专利名称：一种液晶显示面板和显示装置的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及液晶显示领域，尤其涉及一种液晶显示面板和显示装置。
背景技术：
近年来，液晶显示阵列的技术日益成熟，但是，现有的液晶显示面板的设计中仍然存在着一些缺陷，降低了产品的成品率。例如，漏光现象，所谓漏光现象是指液晶显示装置中的像素在切换为黑画面时，该像素不能变为全黑状态的现象。液晶显示装置中的像素是处于亮状态还是暗状态，是通过像素电极与公共电极之间的电场来控制的。图1a给出了正常情况下像素电极11与公共电极线12的位置未发生偏移时的情况，其中虚线表示电场的方向，10表示水平电场。由于公共电极线12和像素电极11之间存在电压差从而导致这二者之间存在紊乱电场，像素边缘液晶分子受像素电极11和公共电极线13之间的水平电场10的影响较小，此时像素边缘液晶分子正常受控，无漏光不良发生。图1b给出了像素电极与公共电极线的位置发生偏移时的情况，其中虚线表示电场的方向，10为水平电场。此时像素边缘的液晶分子受水平电场10影响较大，因此该像素由亮状态变为暗状态时，不仅切换缓慢，而且由于该像素中的液晶分子并不能变成完全同向排列结构，边缘处的液晶还会对光的偏振方向有一定的旋转作用，因此该像素还不能变为全黑状态，存在漏光不良。综上所述，当液晶显示面板在生产过程中由于某些原因导致像素电极与公共电极的相对位置发生偏移时，该像素边缘的液晶分子受水平电场影响，从而导致在该像素需要变为全黑状态时，会有光线从该像素透过。
实用新型内容本实用 新型实施例提供了一种液晶显示面板和显示装置，用以解决现有液晶显示面板中当像素电极与公共电极线的相对位置发生偏移时，而导致的该像素在需要变为全黑状态时，会有光线从该像素透过的问题。基于上述问题，本实用新型实施例提供的一种液晶显示面板，包括阵列基板、对盒基板以及位于所述阵列基板和所述对盒基板之间的液晶层，所述阵列基板包括公共电极线、栅线、数据线以及所述栅线和所述数据线分隔的多个像素单元，所述像素单元包括像素电极和绝缘层，所述公共电极线位于相邻的两个像素单元之间，该液晶显示面板还包括:屏蔽线，所述屏蔽线位于所述像素电极所在层和所述公共电极线所在层之间，且位于相邻的两个像素单元之间，所述屏蔽线用于屏蔽所述公共电极线与所述像素电极之间的电场。优选地，所述屏蔽线的长度不小于所述相邻两个像素电极之间的间隙的长度。进一步地，所述屏蔽线的宽度不小于所述相邻两个像素电极之间的间隙的宽度。优选地，所述公共电极线的宽度小于所述屏蔽线的宽度。[0012]进一步地，所述屏蔽线位于所述公共电极线上覆盖的所述绝缘层之上。进一步地，所述屏蔽线为与像素电极连接的金属线。进一步地，所述金属线与所述数据线位于同一层。进一步地，所述金属线的厚度与液晶面板中的数据线厚度相同。本实用新型实施例还提供一种显示装置，包括本实用新型实施例提供的液晶显示面板。本实用新型实施例的有益效果包括:本实用新型实施例提供的一种液晶显示面板和显示装置，通过在使用同一公共电极线的相邻的两个像素电极之间的间隙之下和该公共电极线之上设置屏蔽线，使公共电极线与像素电极之间的电场被屏蔽掉，减小水平电场使得该像素在需要由亮状态变为暗状态时，能使液晶变尽量变为同向排列的结构，从而减小该像素边缘的液晶分子对光的偏振方向的旋转作用，降低漏光不良发生。
图1a为现有技术中正常情况下像素边缘的电场的示意图；图1b为现有技术中像素电极相对公共电极发生偏移之后像素边缘的电场的示意图；图2a为本实用新型实施例提供的液晶显示面板的剖面示意图之一；图2b为本实用新型实施例提供的液晶显不面板的俯视不意图之一；图3为本实用新型实施例提供的液晶显示面板的俯视示意图之二 ；图4为本实用新型实施例提供的液晶显不面板的俯视不意图之二 ；图5为本实用新型实施例提供的液晶显示面板的剖面示意图之二 ；图6为本实用新型实施例提供的液晶显示面板的俯视示意图之四；图7为本实用新型实施例提供的液晶显示面板的剖面示意图之三。
具体实施方式
本实用新型实施例提供的一种液晶显示面板和显示装置，通过在使用同一公共电极线的相邻的两个像素电极间的间隙之下和该公共电极线之上设置屏蔽线，从而减少像素切换到暗状态后从该像素透过的光线。下面结合说明书附图，对本实用新型实施例提供的一种液晶显示面板和显示装置的具体实施方式
进行说明。本实用新型实施例提供的一种液晶显示面板，如图2a所示，包括阵列基板、对盒基板以及位于所述阵列基板和所述对盒基板之间的液晶层14，所述阵列基板包括公共电极线12、栅线、数据线以及所述栅线和所述数据线分隔的多个像素单元，所述像素单元包括像素电极11和绝缘层，所述公共电极线12位于相邻的两个像素单元之间，该液晶显示面板还包括:屏蔽线13，所述屏蔽线13位于所述像素电极11所在层和所述公共电极线12所在层之间，且位于相邻的两个像素单元之间，所述屏蔽线13用于屏蔽所述公共电极线12与所述像素电极11之间的电场。上述屏蔽线 13用于屏蔽公共电极线12与像素电极11之间的电场具体是指，当公共电极线12上的电位高于像素电极11上的电位时，屏蔽线13屏蔽的是由公共电极线12指向像素电极11的电场；而当公共电极线12上的电位低于像素电极11上的电位时，屏蔽线13屏蔽的是由像素电极11指向公共电极线12的电场。其中，当公共电极线12的宽度不小于使用该公共电极线12的相邻的两个像素电极11之间的距离时，屏蔽线13的宽度可以小于使用该公共电极线12的相邻的两个像素电极11之间的距离，如图2b所示。另外，由于屏蔽线13与液晶显示面板中的数据线可以处于同一层，并且屏蔽线13与数据线上需要加载不同的信号，因此屏蔽线13和数据线不能接触。由于数据线是与屏蔽线13是平行排列的，因此屏蔽线13不会与处于同一层的数据线接触。因此，对屏蔽线13的长度没有限制。但是，当屏蔽线13的长度小于使用同一公共电极线12的两个像素电极11之间的间隙之下的公共电极线的长度时，如图2b所示，屏蔽线13只能减小使用该公共电极线12的相邻的两个像素的边缘的一部分紊乱电场。而屏蔽线13的长度不小于使用同一公共电极线12的相邻的两个像素电极11之间的间隙的长度时，如图3所示，屏蔽线13可以减小整个间隙中的紊乱电场，从而进一步减少像素需要变为暗状态时，从该像素透过的光线。屏蔽线13越长，对公共电极线12与像素电极11之间的电场的屏蔽效果就越好，因此，较佳地，屏蔽 线13的长度不小于使用同一公共电极线12的相邻两个像素电极11之间的间隙沿着屏蔽线13长度方向的长度。由于屏蔽线13越宽，屏蔽效果越好，因此，较佳地，如图4所示，屏蔽线13的宽度不小于使用同一公共电极线12的相邻两个像素电极11之间的间隙的宽度。因此，在具体应用中，如图5所示，屏蔽线13完全覆盖使用同一公共电极线12的相邻两个像素电极11之间的间隙，公共电极线12的宽度小于屏蔽线的宽度。即屏蔽线13的宽度大于或等于使用同一公共电极线12的相邻两个像素电极11之间的间隙的宽度，且屏蔽线13的长度等于或者大于使用同一公共电极线12的相邻两个像素电极11之间的间隙的长度。并同时减小公共电极线12的宽度，使其不大于屏蔽线13的宽度。此时，屏蔽线13可以防止光线从该间隙中透过，并且可以消除公共电极线12与使用该公共电极线12的像素电极11之间的电场，从而提高像素由亮状态切换到暗状态的速度，从而防止像素需要变为暗状态时，从该像素漏出的光线。如图6所示，为高级超维场液晶显示模式下双栅结构的平面结构示意图，在实际应用中，可以在任意使用同一公共电极线12的相邻两个像素电极11的间隙之下和该公共电极线12之上设置屏蔽线13，从而在整体上提高液晶显示面板由亮状态切换到暗状态的速度。图6中还包括栅极线61、数据线62和公共电极线12的IC接头63。进一步地，如图7所示，屏蔽线13覆盖于公共电极线12上覆盖的绝缘层15之上。屏蔽线13在具体应用时是通过在公共电极线12上沉积绝缘层15，例如，氮化硅层，然后再在绝缘层上沉积该屏蔽线13而得到的。进一步地，如图7所示，屏蔽线13为金属线，屏蔽线13可以为接地金属线，但是由于像素电极电压是变化的，屏蔽线接地并不能完全消除像素电极与公共电极线之间的电场，因此优选地金属线与像素电极11连接，从而保持与像素电极相同的电位，进而消除水平电场，使得液晶分子只受垂直电场作用。该金属线与本实用新型实施例提供的液晶显示面板中的数据线同一层制作且采用相同的金属材料。进一步地，金属线的厚度与覆盖于公共电极线之上的绝缘层上的数据线的厚度相同。在具体应用时，本实用新型实施例提供的液晶显示面板中的数据线与该金属线均位于覆盖于公共电极线之上的绝缘层上，该数据线和该金属线是通过在绝缘层上沉积金属层，并去除金属层中除数据线和金属线以外的部分而得到的，因此，该数据线和该金属线具有相同的厚度。本实用新型实施例还提供一种显示装置，包括本实用新型实施例提供的液晶显示面板。显然，本领域的技术人员可以对本实用新型进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本 实用新型也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求1.一种液晶显示面板，包括阵列基板、对盒基板以及位于所述阵列基板和所述对盒基板之间的液晶层，所述阵列基板包括公共电极线、栅线、数据线以及所述栅线和所述数据线分隔的多个像素单元，所述像素单元包括像素电极和绝缘层，所述公共电极线位于相邻的两个像素单元之间，其特征在于，还包括: 屏蔽线，所述屏蔽线位于所述像素电极所在层和所述公共电极线所在层之间，且位于相邻的两个像素单元之间，所述屏蔽线用于屏蔽所述公共电极线与所述像素电极之间的电场。
2.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述屏蔽线的长度不小于所述相邻两个像素电极 之间的间隙的长度。
3.如权利要求2所述的液晶显示面板，其特征在于，所述屏蔽线的宽度不小于所述相邻两个像素电极之间的间隙的宽度。
4.如权利要求3所述的液晶显示面板，其特征在于，所述公共电极线的宽度小于所述屏蔽线的宽度。
5.如权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述屏蔽线位于所述公共电极线上覆盖的所述绝缘层之上。
6.如权利要求5所述的液晶显示面板，其特征在于，所述屏蔽线为与所述像素电极相连的金属线。
7.如权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，所述金属线与所述数据线位于同一层。
8.如权利要求6所述的液晶显示面板，其特征在于，所述金属线的厚度与所述数据线厚度相同。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的液晶显示面板。
专利摘要本实用新型实施例提供了一种液晶显示面板和显示装置，用于解决像素电极与公共电极的相对位置发生偏移时，该像素边缘的液晶分子受水平电场影响，使得该像素需要变为全黑状态时，会有光线透过的问题。该液晶显示面板包括阵列基板、对盒基板以及位于所述阵列基板和所述对盒基板之间的液晶层，所述阵列基板包括公共电极线、栅线、数据线以及所述栅线和所述数据线分隔的多个像素单元，所述像素单元包括像素电极和绝缘层，所述公共电极线位于相邻的两个像素单元之间，还包括屏蔽线，所述屏蔽线位于所述像素电极所在层和所述公共电极线所在层之间，且位于相邻的两个像素单元之间，所述屏蔽线用于屏蔽所述公共电极线与所述像素电极之间的电场。
文档编号G02F1/1362GK203133434SQ20132003105
公开日2013年8月14日 申请日期2013年1月21日 优先权日2013年1月21日
发明者张大伟, 彭志龙 申请人:北京京东方光电科技有限公司