激光模块的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种半导体激光模块（1），其具有配置有半导体激光芯片（32）的激光器安装座（31）、配置有光纤（2）的光纤安装座（40）、配置有激光安装座（31）和光纤安装座（40）两方的基座（20）、配置有基座（20）的基板（10），在基座（10）上表面上形成有凸部（11a～11d），基座（20）通过伸展在基座（20）与基板（10）之间的软焊料（61）而接合在基板（10）上。
【专利说明】激光模块
【技术领域】
[0001]本发明涉及安装在光纤末端的激光模块。
【背景技术】
[0002]作为使光入射到光纤的装置，激光模块被广泛地使用。激光模块包括发射激光的激光光源、接收激光的光纤和安装有光源与光纤两者的散热基板。在调整激光光源与光纤的位置、使从激光光源发射的激光高效率地入射到光纤中之后，将激光光源和光纤固定在散热基板上。
[0003]在激光模块中，通常，并非将激光光源与光纤直接接合在散热基板上，而是先将激光器安装座和光纤安装座接合到散热基板上，再将激光光源和光纤接合到激光器安装座和光纤安装座上。作为公开了采用这种方式的光纤的文献，例如有专利文献I。
[0004]然而，在这种激光模块中，由于激光光源产生的热，在用于接合激光器安装座与散热基板的焊料上会产生大的应力，会出现激光光源的位置出错、焊料受到损坏的情况。出现这种问题的主要原因在于，由AlN (氮化铝)、CuW (铜钨)构成的激光器安装座的热膨胀率与由Cu (铜)构成的散热基板的热膨胀率不同。
[0005]作为回避这个问题的技术，专利文献2中公开了一种将散热基板和激光器安装座用软焊料固定的技术。在专利文献2中，由散热基板与激光器安装座的热膨胀率差引起的应力被认为可被这种软焊料吸收。
[0006]专利文献:
[0007]专利文献1:美国专利第6，758，610号说明书(登记日:2004年6月6日)
[0008]专利文献2:美国专利申请公开第2009/0104727号说明书(
【公开日】:2009年4月23日)
【发明内容】
[0009]然而，根据本
【发明者】的发现，在激光模块中，当在散热基板与激光器安装座的接合中使用软焊料时，软焊料的厚度在40 ii m左右。而软焊料的厚度为40 ii m时，不能充分吸收由散热基板与激光器安装座的热膨胀率差引起的应力，仍然会出现激光光源的位置出错、焊料受到损坏的问题。尤其是近年来，对于需求日益高涨的搭载有大功率半导体激光器的激光模块，这是一个严重的问题。
[0010]此外，在散热基板与激光器安装座的接合中使用软焊料时，激光器安装座相对于散热基板的相对位置的变动增大。因此，也不能忽视激光光源相对于光纤的相对位置的变动增大、激光模块中的损耗增大的问题。
[0011]本发明是鉴于上述情况而完成的，旨在实现不出现上述问题的、可靠性高的激光模块。
[0012]为了解决上述课题，本发明的激光模块具有:配置有发射激光的激光光源的激光器安装座、配置有接收上述激光的光纤的光纤安装座、配置有上述激光器安装座和上述光纤安装座两者的基座、配置有上述基座的基板，其特征在于，在上述基座与上述基板之间配置有用于将上述基座与上述基板间隔开来的间隔件，上述基座通过伸展在其与上述基板之间的焊料而接合在上述基板上。
[0013]在上述结构中，由于通过上述间隔件使上述基座与上述基板间隔开来，因此，能使用于将上述基座接合到上述基板上的焊料的厚度厚至上述间隔件的高度。由此，即使是在用热膨胀率不同的材料构成上述基板与上述基座的情况下，也能通过上述焊料充分吸收因上述基板与上述基座的热膨胀率差产生的应力。所以，不会出现上述激光光源的位置出错、上述焊料受到损坏的问题，能实现可靠性高的激光模块。
[0014]而且，上述激光器安装座和上述光纤安装座一起配置在上述基座上。因此，即使上述基座相对于上述基板的相对位置变动增大，由此引起的上述激光光源相对于上述光纤的相对位置的变动不会增大，因此，不用担心激光模块中的损耗会增大。
[0015]根据本发明，能实现不会出现上述激光光源的位置出错、上述焊料受到损坏之类的问题的、可靠性高的激光模块。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1是显示本发明一实施方式的半导体激光模块的总体情况的斜视图。
[0017]图2是显示图1所示的半导体激光模块的主要部分的结构的三视图。
[0018]图3是显示图1所示的半导体激光模块所具有的基板的具体例子的三视图。
[0019]图4是显示图1所示的半导体激光模块所具有的基座的具体例子的三视图。
【具体实施方式】
[0020]根据附图对本实施方式的激光模块做如下说明。在本实施方式的激光模块中，作为激光光源，使用搭载有半导体激光器(有时也称“激光二极管”)的光源，因此，下面将其记作“半导体激光模块”。但是，能搭载在本发明的激光模块上的激光光源不局限于半导体激光光源。
[0021]另外，在以下说明中，构成板状部件的6个面中，将具有最大面积的二个面记为“主面”，除主面以外的四个面记为“端面”。此外，在需要将二个主面相互区别时，将一个主面记为“上表面”，将另一主面记为“下表面”。这里，上表面是指包含板状部件的装置处于通常的设置状态时朝向上方的那个主面，下表面是指包含板状部件的装置处于通常的设置状态时朝向下方的那个主面。
[0022]〔半导体激光模块的结构〕
[0023]参照图1?图2对本实施方式的半导体激光模块I的结构进行说明。图1是显示半导体激光模块I的总体情况的斜视图。图2是显示半导体激光模块I的主要部分(基板
10、基座20、CoS30)的结构的三视图。在图2中，将平视图(上表面一侧)示于左上，侧视图示于左下，正视图示于右下。
[0024]半导体激光模块I是安装在光纤2的末端的半导体激光模块，如图1?图2所示，具有基板10、基座20、CoS (Chip on Submount，带基座的芯片)30、光纤安装座40和壳体50。图1中，为了清楚地显示半导体激光模块I的内部结构，省略了壳体50的顶板和侧板的一部分。此外，图2中，为了清楚地显示半导体激光模块I的主要部分的结构,省略了基板10、基座20和Cos30以外的结构。
[0025]基板10是半导体激光模块I的底板。在本实施方式中，如图1?图2所示，作为基板10，使用主面为圆角矩形的板状部件。基板10起散热板的作用，用于将在半导体激光模块I内部(尤其是COS30)产生的热发散到激光模块I外部。因此，基板10由导热率高的材料、例如由Cu (铜)构成。
[0026]如图1?图2所示，在基板10的上表面上，设有四个凸部Ila?lid。这四个凸部Ila?Ild起间隔件的作用，用于使基座20下表面与基板10上表面间隔开来。这四个凸部Ila?Ild通过冲压加工或切削加工等而成形，与基板10形成为一体。
[0027]如图1?图2所示，在基板10的上表面上，配置有基座20。
[0028]基座20是支承Cos30和光纤安装座40的支承物。在本实施方式中，如图1?图2所示，作为基座20，使用主面为矩形的板状部件，对该基座20进行配置，使其下表面与基板10上面平行，并使其主面的长边与基板10的主面的长边平行。通过伸展在基座20下表面与基板10上表面之间的软焊料61，基座20接合在基板10的上表面上。关于基板10的具体例子，更换参照的附图在后面进行说明。
[0029]如图1?图2所示，在基座20的上表面上配置有CoS30和光纤安装座40。在基座20的上表面中，光纤安装座40配置在引出光纤2的一侧(图1中的右前侧，下面记作“光纤侦r)，CoS30配置在与引出光纤2的一侧相反的一侧(图1中的左内侧，下面记作“引线侧”)。关于基座20的具体例子，更换参照的附图在后面进行说明。
[0030]CoS30是将激光器安装座31与半导体激光芯片32 —体化而成的部件。
[0031]激光器安装座31是支承半导体激光芯片32的支撑物。在本实施方式中，如图1?图2所示，作为激光器安装座31，使用主表面为矩形的板状部件，对该激光器安装座31进行配置，使其下表面与基座20的上表面平行，并使其主面的长边与基座20的主面的长边平行。通过伸展在激光器安装座31下表面与基座20上表面之间的硬焊料62，激光器安装座31接合在基座20的上表面上。
[0032]如图1?图2所示，激光器安装座31的上表面上配置有半导体激光芯片32。半导体激光芯片32是从其端面32a发射激光的激光光源。在本实施方式中，使用主要由GaAs(砷化镓)形成的、具有5mm以上腔体长度的高功率半导体激光。如图1?图2所示，半导体激光芯片32以其延长方向与激光器安装座31的主面的长边平行的方式配置，其下表面与激光器安装座31上表面接合。此外，如图1所示，半导体激光芯片32与通过导线33连接于在激光器安装座31的上表面上形成的线路，被该线路所供给的电流驱动。
[0033]光纤安装座40是支承光纤2的支承物。在本实施方式中，作为光纤安装座40，如图1?图2所示，使用主面为矩形的板状部件，对该光纤安装座40进行配置，使其下表面与基座20平行，并使其主面的长边与基座20的主面的长边垂直。通过伸展在光纤安装座40下表面与基座20上表面之间的硬焊料63，光纤安装座40接合在基座20的上表面上。
[0034]如图1所不,光纤安装座40上配置有光纤2,该光纤2从设置在壳体50上的插通管51中穿过，引入半导体激光模块I内部。对光纤2进行配置，使加工成楔形的前端2a与半导体激光芯片32的端面32a正对，通过焊料64，光纤2接合在光纤安装座40的上表面上。从半导体激光芯片32的端面32a发射的激光由前端2a入射到光纤2中，在光纤2内传播。[0035]在半导体激光模块I中，在驱动半导体激光芯片32期间，会有从半导体激光芯片32产生的热。由半导体激光芯片32产生的热(I)传导到激光器安装座31，(2)介由硬焊料62传导到基座20，(3)介由软焊料61传导到基板10，(4)从基板10的下表面散放到外部。因此，在驱动半导体激光芯片32期间，成为由半导体激光芯片32产生的热的传导路径的激光器安装座31、基座20和基板10的温度上升。
[0036]因此，在驱动半导体激光芯片32期间，激光器安装座31、基座20和基板10发生热膨胀。这样，当激光器安装座31、基座20和基板10的热膨胀率不同时，在这些部件之间会产生应力。在这些部件间产生的应力成为使CoS30与光纤2的相对位置出错和损坏焊料61,62的主要原因。尤其是在像本实施方式的半导体激光模块I那样的在搭载有大功率半导体激光器的激光模块中，由于半导体激光器会产生大量的热，因此，上述问题直接导致可靠性的严重下降低。
[0037]因此，在本实施方式中，通过用热膨胀率相同或基本相同的材料构成激光器安装座31和基座20，抑制在激光器安装座31与基座20之间产生的应力。具体而言，通过使激光器安装座31和基座20均用AlN (氮化铝)构成，抑制在激光器安装座31与基座20之间产生的应力。另外，由于AlN的热膨胀率与构成半导体激光芯片32的GaAs的热膨胀率基本相同，因此，通过用AlN构成激光器安装座31，同时也能抑制在半导体激光芯片32与激光器安装座31之间产生的应力。
[0038]另一方面，从散热性的角度考虑，基板10有必要由导热率高的材料(例如Cu)构成。因此，作为基板10的材料，选择与基座20热膨胀率相同或基本相同的材料并不容易。为此，在本实施方式中，用软焊料61将基板10与基座20接合，由此，通过软焊料61来吸收由基板10与基座20的热膨胀率差产生的应力。
[0039]但是，若只是用软焊料61接合基板10与基座20，则软焊料61的厚度在40 左右，不能得到充分的吸收效果。因此，在本实施方式中，通过形成在基板10的上表面上的四个凸部Ila?lld，使基座20下表面与基板10上表面间隔开来，再用软焊料61填满基座20下表面与基板10上表面之间的空间，使软焊料61的厚度大于40pm。具体而言，通过使凸部Ila?Ild的高度，即软焊料61的厚度为120 iim?180 iim左右而得到充分的应力吸收效果。因此，即使基板10与基座20以不同的热膨胀率进行热膨胀，软焊料61只是弹性变形，不会出现基座20变形、CoS30与光纤2的相对位置出错或软焊料61被损坏的情况。
[0040]另外，在本说明书中，“软焊料”是指杨氏模量在50GPa以下的焊料。例如，Au-Sn90% (金-锡90%)焊料、Sn-Ag-Cu (锡-银-铜)系焊料、In-Sn (铟-锡)系焊料、B1-1n-Sn (铋-铟-锡)系焊料、In (100%)(铟100% )焊料属于软焊料。另外，在一些文献中，作为“软焊料”，采用“杨氏模量在40GPa以下的焊料”的定义。然而，本说明书中采用的软焊料的定义如上，是“杨氏模量在50GPa以下的焊料”，与上述一些文献中采用的定义不同，故提请注意。
[0041]由上面的描述可以明白，用于将基板10与基座20接合的焊料优选为软焊料，但即使是杨氏模量在50GPa以上的焊料，只要是比基座20软的焊料，即只要是其杨氏模量小于基座20的焊料，也能得到一定的应力吸收效果。
[0042]〔基板的具体例子〕
[0043]接着，参照图3对半导体激光模块I所具有的基板10的具体例子进行说明。图3是基板10的二视图。在图3中，将平视图(上表面一侧)不于左上，将侧视图不于左下，将正视图示于右上。
[0044]如图3所示，基板10是主面为16.5mm (长边)X 10.0mm (短边)的圆角矩形的板状部件，其厚度为1.0mm。基板10的材料为Cu (铜)。
[0045]成形在基板10的上表面上的四个凸部Ila?Ild分别为上表面呈平坦柱状的凸部。更具体而言，为上表面呈直径1.2m的圆的圆柱形凸部,其高度为0.15mm。四个凸部Ila?Ild与基板10 —体成形，其材料为Cu。使凸部Ila?Ild的上表面平坦是为了使基座20与凸部Ila?Ild以面接触。由此，在制造半导体激光模块I时，能稳定地实施在将基座20接合到基板10上时进行的擦拭(scrub)基座20的操作。
[0046]将凸部Ila和凸部Ilb沿基板10上表面引线侧的短边配置，并使两者中心之间相距5.0mm。同样地，将凸部Ilc和凸部Ild沿基板10上表面光纤侧的短边配置，并使两者中心之间相距5.0mm0沿基板10上表面的一方长边配置的二个凸部IlaUlc的中心间距离为8.7mm。同样地，沿基板10上表面的另一方长边配置的二个凸部IlbUld的中心间距离为
8.7_。如后所述,当采用主面为9.5m (长边)X 5.0mm (短边)的矩形的板状部件作为基座20时，这四个凸部Ila?Ild就大致配置在基座20的四角上。
[0047]当然，凸部Ila?Ild的配置不局限于此。即，只要是能稳定地放置基座20的配置，凸部Ila?Ild的配置可以是随意的。此夕卜，凸部Ila?Ild的个数不局限于四个，可以是三个，也可以是五个。但是，若减少凸部Ila?Ild的个数，则在进行擦拭操作时，基座20容易从凸部Ila?Ild上脱落。另一方面，若增加凸部Ila?Ild的个数，则基座20与基板10的接合强度可能下降。即，从兼顾擦拭操作时的稳定性和接合强度的角度考虑，凸部Ila?Ild位于基座20的四角的配置是最佳配置之一。
[0048]此夕卜，凸部Ila?Ild的高度可以设定为120 ii m以上、180 ii m以下的任意值。这里，将凸部Ila?Ild的高度设定在120 iim以上是为了使软焊料62具有充分的应力吸收效果。另一方面，将凸部Ila?Ild的高度设定在lSOym以下是为了将软焊料62的热阻r抑制在0.220C /W以下，确保从基座20到基板10的充分的热传导。
[0049]例如，在使用图3所示的基座(软焊料62的润湿扩展面积S = 8.7X5.0 —
0.62X3.14 N 42.4mm2)作为基座20、使用AnSn90%焊料(导热率k = 20ff/m.K)作为软焊料62的情况下，厚度d = 180 iim的软焊料62的热阻r = ( k XS/d) —1为r N 0.212V /W，满足上述条件(热阻r在0.220C /W以下)。另外，容许的焊料62的热阻r的上限值(在本实施方式中为0.220C /W)由CoS30的构成以及半导体激光芯片31的消耗电力和结温决定。
[0050]〔基座的具体例子〕
[0051]接着，参照图4对半导体激光模块I所具有的基座20的具体例子进行说明。图4是基板10的三视图。在图4中，将平视图(上表面一侧)不于左上，将平视图(下表面一侧)示于右上，将侧视图示于左下。
[0052]如图4所示，基座20是主面为9.5mm (长边)X5.0mm (短边)的矩形的板状部件，其厚度为1.0mm。基座20的材料为AlN (氮化铝)。
[0053]基座20的上表面上镀敷有金属镀膜21。这是为了用硬焊料62将CoS30接合在基座20的上表面上。同样地，在基座20的下表面上也镀敷有金属镀膜22。这是为了用软焊料61将基板10接合在基座20的下表面上。[0054]图4中值得注意的一点是，金属镀膜21包覆基座20的整个上表面，与此相对，金属镀膜22则包覆基座20的整个下表面中除去四角的圆角矩形区域。金属镀膜22的四角上带有半径1.2mm的圆角。
[0055]由此，能防止软焊料61润湿扩展到未被金属镀膜22包覆的基座20下表面的四角。即，通过将基座20放置在基板10上、使未被金属镀膜22包覆的基座20下表面的四角与凸部Ila?Ild的上表面接触，能防止软焊料61浸润到基座20下表面与凸部Ila?Ild上表面之间。即，能防止以下情况出现:以浸润到基座20下表面与凸部Ila?Ild上表面之间、比其他部分的厚度薄的软焊料61为起源，基座20与基板10之间的介由软焊料61的接合被损坏。
[0056]〔基板与基座的接合方法〕
[0057]最后,对在半导体激光模块I的制造过程中将基板10与基座20接合的接合方法进行简单的说明。将基板10与基座20接合例如可通过以下工序SI?S8实现。
[0058]工序S1:将基板10放置到加热台上。
[0059]工序S2:将成形为板状的软焊料61 (固体)放置到基板10上。
[0060]工序S3:将基座20放置到软焊料61 (固体)上。
[0061]工序S4:用加热台开始对基板10加热。用开始加热台对基板加热后，基板10的温度即逐渐上升。
[0062]工序S5:当基板10的温度达到软焊料61的熔点时，软焊料61从基板10侧开始熔化。软焊料61完全熔化后，擦拭基座20。
[0063]工序S7:停止用加热台对基板10加热。停止用加热台对基板10加热后，基板10的温度即逐渐下降。
[0064]工序S8:使软焊料61自然冷却。软焊料61的温度降到熔点以下时，软焊料61硬化，基板10与基座20的接合结束。
[0065]在上述工序S5中，擦拭基座20是指使基座20在与基板10上表面平行的面内滑动几次。由此，在排除混入软焊料61与基座20下表面之间的气泡的同时，能使软焊料61均匀地润湿伸展至基座20下表面的镀敷有金属镀膜22的整个区域。如上所述，放置基座20的基板10的凸部Ila?Ilb具有共通的高度，且其上表面平坦，因此，能在擦拭时使基座20无阻碍地滑动。
[0066]〔总结〕
[0067]如上所述，本实施方式的激光模块具有配置有发射激光的激光光源的激光器安装座、配置有接收上述激光的光纤的光纤安装座、配置有上述激光器安装座和上述光纤安装座两者的基座、配置有上述基座的基板，其特征在于，在上述基座与上述基板之间配设有用于使上述基座与上述基板间隔开来的间隔件，通过伸展在上述基座与上述基板之间的焊料，上述基座接合在上述基板上。
[0068]根据上述结构，通过上述间隔件使上述基座与上述基板间隔开来，因而能使用于将上述基座接合到上述基板上的焊料的厚度增加至上述间隔件的高度。由此，即使是在由热膨胀率不同的材料构成上述基板和上述基座的情况下，也能通过上述焊料充分吸收因上述基板与上述基座的热膨胀率差产生的应力。因此，能实现不会出现上述激光光源的位置出错或上述焊料受到损坏之类的问题的、可靠性高的激光模块。[0069]而且，上述激光器安装座和上述光纤安装座均配置在上述基座上。因此，即使上述基座相对于上述基板的相对位置的变动增大，也不会由此而导致上述光源相对于上述光纤的相对位置的变动增大，因此，不用担心激光模块的损耗增大。
[0070]在本实施方式的激光模块中，优选上述焊料为杨氏模量在50GPa以下的软焊料。
[0071]根据上述方式，在选择杨氏模量在50GPa以上的材料作为上述基座的材料时，能在不会将热膨胀导致的上述基板的形变传递给上述基座的情况下用上述焊料吸收上述形变。此外，作为上述基座的材料，可以自由地选择杨氏模量在50GPa以上的材料。
[0072]在本实施方式的激光模块中，优选上述焊料的杨氏模量小于上述基座的杨氏模量。
[0073]根据上述方式，通过上述焊料发生弹性形变，能在不会将热膨胀导致的上述基板的形变传递给上述基座的情况下用上述焊料吸收上述形变。
[0074]在本实施方式的激光模块中，优选上述间隔件与上述基板形成一体。
[0075]根据上述方式，上述间隔件与上述基板一体成形，因此，与将上述间隔件与上述基板用焊料等接合的情况相比，能实现更加迅速地从上述基座向上述基板传导热。
[0076]在本实施方式的激光模块中，上述间隔件的形状优选为与上述基座接触的面呈平坦面的柱状。
[0077]在制造上述激光模块时，优选在用上述焊料将上述基座接合在上述基板上的工序中，使上述基座滑动(擦拭)几次，从而排除混入上述基座与焊料之间的气泡。根据上述方式，上述基座与上述间隔件的平坦面接触，因此，能稳定地进行上述滑动操作。
[0078]在本实施方式的激光模块中，优选上述间隔件的高度高于40 U m。
[0079]根据上述方式，与不使用上述间隔件将上述基板与上述基座用焊料接合的情况相t匕，能使上述焊料的厚度变厚。因此，与不使用上述间隔件将上述基板与上述基座用焊料接合的情况相比，能通过上述焊料吸收更大的基板形变。
[0080]在本实施方式的激光模块中，优选上述基座的与上述基板相向的面的一部分经过金属镀膜加工，且以该面的未经过金属镀膜加工的部分与上述间隔件接触的方式配置在上述基板上。
[0081]根据上述方式，能回避上述焊料浸润到上述间隔件与上述基座之间的情况。因此，能防止以浸润到上述间隔件与上述基座之间、厚度比其他部分薄的焊料为起源的接合损坏。
[0082]在本实施方式的激光模块中，优选上述基座由热膨胀率与上述激光器安装座的材料的热膨胀率相同或基本相同的材料构成。
[0083]根据上述方式，用于将上述激光器安装座接合在上述基座上的焊料上出现的应力不存在或极小。因此，可以用硬焊料将上述激光器安装座与上述基座接合。由此，能减小激光器安装座相对于基座的相对位置的变动，进一步减小激光模块中的损耗。〔附注事项〕
[0084]本发明不局限于上述实施方式，可在权利要求所示的范围内做各种变更。S卩，在权利要求所示范围内将适当变更的技术手段进行组合而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围内。
[0085]本发明能用作与光纤连接的激光模块。尤其是能良好地用作搭载有半导体激光器的激光模块(半导体激光模块)。[0086]符号说明:
[0087]1半导体激光模块(激光模块)
[0088]10基板
[0089]Ila~Ild凸部(间隔件)
[0090]20基座
[0091]30CoS
[0092]31激光器安装座
[0093]32半导体激光芯片(激光光源)
[0094]40光纤安装座
[0095]50壳体
[0096]61软焊料
[0097]62~63 硬焊料
[0098]2光纤
【权利要求】
1.激光模块，具有: 配置有发射激光的激光光源的激光器安装座； 配置有接收所述激光的光纤的光纤安装座； 配置有所述激光器安装座和所述光纤安装座两者的基座； 配置有所述基座的基板， 所述基座与所述基板之间设有用于将所述基座与所述基板间隔开来的间隔件， 所述基座通过伸展在所述基座与所述基板之间的焊料而接合在所述基板上。
2.根据权利要求1所述的激光模块，其特征在于，所述焊料为杨氏模量在50GPa以下的软焊料。
3.根据权利要求1或2所述的激光模块，其特征在于，所述焊料为具有比所述基座小的杨氏模量的焊料。
4.根据权利要求1?3中任一项所述的激光模块，其特征在于，所述间隔件与所述基板形成一体。
5.根据权利要求1?4中任一项所述的激光模块，其特征在于，所述间隔件的形状为与所述基座接触的面呈平坦面的柱状。
6.根据权利要求1?5中任一项所述的激光模块，其特征在于，所述间隔件的高度大于40 u m0
7.根据权利要求1?6中任一项所述的激光模块，其特征在于，所述基座中与所述基板相向的面的一部分经过了金属镀膜加工，所述基座以使该面的未经过金属镀膜加工的部分与所述间隔件接触的方式配置在所述基板上。
8.根据权利要求1?7中任一项所述的激光模块，其特征在于，所述基座由具有与所述激光器安装座的材料的热膨胀率相同或基本相同的热膨胀率的材料构成。
【文档编号】G02B6/42GK103608985SQ201280029305
【公开日】2014年2月26日 申请日期:2012年4月4日 优先权日:2011年6月16日
【发明者】丰原望, 坂元明, 葛西洋平 申请人:株式会社藤仓