘烤(bake)使其硬化，由此形成红色过滤层14p (图I (i))。(绿色过滤层和蓝色过滤层的形成)接着，与红色过滤层14p的形成同样地进行绿色过滤层15p和蓝色过滤层16p的形成，结束在被黑矩阵层12p划分后的透光性基材11的一个主表面上形成红色过滤层14p、绿色过滤层15p、蓝色过滤层16p等滤色层的工序(图I (j))。(HO电极的形成)虽然未图示，但是之后，以覆盖黑矩阵层12p、红色过滤层14p、绿色过滤层15p、蓝色过滤层16p等滤色层的上表面的方式形成ITO膜来作为透明电极，从而结束滤色片10的制造。(2)关于保持区域附近的图案转印精度如上所述，以往在进行接近式曝光时，抵接面附近(例如图2(b)的图案区域105中的、与包含保持部件503所抵接的抵接面的保持区域104接近的区域)的图案转印精度，即保持区域附近的黑矩阵层12p和滤色层的坐标精度表现出与离保持区域远的区域(例如图2(b)的图案区域105的中心部)的坐标精度不同的趋势，有时会表现出异常的劣化趋势。尤其是发现了如下情况在进行了细微化的细微的滤色片用掩模中，该坐标精度的略微的劣化趋势都会成为问题。根据发明人等的深刻研究，已判明上述转印精度的劣化与保持区域内的透明基板主表面(利用曝光机500的保持部件503进行支撑的面)的平坦度有关。图4是例示如下情形的示意图由于在抵接面103’中的透明基板101’的主表面上存在凹凸，且该凹凸与保持部件503抵接，因此透明基板的主表面101’侧的形状追随保持部件的形状而变化，由此图案的转印精度劣化。图4(a)示出了在曝光机500内配置光掩模100’前的状态，图4(b)不出了在曝光机500内配置光掩模100’后的状态。在抵接面103’中的透明基板101’的主表面上存在凹凸时，如图4(b)所示，在将光掩模100’配置到曝光机500内时(用曝光机500的保持部件503从下方支撑抵接面103’来将光掩模100’配置为水平姿势时)，有时会在透明基板101’的抵接面103’上产生局部的变形。并且，有时会由于上述变形，在与抵接面103’接近的图案区域的转印用图案中产生水平方向的坐标偏差，导致图案的转印精度劣化。另外，当厚度为T(mm)的透明基板101’以角度e弯曲时，主表面上的坐标所产生的水平方向的偏差量d例如为d = T/2X sin0 (mm)。因此，在本发明的一个实施方式中，提供一种光掩模用基板，其用于在第I主表面上形成转印用图案而成为光掩模，在该光掩模用基板中，
在四边形的所述第I主表面上的形成有所述转印用图案的图案区域之外，在所述第I主表面的相对的两边附近，具有包含抵接面的保持区域，当曝光机保持所述光掩模时，保持部件与所述抵接面抵接，关于所述保持区域，当设所述保持区域内和所述保持区域外各自的平坦度指数为Fsx和Fex时，使用满足Fsx ( Fex的光掩模基板来制作光掩模，由此来大幅改善图案的转印性和坐标精度。这里，平坦度指数Fsx是该保持区域内的、处于与所述两边垂直的直线上的相隔P(mm)的任意两点的高低差为Zsx(iim)时的[Zsx/P]。此外，平坦度指数Fex是该保持区域外的、处于与所述两边垂直的直线上的相距P (mm)的任意两点的高低差为Zex (ym)时的[Zex/P]。可将任意两点的高低差看作是处于某规定区域内某规定直线上的、相距某规定的相隔距离的任意两点的高低差，不过，可以将固定的基准应用于该高低差。例如，关于任意两点的高低差Zsx，当设定了在区域内以预定的相隔距离P (例如IOmm)的间隔沿XY方向描绘出格子时的格点，并将其设为测定点时，可将任意两点的高低差Zsx设为整个保持区域内的、处于上述直线上的相邻两点(即相隔距离为P的两点)的高低差。例如，求出整个保持区域内的、上述所有相邻的测定点的高低差Zsx，当对于这些测定点始终满足Fsx ( 0. 08时，可设为“关于任意两点的高低差为Zsx时的FsxdiSFsx ^ 0. 08”。关于后述的Zex、Zsa、Zbsx、Zbsy> Zbsa也可以同样地进行考虑。在本实施方式中，所谓光掩模用基板，包含为了光掩模的制造而研磨石英等所制造出的透明玻璃基板、在该透明玻璃基板上形成了光学膜或抗蚀剂等的任意一种的光掩模坯体、或者在该光掩模上形成预定的转印图案的工序中的光掩模中间体。此外，本实施方式的光掩模基板是主表面为四边形的基板。将两个主表面中的、为了成为光掩模而形成光学膜并进行构图的面称作第I主表面、将另一个主表面称作第2主表面。关于光学膜，典型的是遮光膜，但是也可以是具有一定程度的曝光光透射率的半透光膜性的膜。在本实施方式中，平坦度是考虑了将光掩模设置于曝光机时与曝光机侧的保持部件抵接(可以是单纯的接触，也可以是吸附)的面所需的性质的平坦度，是指特定区域内的平坦度。—般而言，在将光掩模设置于曝光机时，在包围基板的四边形的主平面的边中相对的两边附近的带状区域内(相当于图2(b)中用标号104表示的区域)内，与曝光机的保持部件抵接。将与保持部件抵接的部分设为抵接面，由于包含该抵接面的部分中的转印图案的位置和基板的尺寸、形状的原因，使得曝光机的保持部件所抵接的位置有一些变动，考虑到该情况，以能够包含抵接面的方式，设定为比保持部件拥有的宽度尺寸大的宽度尺寸，保持区域104的尺寸优选进行如下设定。例如可将保持区域设为与上述两边分别相隔预定距离(5 15mm左右)的、具有固定宽度(30 60mm)的带状区域。如后所述，在本实施方式中，例示了如下的光掩模基板作为保持区域，针对主表面的两边分别具有带状区域，该带状区域被夹在与所述两边分别相隔IOmm的直线和相隔50mm的直线之间。此外，在光掩模的主表面为长方形的情况下，优选将上述相对的两边设为长边(在图3(a)中LI > L2时)。在本实施方式中，分别针对保持区域内和保持区域外求出平坦度。例如，可如下地求出保持区域内的两点的高低差。 如图2(b)所示的标号M、N例示的那样，可将保持区域内的两点设为处于与上述两边垂直的直线上的两点。保持区域外的两点也可以同样地进行选择。关于两点的相隔距离P，优选进行如下考虑。如上所述，平坦度是考虑了适合于光掩模与保持部件相抵接的面的平坦度，应该考虑潜在的凹凸间距(Pitch)对转印性的影响程度的差异，因此，测定点的相隔距离过大过小都不理想。测定点的两点的相隔距离P需要根据曝光机具有的保持部件的形状、与基板的接触面积来选择其数值，优选的是，最大也不超过与保持部件的抵接宽度。另一方面，当相隔距离过小时，需要将作为保持区域面的微小变动的、表面凹凸所形成的倾斜度不对与保持部件的抵接产生影响的因素包含在内，进行测定。根据发明人的见解，相隔距离P优选满足5 SPS 15 (mm)。例如优选设为P = 10mm，并且，这从测定效率等方面出发也是优选的。此处，如后所述，高低差(y m)可使用平面度测定机进行测定，在求出本实施方式的平坦度的情况下，可使用装置所规定的基准面求出高低差。此外，在测定高低差时，优选的是，在使得基板铅直从而实质上排除了因自重引起的挠曲影响的状况下进行测定。对于两点的位置选择，只要处于与上述两边垂直的直线上且具有上述相隔距离即可，可以在保持区域内的任意位置处进行选择。例如，可以将用IOmm宽度的格子对整个保持区域进行分割时的各个格点设为测定点，并使用相邻的测定点的高低差求出平坦度。另外，即使在上述保持区域104中产生了凹凸，只要因该高低差产生的基板表面(第I主面)的变形非常小，对处于图案区域内的转印用图案的坐标产生的影响就基本没有问题。但是已判明如下情况在凹凸的高低差中存在超过某基准的大小、并且该凹凸距离较近(相对于抵接面的宽度不够大)的情况下，因该高低差产生的倾斜度会对与保持区域相邻的图案区域的坐标精度产生影响。并且，由凹凸的高低差决定的倾斜度的方向也与转印性相关。即，在基板表面内，在与上述两边垂直的方向上存在较大的高低差的情况下，会对转印性产生不良影响。这是因为，当该方向上的高低差与保持部件抵接而使基板表面变形时，该表面的变形影响容易传递到转印图案侧。因此，在本实施方式中，与其他部分区别地控制保持区域内这样的局部部分的基板表面平坦度，由此大幅改善了转印性，并且，该平坦度的控制还考虑到测定点的相隔距离以及因潜在的凹凸产生的倾斜度的方向。作为保持区域应该满足的具体的平坦度，优选为如下的平坦度。即，在设该保持区域内的、处于与所述两边垂直的直线上的相隔P (mm)的任意两点的高低差是Zsx(Um)时的[Zsx/P]为平坦度指数Fsx时，优选满足Fsx < 0. 08。此外，当第I主平面的平坦度指数Fsx的范围过大时，有时因图案转印引起的坐标偏差会超出上述用途的一部分装置所允许的范围。此外，当平坦度指数Fsx的范围过小时，在基板的表面加工时，有时会超过加工装置的能力、或需要过大的加工时间。因此，优选为0. 01 ( Fsx ( 0. 08。此外，发现了如下情况在透明基板的厚度为T(mm)时，通过满足Fsx彡(I/ T) X 3. 0，能够进一步可靠地抑制保持区域附近的图案转印精度的降低。通过如上所述地降低保持区域104中的透明基板101的一个主表面的平坦度指数Fsx，能够抑制在透明基板101的保持区域104中产生局部变形，能够提高与保持区域104接近的转印图案的转印精度。作为本发明的更优选的方式，有以下方式。—种光掩模用基板，其用于在第I主表面上形成转印用图案而成为光掩模，在该光掩模用基板中，在四边形的所述第I主表面上的形成有所述转印用图案的图案区域之外，在所述第I主表面的相对的两边附近具有包含抵接面的保持区域，当曝光机保持所述光掩模时，保持部件与所述抵接面抵接，在所述保持区域中，在设该保持区域内的、处于与所述两边垂直的直线上的相隔P(mm)的任意两点的高低差是Zsx (um)时的[Zsx/P]为平坦度指数Fsx时，满足Fsx ^ 0. 08,并且，在设该保持区域内的、处于与所述两边平行的直线上的相隔P(mm)的任意两点的高低差是Zsy (iim)时的[Zsy/P]为平坦度指数Fsy时，满足Fsy < 0. 08。这不仅对于与上述两边垂直的方向(X方向)，而且对于平行的方向(Y方向)，也考虑了因表面凹凸引起的倾斜度的影响。如上所述，如果在保持区域内的整个区域中，将IOmm宽度的格子的点设为测定点，得到相邻测定点彼此之间的高低差，则能够简便地确定满足上述条件的基板。优选的是0.01 SFsy <0.08，进一步优选的是，在透明基板的厚度为T (mm)时，满足 Fsy 彡(1/T) X 3. O。(3)光掩模的制造方法以下，参照图5、图6对本实施方式的光掩模的制造方法进行说明。图5是例示本实施方式的光掩模的制造工序的流程图。图6是例示通过入射激光来测定平坦度的情形的示意图。另外，在以下说明中，以制造黑矩阵形成用的第I光掩模100的情况为例进行说明，不过，也可与第I光掩模100的制造同样地进行滤光层形成用的第2 第4光掩模的制造。(透明基板的准备和平坦度的检查)首先，准备作为光掩模基板的透明基板101(图5(a))。另外，如图3(a)中也例示的那样，透明基板101是俯视时为长方形的板状，其尺寸例如可设为长边LI为600 1400mm、短边L2为500 1300mm、厚度T为5 13_左右。透明基板101例如可由石英(SiO2)玻璃、或者包含Si02、A1203、B203、R0、R2O等的低膨胀玻璃等构成。在透明基板101的主表面上，存在上述转印用图案112p的形成预定区域。此外，在转印用图案112p的形成预定区域的外侧，在构成透明基板101的外周的相对两边(在本实施方式中为长边LI)各自的附近，设有与长边LI分别平行的一对带状的保持区域104。这是包含在设置于曝光机500时与曝光机500的保持部件503抵接的面的区域。例如，保持区域104可构成为与长边(LI)分别平行的一对宽度为40mm的带状区域，该带状区域被夹在与构成第I光掩模100的外周的相对的长边(LI)分别相隔IOmm的直线和与长边(LI)分别相隔50mm的直线之间。透明基板101的主表面(形成有转印用图案的第I主表面、以及作为其背面的第2主表面)分别通过研磨等而构成为平坦且平滑。如上所述，透明基板101的第I主表面的平坦度构成为在用处于该主表面上的彼此相隔IOmm的两点之间的高低差来表示该第I主表面的平坦度时，保持区域104内的平坦度指数Fsx为保持区域104外的平坦度指数Fex以下(越小越平坦)。此外，如上所述，保持区域104内的该主表面的平坦度指数Fsx优选 为Fsx彡0.08。并且，优选构成为满足Fsx彡(1/T)X3. O。并且，更优选的是，优选使用满足Fsx ( (1/T) X 3. 0的透明基板101。此外，优选的是不论与所述两边垂直的方向上所述两点的位置如何，保持区域104内的所述两点的高低的相互关系都不变(固定)。即，优选的是，在一个保持区域104内，与所述两边垂直的方向上的倾斜度始终为正(上升)，或者始终为负(下降)。更优选的是，处于相对的所述两边附近的保持区域的倾斜度趋势是彼此相反的(一方为正(上升)、且另一方为负(下降))。为了得到本实施方式的光掩模基板，可在合成石英等基板的研磨工序中，调整研磨时间、研磨量并控制平坦度来进行。并且，本实施方式的光掩模基板可从完成了最终研磨工序的多个光掩模基板中，选择具有本实施方式中规定的平坦度的光掩模基板来得到。并且，可在完成了最终研磨工序的多个光掩模中，测定第I主表面和/或第2主表面的平坦度，将满足本实施方式中规定的平坦度的主表面设为与曝光机500的保持部件503抵接的一侧。例如，如图6所示，可使用将激光倾斜地入射到保持区域104内的该主表面的方法等来检查平坦度指数Fsx是否满足上述必要条件。作为测定装置的例子，例如可举出黑田精工公司制造的平面度测定机FFT-1500 (注册商标)、或日本特开2007-46946号公报记载
的装置等。(遮光膜和抗蚀剂膜的形成)接着，在透明基板101的主表面上形成例如以Cr为主成分的遮光膜112(图5(b))。遮光膜112例如可通过派射(sputtering)或真空蒸镀等方法形成。遮光膜112的厚度为足以遮挡曝光机500的照射光的厚度，例如可设为100 120nm左右。另外，优选的是，在遮光膜112的上表面形成例如以CrO等为主成分的反射防止层。此外，也可以不在保持区域104上形成遮光膜112。接着，在遮光膜112上形成抗蚀剂膜113(图5(b))。抗蚀剂膜113可由正(positive)性光致抗蚀剂材料或负(negative)性光致抗蚀剂材料构成。在以下说明中，设抗蚀剂膜113由正性光致抗蚀剂材料形成。抗蚀剂膜113例如可通过旋转涂布(spincoating)或狭缝涂布(slit coating)等方法形成。(构图工序)接着，利用激光描绘机等对抗蚀剂膜113进行描绘曝光，使抗蚀剂膜113的一部分感光。之后，利用喷涂(spray)方式等方法向抗蚀剂膜113提供显影液使其显影，形成覆盖遮光膜112的一部分的抗蚀剂图案113p(图5(c))。然后，将形成的抗蚀剂图案作为掩模对遮光膜112的一部分进行蚀刻。遮光膜112的蚀刻可通过利用喷涂方式等方法将铬(chrome)用蚀刻液提供到遮光膜112上来进行。其结果，在透明基板101的一个主表面上，形成对遮光膜112进行构图而成的转印用图案112p (图5(d))。然后，去除抗蚀剂图案113p而结束第I光掩模100的制造(图5(e))。(4)本实施方式的效果以下例示本实施方式的效果。 液晶显示装置的器件图案不断地细微化。对于用于滤色片的黑矩阵(BM)，细线化的期望特别强烈。例如，以往10 U m左右就足够的BM宽度最近期待达到8 ii m或6 y m左右，制造技术的难度进一步增大。例如，考虑要形成6 iim的BM的情况(图7(a))。在将色版与BM重叠时，一方(例如BM0以下同样)允许的坐标偏差的最大值为3 y m(图7 (b))。这是因为，当色版彼此(例如红(red)与蓝(blue))的边界超出BM的宽度时，会产生颜色浑浊等问题。并且，当考虑了色版自身存在线宽误差并且BM自身存在线宽误差时，一方的坐标偏差必须为(3iimXl/2Xl/2=)0. 75iim 以内(图 7(c))。另外，描绘装置具有的描绘再现性为0. 15 y m左右，因此，光掩模基板侧的裕量(margin)为(0. 75-0. 15 = )0. 60 u m0这是光掩模引起的坐标偏差的允许值(图7(d))。但是，光掩模基板所引起的坐标偏差的要因不只包含与曝光机500的保持部件503的抵接这一因素。根据发明人的研究，存在多个因素，作为非偶然的因素(不能忽视的因素)，还包括第I主表面的图案区域的形状、与图案区域对应的第2主表面的形状。此处，第2主表面的形状与转印用图案的描绘时产生的坐标偏差有关，因此不能忽视。因此，将可允许的坐标偏差量分配于上述主要的3个因素(图7(e))，并且为了满足Cpk (工序能力指数)I. 3，允许偏差量为0. 15 y m(图7 (f))。此外，如上所述，在由于与曝光机500的保持部件503的抵接而产生的透明基板101的主表面的变形、以及该变形引起的坐标偏差的大小中，存在以下关系(图4(b))。当产生所允许的最大坐标偏差时，dmax (最大偏差量0. 15 ii m)= (T * IO3)/2 * sin 0= T/2 * Z/P(Z ( u m):两点的闻低差、P (mm):两点的相隔距尚、T (mm):基板厚度)此处,在设P = IOmm时，Z = 3. 0/T ( u m)假如设为T = 8mm 时，Z = 0. 375 u m设为T = 5mm 时，Z = 0. 6 U m此处,在变更为P = 12mm 时，Z = 0. 72 u m
在为这样的范围的高低差时，根据本发明由于平坦度指数F( = Z/P) ( 0. 08，因此能够得到足够的转印精度。此外，在制造这种基板时，如果考虑研磨能力、研磨时间，则优选0. 01彡F。除后述的Fsx以外，这同样适用于 Fxy> Fsa、Fbsx、Fbsy> Fbsa0基于上述说明可知，根据本实施方式，通过控制透明基板101的第I主表面中的、曝光机500的保持部件503所保持的保持区域104的特定平坦度(Fsx、Fsy或Fsa)，在进行接近式曝光时，能够抑制在透明基板的保持区域附近产生局部变形，能够提高保持区域附近的图案的转印精度。 此外，根据本实施方式，基于上述说明可知，在透明基板101的厚度为T(mm)时，优选满足FsxS (1/T)X3.0。由此，在进行接近式曝光时，能够更可靠地抑制在透明基板101的保持区域104的附近产生局部变形，能够更可靠地提高转印精度。更优选的是，Fsy ( (I/T) X3. O。此外，优选构成为保持区域104内的两点的高低关系沿着与附近设有保持区域104的透明基板101的外周垂直的方向(在图3(a)的例子中是与长边LI垂直的方向)单纯地增大或单纯地减小。由此，能够减小透明基板101的变形、弯曲量，能够提高保持区域104附近的图案转印精度。〈本发明的另一实施方式〉以上，对本发明的实施方式进行了具体说明，但本发明不限于上述实施方式，可在不脱离其主旨的范围内进行各种变更。例如，保持区域104不限于上述实施方式那样设有一对的情况，也可以沿着光掩模的周围设置更多个保持区域。即，可以如图3(b)所示，在俯视时为长方形的透明基板101的一个主表面上，在转印用图案112p的外侧的构成透明基板101的外周的四边(L1、L2)各自的附近区域内，设有4个带状的保持区域104。此时使用了一种光掩模用基板，其用于在第I主表面上形成转印用图案而成为光掩模，在该光掩模用基板中，在四边形的所述第I主表面上的形成有所述转印用图案的图案区域之外，在所述第I主表面的四边各自的附近，具有包含抵接面的保持区域，当曝光机保持所述光掩模时，保持部件与所述抵接面抵接，在所述保持区域中，针对各个该保持区域，在设该保持区域内的、处于与所述四边中附近的一边垂直的直线上的相隔P(mm)的任意两点的高低差是Zsa(^m)时的[Zsa/P]为平坦度指数Fsa时，满足Fsa ^ 0. 08,并且，所述保持区域分别是与附近的所述四边中的一边平行的带状区域，该带状区域被夹在与附近的所述四边中的一边相隔IOmm的直线和相隔50mm的直线之间。由此，能够得到具有与上述相同效果的光掩模。此时，也优选0. 01彡Fsa彡0. 08。例如，4个保持区域104可构成为转印用图案112p的外侧的分别与四边平行的4个带状区域，这4个带状区域被夹在与构成第I光掩模100的外周的四边分别相隔IOmm的直线和与四边分别相隔50mm的直线之间。此时，也构成为4个保持区域104内的主表面的平坦度指数Fsa为保持区域104外的平坦度指数Fex以下。尤其是在透明基板的厚度为T (mm)时，优选在4个保持区域104内分别满足Fsa ( (1/T) X 3. O。<本发明的又一实施方式>在曝光机中，包括这样的曝光机保持部件与形成有光掩模图案的第I主表面的背面侧、即第2主表面抵接，且利用了通过吸附保持等来固定光掩模的机构。为了应用于这种方式，以下的光掩模基板是有用的。即，使用了一种光掩模用基板，其用于在第I主表面上形成转印用图案而成为光掩模，在该光掩模用基板中，
·
在处于所述第I主表面的背面的四边形的第2主表面上，在所述第2主表面的相对的两边附近，具有包含抵接面的背面保持区域，当曝光机保持所述光掩模时，保持部件与所述抵接面抵接，关于所述背面保持区域，在设该背面保持区域内的、处于与所述两边垂直的直线上的相隔P(mm)的任意两点的高低差是Zbsx(Um)时的[Zbsx/P]为平坦度指数Fbsx时，满足Fbsx ( 0. 08。由此，能够得到具有与上述相同效果的光掩模。此时，优选0. 01 彡 Fbsx 彡 0. 08。进一步优选 Fbsx 彡(1/T) X 3. O。并且，此时，所述背面保持区域优选是所述第2主表面上的与所述两边平行的带状区域，该带状区域被夹在与相对的两边分别相隔IOmm的直线和相隔50mm的直线之间。并且，在设与上述直线垂直的方向上相隔P(mm)的任意两点的高低差是Zbsy ( u m)时的[Zbsy/P]为平坦度指数Fbsy时,还优选设为0. 01 < Fbsy < 0. 08。进一步优选 Fbsy ( (1/T) X 3. O。此外，能够使用第2主平面满足对于第I主表面的保持区域记载的上述实施方式的各个特征的光掩模基板来制作光掩模，是有用的。例如，使用了一种光掩模用基板，其用于在第I主表面上形成转印用图案而成为光掩模，在该光掩模用基板中，在处于所述第I主表面的背面的四边形的第2主表面上，在所述第2主表面的四边各自的附近，具有包含抵接面的背面保持区域，当曝光机保持所述光掩模时，保持部件与抵接面抵接，在所述保持区域中，针对各个该保持区域，在设该保持区域内的、处于与所述四边中附近的一边垂直的直线上的相隔P(mm)的任意两点的高低差是Zbsa(iim)时的[Zbsa/P]为平坦度指数Fbsa时，满足Fbsa ( 0. 08。由此，能够得到具有与上述相同效果的光掩模。此时，优选0. 01 < Fbsa < 0. 08。更优选的是，Fbsa 彡(1/T) X 3. O。此外，优选将所述保持区域分别设为与附近的所述四边中的一边平行的带状区域，该带状区域被夹在与附近的所述四边中的一边相隔IOmm的直线和相隔50mm的直线之间。根据本实施方式，在得到坐标精度优异的光掩模时，能够在转印用图案形成以前，根据透明基板的阶段进行评价。并且，能够确切地制造或者选择用于得到优异的坐标精度的液晶显示装置的光掩模基板。
权利要求
1.一种光掩模用基板，其用于在第I主表面上形成转印用图案而成为光掩模，该光掩模用基板的特征在于， 在四边形的所述第I主表面上的形成所述转印用图案的图案区域之外，在所述第I主表面的相对的两边附近，具有包含抵接面的保持区域，当曝光机保持所述光掩模时，保持部件与所述抵接面抵接， 关于所述保持区域，在设该保持区域内的、处于与所述两边垂直的直线上的相隔P的任意两点的高低差是Zsx时的[Zsx/P]为平坦度指数Fsx，设该保持区域外的、处于与所述两边垂直的直线上的相隔P的任意两点的高低差是Zex时的[Zex/P]为平坦度指数Fex时，满足 Fsx ^ Fex, 其中，所述Zsx和Zex的单位是ii m,所述P的单位是mm。
2.一种光掩模用基板，其用于在第I主表面上形成转印用图案而成为光掩模，该光掩模用基板的特征在于， 在四边形的所述第I主表面上的形成所述转印用图案的图案区域之外，在所述第I主表面的相对的两边附近，具有包含抵接面的保持区域，当曝光机保持所述光掩模时，保持部件与所述抵接面抵接， 关于所述保持区域，在设该保持区域内的、处于与所述两边垂直的直线上的相隔P的任意两点的高低差是Zsx时的[Zsx/P]为平坦度指数Fsx时，满足Fsx ( 0. 08， 其中，所述Zsx的单位是ii m,所述P的单位是mm。
3.根据权利要求I或2所述的光掩模用基板，其特征在于， 所述保持区域是所述第I主表面上的与所述两边平行的带状区域，所述带状区域分别被夹在与所述两边分别相隔IOmm的直线和相隔50mm的直线之间。
4.根据权利要求I或2所述的光掩模用基板，其特征在于， 所述相隔距离P满足5mm ^ P ^ 15mm。
5.一种光掩模用基板，其用于在第I主表面上形成转印用图案而成为光掩模，该光掩模用基板的特征在于， 在四边形的所述第I主表面上的形成所述转印用图案的图案区域之外，在所述第I主表面的相对的两边附近，具有保持区域，当曝光机保持所述光掩模时，保持部件与所述保持区域抵接， 关于所述保持区域， 在设该保持区域内的、处于与所述两边垂直的直线上的相隔P的任意两点的高低差是Zsx时的[Zsx/P]为平坦度指数Fsx时，满足Fsx ( 0. 08， 并且，在设该保持区域内的、处于与所述两边平行的直线上的相隔P的任意两点的高低差是Zsy时的[Zsy/P]为平坦度指数Fsy时，满足Fsy ( 0. 08， 其中，所述Zsx和Zsy的单位是ii m,所述P的单位是mm。
6.根据权利要求1、2或5所述的光掩模用基板,其特征在于， 所述第I主表面为长方形，所述保持区域被设为在所述第I主平面上的所述图案区域之外的、所述第I主表面的相对的长边各自的附近，与所述长边平行的带状区域。
7.一种光掩模用基板，其用于在第I主表面上形成转印用图案而成为光掩模，该光掩模用基板的特征在于，在四边形的所述第I主表面上的形成所述转印用图案的图案区域之外，在所述第I主表面的四边各自的附近具有包含抵接面的保持区域，当曝光机保持所述光掩模时，保持部件与所述抵接面抵接， 在所述保持区域中，针对各个该保持区域，在设该保持区域内的、处于与所述四边中附近的ー边垂直的直线上的相隔P的任意两点的高低差是Zsa时的[Zsa/P]为平坦度指数Fsa时，满足Fsa く 0. 08，并且， 所述保持区域分别是被夹在与附近的所述四边中的一边相隔IOmm的直线和相隔50mm的直线之间的、与附近的所述四边中的ー边平行的帯状区域， 其中，所述Zsa的单位是ii m,所述P的单位是mm。
8.根据权利要求1、2、5和7中的任意一项所述的光掩模用基板,其特征在于， 在所述透明基板的厚度为T时，所述第I主表面的所述保持区域内的平坦度指数Fsx满足 Fsx 彡(1/T) X 3. 0， 其中，所述T的单位是mm。
9.根据权利要求1、2和5中的任意一项所述的光掩模用基板,其特征在于， 不论在与所述两边垂直的方向上所述两点的位置如何，所述保持区域内的所述两点的闻低的相互关系都不变。
10.ー种光掩模用基板，其用于在第I主表面上形成转印用图案而成为光掩模，该光掩模用基板的特征在干， 在处于所述第I主表面的背面的四边形的第2主表面上，在所述第2主表面的相対的两边的附近，具有包含抵接面的背面保持区域，当曝光机保持所述光掩模时，保持部件与所述抵接面抵接， 关于所述背面保持区域，在设该背面保持区域内的、处于与所述两边垂直的直线上的相隔P的任意两点的高低差是Zbsx时的[Zbsx/P]为平坦度指数Fbsx时，满足Fbsx ^ 0. 08, 其中，所述Zbsx的单位是ii m,所述P的单位是mm。
11.根据权利要求10所述的光掩模用基板，其特征在干， 所述背面保持区域是所述第2主表面上的与所述两边平行的帯状区域，所述带状区域被夹在与相对的两边分别相隔IOmm的直线和相隔50mm的直线之间。
12.—种光掩模用基板,其用于在第I主表面上形成转印用图案而成为光掩模，该光掩模用基板的特征在干， 在处于所述第I主表面的背面的四边形的第2主表面上，在所述第2主表面的四边各自的附近，具有包含抵接面的背面保持区域，当曝光机保持所述光掩模时，保持部件与所述抵接面抵接， 在所述保持区域中，针对各个该保持区域，在设该保持区域内的、处于与所述四边中附近的ー边垂直的直线上的相隔P的任意两点的高低差是Zbsa时的[Zbsa/P]为平坦度指数Fbsa 时，满足 Fbsa ^ 0. 08,并且， 所述保持区域分别是被夹在与附近的所述四边中的一边相隔IOmm的直线和相隔50mm的直线之间的、与附近的所述四边中的ー边平行的帯状区域。
13.—种光掩模,其特征在于,该光掩模使用了权利要求1、2、5、7、10和12中的任意一项所述的光掩模用基板，对形成于所述光掩模基板的第I主表面上的光学膜实施了期望的构图，成为转印用图案。
14.根据权利要求13所述的光掩模，其特征在干，该光掩模用于接近式曝光。
15.根据权利要求13所述的光掩模，其特征在干，该光掩模用于制造滤色片。
16.ー种图案转印方法，使用接近式曝光机，将光掩模所具有的转印用图案转印至被转印体，该图案转印方法的特征在干， 以所述接近式曝光机的保持部件与所述光掩模的保持区域抵接的方式保持权利要求13所述的光掩模，进行曝光。
全文摘要
本发明提供光掩模用基板、光掩模以及图案转印方法，在进行接近式曝光时，提高保持区域附近的图案转印精度。一种光掩模用基板，其用于在第1主表面上形成转印用图案而成为光掩模，在该光掩模用基板中，在四边形的第1主表面上的形成有转印用图案的图案区域之外，在第1主表面的相对的两边附近，具有包含抵接面的保持区域，当曝光机保持光掩模时，保持部件与抵接面抵接，关于保持区域，在设保持区域内的平坦度指数为Fsx、保持区域外的平坦度指数为Fex时，满足Fsx≤Fex。
文档编号G03F1/38GK102736398SQ201210105308
公开日2012年10月17日 申请日期2012年4月11日 优先权日2011年4月12日
发明者土屋雅誉, 池边寿美 申请人:Hoya株式会社