一种液晶va模式的配向方法
【专利摘要】本发明提供一种液晶VA模式的配向方法，液晶显示基板包括TFT侧基板、CF侧基板、以及夹设于TFT侧基板和CF侧基板之间的液晶，TFT侧基板和CF侧基板均包括相对的若干像素单元，每个像素单元均包括若干个不同色的子像素单元，其配向方法包括：第一步：以一个子像素单元的横向距离为TFT侧UV2A光罩的周期，将横向的子像素单元分左右两部分进行列方向的配向且配向方向相反；第二步：以一个子像素单元的纵向距离为CF侧UV2A光罩的周期，将纵向的子像素单元分上下两部分进行行方向的配向；其中，在行方向上子像素上下两部分的领域TFT侧配向层及CF侧配向层定义出的液晶分子倾斜角度不同。从而达到在每一子像素内形成8畴的显示效果。
【专利说明】—种液晶VA模式的配向方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种液晶VA模式的配向方法。
【背景技术】
[0002]UV2A(Ultra V1let Vertical Alignment)技术是一种米用紫外线(UV = UltraV1let)进行液晶配向的VA(Vertical Alignment,垂直配向)面板技术,其名称来源于紫外线UV与液晶面板VA模式的相乘。通过导入UV2A技术后，可以省去目前在VA模式液晶面板中用于控制液晶分子配向的狭缝隙和突起，因此通过UV2A技术液晶面板的开口率、对比度和响应速度都能得到提高，并能大幅削减生产程序。
[0003]图1为现有的UV2A配向方式示意图，液晶显示基板包括TFT侧基板2、CF侧基板
1、以及夹设于TFT侧基板2和CF侧基板I之间的液晶3，TFT侧基板包括纵横交错的扫描线10和数据线20、由扫描线10和数据线20交叉限定的若干子像素单元，每个像素单元包括若干不同色的子像素单元，每个子像素单元均设有一薄膜晶体管30和像素电极40，现有技术中在像素单元内形成多区域，各区域配向方向不同，以此获得较大视野角，图1所示在液晶只有图中左半部分配向倾斜方向的情形下，会形成如图1所示在视野角从左到右依次变化时，灰阶的由暗变亮的变化。在液晶只有图1中右半部分配向倾斜方向的情形下，会形成如图1所示在视野角从左到右依次变化时，灰阶的由亮变暗的变化。但是在形成多区域的情形下，如图中形成两种配向倾斜方向共存的情形下，则两种效果相互加和，形成灰阶相对均匀的效果，改善视差。
[0004]目前紫外光垂直配向模式下，8畴的显示模式一般是在一个像素单元中形成8区域，图2所示为紫外光垂直配向模式下形成8区域的结构示意图，如图2所示液晶显示基板包括纵横交错的扫描线10和数据线20、由扫描线10和数据线20交叉限定的若干子像素单元，每个子像素单元包括由同一扫描线10连接的上下两个薄膜晶体管30、以及分别位于该扫描线10两侧的第一像素电极41和第二像素电极42。
[0005]在图1所示意的液晶显示基板的一个子像素单元的横向距离(相邻数据线之间的间距)为TFT侧UV2A光罩重复单元的周期，TFT侧UV2A光罩的漏光缝隙覆盖该子像素单元的左半部分(图2中B所标示的方向)，遮光条覆盖子像素的右半部分(图2中A所标示的方向)；以该子像素单元的纵向距离为CF侧UV2A光罩的周期，CF侧UV2A光罩的漏光缝隙覆盖第一像素电极41的上半部分和第二像素电极42的上半部分(图2中D和D’所标示的方向)，CF侧UV2A光罩的漏光缝隙覆盖第一像素电极41的下半部分和第二像素电极42的下半部分(图2中C和C’所标示的方向)。
[0006]通过上述UV2A光罩配向的方式，形成四条黑线，该四条黑线分别位于第一像素电极41内相互垂直的黑线E、F和位于第二像素电极42内相互垂直的黑线G、H。
[0007]图2所示的设计中，通常可以通过双TFT分别像素电极41，42不同的电压，或者通过电容的改变使像素电极41，42的电压不同，这样会形成8畴的显示效果，液晶面板补偿更加充分、视野角更大、显示质量更加优秀，但这样也有相应的缺点:由于区域较多，形成的黑线数越多，透过率相应会减小；且8区域还伴随着双TFT的设计，需要将一个像素分为两个部分，这样像素充电的压力降低，可以充分充电，显示画面更加优秀，但是驱动电路复杂，占用开口区域，导致开口区域浪费以及透过率降低的问题。
【发明内容】
[0008]本发明揭示一种在一个子像素单元内形成8区域，减少显示区域的占用、提高像素开口率和透过率的液晶VA模式的配向方法，从而达到8畴的显示效果。
[0009]一种液晶VA模式的配向方法，液晶显示基板包括TFT侧基板、CF侧基板、以及夹设于TFT侧基板和CF侧基板之间的液晶，TFT侧基板和CF侧基板均包括相对的若干像素单元，每个像素单元均包括若干个不同色的子像素单元，定义沿着不同色子像素单元排列方向为行方向，垂直该横向方向的方向为列向方向，其配向方法包括如下步骤:
[0010]第一步:以一个子像素单元的横向距离为TFT侧UV2A光罩的周期，将横向的子像素单元分左右两部分进行列方向的配向且配向方向相反；
[0011]第二步:以一个子像素单元的纵向距离为CF侧UV2A光罩的周期，将纵向的子像素单元分上下两部分进行行方向的配向；
[0012]其中，在行方向上子像素上下两部分的领域TFT侧配向层及CF侧配向层定义出的液晶分子倾斜角度不同。
[0013]进一步，对所述步骤2中的纵向的子像素单元上下两部分的每部分再分割两部分，进行行方向的配向，且配向方向相反；
[0014]进一步，所述步骤2中的纵向的子像素单元上部分配向时紫外线光照射的角度与所述的TFT侧配向时紫外线光照射的角度相同；
[0015]进一步，所述步骤2中的纵向的子像素单元上下两部分配向时紫外线光照射的角度不冋；
[0016]进一步，所述的紫外线照射的角度范围为85°至90°。
[0017]有益效果:通过本发明的将在一子像素内进行8次光照配向的技术方案，从而达到在每一子像素内形成8畴的显示效果。对比现有技术需通过额外的TFT或者电容分别施加不同的液晶电压来实现各部分像素透过率不同而达到8畴的显示效果，本技术方案具有驱动简单，高开口率的显示效果。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]图1为现有的UV2A配向方式:同一个像素内相互补偿的示意图；
[0019]图2为现有液晶显示基板的UV2A配向模式形成8区域的结构示意图；
[0020]图3为本发明的像素结构示意图；
[0021]图4为本发明的一个实施例的光配向组合；
[0022]图5a?5g为本发明的光配向结构的7种组合；
[0023]其中，2、TFT侧基板，1、CF侧基板，3、液晶，1、扫描线，20、数据线，30、薄膜晶体管，40、像素电极，41、第一像素电极，42、第二像素电极。
【具体实施方式】
[0024]下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
[0025]本发明将利用光配向技术形成多域配向，液晶显示基板包括TFT侧基板、CF侧基板、以及夹设于TFT侧基板和CF侧基板之间的液晶。如图3所示，TFT侧基板包括纵横交错的扫描线10和数据线20、由扫描线10和数据线20交叉限定的若干子像素单元，每个像素单元包括三个子像素单元:分别为R子像素单元、G子像素单元和B子像素单元，每个子像素单元均设有一薄膜晶体管30和像素电极40。CF侧基板包括与TFF侧基板相对的若干像素单元。
[0026]在本发明中，定义沿着RGB三个不同色的子像素单元排列方向为行方向，垂直横向方向的方向为纵向方向。以横向一个子像素单元的距离为TFT侧UV2A光罩的周期和纵向一个子像素单元的距离为CF侧UV2A光罩的周期，图4所示的液晶显示基板的配向步骤如下:
[0027]第一步:以一个子像素单元的横向距离为TFT侧UV2A光罩的周期，TFT侧UV2A光罩的漏光缝隙覆盖该子像素单元的左半部进行照射；之后，TFT侧UV2A光罩的漏光缝隙覆盖该子像素单元的右半部进行照射；其中，两部分进行紫外线照射时，照射方向相反。即:该横向的子像素单元的左半部分与右半部分的配向方向相反。
[0028]第二步:以一个子像素单元的纵向距离为CF侧UV2A光罩的周期，将纵向的子像素单元分P和P’上下两部分，再将P和P’部分各分两部分，即将CF侧分成第一区域、第二区域、第三区域和第四区域4区域分进行配向。CF侧UV2A光罩的漏光缝隙覆盖该子像素单元的第一区域进行照射，完成第一区域的配向；CF侧UV2A光罩的漏光缝隙覆盖该子像素单元的第二区域进行照射，完成第二区域的配向。其中，第一区域与第二区域所进行的紫外线照射的方向相反。CF侧的P部分进行光配向时，紫外线光照射的角度与TFT侧紫外线照射的角度相同。
[0029]完成P部分的配向后，对P’部分进行配向，CF侧UV2A光罩的漏光缝隙覆盖该子像素单元的第三区域进行照射，完成第三区域的配向；CF侧UV2A光罩的漏光缝隙覆盖该子像素单元的第四区域进行照射，完成第四区域的配向。其中，第三区域与第四区域所进行的紫外线照射的方向相反。CF侧的P’部分进行光配向时，紫外线光照射的角度与P部分进行光配向时紫外线照射的角度不同。
[0030]图4所示的为TFT侧与CF侧光配向结构的组合的其一，其中第一行的方块表示TFT侧配向层的配向方向，第2行的方块表示CF侧配向层的配向方向，第3行的方块表示两者重叠的情况。TFT侧配向层的配向方向由左至右固定为下上，而CF侧配向层的配向方向由上至下分别为右左右左。按照此配向方向及上述步骤完成光配向后，因P和P’部分进行配向时，紫外光照射的角度不同，故P和P’两部分所对应液晶显示基板的领域被TFT侧配向层及CF侧配向层定义出的液晶分子倾斜角度不同。例如，当P部分对应液晶显示基板的领域被TFT侧配向层及CF侧配向层定义出的液晶分子倾斜角度为89°，通过改变P’部分进行配向时的紫外光照射的角度，我们会得到P’部分对应液晶显示基板的领域被TFT侧配向层及CF侧配向层定义出的液晶分子倾斜角度为88°。本方案中紫外线照射的角度范围为85°至90°。当施加相同液晶电压后，因P和P’两部分所对应液晶显不基板的领域的液晶分子的倾斜角度不同，故液晶分子的转动角度有偏差，从而导致像素透过率不同。进而达到在每一子像素内形成8畴的显示效果。
[0031]根据光照射的方向改变，还将得到如图5所示的7种TFT侧与CF侧光配向结构组合，其中第一行的方块表示TFT侧配向层的配向方向，第2行的方块表示CF侧配向层的配向方向，第3行的方块表示两者重叠的情况。无论上述哪种光配向结构组合，都将达到在每一子像素内形成8畴的显示效果。对比现有技术需通过额外的TFT或者电容分别施加不同的液晶电压来实现各部分像素透过率不同而达到8畴的显示效果，本技术方案具有驱动简单，高开口率的显示效果。
【权利要求】
1.一种液晶VA模式的配向方法，液晶显示基板包括TFT侧基板、CF侧基板、以及夹设于TFT侧基板和CF侧基板之间的液晶，TFT侧基板和CF侧基板均包括相对的若干像素单元，每个像素单元均包括若干个不同色的子像素单元，定义沿着不同色子像素单元排列方向为行方向，垂直该横向方向的方向为列向方向，其特征在于，其配向方法包括如下步骤: 第一步:以一个子像素单元的横向距离为TFT侧UV2A光罩的周期，将横向的子像素单元分左右两部分进行列方向的配向且配向方向相反； 第二步:以一个子像素单元的纵向距离为CF侧UV2A光罩的周期，将纵向的子像素单元分上下两部分进行行方向的配向； 其中，在行方向上子像素上下两部分的领域TFT侧配向层及CF侧配向层定义出的液晶分子倾斜角度不同。
2.根据权利要求1所述的一种液晶VA模式的配向方法，其特征在于:对所述步骤2中的纵向的子像素单元上下两部分的每部分再分割两部分，进行行方向的配向，且配向方向相反。
3.根据权利要求1所述的一种液晶VA模式的配向方法，其特征在于:所述步骤2中的纵向的子像素单元上部分配向时紫外线光照射的角度与所述的TFT侧配向时紫外线光照射的角度相同。
4.根据权利要求1所述的一种液晶VA模式的配向方法，其特征在于:所述步骤2中的纵向的子像素单元上下两部分配向时紫外线光照射的角度不同。
5.根据权利要求3或4所述的一种液晶VA模式的配向方法，其特征在于:所述的紫外线照射的角度范围为85°至90°。
【文档编号】G02F1/1337GK104238195SQ201410513923
【公开日】2014年12月24日 申请日期:2014年9月29日 优先权日:2014年9月29日
【发明者】刘文雄, 徐文伟 申请人:南京中电熊猫液晶显示科技有限公司