护眼式液晶显示装置的制造方法

文档序号:9686553阅读:235来源:国知局
护眼式液晶显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种护眼式液晶显示装置的制造方法。
【背景技术】
[0002]随着显示技术的发展,液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点,而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品,成为显示装置中的主流。
[0003]现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器,其包括液晶显示面板及背光模组(backlight module)。液晶显示面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子,两片玻璃基板中间有许多垂直和水平的细小电线,通过通电与否来控制液晶分子改变方向,将背光模组的光线折射出来产生画面。
[0004]通常液晶显示面板由彩膜(CF,Color Filter)基板、薄膜晶体管(TFT,Thin FilmTransistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成,其成型工艺一般包括:前段阵列(Array)制程(薄膜、黄光、蚀刻及剥膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板与CF基板贴合)及后段模组组装制程(驱动IC与印刷电路板压合)。其中,前段Array制程主要是形成TFT基板,以便于控制液晶分子的运动冲段Cell制程主要是在TFT基板与CF基板之间添加液晶;后段模组组装制程主要是驱动IC压合与印刷电路板的整合,进而驱动液晶分子转动,显示图像。
[0005]随着科技的发展,人们对液晶显示装置的依赖性越来越强烈,因此人们也越来越重视液晶显示装置对人体的危害。液晶显示装置发出的短波蓝光,其具有仅次于紫外线的能量,能够轻易的穿透眼球,直达视网膜,因此对人眼具有一定的损害。现有的一些具有护眼功能的液晶显示装置,其通过在液晶显示面板的出光侧粘贴防蓝光保护膜,以过滤掉波长在400nm以下的蓝光,但是防蓝光保护膜同时会降低液晶显示面板的显示亮度,从而影响液晶显示装置的背光率和穿透率。
[0006]故,有必要提供一种护眼式液晶显示装置的制造方法,以解决现有技术所存在的问题。

【发明内容】

[0007]本发明的目的在于提供一种护眼式液晶显示装置的制造方法,将损害人眼的紫外光及波长在400nm以下的短波蓝光转化为对人眼没有伤害的波长为400nm以上的长波蓝色可见光,既保护人眼,又不会降低液晶显示面板的显示亮度,保证液晶显示装置的背光率和穿透率。
[0008]为实现上述目的,本发明提供一种护眼式液晶显示装置的制造方法,包括如下步骤:
[0009]步骤1、制作一阵列基板,所述阵列基板包括第一衬底基板,位于第一衬底基板上的遮光层,位于遮光层、及基板上的缓冲层,位于所述缓冲层上的第一多晶硅段与第二多晶硅段,位于第一多晶硅段、第二多晶硅段、及缓冲层上的栅极绝缘层,位于所述栅极绝缘层上的第一栅极与第二栅极,位于所述第一栅极、第二栅极、及栅极绝缘层上的层间绝缘层,位于层间绝缘层上的第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极,位于所述第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、及层间绝缘层上的第一平坦层,位于第一平坦层上的公共电极,位于公共电极、及第一平坦层上的钝化层,以及位于钝化层上的像素电极;其中,所述第一平坦层中含有紫外发光材料和紫外线吸收剂;
[0010]步骤2、制作一彩膜基板,所述彩膜基板包括第二衬底基板、设于所述第二衬底基板上的黑色矩阵、设于所述黑色矩阵及第二衬底基板上的彩色光阻层、设于彩色光阻层上的第二平坦层、以及设于所述第二平坦层上的数个光阻间隙物;其中,所述第二平坦层中含有紫外发光材料和紫外线吸收剂;
[0011]步骤3、将所述阵列基板与彩膜基板对组,在所述阵列基板与彩膜基板之间注入液晶分子,密封后,得到一护眼式液晶显示面板;提供一背光模组,将所述护眼式液晶显示面板与背光模组组合后,制得一护眼式液晶显示装置;
[0012]所述阵列基板的第一平坦层、及所述彩膜基板的第二平坦层中的紫外线吸收剂可以吸收背光模组发出的波长在400nm以下的短波蓝光及紫外光,同时吸收的短波蓝光及紫外光可以激发所述紫外发光材料发出波长为400nm以上的长波蓝色可见光,从而既实现护眼功能,又不会降低液晶显示面板的显示亮度。
[0013]所述紫外发光材料为无机紫外发光材料或有机紫外发光材料。
[0014]所述无机紫外发光材料为3Ca3(P04)2.Ca(F,Cl)2:Sb,Mn、Y203:Eu、MgA111019:Ce,Tb, BaMg2Al 1602 7: Eu、锰激活的氟锗酸镁粉、锡激活的磷酸锌锶粉、YV04: Eu、Y (PV) 04:Eu、(BaSi203):Pb、〔(Ca,Zn)3(P04)2:Tl〕、Sr2P207:Eu、MgGa204:Mn和Zn2Si04:Mn中的任意一种或几种混合而成。
[0015]所述有机紫外发光材料为二苯乙烯联苯二磺酸钠、2,5_双-(5-叔丁基-2-苯并恶唑基)噻吩、1-对磺酰氨基苯基-3-对氯苯基-2-吡唑啉、苯二甲酰亚胺中的任意一种或几种混合而成。
[0016]所述紫外线吸收剂为有机紫外线吸收剂或无机紫外线吸收剂。
[0017]所述有机紫外线吸收剂为2-(2’_羟基-3’,5’_二叔丁基苯基)-5_氯代苯并三唑、2-羟基-4-正辛氧基二苯甲酮、(2-羟基-4-甲氧苯基)苯基酮、2-[ 2-羟基-5-( I,I,3,3-四甲丁基)苯基]苯并三唑、2-(2 ’-羟基-3 ’,5 ’-二特戊基苯基)苯骈三唑中的任意一种或几种混合而成。
[0018]所述无机紫外线吸收剂为纳米氧化锌、纳米氧化锡、纳米氧化铟锡、纳米氧化锡锑中的任意一种或几种混合而成。
[0019]所述步骤I中,所述阵列基板的制作方法具体包括如下步骤:
[0020]步骤11、提供第一衬底基板,在所述第一衬底基板上沉积第一金属层,对所述第一金属层进行图案化处理,得到遮光层;
[0021]步骤12、在所述遮光层、及第一衬底基板形成缓冲层,在所述缓冲层上形成多晶硅层,采用光刻制程对所述多晶硅层进行图案化处理,得到对应于遮光层上方的第一多晶硅段、及与第一多晶硅段间隔设置的第二多晶硅段;
[0022]步骤13、对所述第一多晶硅段的中间区域进行P型轻掺杂,得到第一沟道区,之后对所述第一多晶硅段的两端进行N型重掺杂,得到位于两端的N型重掺杂区;
[0023]步骤14、在所述第一多晶硅段、第二多晶硅段、及缓冲层上沉积栅极绝缘层,在所述栅极绝缘层上沉积第二金属层,对所述第二金属层进行图案化处理,得到分别对应于第一多晶硅段与第二多晶硅段上方的第一栅极与第二栅极;
[0024]步骤15、对所述第一多晶硅段上位于第一沟道区与N型重掺杂区之间的区域进行N型轻掺杂,得到轻掺杂漏区,之后对所述第二多晶硅段的两端进行P型重掺杂,得到位于两端的P型重掺杂区、及位于两P型重掺杂区之间的第二沟道区;
[0025]步骤16、在所述第一栅极、第二栅极、及栅极绝缘层上沉积层间绝缘层,通过光刻制程对所述层间绝缘层与栅极绝缘层进行图案化处理,在所述层间绝缘层与栅极绝缘层上形成对应于N型重掺杂区上方的第一过孔、及对应于P型重掺杂区上方的第二过孔;
[0026]步骤17、在所述层间绝缘层上沉积第三金属层,对所述第三金属层进行图案化处理,得到间隔设置的第一源极、第一漏极、第二源极、及第二漏极;所述第一源极、第一漏极分别通过第一过孔与N型重掺杂区相接触,所述第二源极、第二漏极分别通过第二过孔与P型重掺杂区相接触;
[0027]步骤18、在所述第一源极、第一漏极、第二源极、第二漏极、及层间绝缘层上涂布含有紫外发光材料和紫外线吸收
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