光掩模及其制造方法、图案转印方法和显示装置制造方法

光掩模及其制造方法、图案转印方法和显示装置制造方法
【专利摘要】光掩模及其制造方法、图案转印方法和显示装置制造方法，提高细微图案的转印性。显示装置制造用光掩模通过如下方式形成，在透明基板上，利用湿式蚀刻分别对相位偏移膜、蚀刻掩模膜和遮光膜进行图案化，形成包含遮光部、相位偏移部和透光部的转印用图案，其中，遮光部是依次层叠相位偏移膜、蚀刻掩模膜和遮光膜而成的，相位偏移部是相位偏移膜，或者依次层叠相位偏移膜和蚀刻掩模膜而成的，透光部是使透明基板表面露出而成的，相位偏移膜由含有铬的材料构成，蚀刻掩模膜由对相位偏移膜的蚀刻液具有耐蚀刻性的材料构成，相位偏移部与透光部具有彼此邻接的部分，而且，相位偏移部与透光部相对于光掩模的曝光光的代表波长具有大致180度的相位差。
【专利说明】光掩模及其制造方法、图案转印方法和显示装置制造方法

【技术领域】
[0001] 本发明涉及能够在显示装置的制造中形成细微的图案的显示装置制造用光掩模、 该光掩模的制造方法、使用了该光掩模的图案转印方法和显示装置的制造方法。

【背景技术】
[0002] 在专利文献1中，记载了与能够形成细微且高精度的曝光图案的相位偏移掩模的 制造方法相关的发明。在该文献中，特别记载了如下内容：由于平面面板用的玻璃基板具有 超过300mm的尺寸，基板的扭曲或表面粗趟度较大，容易受到焦点深度的影响。
[0003] 因此，专利文献1记载了如下相位偏移掩模的制造方法：通过使透明基板上的遮 光层图案化，姗射铅系材料的祀，由此，W覆盖所述遮光层的方式，在所述透明基板上形成 能够对300nm W上且500nm W下的波长区域中的任意光带来180°的相位差的相位偏移层， 来对所述相位偏移层进行图案化。
[0004] 在专利文献2中，记载了如下特征的光掩模：其是在遮帘（3 シF )区域中具 有遮光区域和透光区域且在主区域具有反相区域和透光区域的FPD (Flat Panel Display: 平板显示器）制造用光掩模，其中，所述遮帘区域是在透明基板上层叠遮光膜图案和反相 膜而构成的，所述遮帘区域的透光区域包含依次蚀刻所述反相膜和遮光膜图案而露出的所 述透明基板区域，所述主区域的透光区域包含对层叠在透明基板上的反相膜进行蚀刻而露 出的所述透明基板区域，相对于相同的蚀刻物质，所述遮光膜图案的蚀刻速度快于所述反 相膜的蚀刻速度。
[0005] 现有技术文献
[0006] 专利文献
[0007] 专利文献1 ;日本特开2011-13283号公报
[0008] 专利文献2 ;日本特开2012-230379号公报


【发明内容】

[0009] 当前，在液晶显示装置中，采用了 VA(Vertical Alignment ;垂直排列）方式或 IPS(In Plane Switching;板内切换）方式等。通过采用该些方式，变得明亮、省电、高精 细、高速显示且广视野角，提高了显示性能。
[0010] 例如，在应用了该些方式的液晶显示装置中，在像素电极中应用了形成为线及间 隔图案状的透明导电膜，为了提高液晶显示装置的显示性能，要求该样的图案进一步细微 化。例如，期望使线及间隔图案的间距宽度P(线宽度L和间隔宽度S的合计）减小到 6 y m?5 y m，更期望减小到5 y m?4 y m。在该情况下，往往使线宽度L、间隔宽度S中的 至少任意一个小于3 y m。例如，往往为L<3]im或L《2]i m，或者S<3]im或S《2]im。
[0011] 另一方面，就在液晶显示装置或化(electroluminescence ;电致发光）显示装置 中使用的薄膜晶体管（Thin Film Transistor, "TFT")而言，其采用了如下结构；在构成 TFT的多个图案中，在纯化（passivation)层（绝缘层）中形成的连接孔贯穿绝缘层，与位 于其下层侧的连接部导通。此时，如果上层侧与下层侧的图案没有准确地定位且可靠地形 成连接孔的形状，则不能保证显示装置的正确动作。而且，此处，随着显示性能的提高，也需 要使设备图案高度集成化，从而要求图案的细微化。目P，孔图案的直径也需要小于3um。例 女口，需要直径为2. 5 y m W下、甚至直径为2. 0 y m W下的孔图案，在不远的将来，认为期望形 成比此更小的、具有1. Sum W下的直径的图案。
[0012] 根据该样的背景，能够应对线及间隔图案或连接孔的细微化的显示装置制造用光 掩模的需求在提高。
[0013] 在半导体（LSI等）制造用光掩模的领域中，存在如下发展过程：为了得到分辨率， 开发出了具有高NA (Numerical Aperture ;数值孔径）（例如0. 2 W上）的光学系统和利用 相位偏移作用的相位偏移掩模。相位偏移掩模在单一波长且波长较短的光源（KrF或ArF 的准分子激光器等）中使用。由此，能够应对各种元件等的高度集成化和与其相应的光掩 模的图案的细微化。
[0014] 另一方面，在显示装置制造用的光刻（lithography)领域中，通常不应用上述那 样的方法来提高分辨率或增大焦点深度。作为其原因，可举出：在显示装置中要求的图案 的集成度或细微度还不到半导体制造领域的程度。实际上，在显示装置制造用的曝光装置 (通常，作为LCD (Liquid化ystal Display;液晶显示器）曝光装置或液晶曝光装置等而被 知晓）中搭载的光学系统或光源中，与半导体制造用不同，与分辨率或焦点深度相比，重视 生产效率（例如，扩大光源的波长范围，得到较大的照射光量，缩短生产节奏等）。
[0015] 在使光掩模的转印用图案细微化时，难W实施将其准确地转印到被转印体（希望 进行蚀刻加工的薄膜等，也称作被加工体）的工序。该是因为，在显示装置的制造中的转印 工序中，实际使用的上述曝光装置的解析极限为3 y m左右，但是如上所述，在显示装置所 需的转印用图案中，CD (化itical Dimension,线宽）已经接近该数值，或者需要设为低于该 数值的尺寸。
[0016] 此外，由于显示装置制造用掩模的面积大于半导体制造用掩模，在实际生产中，很 难在面内均匀地转印具有小于3ym的CD的转印用图案。
[0017] 该样，如果使用现有的显示装置制造用掩模，则难W转印小于3 y m的CD该样的细 微的图案，因此，考虑将此前出于制造半导体装置的目的而开发出的、用于提高分辨率的各 种方法应用于显示装置制造领域。
[0018] 但是，在显示装置制造中直接应用上述方法的话，存在几个问题。例如，要转换到 具有高NA(开口数）的高分辨率曝光装置，需要较大的投资，使得与显示装置的价格之间的 匹配性出现矛盾。或者，关于曝光波长的变更（在单一波长下，使用ArF准分子激光的短波 长），存在难W应用于具有较大面积的显示装置、制造节奏容易延长的问题，此外，在需要相 当的投资该点上也存在问题。
[0019] 因此，如果能够通过在具有显示装置制造用光掩模的转印用图案上想办法，来提 高细微图案的转印性，则具有极重要的意义。
[0020] 本发明主旨如下。
[0021] < 1 >;一种显示装置制造用光掩模，其通过如下方式形成；在透明基板上，利用 湿式蚀刻分别对相位偏移膜、蚀刻掩模膜和遮光膜进行图案化，由此形成包含遮光部、相位 偏移部和透光部的转印用图案，其中，
[0022] 所述遮光部是在所述透明基板上依次层叠所述相位偏移膜、所述蚀刻掩模膜和所 述遮光膜而成的，
[0023] 所述相位偏移部是在所述透明基板上形成所述相位偏移膜，或者形成所述相位偏 移膜和所述蚀刻掩模膜而成的，
[0024] 所述透光部是使所述透明基板的表面露出而成的，
[00巧]所述相位偏移膜由含有铅的材料构成，
[0026] 所述蚀刻掩模膜由对所述相位偏移膜的蚀刻液具有耐蚀刻性的材料构成，
[0027] 所述相位偏移部与所述透光部具有彼此邻接的部分，而且，所述相位偏移部与所 述透光部对于所述光掩模的曝光光的代表波长具有大致180度的相位差。
[002引 <2 > ;<1>所述的显示装置制造用光掩模的特征在于，所述转印用图案包含线 及间隔图案，所述线及间隔图案的线图案具有：一定宽度的遮光部；W及与所述一定宽度 的遮光部的两侧邻接的一定宽度的相位偏移部。
[0029] <3 > ;<1>所述的显示装置制造用光掩模的特征在于，所述转印用图案包含孔 图案，所述孔图案具有规定直径的透光部、围着所述透光部的一定宽度的相位偏移部和围 着所述相位偏移部的遮光部。
[0030] < 4 >:< 1 >?< 3 >中的任意一项所述的显示装置制造用光掩模的特征在于， 所述相位偏移部是在所述透明基板上形成所述相位偏移膜而成的，所述相位偏移膜对于所 述曝光光的代表波长进行大致180度的相位偏移。
[0031] < 5 >:< 1 >?< 3 >中的任意一项所述的显示装置制造用光掩模的特征在于， 所述相位偏移部是在所述透明基板上依次层叠所述相位偏移膜和所述蚀刻掩模膜而成的，
[0032] 所述相位偏移膜与所述蚀刻掩模膜的层叠对于所述曝光光的代表波长进行大致 180度的相位偏移。
[0033] < 6 >;在< 1 >?< 5 >中的任意一项所述的显示装置制造用光掩模中，在所述 转印用图案中包含的、所述透光部与所述相位偏移部彼此邻接的部分，所述相位偏移膜的 被蚀刻面露出，
[0034] 在所述邻接的部分的截面中，与所述相位偏移膜的上表面、下表面和被蚀刻面分 别对应的上边、下边和侧边满足下述条件（A)和炬）。
[003引 （A)将所述上边与所述侧边的接点W及所述上表面之下所述相位偏移膜的膜厚的 3分之2的高度的位置处的所述侧边的位置连接而成的直线与所述上边所成的角度在85 度?120度的范围内，并且，
[003引做第1假想线与第2假想线之间的宽度为所述膜厚的2分之1 W下，其中，所述 第1假想线通过所述上边与所述侧边的接点且与所述透明基板的主表面垂直，所述第2假 想线通过所述下表面之上所述膜厚的10分之1的高度的位置处的所述侧边的位置且与所 述透明基板的所述主表面垂直。
[0037] < 7 >-种显示装置制造用光掩模的制造方法，所述显示装置制造用光掩模通过 如下方式形成：在透明基板上，利用湿式蚀刻分别对相位偏移膜、蚀刻掩模膜和遮光膜进行 图案化，由此形成包含遮光部、相位偏移部和透光部的转印用图案，其中，
[0038] 所述遮光部是在所述透明基板上依次层叠所述相位偏移膜、所述蚀刻掩模膜和所 述遮光膜而成的，
[0039] 所述相位偏移部是在所述透明基板上形成所述相位偏移膜，或者形成所述相位偏 移膜和所述蚀刻掩模膜而成的，
[0040] 所述透光部是使所述透明基板的表面露出而成的，
[0041] 该显示装置制造用光掩模的制造方法的特征在于，具有如下工序：
[0042] 准备如下光掩模逐；在所述透明基板上，依次层叠了相位偏移膜、蚀刻掩模膜和遮 光膜，进而形成了第1光致抗蚀剂膜；W及
[0043] 对所述相位偏移膜、所述蚀刻掩模膜和所述遮光膜分别进行规定的图案化，由此 形成转印用图案，
[0044] 在所述相位偏移膜的图案化中，包含如下工序；将图案化后的所述蚀刻掩模膜作 为掩模，对所述相位偏移膜进行湿式蚀刻，
[0045] 所述相位偏移膜由含有铅的材料构成，
[0046] 所述蚀刻掩模膜由对所述相位偏移膜的蚀刻液具有耐蚀刻性的材料构成，
[0047] 所述相位偏移部与所述透光部具有彼此邻接的部分，而且，所述相位偏移部与所 述透光部对于所述光掩模的曝光光的代表波长具有大致180度的相位差。
[004引 < 8 >;-种图案转印方法，其包含如下工序；准备< 1 >?< 3 >中的任意一项 所述的显示装置制造用光掩模；W及
[0049] 使用照射包含i线、h线、g线的曝光光的显示装置制造用曝光装置，对所述光掩模 具有的转印用图案进行曝光，将所述转印用图案转印到被转印体上。
[0050] < 9 >;-种显示装置的制造方法，其包含如下工序；准备< 1 >?< 3 >中的任 意一项所述的显示装置制造用光掩模；W及
[0051] 使用照射包含i线、h线、g线的曝光光的显示装置制造用曝光装置，对所述光掩模 具有的转印用图案进行曝光，将所述转印用图案转印到被转印体上。
[0052] 根据本发明，提供一种在显示装置的制造中能够如设计那样形成细微图案的显示 装置制造用光掩模、该光掩模的制造方法、使用了该光掩模的图案转印方法和显示装置的 制造方法。

【专利附图】

【附图说明】
[0053] 图1是对由相位偏移膜图案的截面形状的不同而引起的相位偏移效果的差异进 行的仿真中的、线及间隔图案的相位偏移掩模的俯视示意图（图1的（a))、其局部截面示意 图（图1的化)）、其它形状的相位偏移掩模的截面示意图（图1的（C)) W及用于比较的二 进制掩模的截面示意图（图1的（d))。
[0054] 图2是示出使用在仿真中用到的3种光掩模进行曝光时，在被转印体上形成的光 强度分布曲线的图。
[00巧]图3是在本发明的光掩模的制造中准备的光掩模逐的截面示意图。
[0056] 图4是第1方式的本发明的光掩模（图4的（a))的截面图（下侧）和对应的俯 视图（上侧）、W及第2方式的本发明的光掩模（图4的化)）的截面图（下侧）和对应的 俯视图（上侧）。
[0057] 图5是转印用图案为孔图案的方式下的、第1方式的本发明的光掩模（图5的（a)) 的俯视图和截面图W及第2方式的本发明的光掩模（图5的化)）的俯视图和截面图。
[005引图6是用于说明图案化的相位偏移膜的被蚀刻面（侧面）形状的图。
[0059] 图7是示出第1方式和第2方式中的本发明的光掩模的制造方法的例子的图。
[0060] 图8是示出第1方式和第2方式中的本发明的光掩模的制造方法的例子的图。
[0061] 图9是示出利用侧蚀的第1方式的本发明的光掩模的制造方法的例子的图。
[0062] 图10是示出在W抗蚀剂图案为掩模来进行湿式蚀刻的情况下得到的相位偏移膜 图案的截面的参考图。
[006引标号说明
[0064] 2a、2b、2c线图案；3a、3b、3c间隔图案；lOaUOb光掩模；11透明基板；12相位偏 移膜；12a相位偏移膜图案；13蚀刻掩模膜；13a蚀刻掩模膜图案；14遮光膜；14a遮光膜图 案；15遮光部；16相位偏移部；17透光部；18第1光致抗蚀剂膜；18a第1抗蚀剂图案；19 第2光致抗蚀剂膜；19a第2抗蚀剂图案；101透明玻璃基板；102相位偏移膜图案；103抗 蚀剂图案

【具体实施方式】
[0065] 在光刻工序中，为了可靠地转印细微的图案，通过使用了光掩模的曝光工序而对 被转印体上的抗蚀剂膜施加的光强度分布很重要。目P，如果提高光强度分布曲线的对比度、 提高在被转印体上形成的抗蚀剂图案的轮廓，则能够使用该抗蚀剂图案来更精细地进行显 示装置基板等被转印体的蚀刻加工。在显示装置用光掩模中，面积通常较大（一个边为 300mm W上），能够均匀地在整个面内进行图案化、进而能够控制面内的CD的均匀性很重 要，因此，曝光光形成的光强度分布曲线的形状特别重要。
[0066] 在上述专利文献1和2中，记载了如下内容；为了进行细微且高精度的图案形成、 或者为了得到高分辨率，使用具有相位偏移层（或反相层）的光掩模。
[0067] 根据专利文献1，在透明基板上，由铅系材料等形成遮光膜，将遮光膜蚀刻成规定 的形状，然后，W将其覆盖的方式形成铅系材料的相位偏移层，W在该相位偏移层上形成的 光致抗蚀剂的抗蚀剂图案为掩模，进行相位偏移层的图案化。此外。在专利文献2中，通过 对在含有铅的遮光膜图案上形成的含有铅的反相膜进行蚀刻，由此形成光掩模。
[0068] 此处，在W抗蚀剂图案为掩模来对相位偏移层（或者反相膜）进行蚀刻时，对该抗 蚀剂图案期待相位偏移膜被忠实地进行图案化。但是，在应用湿式蚀刻时，本发明人发现存 在如下问题。
[0069] 例如，图10示出在为了对含有铅的相位偏移膜（W下，也称作铅系相位偏移膜） 进行期望的图案化而W抗蚀剂图案为掩模来进行湿式蚀刻的情况下得到的相位偏移膜图 案的截面。图10是示出W正性光致抗蚀剂的抗蚀剂图案103为掩模，对在透明玻璃基板 101上形成的由&0CN构成的相位偏移膜进行蚀刻而得到的相位偏移膜图案102的截面的 参考图。
[0070] 如图10所明示的，可观察到如下现象；与蚀刻液接触的相位偏移膜（PS膜）图案 102的截面不垂直于透明玻璃基板101表面，而成为大幅倾斜的形状（W下，也称作梯形形 状）。其被认为是由于：相位偏移膜图案102与抗蚀剂图案103的界面之间的贴合性不充 分，蚀刻液浸入此处，由此，与下表面侧（玻璃基板侧）相比，在膜的上表面侧更大地进行蚀 亥IJ (在图10中，朝右方向的蚀刻）。
[0071] 因此，在曝光光透过的透光部与希望对曝光部遮光的遮光部的边界，具有相位偏 移效果的光掩模（相位偏移掩模）主要在半导体制造领域中被较多地采用，其中，为了通过 利用透射光的反相来提高转印像的对比度、提高焦点深度，使所述光掩模具有相位偏移效 果。在该些相位偏移掩模中，已知使用了对曝光光（例如，KrF或ArF的准分子激光）的透 射率为5%?10%左右、且使该曝光光的相位偏移大致180度的相位偏移膜。
[0072] 不过，在该领域中使用的光掩模（相位偏移掩模）大致是应用干式蚀刻而制造出， 因此，因采用上述湿式蚀刻而产生的问题不明显。但是，如上所述，在显示装置制造用光掩 模中，其尺寸较大（使用一个边为300mm W上（通常为1800mm W下）的方形基板），此外， 其尺寸存在多种类型，因此，与应用干式蚀刻相比，应用湿式蚀刻较为有利。
[0073] 另一方面，W往，在显示装置制造用光掩模中使用了具有转印用图案的多层次光 掩模，其中，所述转印用图案除了具有遮光部、透光部W外，还具有使曝光光部分地透过的 半透光部。该光掩模通过使透光部、遮光部、半透光部的光透射率彼此不同（遮光部的光透 射率实质为零），来在被转印体上形成的抗蚀剂图案形状中形成立体的阶梯差，通过利用该 特点，减少了对被转印体进行加工时的工序数。
[0074] 该多层次光掩模中的半透光部有的是通过在透明基板上形成半透光膜（具有使 曝光光透过20%?80%左右的透射率的膜）而作成的。
[00巧]不过，在制造该样的多层次光掩模时，在半透光部与透光部的边界处，透过半透光 部与透过透光部的曝光光之间的相位差不会是180度左右。如果透过半透光部的曝光光与 透过透光部的曝光光之间的相位差设为接近180度的相位差，则会在半透光部与透光部的 边界部分实质产生遮光性的线图案，从而产生希望得到的抗蚀剂图案的立体形状不能得到 该样的问题。
[0076] 目P，W往，在显示装置制造用光掩模中，因半透光性的膜的截面相对于基板表面倾 斜而带来的问题不明显。
[0077] 本发明人通过使光掩模中的相位偏移膜的被蚀刻截面形成与基板表面不垂直而 为倾斜的截面形状，来进行在该光掩模的转印性中会出现怎样的影响的仿真。目P，在光掩模 的转印用图案的透光部与相位偏移部的边界，使分别透过透光部与相位偏移部的曝光光的 相位反转而彼此发生干涉，由此研究所得到的相位偏移效果会随着相位偏移膜的被蚀刻截 面形状怎样进行变化。
[007引 < 仿真结果>
[0079] 在说明本发明的实施方式之前，使用所述仿真的结果，对由相位偏移膜图案的截 面形状的不同导致的相位偏移效果的差异进行说明。
[0080] 仿真是应用了显示装置制造用曝光装置具有的光学条件来进行的。其是W如下曝 光条件进行的：光学系统的开口数（NA)为0. 085,复制透镜系数（0)为0.9,曝光光包含g 线、h线、i线的宽波长光（g线；h线；i线的强度比=0. 95 ;0. 8 ;1.0)。
[0081] 本仿真是针对W下H种情况进行的：具有边缘部分的截面形状与基板表面垂直的 相位偏移膜图案的相位偏移掩模（PSM(A));对边缘部分的截面形状为梯形形状的、图10的 相位偏移膜图案进行模型化而得到的相位偏移掩模（PSMTP(A)) 及二进制掩模炬in)。 图1的化）?图1的（d)示出各掩模截面的示意图。
[008引此外，图1的（a)是在本仿真中使用的线及间隔图案的俯视示意图，其示出PSM(A) 中的线及间隔图案的一部分。图1的（b)是示出具有该线及间隔图案的相位偏移掩模的一 部分截面的图。
[0083] 如图1的化）所示，相位偏移掩模PSM(A)在透明基板11上形成有相位偏移膜图 案12a，在其上形成有蚀刻掩模膜图案13a，进而，在其上形成有遮光膜图案14a。在其俯视 图（即图1的（a))中，遮光膜图案14a的部分为遮光部15,相位偏移膜图案12a的一部分 未被遮光膜图案14a覆盖而露出的部分为相位偏移部16,进而，透明基板11的在其上没有 进行任何层叠而露出的部分构成透光部17。
[0084] 相位偏移掩模PSM(A)由线宽度L为2.0ym、间隔宽度S为2.0ym(间距P为 4. Oil m)的线及间隔图案构成，线图案2a在宽度为1. Oil m的遮光部15的两侦U的边缘分另。 具有宽度为0. Sum的相位偏移部16。线图案化、2c也相同。间隔图案3a、3b、3c是透明基 板11露出而形成的透光部17。
[0085] 此处，遮光部15是在透明基板11上至少形成遮光膜图案14a而成的部分，其曝光 光透射率实质为零。相位偏移部16是在透明基板11上形成光透射率为6% (对i线）的 相位偏移膜图案12a而成的部分（除了被遮光膜图案14a覆盖的部分）。相位偏移部16和 透光部17相对于曝光光的相位差为180度（对i线）。
[0086] 接下来，图1的（C)所示的相位偏移掩模PSMTP (A)也由线宽度L为2. 0 y m、间隔 宽度S为2. 0 y m的线及间隔图案构成，线图案在1. 0 y m的遮光部的两侧的边缘分别具有 宽度为0. Sum的相位偏移部。间隔图案由使透明基板露出的透光部构成。其中，在相位偏 移部中，在透明基板上形成的相位偏移膜的膜厚从遮光部侧朝透光部侧（线图案的宽度方 向）W 10个台阶的方式逐渐缩小。目P，在相位偏移部中距遮光部最近处，曝光光透射率为 6% (对i线），与透光部的相位差为180度（对i线），与此相对，在相位偏移部中距透光 部最近处，曝光光透射率为57. 5% (对i线），与透光部的相位差（对i线）为20. 19度。
[0087] 接下来，图1的（d)所示的二进制掩模（Bin)由线宽度L为2. 0 y m、间隔宽度S为 2. 0 y m的线及间隔图案构成，线部由在透明基板上形成有遮光膜的遮光部构成，透光部由 透明基板表面露出的部分构成。
[0088] 图2示出在使用上述相位偏移掩模PSM(A)、相位偏移掩模PSMTP (A)、二进制掩模 Bin进行曝光时，在被转印体上形成的光强度分布曲线。在图2中，在设线图案2a的中也为 零位置、设曝光光透射率为100%时，光强度为1. 0。在设光强度分布曲线的最大值（最大光 强度）为Imax、设最小值（最小光强度）为Imin时，可W计算（Imax-Imin)/(Imax+Imin) 来作为对比度。
[0089] 下述表1示出了针对上述PSM(A)、PSMTP(A)、Bin的各掩模的最大光强度Imax、最 小光强度Imin和对比度的数量值。
[0090] [表 1]
[0091]

【权利要求】
1. 一种显示装置制造用光掩模，其通过如下方式形成：在透明基板上，利用湿式蚀刻 分别对相位偏移膜、蚀刻掩模膜和遮光膜进行图案化，由此形成包含遮光部、相位偏移部和 透光部的转印用图案，其中， 所述遮光部是在所述透明基板上依次层叠所述相位偏移膜、所述蚀刻掩模膜和所述遮 光膜而成的， 所述相位偏移部是在所述透明基板上形成所述相位偏移膜，或者形成所述相位偏移膜 和所述蚀刻掩模膜而成的， 所述透光部是使所述透明基板的表面露出而成的， 所述相位偏移膜由含有铬的材料构成， 所述蚀刻掩模膜由对所述相位偏移膜的蚀刻液具有耐蚀刻性的材料构成， 所述相位偏移部与所述透光部具有彼此邻接的部分，而且，所述相位偏移部与所述透 光部对于所述光掩模的曝光光的代表波长具有大致180度的相位差。
2. 根据权利要求1所述的显示装置制造用光掩模，其特征在于， 所述转印用图案包含线及间隔图案，所述线及间隔图案的线图案具有：一定宽度的遮 光部；以及与所述一定宽度的遮光部的两侧邻接的一定宽度的相位偏移部。
3. 根据权利要求1所述的显示装置制造用光掩模，其特征在于， 所述转印用图案包含孔图案，所述孔图案具有规定直径的透光部、围着所述透光部的 一定宽度的相位偏移部和围着所述相位偏移部的遮光部。
4. 根据权利要求1?3中的任意一项所述的显示装置制造用光掩模，其特征在于， 所述相位偏移部是在所述透明基板上形成所述相位偏移膜而成的， 所述相位偏移膜对于所述曝光光的代表波长进行大致180度的相位偏移。
5. 根据权利要求1?3中的任意一项所述的显示装置制造用光掩模，其特征在于， 所述相位偏移部是在所述透明基板上依次层叠所述相位偏移膜和所述蚀刻掩模膜而 成的， 所述相位偏移膜与所述蚀刻掩模膜的层叠对于所述曝光光的代表波长进行大致180 度的相位偏移。
6. 根据权利要求1?3中的任意一项所述的显示装置制造用光掩模， 在所述转印用图案中包含的、所述透光部与所述相位偏移部彼此邻接的部分，所述相 位偏移膜的被蚀刻面露出， 在所述邻接的部分的截面中，与所述相位偏移膜的上表面、下表面和被蚀刻面分别对 应的上边、下边和侧边满足下述条件（A)和（B): (A) 将所述上边与所述侧边的接点以及所述上表面之下所述相位偏移膜的膜厚的3分 之2的高度的位置处的所述侧边的位置连接而成的直线与所述上边所成的角度在85度? 120度的范围内， (B) 第1假想线与第2假想线之间的宽度为所述膜厚的2分之1以下，其中，所述第1 假想线通过所述上边与所述侧边的接点且与所述透明基板的主表面垂直，所述第2假想线 通过所述下表面之上所述膜厚的10分之1的高度的位置处的所述侧边的位置且与所述透 明基板的所述主表面垂直。
7. -种显示装置制造用光掩模的制造方法，所述显示装置制造用光掩模通过如下方式 形成：在透明基板上，利用湿式蚀刻分别对相位偏移膜、蚀刻掩模膜和遮光膜进行图案化， 由此形成包含遮光部、相位偏移部和透光部的转印用图案，其中， 所述遮光部是在所述透明基板上依次层叠所述相位偏移膜、所述蚀刻掩模膜和所述遮 光膜而成的， 所述相位偏移部是在所述透明基板上形成所述相位偏移膜，或者形成所述相位偏移膜 和所述蚀刻掩模膜而成的， 所述透光部是使所述透明基板的表面露出而成的， 该显示装置制造用光掩模的制造方法的特征在于，具有如下工序： 准备如下光掩模坯：在所述透明基板上，依次层叠了相位偏移膜、蚀刻掩模膜和遮光 膜，进而形成了第1光致抗蚀剂膜；以及 对所述相位偏移膜、所述蚀刻掩模膜和所述遮光膜分别进行规定的图案化，由此形成 转印用图案， 在所述相位偏移膜的图案化中，包含如下工序：将图案化后的所述蚀刻掩模膜作为掩 模，对所述相位偏移膜进行湿式蚀刻， 所述相位偏移膜由含有铬的材料构成， 所述蚀刻掩模膜由对所述相位偏移膜的蚀刻液具有耐蚀刻性的材料构成， 所述相位偏移部与所述透光部具有彼此邻接的部分，而且，所述相位偏移部与所述透 光部对于所述光掩模的曝光光的代表波长具有大致180度的相位差。
8. -种图案转印方法，其具有如下工序： 准备权利要求1?3中的任意一项所述的显示装置制造用光掩模；以及 使用照射包含i线、h线、g线的曝光光的显示装置制造用曝光装置，对所述光掩模具有 的转印用图案进行曝光，将所述转印用图案转印到被转印体上。
9. 一种显示装置的制造方法，其包含如下工序： 准备权利要求1?3中的任意一项所述的显示装置制造用光掩模；以及 使用照射包含i线、h线、g线的曝光光的显示装置制造用曝光装置，对所述光掩模具有 的转印用图案进行曝光，将所述转印用图案转印到被转印体上。
【文档编号】G03F7/00GK104423141SQ201410407479
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2014年8月19日 优先权日:2013年8月30日
【发明者】山口昇, 吉川裕, 坪井诚治 申请人:Hoya株式会社