一种液晶显示面板及其调校方法
一种液晶显示面板及其调校方法
【专利摘要】本发明实施例提供一种液晶显示面板及其调校方法，涉及显示【技术领域】，可实时监控像素单元中电容比值的变化，以及根据环境变化的情况实时调整公共电极的基准电压值，以使液晶显示面板上画面闪烁的现象维持为最低的程度。该液晶显示面板包括，阵列基板，阵列基板包括呈矩阵排列的多个像素单元；像素单元包括，第一晶体管、第二晶体管、第一数据线、第二数据线、第一数据线连接线、第一栅极线、第二栅极线、第二栅极线连接线、像素电极；该液晶显示面板还包括公共电极。用于能够使画面闪烁显示维持为最小程度的液晶显示面板的制备。
【专利说明】一种液晶显示面板及其调校方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种液晶显示面板及其调校方法。
【背景技术】
[0002] 目前，如图1所示，薄膜晶体管液晶显示装置（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)中的像素单元100通常是由一个薄膜晶体管（TFT)、存储 电容（Cst)、以及用于向液晶分子施加电压的像素电极构成。
[0003] 图2为上述像素单元的信号波形图。其中，采用现有技术的像素单元结构进行显 示时，像素电极的电压节点P中的电压（Vp)，即与存储电容相关的电压在栅极线的电压由 高电平电压跃迁至低电平电压的瞬间，只下降了 Λ Vp (跳变电压），即像素电极的电压发生 了 Δ V的波动从而导致了 TFT-IXD显示画面中出现闪烁现象（Flicker)，不仅降低了显示质 量，而且导致观看者长时间观看后出现眼睛疲劳甚至头晕等问题。
[0004] 通常，Λ Vp由下式表示： 「00051 AK? = (FWj-FW)·-^-； L」 (Cgs + Clc + Csl)
[0006] 其中，Vgh、Vgl分别为驱动TFT的栅极的高电平电压和低电平电压，Cgs、Clc、以及 Cst分别为寄生电容、液晶电容、以及存储电容。
[0007] 由于TFT-IXD不可避免地存在上述的像素电极的反冲电压AVp，因此，在TFT-IXD 出厂前，通常将公共电极的基准电压调试到使画面闪烁的程度最小的某一固定值（Vcom)。 而随着TFT-LCD使用时间的延长，以及使用环境的改变（如温度、湿度等条件的改变），电容 Cgs、电容Clc、以及电容Cst中的一个或多个电容的电容值相比于出厂时的理论数值会发 生变化，使得上述Λ Vp的表达式中，电容比值发生变化，导致出厂时的Λ Vp变化为Λ Vp'。
[0008] 由于此时原出厂设定的Λ Vp发生了变化，导致公共电极的原基准电压Vcom的数 值不再能维持画面闪烁的程度为最小，导致TFT-LCD显示画面的闪烁程度将大幅度提高， 严重影响显示品质。
[0009] 因此，此时需要根据Λνρ到AVp'的变化量，来实时调整出厂时设定的公共电极 的基准电压Vcom为Vcom'，以使调整后的公共电极的基准电压Vcom'维持画面闪烁的程度 为最小。
[0010] 然而，在TFT-LCD发生画面闪烁现象需要对公共电极的原出厂预设的基准电压进 行调准的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：
[0011] 由于在像素单元结构中，电容Cgs、电容Clc、以及电容Cst的电容值的变化情况难 以直接测量，即像素单元中的电容比值CgsACgs+Clc+Cst)难以确定，使得TFT-LCD出厂时 设定的AVp的变化量无法确定，难以实现根据环境情况的变化对公共电极的原基准电压 Vcom进行实时调整，导致公共电极的基准电压Vcom无法使得TFT-LCD的画面闪烁程度维持 在最小的程度，严重影响观看效果。
【发明内容】
[0012] 鉴于此，为克服现有技术的缺陷，本发明的实施例提供一种液晶显示面板及其调 校方法，一方面可实现实时监控像素单元中的电容比值的变化情况；另一方面可实现根据 液晶显示面板环境变化的情况实时调整公共电极的基准电压值，以使液晶显示面板上画面 闪烁的现象维持为最低的程度。
[0013] 为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
[0014] 一方面、本发明实施例提供了一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括，阵列基 板，包括呈矩阵排列的多个像素单元；其中，所述像素单元包括，第一晶体管和第二晶体管； 第一数据线，连接所述第一晶体管的第一极与测试输入信号源；第二数据线，连接所述第二 晶体管的第一极与数据信号源；第一数据线连接线，连接所述第一晶体管的第二极与所述 第二数据线；第一栅极线，连接所述第一晶体管的栅极与开启信号源；第二栅极线，连接所 述第二晶体管的栅极与扫描信号源；第二栅极线连接线，连接所述第二栅极线与测试输出 信号源；像素电极，连接所述第二晶体管的第二极相连；且所述像素电极与所述第二栅极 线有重叠；所述液晶显示面板还包括公共电极；所述公共电极连接公共电极信号源。
[0015] 其中，所述测试输入信号源用于提供测试输入电压VI，所述开启信号源用于提供 使所述第一晶体管导通的开启电压VE，以使所述测试输出信号源输出的测试输出电压V2 等于： 「mifil ν1 = *---- L0016J (CV.v + Clc + Cst).
[0017] 其中，Cgs为由所述第二晶体管的栅极与所述第二晶体管的第一极所构成的寄生 电容；Clc为由所述像素电极与所述公共电极所构成的液晶电容；Cst为由所述像素电极与 所述第二栅极线所构成的存储电容。
[0018] 优选的，所述第二栅极线连接线，连接所述第二栅极线与测试输出信号源，包括， 所述第二栅极线连接线通过栅绝缘层上的过孔与所述第二栅极线连接，且所述第二栅极线 连接线连接测试输出信号源。
[0019] 优选的，所述第一数据线与所述第一晶体管的第一极为一体结构。
[0020] 优选的，所述第一数据线连接线与所述第一晶体管的第二极为一体结构。
[0021] 优选的，所述第一栅极线与所述第一晶体管的栅极为一体结构。
[0022] 在上述基础上优选的，所述第一晶体管的第一极、所述第二晶体管的第一极均为 源极；所述第一晶体管的第二极、所述第二晶体管的第二极均为漏极。
[0023] 在上述基础上优选的，所述第一晶体管、所述第二晶体管均为N型晶体管；或，所 述第一晶体管、所述第二晶体管均为P型晶体管。
[0024] 在上述基础上优选的，所述第一晶体管、所述第二晶体管均为耗尽型薄膜晶体管； 或，所述第一晶体管、所述第二晶体管均为增强型薄膜晶体管。
[0025] 另一方面、本发明实施例还提供了一种上述的所述的液晶显示面板的画面闪烁的 调校方法；其中，所述液晶显示面板的公共电极连接于公共电极信号源，所述公共电极信号 源用于提供预设的第一基准电压；所述液晶显示面板的像素电极具有预设的第一跳变电压 AVpl ;其中，Λ Vpl = (Vgh-Vgl) · β 1 ;β 1为发生画面闪烁现象前，所述液晶显示面板的 像素单元的电容比值：
[0026] β1~ ^Cgs + C!c + C.s!).
[0027] Cgs为由第二晶体管的第一极与第二晶体管的栅极所构成的寄生电容；Clc为由 所述像素电极与所述公共电极所构成的液晶电容；Cst为由所述像素电极与第二栅极线所 构成的存储电容；Vgh为向所述第二晶体管的栅极施加的扫描信号源的高电平电压；Vgl为 向所述第二晶体管的栅极施加的扫描信号源的低电平电压；其特征在于，所述调校方法包 括，
[0028] 获取所述液晶显示面板的像素单元发生画面闪烁现象后的第二电容比值β 2。其 中，所述第二电容比值为：
[0029] /)2 = (cgs^+csn;
[0030] Cgs'为对应于发生画面闪烁现象后，由第二晶体管的第一极与第二晶体管的栅极 所构成的寄生电容；Clc'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极与所述公共电极 所构成的液晶电容；Cst'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极与第二栅极线所 构成的存储电容；
[0031] 获取所述液晶显示面板的像素单元发生画面闪烁现象后的所述像素电极的第二 跳变电压 AVp2 ;其中，AVp2 = (Vgh-Vgl) · β2 ;
[0032] 根据所述第二跳变电压与所述第一跳变电压之间的差值，调节所述公共电极的第 一基准电压 Vcoml 为第二基准电压 Vcom2 ;其中，Vcom2 = Vcoml-1 Δ Vp2_ Δ Vpl |。
[0033] 优选的，所述获取所述液晶显示面板的像素单元发生画面闪烁现象后的第二电容 比值β 2 ;其中，所述第二电容比值为： Cgs'
[0034] ^ ' (Cgs'+CIc'+Csr).
[0035] Cgs'为对应于发生画面闪烁现象后，由第二晶体管的第一极与第二晶体管的栅极 所构成的寄生电容；Clc'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极与所述公共电极 所构成的液晶电容；Cst'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极与第二栅极线所 构成的存储电容，具体包括，
[0036] 当所述液晶显示面板发生画面闪烁现象后，不向第二数据线输入数据信号源，不 向第二栅极线输入扫描信号源；向第一数据线输入测试输入信号源，向第一栅极线输入开 启信号源，导通第一晶体管、第二晶体管，并对寄生电容、液晶电容、以及存储电容进行充 电；
[0037] 通过所述测试输入信号源，从所述第二栅极线输出对应的测试输出信号源，对所 述测试输入信号源的不同取值的测试输入电压与对应的测试输出电压进行数据处理，得到 所述液晶显示面板发生画面闪烁现象后的第二电容比值β2 ;其中，所述第二电容比值为：
[0038] / K1 (C^s'+CIc'+Csr). ?
[0039] Cgs'为对应于发生画面闪烁现象后，由第二晶体管的第一极与第二晶体管的栅极 所构成的寄生电容；Clc'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极与所述公共电极 所构成的液晶电容；Cst'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极与第二栅极线所 构成的存储电容。
[0040] 通过本发明实施例提供的所述液晶显示面板，对所述第二栅极线不输入所述扫描 信号源、且对所述第二数据线不输入所述数据信号源时，通过对所述第一数据线输入一系 列取值不同的测试输入信号源，可从所述第二栅极线连接线输出一系列取值与对应的测试 输出信号源，由于本发明实施例提供的所述液晶显示面板01的等效电路图使得所述测试 输出信号源输出的测试输出电压V2满足以下关系式： 「00411 V2 = V\·-^- L0041J (Cgs + Clc + Csi).
[0042] 因此，由上述的液晶显示面板即可实时检测得到像素单元中，电容Cgs、电容Clc、 以及电容Cst之间的电容比值，从而可实时地获取液晶显示面板出厂时设定的Λ Vp发生的 变化量，从而可以根据环境情况的变化情况对公共电极的原基准电压Vcom进行实时调整， 使得公共电极的基准电压Vcom实时保持在使液晶显示面板的显示画面闪烁程度最小的数 值上，保持了液晶显示面板良好的显示品质。
【专利附图】
【附图说明】
[0043] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。
[0044] 图1为现有技术提供的一种像素单元的等效电路图；
[0045] 图2为现有技术提供的一种像素单元的信号波形图；
[0046] 图3为本发明实施例提供的一种液晶显示面板的结构示意图；
[0047] 图4为沿图3中A-A'方向的剖面结构示意图；
[0048] 图5为图3所不的液晶显不面板的等效电路不意图；
[0049] 图6为沿图3中B-B'方向的剖面结构示意图；
[0050] 图7为本发明实施例提供的一种液晶显示面板画面闪烁的调校方法流程示意图；
[0051] 图8为本发明实施例提供的一种液晶显示面板画面闪烁的调校方法的信号源时 序图；
[0052] 图9为本发明实施例提供的一种液晶显示面板画面闪烁的调校方法中得到的测 试输入电压-测试输出电压的关系图。
【专利附图】
【附图说明】 [0053] ：
[0054] 01-液晶显示面板；10-阵列基板；100-像素单元；101-第一晶体管；G1(U-第 一晶体管的栅极；S 1(I1-第一晶体管的第一极；D1(I1-第一晶体管的第二极；102-第二晶体 管；G 1(I2-第二晶体管的栅极；S1(I2-第二晶体管102的第一极；D1(I2-第二晶体管的第二极； 103-第一数据线；104-第二数据线；105-第一数据线连接线；106-第一栅极线；107-第 二栅极线；108-第二栅极线连接线；109-像素电极；110-钝化层；110a-钝化层上的过孔； 111-栅绝缘层；111a-栅绝缘层上的过孔；20-彩膜基板；201-公共电极；30-液晶层。
【具体实施方式】
[0055] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0056] 本发明实施例提供了一种液晶显示面板01，如图3、图4所示，所述液晶显示面板 01包括，阵列基板10 (图3中未标示出），所述阵列基板10包括呈矩阵排列的多个像素单元 1〇〇 ;其中，所述像素单元1〇〇包括，第一晶体管101和第二晶体管102 ;第一数据线103,连 接所述第一晶体管的第一极S1(11与测试输入信号源；第二数据线104,连接所述第二晶体管 102的第一极5 1(12与数据信号源；第一数据线连接线105,连接所述第一晶体管的第二极01(11 与所述第二数据线104 ;第一栅极线106,连接所述第一晶体管的栅极G1(ll与开启信号源；第 二栅极线107,连接所述第二晶体管的栅极G 1(l2与扫描信号源；第二栅极线连接线108,连接 所述第二栅极线107与测试输出信号源；像素电极109,连接所述第二晶体管的第二极D 1Q2 相连；且所述像素电极109与所述第二栅极线107有重叠；彩膜基板20 (仅在图4中示意 出），包括公共电极201 (仅在图4中示意出）；所述公共电极201连接公共电极信号源；液 晶层30 (仅在图4中示意出），位于所述阵列基板10与所述彩膜基板20之间。
[0057] 需要说明的是，公共电极可以设置在彩膜基板上也可以设置在阵列基板上，本发 明实施例中以公共电极设置在彩膜基板上为例。
[0058] 其中，所述测试输入信号源用于提供测试输入电压VI，所述开启信号源用于提供 使所述第一晶体管101导通的开启电压VE，以使所述测试输出信号源输出的测试输出电压 V2等于以下表达式： 「00591 V2 = V\·--- L0059J (Cg.v + Clc + Csi).
[0060] 其中，Cgs为由所述第二晶体管的栅极G1(l2与所述第二晶体管的第一极S 1(ll所构成 的寄生电容；Clc为由所述像素电极109与所述公共电极201所构成的液晶电容；Cst为由 所述像素电极109与所述第二栅极线107所构成的存储电容。
[0061] 需要说明的是，第一、图4中仅以所述像素电极109与所述第二晶体管的第二极 D1(12位于不同层时进行说明，即当二者位于不同层时，所述像素电极109可通过例如所述阵 列基板10中的钝化层110上的过孔110a与所述第二晶体管的第二极D 1(l2相连；当然，当二 者位于同层时，所述像素电极109与所述第二晶体管的第二极D1(l2可通过搭接的方式直接 相连。
[0062] 第二、对所述开启信号的电压值不作限定，以能够使所述第一晶体管101导通为 准。
[0063] 第三、上述液晶显示面板01具体可以是液晶显示装置，可以为液晶显示器、液晶 电视、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或者部件。
[0064] 如图5所示，结合上述的液晶显示面板01的等效电路图可知，当对所述第二栅极 线107不输入所述扫描信号源（图中标记为Gate)、且对所述第二数据线104不输入所述数 据信号源（图中标记为Data)时，通过对所述第一数据线103输入一系列取值不同的测试 输入信号源（图中标记为VI)，可从所述第二栅极线连接线108输出一系列取值与VI对应 的测试输出信号源（图中标记为V2)，由于本发明实施例提供的所述液晶显示面板01的等 效电路图使得所述测试输出信号源输出的测试输出电压V2满足以下关系式：
[0065] (Cgs + CIc + Cst).
[0066] 因此，由上述的液晶显示面板01即可实时检测得到像素单元中，电容Cgs、电容 Clc、以及电容Cst之间的电容比值，从而可实时地获取液晶显示面板出厂时设定的Λ Vp发 生的变化量，从而可以根据环境情况的变化情况对公共电极的原基准电压Vcom进行实时 调整，使得公共电极的基准电压Vcom实时保持在使液晶显示面板的显示画面闪烁程度最 小的数值上，保持了液晶显示面板良好的显示品质。
[0067] 在上述基础上，考虑到简化所述液晶显示面板01的构图工艺，所述第二栅极线连 接线108与所述第二栅极线107之间的连接方式可参考以下方式：
[0068] 如图6所示，所述第二栅极线连接线108通过栅绝缘层111上的过孔111a与所述 第二栅极线107连接，且所述第二栅极线连接线108连接测试输出信号源。
[0069] 此处，为了进一步简化所述液晶显示面板01的结构，优选的，参考图3所示，所述 第一数据线103与所述第一晶体管101的第一极S 1(ll为一体结构。
[0070] 同样的，参考图3所示，所述第一数据线连接线105与所述第一晶体管101的第二 极D1(ll为一体结构。
[0071] 再同样的，参考图3所示，所述第一栅极线106与所述第一晶体管101的栅极G1(ll 为一体结构。
[0072] 在上述基础上，所述第一晶体管101的第一极S1(ll、所述第二晶体管102的第一极 S1Q2均为源极；所述第一晶体管101的第二极〇1(11、所述第二晶体管102的第二极0 1(12均为漏 极。
[0073] 进一步的，考虑到应尽可能地简化所述像素单元结构的复杂性，所述第一晶体管 101与所述第二晶体管102具有相同的结构类型，即二者可以均为N型晶体管，或均为P型 晶体管。
[0074] 同样的，所述第一晶体管101与所述第二晶体管102具有相同的晶体管形态，即二 者均为增强型（阀值电压为正）薄膜晶体管或均为耗尽型（阀值电压为负）薄膜晶体管。
[0075] 本发明实施例还提供了一种上述的所述液晶显示面板01的画面闪烁的调校方 法。
[0076] 参考图3、4所示，所述液晶显示面板01的公共电极201连接于公共电极信号源， 所述公共电极信号源用于提供预设的第一基准电压；所述液晶显示面板01的像素电极109 具有预设的第一跳变电压AVpl ;所述第一跳变电压的表达式为：
[0077] Δ Vpl = (Vgh-Vgl) · β 1 ；
[0078] 其中，β 1为发生画面闪烁现象前，所述液晶显示面板01的像素单元100的电容 比值，β 1的表达式为：
[0079] - Jcgs + Ck + Cst).
[0080] Cgs为由第二晶体管102的第一极S1Q2与第二晶体管102的栅极G1Q2所构成的寄 生电容；Clc为由所述像素电极109与所述公共电极201所构成的液晶电容；Cst为由所述 像素电极109与第二栅极线107所构成的存储电容；Vgh为向所述第二晶体管102的栅极 G1(l2施加的扫描信号源的高电平电压；Vgl为向所述第二晶体管102的栅极G1(l2施加的扫描 信号源的低电平电压。
[0081] 如图7所示，所述调校方法包括：
[0082] S01、获取所述液晶显示面板01的像素单元100发生画面闪烁现象后的第二电容 比值β 2。所述第二电容比例的表达式为：
[0083] y?2= , (Cgs'+Uc'+Csi').
[0084] 其中，Cgs'为对应于发生画面闪烁现象后，由第二晶体管的第一极与第二晶体管 的栅极所构成的寄生电容；Clc'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极与所述公 共电极所构成的液晶电容；Cst'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极与第二栅 极线所构成的存储电容。
[0085] S02、获取所述液晶显示面板01的像素单元100发生画面闪烁现象后的所述像素 电极109的第二跳变电压AVp2。其中，所述第二跳变电压的表达式为：
[0086] Δ Vp2 = (Vgh-Vgl) · β 2 ；
[0087] S03、根据所述第二跳变电压与所述第一跳变电压之间的差值，调节所述公共电极 的第一基准电压Vcoml为第二基准电压Vcom2。其中，所述第二基准电压的表达式为：
[0088] Vcom2 = Vcoml-| Δ Vp2- Δ Vpl | ；
[0089] 进一步的，上述步骤SOI具体可包括以下2个子步骤：
[0090] S11、参考图5所示，当所述液晶显示面板01发生画面闪烁现象后，不向第二数据 线104输入数据信号源，不向第二栅极线107输入扫描信号源；向第一数据线103输入测试 输入信号源（VI)，向第一栅极线106输入开启信号源（VE)，导通第一晶体管101、第二晶体 管102,并对寄生电容、液晶电容、以及存储电容进行充电
[0091] 此时，如图8所示，所述液晶显示面板01即进入测试阶段，所述第二数据线104、所 述第二栅极线107的信号状态即处于"悬空状态"。
[0092] S12、通过所述测试输入信号源，从所述第二栅极线107输出对应的测试输出信号 源，对所述测试输入信号源的不同取值的测试输入电压与对应的测试输出电压进行数据处 理，得到所述液晶显示面板发生画面闪烁现象后的第二电容比值β 2。所述第二电容比值的 表达式为： Cg.v!
[0093] / - n ^Cgs'+CIc'+Csl').
[0094] 其中，Cgs'为对应于发生画面闪烁现象后，由第二晶体管102的第一极51(12与第二 晶体管102的栅极G 1(l2所构成的寄生电容；Clc'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素 电极109与所述公共电极201所构成的液晶电容；Cst'为对应于发生画面闪烁现象后，由 所述像素电极109与第二栅极线107所构成的存储电容。
[0095] 需要说明的是，对于测试输入电压（VI)，当其取值得到某一阈值范围后，从所述第 二栅极线107处才能测得相应的测试输出电压（V2);因此，考虑到对VI与V2的数据处理 的简便性，此处，可利用最小二乘法（即一种数据优化技术，它通过最小化误差的平方和寻 找数据的最佳函数匹配）对VI与V2的数值结果进行数据处理，得到如图9所示的函数关 系图；其中，由图9得到的是斜率为V1/V2的表达式，即上述电容比值的倒数。当需要实时 确定所述液晶显示面板01的像素单元100发生画面闪烁现象后的所述像素电极109的第 二跳变电压AVp2时，只需要将图9中测得的斜率进行倒数处理即可得到实时的电容的变 化比值。
[0096] 需要说明的是，本发明所有附图是上述的液晶显示面板及其等效电路的简略的示 意图，只为清楚描述本方案体现了与发明点相关的结构，对于其他的与发明点无关的结构 是现有结构，在附图中并未体现或只体现部分。
[0097] 以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何 熟悉本【技术领域】的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵 盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【权利要求】
1. 一种液晶显示面板，其特征在于，包括， 阵列基板，包括呈矩阵排列的多个像素单元；其中，所述像素单元包括， 第一晶体管和第二晶体管； 第一数据线，连接所述第一晶体管的第一极与测试输入信号源； 第二数据线，连接所述第二晶体管的第一极与数据信号源； 第一数据线连接线，连接所述第一晶体管的第二极与所述第二数据线； 第一栅极线，连接所述第一晶体管的栅极与开启信号源； 第二栅极线，连接所述第二晶体管的栅极与扫描信号源； 第二栅极线连接线，连接所述第二栅极线与测试输出信号源； 像素电极，连接所述第二晶体管的第二极相连；且所述像素电极与所述第二栅极线有 重叠； 还包括： 公共电极；所述公共电极连接公共电极信号源； 其中，所述测试输入信号源用于提供测试输入电压VI，所述开启信号源用于提供使所 述第一晶体管导通的开启电压VE，以使所述测试输出信号源输出的测试输出电压V2等于：
Cgs为由所述第二晶体管的栅极与所述第二晶体管的第一极所构成的寄生电容； Clc为由所述像素电极与所述公共电极所构成的液晶电容； Cst为由所述像素电极与所述第二栅极线所构成的存储电容。
2. 根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二栅极线连接线，连接所 述第二栅极线与测试输出信号源，包括， 所述第二栅极线连接线通过栅绝缘层上的过孔与所述第二栅极线连接，且所述第二栅 极线连接线连接测试输出信号源。
3. 根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一数据线与所述第一晶 体管的第一极为一体结构。
4. 根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一数据线连接线与所述 第一晶体管的第二极为一体结构。
5. 根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一栅极线与所述第一晶 体管的栅极为一体结构。
6. 根据权利要求1至5任一项所述的液晶显示面板，其特征在于， 所述第一晶体管的第一极、所述第二晶体管的第一极均为源极； 所述第一晶体管的第二极、所述第二晶体管的第二极均为漏极。
7. 根据权利要求1至5任一项所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一晶体管、所 述第二晶体管均为N型晶体管；或， 所述第一晶体管、所述第二晶体管均为P型晶体管。
8. 根据权利要求1至5任一项所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一晶体管、所 述第二晶体管均为耗尽型薄膜晶体管；或， 所述第一晶体管、所述第二晶体管均为增强型薄膜晶体管。
9. 一种如权利要求1至8任一项所述的液晶显示面板的画面闪烁的调校方法；其中， 所述液晶显示面板的公共电极连接于公共电极信号源，所述公共电极信号源用于提供预设 的第一基准电压；所述液晶显示面板的像素电极具有预设的第一跳变电压AVpl ;其中， Λ Vpl = (Vgh-Vgl) · β 1 ; β 1为发生画面闪烁现象前，所述液晶显示面板的像素单元的电 容比值，
Cgs为由第二晶体管的第一极与第二晶体管的栅极所构成 的寄生电容；Clc为由所述像素电极与所述公共电极所构成的液晶电容；Cst为由所述像素 电极与第二栅极线所构成的存储电容；Vgh为向所述第二晶体管的栅极施加的扫描信号源 的高电平电压；Vgl为向所述第二晶体管的栅极施加的扫描信号源的低电平电压；其特征 在于，所述调校方法包括， 获取所述液晶显示面板的像素单元发生画面闪烁现象后的第二电容比值β 2 ;其中，
〕gs'为对应于发生画面闪烁现象后，由第二晶体管的第一极与第 二晶体管的栅极所构成的寄生电容；Clc'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极 与所述公共电极所构成的液晶电容；Cst'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极 与第二栅极线所构成的存储电容； 获取所述液晶显示面板的像素单元发生画面闪烁现象后的所述像素电极的第二跳变 电压 AVp2 ;其中，AVp2 = (Vgh-Vgl) · β2 ; 根据所述第二跳变电压与所述第一跳变电压之间的差值，调节所述公共电极的第一基 准电压 Vcoml 为第二基准电压 Vcom2 ;其中，Vcom2 = Vcoml-| Λ Vp2_ Λ Vpl |。
10. 根据权利要求9所述的调校方法，其特征在于，所述获取所述液晶显示面板的像素 单元发生画面闪烁现象后的第二电容比值β 2 ;其中，
Cgs'为对应 于发生画面闪烁现象后，由第二晶体管的第一极与第二晶体管的栅极所构成的寄生电容； Clc'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极与所述公共电极所构成的液晶电容； Cst'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极与第二栅极线所构成的存储电容，具 体包括， 当所述液晶显示面板发生画面闪烁现象后，不向第二数据线输入数据信号源，不向第 二栅极线输入扫描信号源；向第一数据线输入测试输入信号源，向第一栅极线输入开启信 号源，导通第一晶体管、第二晶体管，并对寄生电容、液晶电容、以及存储电容进行充电； 通过所述测试输入信号源，从所述第二栅极线输出对应的测试输出信号源， 对所述测试输入信号源的不同取值的测试输入电压与对应的测试输出电压进行数 据处理，得到所述液晶显示面板发生画面闪烁现象后的第二电容比值β 2;其中，
Cgs'为对应于发生画面闪烁现象后，由第二晶体管的第一极 与第二晶体管的栅极所构成的寄生电容；Clc'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素 电极与所述公共电极所构成的液晶电容；Cst'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素 电极与第二栅极线所构成的存储电容。
【文档编号】G02F1/133GK104298032SQ201410422719
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2014年8月25日 优先权日:2014年8月25日
【发明者】吴昊, 于洪俊, 朱红 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方光电科技有限公司
【专利摘要】本发明实施例提供一种液晶显示面板及其调校方法，涉及显示【技术领域】，可实时监控像素单元中电容比值的变化，以及根据环境变化的情况实时调整公共电极的基准电压值，以使液晶显示面板上画面闪烁的现象维持为最低的程度。该液晶显示面板包括，阵列基板，阵列基板包括呈矩阵排列的多个像素单元；像素单元包括，第一晶体管、第二晶体管、第一数据线、第二数据线、第一数据线连接线、第一栅极线、第二栅极线、第二栅极线连接线、像素电极；该液晶显示面板还包括公共电极。用于能够使画面闪烁显示维持为最小程度的液晶显示面板的制备。
【专利说明】一种液晶显示面板及其调校方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示【技术领域】，尤其涉及一种液晶显示面板及其调校方法。
【背景技术】
[0002] 目前，如图1所示，薄膜晶体管液晶显示装置（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD)中的像素单元100通常是由一个薄膜晶体管（TFT)、存储 电容（Cst)、以及用于向液晶分子施加电压的像素电极构成。
[0003] 图2为上述像素单元的信号波形图。其中，采用现有技术的像素单元结构进行显 示时，像素电极的电压节点P中的电压（Vp)，即与存储电容相关的电压在栅极线的电压由 高电平电压跃迁至低电平电压的瞬间，只下降了 Λ Vp (跳变电压），即像素电极的电压发生 了 Δ V的波动从而导致了 TFT-IXD显示画面中出现闪烁现象（Flicker)，不仅降低了显示质 量，而且导致观看者长时间观看后出现眼睛疲劳甚至头晕等问题。
[0004] 通常，Λ Vp由下式表示： 「00051 AK? = (FWj-FW)·-^-； L」 (Cgs + Clc + Csl)
[0006] 其中，Vgh、Vgl分别为驱动TFT的栅极的高电平电压和低电平电压，Cgs、Clc、以及 Cst分别为寄生电容、液晶电容、以及存储电容。
[0007] 由于TFT-IXD不可避免地存在上述的像素电极的反冲电压AVp，因此，在TFT-IXD 出厂前，通常将公共电极的基准电压调试到使画面闪烁的程度最小的某一固定值（Vcom)。 而随着TFT-LCD使用时间的延长，以及使用环境的改变（如温度、湿度等条件的改变），电容 Cgs、电容Clc、以及电容Cst中的一个或多个电容的电容值相比于出厂时的理论数值会发 生变化，使得上述Λ Vp的表达式中，电容比值发生变化，导致出厂时的Λ Vp变化为Λ Vp'。
[0008] 由于此时原出厂设定的Λ Vp发生了变化，导致公共电极的原基准电压Vcom的数 值不再能维持画面闪烁的程度为最小，导致TFT-LCD显示画面的闪烁程度将大幅度提高， 严重影响显示品质。
[0009] 因此，此时需要根据Λνρ到AVp'的变化量，来实时调整出厂时设定的公共电极 的基准电压Vcom为Vcom'，以使调整后的公共电极的基准电压Vcom'维持画面闪烁的程度 为最小。
[0010] 然而，在TFT-LCD发生画面闪烁现象需要对公共电极的原出厂预设的基准电压进 行调准的过程中，发明人发现现有技术中至少存在如下问题：
[0011] 由于在像素单元结构中，电容Cgs、电容Clc、以及电容Cst的电容值的变化情况难 以直接测量，即像素单元中的电容比值CgsACgs+Clc+Cst)难以确定，使得TFT-LCD出厂时 设定的AVp的变化量无法确定，难以实现根据环境情况的变化对公共电极的原基准电压 Vcom进行实时调整，导致公共电极的基准电压Vcom无法使得TFT-LCD的画面闪烁程度维持 在最小的程度，严重影响观看效果。
【发明内容】
[0012] 鉴于此，为克服现有技术的缺陷，本发明的实施例提供一种液晶显示面板及其调 校方法，一方面可实现实时监控像素单元中的电容比值的变化情况；另一方面可实现根据 液晶显示面板环境变化的情况实时调整公共电极的基准电压值，以使液晶显示面板上画面 闪烁的现象维持为最低的程度。
[0013] 为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
[0014] 一方面、本发明实施例提供了一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括，阵列基 板，包括呈矩阵排列的多个像素单元；其中，所述像素单元包括，第一晶体管和第二晶体管； 第一数据线，连接所述第一晶体管的第一极与测试输入信号源；第二数据线，连接所述第二 晶体管的第一极与数据信号源；第一数据线连接线，连接所述第一晶体管的第二极与所述 第二数据线；第一栅极线，连接所述第一晶体管的栅极与开启信号源；第二栅极线，连接所 述第二晶体管的栅极与扫描信号源；第二栅极线连接线，连接所述第二栅极线与测试输出 信号源；像素电极，连接所述第二晶体管的第二极相连；且所述像素电极与所述第二栅极 线有重叠；所述液晶显示面板还包括公共电极；所述公共电极连接公共电极信号源。
[0015] 其中，所述测试输入信号源用于提供测试输入电压VI，所述开启信号源用于提供 使所述第一晶体管导通的开启电压VE，以使所述测试输出信号源输出的测试输出电压V2 等于： 「mifil ν1 = *---- L0016J (CV.v + Clc + Cst).
[0017] 其中，Cgs为由所述第二晶体管的栅极与所述第二晶体管的第一极所构成的寄生 电容；Clc为由所述像素电极与所述公共电极所构成的液晶电容；Cst为由所述像素电极与 所述第二栅极线所构成的存储电容。
[0018] 优选的，所述第二栅极线连接线，连接所述第二栅极线与测试输出信号源，包括， 所述第二栅极线连接线通过栅绝缘层上的过孔与所述第二栅极线连接，且所述第二栅极线 连接线连接测试输出信号源。
[0019] 优选的，所述第一数据线与所述第一晶体管的第一极为一体结构。
[0020] 优选的，所述第一数据线连接线与所述第一晶体管的第二极为一体结构。
[0021] 优选的，所述第一栅极线与所述第一晶体管的栅极为一体结构。
[0022] 在上述基础上优选的，所述第一晶体管的第一极、所述第二晶体管的第一极均为 源极；所述第一晶体管的第二极、所述第二晶体管的第二极均为漏极。
[0023] 在上述基础上优选的，所述第一晶体管、所述第二晶体管均为N型晶体管；或，所 述第一晶体管、所述第二晶体管均为P型晶体管。
[0024] 在上述基础上优选的，所述第一晶体管、所述第二晶体管均为耗尽型薄膜晶体管； 或，所述第一晶体管、所述第二晶体管均为增强型薄膜晶体管。
[0025] 另一方面、本发明实施例还提供了一种上述的所述的液晶显示面板的画面闪烁的 调校方法；其中，所述液晶显示面板的公共电极连接于公共电极信号源，所述公共电极信号 源用于提供预设的第一基准电压；所述液晶显示面板的像素电极具有预设的第一跳变电压 AVpl ;其中，Λ Vpl = (Vgh-Vgl) · β 1 ;β 1为发生画面闪烁现象前，所述液晶显示面板的 像素单元的电容比值：
[0026] β1~ ^Cgs + C!c + C.s!).
[0027] Cgs为由第二晶体管的第一极与第二晶体管的栅极所构成的寄生电容；Clc为由 所述像素电极与所述公共电极所构成的液晶电容；Cst为由所述像素电极与第二栅极线所 构成的存储电容；Vgh为向所述第二晶体管的栅极施加的扫描信号源的高电平电压；Vgl为 向所述第二晶体管的栅极施加的扫描信号源的低电平电压；其特征在于，所述调校方法包 括，
[0028] 获取所述液晶显示面板的像素单元发生画面闪烁现象后的第二电容比值β 2。其 中，所述第二电容比值为：
[0029] /)2 = (cgs^+csn;
[0030] Cgs'为对应于发生画面闪烁现象后，由第二晶体管的第一极与第二晶体管的栅极 所构成的寄生电容；Clc'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极与所述公共电极 所构成的液晶电容；Cst'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极与第二栅极线所 构成的存储电容；
[0031] 获取所述液晶显示面板的像素单元发生画面闪烁现象后的所述像素电极的第二 跳变电压 AVp2 ;其中，AVp2 = (Vgh-Vgl) · β2 ;
[0032] 根据所述第二跳变电压与所述第一跳变电压之间的差值，调节所述公共电极的第 一基准电压 Vcoml 为第二基准电压 Vcom2 ;其中，Vcom2 = Vcoml-1 Δ Vp2_ Δ Vpl |。
[0033] 优选的，所述获取所述液晶显示面板的像素单元发生画面闪烁现象后的第二电容 比值β 2 ;其中，所述第二电容比值为： Cgs'
[0034] ^ ' (Cgs'+CIc'+Csr).
[0035] Cgs'为对应于发生画面闪烁现象后，由第二晶体管的第一极与第二晶体管的栅极 所构成的寄生电容；Clc'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极与所述公共电极 所构成的液晶电容；Cst'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极与第二栅极线所 构成的存储电容，具体包括，
[0036] 当所述液晶显示面板发生画面闪烁现象后，不向第二数据线输入数据信号源，不 向第二栅极线输入扫描信号源；向第一数据线输入测试输入信号源，向第一栅极线输入开 启信号源，导通第一晶体管、第二晶体管，并对寄生电容、液晶电容、以及存储电容进行充 电；
[0037] 通过所述测试输入信号源，从所述第二栅极线输出对应的测试输出信号源，对所 述测试输入信号源的不同取值的测试输入电压与对应的测试输出电压进行数据处理，得到 所述液晶显示面板发生画面闪烁现象后的第二电容比值β2 ;其中，所述第二电容比值为：
[0038] / K1 (C^s'+CIc'+Csr). ?
[0039] Cgs'为对应于发生画面闪烁现象后，由第二晶体管的第一极与第二晶体管的栅极 所构成的寄生电容；Clc'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极与所述公共电极 所构成的液晶电容；Cst'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极与第二栅极线所 构成的存储电容。
[0040] 通过本发明实施例提供的所述液晶显示面板，对所述第二栅极线不输入所述扫描 信号源、且对所述第二数据线不输入所述数据信号源时，通过对所述第一数据线输入一系 列取值不同的测试输入信号源，可从所述第二栅极线连接线输出一系列取值与对应的测试 输出信号源，由于本发明实施例提供的所述液晶显示面板01的等效电路图使得所述测试 输出信号源输出的测试输出电压V2满足以下关系式： 「00411 V2 = V\·-^- L0041J (Cgs + Clc + Csi).
[0042] 因此，由上述的液晶显示面板即可实时检测得到像素单元中，电容Cgs、电容Clc、 以及电容Cst之间的电容比值，从而可实时地获取液晶显示面板出厂时设定的Λ Vp发生的 变化量，从而可以根据环境情况的变化情况对公共电极的原基准电压Vcom进行实时调整， 使得公共电极的基准电压Vcom实时保持在使液晶显示面板的显示画面闪烁程度最小的数 值上，保持了液晶显示面板良好的显示品质。
【专利附图】
【附图说明】
[0043] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。
[0044] 图1为现有技术提供的一种像素单元的等效电路图；
[0045] 图2为现有技术提供的一种像素单元的信号波形图；
[0046] 图3为本发明实施例提供的一种液晶显示面板的结构示意图；
[0047] 图4为沿图3中A-A'方向的剖面结构示意图；
[0048] 图5为图3所不的液晶显不面板的等效电路不意图；
[0049] 图6为沿图3中B-B'方向的剖面结构示意图；
[0050] 图7为本发明实施例提供的一种液晶显示面板画面闪烁的调校方法流程示意图；
[0051] 图8为本发明实施例提供的一种液晶显示面板画面闪烁的调校方法的信号源时 序图；
[0052] 图9为本发明实施例提供的一种液晶显示面板画面闪烁的调校方法中得到的测 试输入电压-测试输出电压的关系图。
【专利附图】
【附图说明】 [0053] ：
[0054] 01-液晶显示面板；10-阵列基板；100-像素单元；101-第一晶体管；G1(U-第 一晶体管的栅极；S 1(I1-第一晶体管的第一极；D1(I1-第一晶体管的第二极；102-第二晶体 管；G 1(I2-第二晶体管的栅极；S1(I2-第二晶体管102的第一极；D1(I2-第二晶体管的第二极； 103-第一数据线；104-第二数据线；105-第一数据线连接线；106-第一栅极线；107-第 二栅极线；108-第二栅极线连接线；109-像素电极；110-钝化层；110a-钝化层上的过孔； 111-栅绝缘层；111a-栅绝缘层上的过孔；20-彩膜基板；201-公共电极；30-液晶层。
【具体实施方式】
[0055] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0056] 本发明实施例提供了一种液晶显示面板01，如图3、图4所示，所述液晶显示面板 01包括，阵列基板10 (图3中未标示出），所述阵列基板10包括呈矩阵排列的多个像素单元 1〇〇 ;其中，所述像素单元1〇〇包括，第一晶体管101和第二晶体管102 ;第一数据线103,连 接所述第一晶体管的第一极S1(11与测试输入信号源；第二数据线104,连接所述第二晶体管 102的第一极5 1(12与数据信号源；第一数据线连接线105,连接所述第一晶体管的第二极01(11 与所述第二数据线104 ;第一栅极线106,连接所述第一晶体管的栅极G1(ll与开启信号源；第 二栅极线107,连接所述第二晶体管的栅极G 1(l2与扫描信号源；第二栅极线连接线108,连接 所述第二栅极线107与测试输出信号源；像素电极109,连接所述第二晶体管的第二极D 1Q2 相连；且所述像素电极109与所述第二栅极线107有重叠；彩膜基板20 (仅在图4中示意 出），包括公共电极201 (仅在图4中示意出）；所述公共电极201连接公共电极信号源；液 晶层30 (仅在图4中示意出），位于所述阵列基板10与所述彩膜基板20之间。
[0057] 需要说明的是，公共电极可以设置在彩膜基板上也可以设置在阵列基板上，本发 明实施例中以公共电极设置在彩膜基板上为例。
[0058] 其中，所述测试输入信号源用于提供测试输入电压VI，所述开启信号源用于提供 使所述第一晶体管101导通的开启电压VE，以使所述测试输出信号源输出的测试输出电压 V2等于以下表达式： 「00591 V2 = V\·--- L0059J (Cg.v + Clc + Csi).
[0060] 其中，Cgs为由所述第二晶体管的栅极G1(l2与所述第二晶体管的第一极S 1(ll所构成 的寄生电容；Clc为由所述像素电极109与所述公共电极201所构成的液晶电容；Cst为由 所述像素电极109与所述第二栅极线107所构成的存储电容。
[0061] 需要说明的是，第一、图4中仅以所述像素电极109与所述第二晶体管的第二极 D1(12位于不同层时进行说明，即当二者位于不同层时，所述像素电极109可通过例如所述阵 列基板10中的钝化层110上的过孔110a与所述第二晶体管的第二极D 1(l2相连；当然，当二 者位于同层时，所述像素电极109与所述第二晶体管的第二极D1(l2可通过搭接的方式直接 相连。
[0062] 第二、对所述开启信号的电压值不作限定，以能够使所述第一晶体管101导通为 准。
[0063] 第三、上述液晶显示面板01具体可以是液晶显示装置，可以为液晶显示器、液晶 电视、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或者部件。
[0064] 如图5所示，结合上述的液晶显示面板01的等效电路图可知，当对所述第二栅极 线107不输入所述扫描信号源（图中标记为Gate)、且对所述第二数据线104不输入所述数 据信号源（图中标记为Data)时，通过对所述第一数据线103输入一系列取值不同的测试 输入信号源（图中标记为VI)，可从所述第二栅极线连接线108输出一系列取值与VI对应 的测试输出信号源（图中标记为V2)，由于本发明实施例提供的所述液晶显示面板01的等 效电路图使得所述测试输出信号源输出的测试输出电压V2满足以下关系式：
[0065] (Cgs + CIc + Cst).
[0066] 因此，由上述的液晶显示面板01即可实时检测得到像素单元中，电容Cgs、电容 Clc、以及电容Cst之间的电容比值，从而可实时地获取液晶显示面板出厂时设定的Λ Vp发 生的变化量，从而可以根据环境情况的变化情况对公共电极的原基准电压Vcom进行实时 调整，使得公共电极的基准电压Vcom实时保持在使液晶显示面板的显示画面闪烁程度最 小的数值上，保持了液晶显示面板良好的显示品质。
[0067] 在上述基础上，考虑到简化所述液晶显示面板01的构图工艺，所述第二栅极线连 接线108与所述第二栅极线107之间的连接方式可参考以下方式：
[0068] 如图6所示，所述第二栅极线连接线108通过栅绝缘层111上的过孔111a与所述 第二栅极线107连接，且所述第二栅极线连接线108连接测试输出信号源。
[0069] 此处，为了进一步简化所述液晶显示面板01的结构，优选的，参考图3所示，所述 第一数据线103与所述第一晶体管101的第一极S 1(ll为一体结构。
[0070] 同样的，参考图3所示，所述第一数据线连接线105与所述第一晶体管101的第二 极D1(ll为一体结构。
[0071] 再同样的，参考图3所示，所述第一栅极线106与所述第一晶体管101的栅极G1(ll 为一体结构。
[0072] 在上述基础上，所述第一晶体管101的第一极S1(ll、所述第二晶体管102的第一极 S1Q2均为源极；所述第一晶体管101的第二极〇1(11、所述第二晶体管102的第二极0 1(12均为漏 极。
[0073] 进一步的，考虑到应尽可能地简化所述像素单元结构的复杂性，所述第一晶体管 101与所述第二晶体管102具有相同的结构类型，即二者可以均为N型晶体管，或均为P型 晶体管。
[0074] 同样的，所述第一晶体管101与所述第二晶体管102具有相同的晶体管形态，即二 者均为增强型（阀值电压为正）薄膜晶体管或均为耗尽型（阀值电压为负）薄膜晶体管。
[0075] 本发明实施例还提供了一种上述的所述液晶显示面板01的画面闪烁的调校方 法。
[0076] 参考图3、4所示，所述液晶显示面板01的公共电极201连接于公共电极信号源， 所述公共电极信号源用于提供预设的第一基准电压；所述液晶显示面板01的像素电极109 具有预设的第一跳变电压AVpl ;所述第一跳变电压的表达式为：
[0077] Δ Vpl = (Vgh-Vgl) · β 1 ；
[0078] 其中，β 1为发生画面闪烁现象前，所述液晶显示面板01的像素单元100的电容 比值，β 1的表达式为：
[0079] - Jcgs + Ck + Cst).
[0080] Cgs为由第二晶体管102的第一极S1Q2与第二晶体管102的栅极G1Q2所构成的寄 生电容；Clc为由所述像素电极109与所述公共电极201所构成的液晶电容；Cst为由所述 像素电极109与第二栅极线107所构成的存储电容；Vgh为向所述第二晶体管102的栅极 G1(l2施加的扫描信号源的高电平电压；Vgl为向所述第二晶体管102的栅极G1(l2施加的扫描 信号源的低电平电压。
[0081] 如图7所示，所述调校方法包括：
[0082] S01、获取所述液晶显示面板01的像素单元100发生画面闪烁现象后的第二电容 比值β 2。所述第二电容比例的表达式为：
[0083] y?2= , (Cgs'+Uc'+Csi').
[0084] 其中，Cgs'为对应于发生画面闪烁现象后，由第二晶体管的第一极与第二晶体管 的栅极所构成的寄生电容；Clc'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极与所述公 共电极所构成的液晶电容；Cst'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极与第二栅 极线所构成的存储电容。
[0085] S02、获取所述液晶显示面板01的像素单元100发生画面闪烁现象后的所述像素 电极109的第二跳变电压AVp2。其中，所述第二跳变电压的表达式为：
[0086] Δ Vp2 = (Vgh-Vgl) · β 2 ；
[0087] S03、根据所述第二跳变电压与所述第一跳变电压之间的差值，调节所述公共电极 的第一基准电压Vcoml为第二基准电压Vcom2。其中，所述第二基准电压的表达式为：
[0088] Vcom2 = Vcoml-| Δ Vp2- Δ Vpl | ；
[0089] 进一步的，上述步骤SOI具体可包括以下2个子步骤：
[0090] S11、参考图5所示，当所述液晶显示面板01发生画面闪烁现象后，不向第二数据 线104输入数据信号源，不向第二栅极线107输入扫描信号源；向第一数据线103输入测试 输入信号源（VI)，向第一栅极线106输入开启信号源（VE)，导通第一晶体管101、第二晶体 管102,并对寄生电容、液晶电容、以及存储电容进行充电
[0091] 此时，如图8所示，所述液晶显示面板01即进入测试阶段，所述第二数据线104、所 述第二栅极线107的信号状态即处于"悬空状态"。
[0092] S12、通过所述测试输入信号源，从所述第二栅极线107输出对应的测试输出信号 源，对所述测试输入信号源的不同取值的测试输入电压与对应的测试输出电压进行数据处 理，得到所述液晶显示面板发生画面闪烁现象后的第二电容比值β 2。所述第二电容比值的 表达式为： Cg.v!
[0093] / - n ^Cgs'+CIc'+Csl').
[0094] 其中，Cgs'为对应于发生画面闪烁现象后，由第二晶体管102的第一极51(12与第二 晶体管102的栅极G 1(l2所构成的寄生电容；Clc'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素 电极109与所述公共电极201所构成的液晶电容；Cst'为对应于发生画面闪烁现象后，由 所述像素电极109与第二栅极线107所构成的存储电容。
[0095] 需要说明的是，对于测试输入电压（VI)，当其取值得到某一阈值范围后，从所述第 二栅极线107处才能测得相应的测试输出电压（V2);因此，考虑到对VI与V2的数据处理 的简便性，此处，可利用最小二乘法（即一种数据优化技术，它通过最小化误差的平方和寻 找数据的最佳函数匹配）对VI与V2的数值结果进行数据处理，得到如图9所示的函数关 系图；其中，由图9得到的是斜率为V1/V2的表达式，即上述电容比值的倒数。当需要实时 确定所述液晶显示面板01的像素单元100发生画面闪烁现象后的所述像素电极109的第 二跳变电压AVp2时，只需要将图9中测得的斜率进行倒数处理即可得到实时的电容的变 化比值。
[0096] 需要说明的是，本发明所有附图是上述的液晶显示面板及其等效电路的简略的示 意图，只为清楚描述本方案体现了与发明点相关的结构，对于其他的与发明点无关的结构 是现有结构，在附图中并未体现或只体现部分。
[0097] 以上所述，仅为本发明的【具体实施方式】，但本发明的保护范围并不局限于此，任何 熟悉本【技术领域】的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵 盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
【权利要求】
1. 一种液晶显示面板，其特征在于，包括， 阵列基板，包括呈矩阵排列的多个像素单元；其中，所述像素单元包括， 第一晶体管和第二晶体管； 第一数据线，连接所述第一晶体管的第一极与测试输入信号源； 第二数据线，连接所述第二晶体管的第一极与数据信号源； 第一数据线连接线，连接所述第一晶体管的第二极与所述第二数据线； 第一栅极线，连接所述第一晶体管的栅极与开启信号源； 第二栅极线，连接所述第二晶体管的栅极与扫描信号源； 第二栅极线连接线，连接所述第二栅极线与测试输出信号源； 像素电极，连接所述第二晶体管的第二极相连；且所述像素电极与所述第二栅极线有 重叠； 还包括： 公共电极；所述公共电极连接公共电极信号源； 其中，所述测试输入信号源用于提供测试输入电压VI，所述开启信号源用于提供使所 述第一晶体管导通的开启电压VE，以使所述测试输出信号源输出的测试输出电压V2等于：
Cgs为由所述第二晶体管的栅极与所述第二晶体管的第一极所构成的寄生电容； Clc为由所述像素电极与所述公共电极所构成的液晶电容； Cst为由所述像素电极与所述第二栅极线所构成的存储电容。
2. 根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第二栅极线连接线，连接所 述第二栅极线与测试输出信号源，包括， 所述第二栅极线连接线通过栅绝缘层上的过孔与所述第二栅极线连接，且所述第二栅 极线连接线连接测试输出信号源。
3. 根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一数据线与所述第一晶 体管的第一极为一体结构。
4. 根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一数据线连接线与所述 第一晶体管的第二极为一体结构。
5. 根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一栅极线与所述第一晶 体管的栅极为一体结构。
6. 根据权利要求1至5任一项所述的液晶显示面板，其特征在于， 所述第一晶体管的第一极、所述第二晶体管的第一极均为源极； 所述第一晶体管的第二极、所述第二晶体管的第二极均为漏极。
7. 根据权利要求1至5任一项所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一晶体管、所 述第二晶体管均为N型晶体管；或， 所述第一晶体管、所述第二晶体管均为P型晶体管。
8. 根据权利要求1至5任一项所述的液晶显示面板，其特征在于，所述第一晶体管、所 述第二晶体管均为耗尽型薄膜晶体管；或， 所述第一晶体管、所述第二晶体管均为增强型薄膜晶体管。
9. 一种如权利要求1至8任一项所述的液晶显示面板的画面闪烁的调校方法；其中， 所述液晶显示面板的公共电极连接于公共电极信号源，所述公共电极信号源用于提供预设 的第一基准电压；所述液晶显示面板的像素电极具有预设的第一跳变电压AVpl ;其中， Λ Vpl = (Vgh-Vgl) · β 1 ; β 1为发生画面闪烁现象前，所述液晶显示面板的像素单元的电 容比值，
Cgs为由第二晶体管的第一极与第二晶体管的栅极所构成 的寄生电容；Clc为由所述像素电极与所述公共电极所构成的液晶电容；Cst为由所述像素 电极与第二栅极线所构成的存储电容；Vgh为向所述第二晶体管的栅极施加的扫描信号源 的高电平电压；Vgl为向所述第二晶体管的栅极施加的扫描信号源的低电平电压；其特征 在于，所述调校方法包括， 获取所述液晶显示面板的像素单元发生画面闪烁现象后的第二电容比值β 2 ;其中，
〕gs'为对应于发生画面闪烁现象后，由第二晶体管的第一极与第 二晶体管的栅极所构成的寄生电容；Clc'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极 与所述公共电极所构成的液晶电容；Cst'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极 与第二栅极线所构成的存储电容； 获取所述液晶显示面板的像素单元发生画面闪烁现象后的所述像素电极的第二跳变 电压 AVp2 ;其中，AVp2 = (Vgh-Vgl) · β2 ; 根据所述第二跳变电压与所述第一跳变电压之间的差值，调节所述公共电极的第一基 准电压 Vcoml 为第二基准电压 Vcom2 ;其中，Vcom2 = Vcoml-| Λ Vp2_ Λ Vpl |。
10. 根据权利要求9所述的调校方法，其特征在于，所述获取所述液晶显示面板的像素 单元发生画面闪烁现象后的第二电容比值β 2 ;其中，
Cgs'为对应 于发生画面闪烁现象后，由第二晶体管的第一极与第二晶体管的栅极所构成的寄生电容； Clc'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极与所述公共电极所构成的液晶电容； Cst'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素电极与第二栅极线所构成的存储电容，具 体包括， 当所述液晶显示面板发生画面闪烁现象后，不向第二数据线输入数据信号源，不向第 二栅极线输入扫描信号源；向第一数据线输入测试输入信号源，向第一栅极线输入开启信 号源，导通第一晶体管、第二晶体管，并对寄生电容、液晶电容、以及存储电容进行充电； 通过所述测试输入信号源，从所述第二栅极线输出对应的测试输出信号源， 对所述测试输入信号源的不同取值的测试输入电压与对应的测试输出电压进行数 据处理，得到所述液晶显示面板发生画面闪烁现象后的第二电容比值β 2;其中，
Cgs'为对应于发生画面闪烁现象后，由第二晶体管的第一极 与第二晶体管的栅极所构成的寄生电容；Clc'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素 电极与所述公共电极所构成的液晶电容；Cst'为对应于发生画面闪烁现象后，由所述像素 电极与第二栅极线所构成的存储电容。
【文档编号】G02F1/133GK104298032SQ201410422719
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2014年8月25日 优先权日:2014年8月25日
【发明者】吴昊, 于洪俊, 朱红 申请人:京东方科技集团股份有限公司, 北京京东方光电科技有限公司
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