技术总结
本发明涉及一种超低衰减单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为3～5μm，芯层的相对折射率Δn1为0～0.20％，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层和外包层，所述的内包层半径r2为6～10μm，相对折射率Δn2小于或等于‑0.23％，所述的下陷内包层半径r3为10.5～20μm，相对折射率Δn3小于或等于‑0.40％，所述外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层，相对折射率Δn4小于或等于‑0.23％。本发明通过对芯包层进行不同材料组分设计，优化光纤各个部分粘度和光纤应力，降低了芯层和内包层玻璃材料在光纤制备过程中结构弛豫时间失配，减少了界面缺陷，并且芯层进行碱金属掺杂，有效降低芯层虚拟温度，从而实现单模光纤的超低衰减性能。
技术研发人员：朱继红;张磊;吴俊;艾靓;汪洪海;王瑞春
受保护的技术使用者：长飞光纤光缆股份有限公司
文档号码：201610702257
技术研发日：2016.08.22
技术公布日：2017.03.22