用于避免污染的定向的极紫外集光器的制作方法

本发明实施例涉及用于避免污染的定向的极紫外集光器，具体地涉及一种极紫外辐射源、一种极紫外辐射源以及一种产生极紫外辐射的方法。

背景技术：

光刻是一种通过用光辐射具有图案的光掩模以将图案转印至半导体衬底上面的光敏材料上。在半导体工业的历史上，通过减小光刻辐射源的曝光波长已经实现了较小的集成芯片最小的部件尺寸，从而提高了光刻分辨率。使用具有10nm和130nm之间的曝光波长的极紫外(EUV)光的极紫外(EUV)光刻是用于新兴技术节点(例如22nm、14nm、10nm等)的前景光明的新一代光刻解决方案。

技术实现要素：

根据本发明的一个实施例，提供了一种极紫外(EUV)辐射源，包括：燃料液滴发生器，配置为向EUV源容器提供多个燃料液滴；主激光器，配置为产生指向所述多个燃料液滴的主激光束，其中，所述主激光束具有足够的能量以点燃来自所述多个燃料液滴的发射极紫外辐射的等离子体；以及集光器反射镜，配置为将所述极紫外辐射聚焦至所述EUV源容器的出口孔，其中，定向所述集光器反射镜以使从所述集光器反射镜的顶点向外延伸的法向量以小于90°的角度与重力的方向相交。

根据本发明的另一实施例，还提供了一种EUV辐射源，包括：锡液滴发生器，配置为向EUV源容器提供多个锡液滴；二氧化碳(CO₂)激光器，配置为产生主激光束，其中，所述主激光束具有足够的能量以点燃来自所述多个锡液滴的发射极紫外辐射的等离子体；以及集光器反射镜，配置为将所述极紫外辐射聚焦至所述EUV源容器的出口孔，其中，所述集光器反射镜具有顶点，所述集光器反射镜位于横向邻近所述多个锡液滴和所述主激光束的交叉点并且垂直地位于所述交叉点之上的位置处。

根据本发明的又一实施例，还提供了一种产生极紫外(EUV)辐射的方法，包括：提供多个燃料液滴至EUV源容器内；用主激光束轰击所述多个燃料液滴以产生发射EUV辐射的等离子体；以及使用定向的集光器反射镜在焦点处聚焦所述EUV辐射，其中所述集光器反射镜被定向为使得从所述集光器反射镜的顶点向外延伸的法向量以小于90°的角度与重力的方向相交。

附图说明

当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明的实施例。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有按比例绘制并且仅仅用于说明的目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增大或缩小。

图1示出了具有为减少燃料液滴碎片(fuel droplet debris)污染而定向的集光器反射镜(collector mirror)的极紫外(EUV)辐射源的一些实施例的框图。

图2示出了具有为减少燃料液滴碎片污染而定向的集光器反射镜的EUV辐射源的一些额外的实施例。

图3示出了具有预脉冲激光器的EUV辐射源的一些额外的实施例的框图。

图4A至图4B示出了具有为减少燃料液滴碎片污染而定向的集光器反射镜的EUV辐射源的一些可选实施例的框图。

图5示出了具有为减少燃料液滴碎片污染而定向的集光器反射镜的EUV光刻系统的一些实施例的框图。

图6示出了EUV光刻系统的一些额外的实施例的框图。

图7示出了实施EUV光刻工艺的方法的一些实施例的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供了许多用于实现所提供主题的不同特征的不同实施例或实例。下面描述了组件和布置的具体实例以简化本发明。当然，这些仅仅是实例，而不旨在限制本发明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或者上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件形成为直接接触的实施例，并且也可以包括在第一部件和第二部件之间可以形成额外的部件，从而使得第一部件和第二部件可以不直接接触的实施例。此外，本发明可在各个实例中重复参考标号和/或字母。该重复是为了简单和清楚的目的，并且其本身不指示所讨论的各个实施例和/或配置之间的关系。

而且，为便于描述，在此可以使用诸如“在…之下”、“在…下方”、“下部”、“在…之上”、“上部”等的空间相对术语，以便于描述如图所示的一个元件或部件与另一个(或另一些)元件或部件的关系。除了图中所示的方位外，空间相对术语旨在包括器件在使用或操作中的不同方位。装置可以以其他方式定向(旋转90度或在其他方位上)，而在此使用的空间相对描述符可以同样地作相应的解释。

极紫外(EUV)光刻系统大体地使用具有13.5nm波长的极紫外辐射。产生最近出现的具有13.5nm波长辐射的一种方法是对锡(Sn)的液滴发射二氧化碳(CO₂)激光束。锡液滴通常提供至EUV源容器中。当液滴进入EUV源容器中时，CO₂激光束击中锡液滴并且加热锡液滴至产生锡的原子的临界温度以去除它们的电子并且变成电离的锡液滴的等离子体。电离的锡液滴发射包括光子的EUV辐射，光子具有约13.5nm的波长。

弯曲的集光器反射镜用于将EUV辐射聚焦至下游的具有光学组件的扫描仪，该光学组件配置为将EUV辐射聚焦至半导体工件上。在现代EUV辐射源中，定向集光器反射镜以面朝上，以使电离的锡液滴的等离子体形成在激光器反射镜上方。应该理解，当CO₂激光轰击锡液滴时，来自撞击的碎片可能从等离子体喷射并且由于重力落在集光器反射镜上。由于碎片收集在集光器反射镜上，集光器反射镜失去反射性。因此，为了保持高EUV能量，通常替换集光器反射镜。但是，集光器反射镜的替换是减少EUV辐射源的产生量的时间密集工艺。例如，每个月可能不得不替换集光器反射镜并且可能占用5天时间来替换，因此明显地减少了EUV辐射源的产生量。

本发明涉及具有定向的集光器反射镜的EUV辐射源以减少由燃料液滴碎片产生的污染，以及相关方法。在一些实施例中，EUV辐射源具有为EUV源容器提供多个燃料液滴的燃料液滴发生器。主激光器配置为产生指向多个燃料液滴的主激光束。主激光束具有足够的能量以点燃来自多个燃料液滴的等离子体，等离子体发射出极紫外辐射。使配置为聚焦极紫外辐射至EUV源容器的出口孔的集光器反射镜定向，以使从集光器反射镜的顶点向外延伸的法向量与重力的方向以小于90°的角相交。这样的集光器反射镜的定向防止燃料液滴的碎片落在集光器反射镜上，从而减少集光器反射镜上的碎片的堆积并且提高了EUV辐射源的产生量。

图1示出了具有为减少燃料液滴碎片污染而定向的集光器反射镜的极紫外(EUV)辐射源100的一些实施例的框图。

EUV辐射源100包括配置为产生多个燃料液滴104的燃料液滴发生器102。由燃料液滴发生器102产生的多个燃料液滴104提供至EUV源容器106中。在一些实施例中，多个燃料液滴104可以包括锡(Sn)。在其他实施例中，多个燃料液滴104可以包括不同的金属材料。

主激光器108配置为产生与燃料液滴104相交的主激光束110。在一些实施例中，主激光器108可以包括二氧化碳(CO₂)激光器。在其他实施例中，主激光器108可以包括可替换的激光器类型。当主激光束110轰击多个燃料液滴104时，主激光束110将多个燃料液滴104加热至临界温度。在临界温度下，燃料液滴104去除它们的电子并且变成包括多个离子的等离子体112。多个离子发射EUV辐射114(例如，具有约13.5nm的波长)。

集光器反射镜116布置在EUV源容器106内。集光器反射镜116具有围绕多个燃料液滴104和主激光束110的交叉弯曲的凹曲度，集光器反射镜116配置为将EUV辐射114聚焦至EUV源容器106的出口孔120。集光器反射镜116沿着集光器反射镜116的主轴定向以具有从集光器反射镜116的顶点(即，集光器反射镜116的几何中心)向外延伸的法向量116n。换言之，在顶点处，法向量116n垂直于集光器反射镜116的表面延伸。定向集光器反射镜116以使法向量116n以小于或等于90°的角Φ与重力118的方向相交。在一些实施例中，角Φ小于约90°。例如，在一些实施例中，角Φ可以小于约85°。在一些可选实施例中，角Φ可以小于约60°。

集光器反射镜116由于定向从而具有以小于或等于90°的角Φ与重力118的方向相交的法向量116n，集光器反射镜116具有位于横向邻近等离子体112和/或在等离子体112之上的位置处的顶点。该位置防止来自燃料液滴104的碎片下落(即，被重力加速)至集光器反射镜116上(例如，直接从或从EUV源容器106的内部表面脱落)，从而减少集光器反射镜116上的碎片的堆积并且减少不得不替换集光器反射镜116的频率(即，减少停止运行期并且提升使用EUV辐射源100的EUV工具的产生量)。

图2示出了具有带有角度的主激光器的EUV辐射源200的一些额外的实施例的框图。

EUV辐射源200包括锡液滴发生器202，锡液滴发生器202配置为产生多个锡液滴204并且沿着第一轨迹向EUV源容器206提供多个锡液滴204。在一些实施例中，第一轨迹可以与重力118的方向基本上相同。在其他实施例中，第一轨迹可以与重力118的方向不同。EUV源容器206包括保持真空(例如，在小于10^-2mbar的压力下)下的处理腔室。

二氧化碳(CO₂)主激光器208配置为产生主激光束210。主激光束210可以包括多个脉冲红外光。在一些实施例中，主激光束210可以具有集中围绕在约9um和约11um之间的范围的主波带以及具有大于或等于约11.9MeV的能量。主激光束210轰击多个锡液滴204以形成发射EUV辐射214的等离子体212。在一些实施例中，EUV辐射214可以具有约13.5nm的波长。

主激光束210延伸穿过位于EUV源容器206内的集光器反射镜218中的开口216。集光器反射镜218包括凹曲度并且定向以具有以非零角度相对于水平线旋转的法向量(例如，在垂直于重力118的第二方向上延伸)。在一些实施例中，集光器反射镜218可以包括具有交替的不同材料的层的多层涂层。例如，在一些实施例中，集光器反射镜218包括钼和硅的交替的层，其配置为起布拉格反射器的作用。

在一些实施例中，沿着集光器反射镜218的顶点定位集光器反射镜218中的开口216。在这样的实施例中，主激光束210遵循在与重力118的方向成小于约90°的角β的方向上延伸的轨迹。在一些实施例中，主激光束210配置为在交叉点与多个锡液滴204相交，该交叉点垂直地位于贯穿集光器反射镜218的顶点(即，中心)延伸的水平线220下方。由于集光器反射镜218的定向，因而这样的交叉点允许EUV辐射214被集光器反射镜218有效地收集。

在一些实施例中，锡液滴收集元件222可以位于锡液滴发生器202和集光器反射镜218下方。锡液滴收集元件222配置为收集在形成EUV辐射214期间未被汽化的锡液滴和/或在形成EUV辐射214期间产生的锡液滴的碎片。在一些实施例中，锡液滴发生器202和锡液滴收集元件222沿着与主激光束210的轨迹成小于90°的角相交的线对准。在一些实施例中，集光器反射镜218的第一侧与锡液滴发生器202分隔开第一横向距离L1，并且集光器反射镜218的第二相对侧与锡液滴收集元件222分隔开大于第一横向距离L1的第二横向距离L2。

集光器反射镜218的凹曲度向包括在EUV源容器206的出口孔内的中间焦点(IF)单元224聚焦由等离子体212产生的EUV辐射214。中间焦点(IF)单元224位于EUV源容器206和扫描仪226之间，扫描仪226包括配置为将EUV辐射214导向工件(例如，半导体衬底)的光学元件。在一些实施例中，中间焦点单元224可以包括配置为为EUV源容器206和扫描仪226之间的压力提供分离的锥形的孔。在一些实施例中，中间焦点单元224可以延伸至扫描仪226中。在一些实施例中，平分中间焦点单元224的线可以与集光器反射镜218的法向量对准以使扫描仪226内的中间焦点单元224的开口面向下。

在一些实施例中，EUV源容器206还包括锡碎片收集元件228，锡碎片收集元件228具有在集光器反射镜218和中间焦点单元224之间延伸的一个或多个有角度的表面229a、229b。一个或多个有角度的表面229a、229b配置为收集来自等离子体212的碎片(例如，锡液滴原子)。在一些实施例中，较低的有角度的表面229a垂直地位于集光器反射镜218下方。在这样的实施例中，随着较低的有角度的表面229a和集光器反射镜218的底部之间的水平距离增加，较低的有角度的表面229a和集光器反射镜218的底部之间的垂直距离增加。在一些额外地实施例中，较低的有角度的表面229a以大于角度β的第二角度γ与重力118的方向相交。在一些实施例中，一个或多个有角度的表面229a、229b可以包括配置为收集来自等离子体212的锡液滴原子的波状的表面。波状的表面增加了一个或多个有角度的表面229a、229b的表面面积以使更有效地收集来自等离子体212的碎片。

图3示出了具有预脉冲激光器的极紫外(EUV)辐射源300的一些额外的实施例的框图。

EUV辐射源300包括预脉冲激光器302，预脉冲激光器302配置为产生入射在由燃料液滴发生器102产生的多个燃料液滴104上的预脉冲激光束304。预脉冲激光束304具有小于由主激光器108产生的主激光束110的能量。预脉冲激光束304的能量(例如，小于11.9MeV)不足以点燃来自燃料液滴104的等离子体，但是能使燃料液滴104变形(例如，增加锡液滴的目标尺寸/直径)以产生变形的燃料液滴306。在一些实施例中，预脉冲激光器302可以包括具有低于主激光器108的能量的二氧化碳(CO₂)激光器。

在一些实施例中，预脉冲激光束304可以在第一方向上延伸，同时主激光束110在不平行于第一方向的第二方向上延伸。在一些实施例中，第一方向和第二方向可以以角度θ分隔开，角度θ在0°和90°的范围内。

图4A至图4B示出了包括为防止污染定向的集光器反射镜的EUV源的一些可选实施例。

图4A示出了极紫外(EUV)辐射源400的框图的一些额外的实施例的框图。

EUV辐射源400包括延伸穿过位于EUV源容器206内的集光器反射镜402中的开口404的主激光束110。集光器反射镜402内的开口404从集光器反射镜402的顶点401偏移，以使开口404位于相对于集光器反射镜402的曲度不对称的位置处。从沿着集光器反射镜402的主轴线的顶点401向外延伸的法向量402n以在0°和90°之间的非平行的角度δ与主激光束110相交。

在一些实施例中，开口404位于在与集光器反射镜402的顶点401和燃料液滴收集元件406之间垂直的位置处。在一些实施例中，开口404位于集光器反射镜402内的位置，其允许主激光束110沿着基本上垂直于重力118的方向的水平方向延伸。在一些这样的实施例中，主激光束110可以基本上平行于预脉冲激光束(例如，对应于图3中示出的预脉冲激光束304)。

图4B示出了图4A的集光器反射镜402的正视图408。如正视图408所示，集光器反射镜402内的开口404从集光器反射镜402的顶点401偏移。尽管开口404示出为圆形开口，应该理解，在可选实施例中，开口404可以具有不同的非圆形形状。

图5示出了EUV光刻系统500的一些额外的实施例的框图。

EUV光刻系统500包括具有配置为产生激光束504的CO₂激光源502的主激光器501。在一些实施例中，CO₂激光源502可以包括配置为放大由前阶段产生的激光的具有多个阶段的多阶段激光器。激光束504穿过配置为为聚焦系统508提供激光束的束传输系统506。聚焦系统508包括布置在束线内的一个或多个透镜508a、508b和/或反射镜并且配置为聚焦激光束504。激光束504从聚焦系统508输出至EUV源容器206。在一些实施例中，EUV源容器206可以通过一个或多个阻尼元件512连接至下面的源基座510。

激光束504遵循的轨迹与由锡液滴发生器202提供的多个锡液滴204相交以形成发射EUV辐射214的等离子体212，其中，锡液滴发生器202位于EUV源容器206的顶(ceiling)内。EUV辐射214由集光器反射镜218反射至中间焦点单元224，中间焦点单元224提供至扫描仪226的连接。定向集光器反射镜218以使从集光器反射镜218的顶点向外延伸的法向量以小于90°的角度与重力的方向相交。

扫描仪226包括具有配置为沿着半导体工件的表面扫描EUV辐射214的多个光学元件(例如，透镜和/或反射镜)的光具组。扫描仪226的光具组可以保持在真空下(例如，在压力小于10^-2mbar的情况下)以避免EUV辐射214的衰减。在一些实施例中，扫描仪226可以通过一个或多个阻尼元件518连接至下面的扫描仪基座516。

在一些实施例中，EUV光刻系统500可以包括配置为确定多个锡液滴204的位置和/或轨迹的液滴计量系统520。在一些实施例中，可以将来自液滴计量系统520的信息提供至聚焦系统508，聚焦系统508可以对激光束504的位置进行调节以使激光束504和多个锡液滴204的第一轨迹相交。

图6示出了EUV光刻系统600的一些额外的实施例的框图。尽管EUV光刻系统600示出为具有特定配置的组件，但是应该理解，可以在具有额外的部件(例如，额外的反射镜)或者在具有更少的组件(例如，更少的反射镜)的EUV光刻系统中执行公开的EUV辐射源。

EUV光刻系统600包括EUV辐射源601，其配置为向具有图案化的多层反射表面的EUV光掩模602(例如，包括钼和硅的交替的层)供应EUV辐射214(即，其波长在约10nm和约130nm之间的范围内)。在一些实施例中，EUV辐射源601配置为通过用主激光束210击中锡液滴204以产生包括离子的等离子体212来产生EUV辐射214，其中，包括离子的等离子体212发射波长在约10nm和约130nm之间的光子。

从EUV辐射源601输出的EUV辐射214通过中间焦点单元224被提供至聚光器606。在一些实施例中，聚光器606包括配置为聚焦EUV辐射214的第一表面608a和第二表面608b，以及配置为向EUV光掩模602反射EUV辐射612的反射器610。EUV光掩模602配置为反射EUV辐射612以在半导体工件604的表面上形成图案。为了产生图案，EUV光掩模602包括布置在EUV光掩模602的正面上的多个吸收部件614a至614c。多个吸收部件614a至614c配置为吸收EUV辐射612以使EUV辐射的反射线616传达由EUV光掩模602限定的图案。

通过包括用作透镜的一系列的第一至第四反射镜618a至618d的减少光学器件(reduction optics)来过滤EUV辐射616以减少由EUV辐射616携带的图案的尺寸。第四反射镜618d将EUV辐射616传达至设置在半导体工件604的表面上的光刻胶层上。EUV辐射图案化光刻胶层以使可以在半导体工件604的选择的区域上实施后续处理。

图7示出了实施EUV光刻工艺的方法700的一些实施例的流程图。

虽然本文将所公开的方法700示出和描述为一系列的步骤或事件，但是应当理解，所示出的这些步骤或事件的顺序不应解释为限制意义。例如，一些步骤可以以不同顺序发生和/或与除了本文所示和/或所述步骤或事件之外的其他步骤或事件同时发生。另外，并不要求所有示出的步骤都用来实施本文所描述的一个或多个方面或实施例。此外，可在一个或多个分离的步骤和/或阶段中执行本文所述步骤的一个或多个。

在步骤702中，将多个燃料液滴提供至EUV源容器内。在一些实施例中，多个燃料液滴可以包括锡液滴。

在步骤704中，在一些实施例中，可以用预脉冲激光器轰击多个燃料液滴的一个或多个。预脉冲激光器配置为使燃料液滴变形或改变燃料液滴的形状。

在步骤706中，用主激光束轰击多个燃料液滴的一个或多个。主激光束点燃来自燃料液滴的等离子体，等离子体发射出极紫外(EUV)辐射。在一些实施例中，主激光束可以包括由二氧化碳(CO₂)激光器产生的激光束。

在步骤708中，使用定向的集光器反射镜在焦点处聚焦EUV辐射，定向集光器反射镜以使从集光器反射镜的顶点向外延伸的法向量以小于90°的角度与重力的方向相交。

在步骤710中，通过具有图案化的多层反射表面(例如，包括钼和硅的交替层)的EUV光掩模(例如，中间掩模)将EUV辐射提供至工件。

因此，本发明涉及一种具有为减少由燃料液滴碎片产生的污染而定向的集光器反射镜的极紫外(EUV)辐射源，以及相关方法。

在一些实施例中，本发明涉及一种极紫外(EUV)辐射源。该EUV辐射源包括配置为向EUV源容器提供多个燃料液滴的燃料液滴发生器。EUV辐射源还包括配置为产生指向多个燃料液滴的主激光束的主激光器，其中，该主激光束具有足够的能量以点燃从多个燃料液滴发射极紫外辐射的等离子体。EUV辐射源还包括配置为聚焦极紫外辐射至EUV源容器的出口孔的集光器反射镜，其中，定向集光器反射镜以使从集光器反射镜的顶点向外延伸的法向量以小于90°的角度与重力的方向相交。

在其他实施例中，本发明涉及一种EUV辐射源。该EUV辐射源包括配置为向EUV源容器提供多个锡液滴的锡液滴发生器。该EUV辐射源还包括配置为产生主激光束的二氧化碳(CO₂)激光器，其中，该主激光束具有足够的能量以点燃来自多个锡液滴的发射极紫外辐射的等离子体。该EUV辐射源还包括配置为将极紫外辐射聚焦至EUV源容器的出口孔的集光器反射镜，其中，集光器反射镜具有顶点，该顶点横向邻近多个锡液滴和主激光束的交叉点并且垂直位于多个锡液滴和主激光束的交叉点之上。

在又一些其他的实施例中，本发明涉及一种产生极紫外(EUV)辐射的方法。该方法包括提供多个燃料液滴至EUV源容器内，并且用主激光束轰击多个燃料液滴以产生发射EUV辐射的等离子体。该方法还包括使用定向的集光器反射镜在焦点处聚焦EUV辐射，定向集光器反射镜以使从集光器反射镜的顶点向外延伸的法向量以小于90°的角度与重力的方向相交。

根据本发明的一个实施例，提供了一种极紫外(EUV)辐射源，包括：燃料液滴发生器，配置为向EUV源容器提供多个燃料液滴；主激光器，配置为产生指向所述多个燃料液滴的主激光束，其中，所述主激光束具有足够的能量以点燃来自所述多个燃料液滴的发射极紫外辐射的等离子体；以及集光器反射镜，配置为将所述极紫外辐射聚焦至所述EUV源容器的出口孔，其中，定向所述集光器反射镜以使从所述集光器反射镜的顶点向外延伸的法向量以小于90°的角度与重力的方向相交。

在上述EUV辐射源中，所述集光器反射镜具有延伸穿过所述集光器反射镜的所述顶点的开口；以及其中，所述主激光束沿着以小于90°的角度与所述法向量相交的第二轨迹延伸穿过所述开口。

在上述EUV辐射源中，所述多个燃料液滴沿着以小于90°的角度与所述法向量相交的第一轨迹提供至所述EUV源容器。

在上述EUV辐射源中，其中，所述集光器反射镜在与所述集光器反射镜的所述顶点偏移的位置处具有延伸穿过所述集光器反射镜的开口；以及其中，所述主激光束沿着以基本上直角的角度与所述第一轨迹相交的第二轨迹延伸穿过所述开口。

在上述EUV辐射源中，还包括：预脉冲激光器，配置为在所述主激光束击中所述多个燃料液滴之前产生使所述多个燃料液滴变形的预脉冲激光束，所述预脉冲激光束具有比所述主激光束的能量更低的能量；以及其中，所述预脉冲激光束在与所述主激光束的方向不平行的方向上延伸。

在上述EUV辐射源中，还包括：料液滴收集元件，位于所述燃料液滴发生器下方，其中，所述燃料液滴发生器和所述燃料液滴收集元件沿着以小于90°的角度与所述法向量相交的线对准。

在上述EUV辐射源中，所述集光器反射镜的第一侧与所述燃料液滴发生器分隔开第一横向距离，并且所述集光器反射镜的第二相对侧与所述燃料液滴收集元件分隔开大于所述第一横向距离的第二横向距离。

在上述EUV辐射源中，还包括：锡液滴收集元件，具有布置在所述EUV源容器的内部内且垂直地位于所述集光器反射镜下方的有角度的表面，其中，所述有角度的表面和所述集光器反射镜的底部之间的垂直距离随着所述有角度的表面和所述集光器反射镜的所述底部之间的横向距离的增加而增加。

在上述EUV辐射源中，还包括：中间焦点单元，包括布置在位于所述EUV源容器和下游的扫描仪之间的所述出口孔内的圆锥形孔，所述下游的扫描仪包括配置为将所述极紫外辐射传达至半导体工件的多个光学元件。

在上述EUV辐射源中，所述集光器反射镜设置在横向邻近所述多个燃料液滴和所述主激光束的交叉点并且垂直地位于所述交叉点之上的位置处。

在上述EUV辐射源中，所述主激光束配置为在交叉点处与所述多个燃料液滴相交，所述交叉点垂直地位于延伸穿过所述集光器反射镜的所述顶点的水平线下方。

根据本发明的另一实施例，还提供了一种EUV辐射源，包括：锡液滴发生器，配置为向EUV源容器提供多个锡液滴；二氧化碳(CO₂)激光器，配置为产生主激光束，其中，所述主激光束具有足够的能量以点燃来自所述多个锡液滴的发射极紫外辐射的等离子体；以及集光器反射镜，配置为将所述极紫外辐射聚焦至所述EUV源容器的出口孔，其中，所述集光器反射镜具有顶点，所述集光器反射镜位于横向邻近所述多个锡液滴和所述主激光束的交叉点并且垂直地位于所述交叉点之上的位置处。

在上述EUV辐射源中，定向所述集光器反射镜以使从所述集光器反射镜的所述顶点向外延伸的法向量以小于90°的角度与重力的方向相交。

在上述EUV辐射源中，其中，所述集光器反射镜具有延伸穿过所述集光器反射镜的所述顶点的开口；以及其中，所述主激光束沿着第二轨迹延伸穿过所述开口，所述第二轨迹以小于90°的角度与从所述集光器反射镜的所述顶点向外延伸的法向量相交。

在上述EUV辐射源中，还包括：预脉冲激光器，配置为在所述主激光束击中所述多个锡液滴之前产生使所述多个锡液滴变形的预脉冲激光束，所述预脉冲激光束具有比所述主激光束的能量更低的能量；以及其中，所述预脉冲激光束在与所述主激光束的方向不平行的方向上延伸。

在上述EUV辐射源中，还包括：锡液滴收集元件，具有垂直地位于所述集光器反射镜下方的布置在所述EUV源容器的内部内的有角度的表面，其中，所述有角度的表面和所述集光器反射镜的底部之间的垂直距离随着所述有角度的表面和所述集光器反射镜的所述底部之间的横向距离的增加而增加。

在上述EUV辐射源中，所述主激光束配置为，在垂直地位于延伸穿过所述集光器反射镜的中心或顶点的水平线下方的交叉点处，所述主激光束与所述多个锡液滴相交。

根据本发明的又一实施例，还提供了一种产生极紫外(EUV)辐射的方法，包括：提供多个燃料液滴至EUV源容器内；用主激光束轰击所述多个燃料液滴以产生发射EUV辐射的等离子体；以及使用定向的集光器反射镜在焦点处聚焦所述EUV辐射，其中所述集光器反射镜被定向为使得从所述集光器反射镜的顶点向外延伸的法向量以小于90°的角度与重力的方向相交。

在上述方法中，还包括：在用所述主激光束轰击所述多个燃料液滴之前用使所述多个燃料液滴变形的预脉冲激光束轰击所述多个燃料液滴，其中，所述预脉冲激光束在与所述主激光束的方向不平行的方向上延伸。

在上述方法中，还包括：通过具有图案化的多层反射表面的EUV光掩模向半导体工件提供所述EUV辐射。

上面概述了若干实施例的部件、使得本领域技术人员可以更好地理解本发明的方面。本领域技术人员应该理解，他们可以容易地使用本发明作为基础来设计或修改用于实现与在此所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优势的其他工艺和结构。本领域技术人员也应该意识到，这种等同构造并不背离本发明的精神和范围、并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，在此他们可以做出多种变化、替换以及改变。