液晶显示器的制作方法

本申请要求韩国专利申请第10‐2015‐0166909号的优先权以及所有权益，其全部内容通过引证结合于此。

技术领域

本发明的实施方式涉及液晶显示器(“LCD”)。

背景技术：

液晶显示器(“LCD”)是使用最广泛的平板显示器的类型中的一种。通常，LCD包括一对显示面板以及介于显示面板之间的液晶层，显示面板具有场生成电极，诸如像素电极和共用电极。在LCD中，将电压施加到场生成电极以在液晶层中生成电场。由此确定液晶层中的液晶分子的配向并且控制入射光的偏振。结果是在LCD上显示期望的图像。

在各种类型的LCD之中，垂直配向(“VA”)模式LCD通常具有高对比度和广阔的标准视角，其中在垂直配向(“VA”)模式LCD中，当没有施加电场时，液晶分子的长轴被配向为垂直于上显示面板和下显示面板。

在VA模式LCD中，可以在一个像素中形成具有不同的液晶的配向方向的多个域，以改善其视角。

已提出形成多个域的方法，以在场生成电极中形成切口部，诸如狭缝。在这种方法中，液晶通过在面向切口部的场生成电极和切口部的边缘之间形成的边缘场重新排列，从而形成多个域。

在VA模式LCD中，可以在场生成电极中形成切口部诸如微狭缝，或者可以在场生成电极上形成突起，以确保广视角。切口部和突起确定液晶分子的倾斜方向。因此，通过适当地放置切口部和突起，可以使液晶分子的倾斜方向多样化为各种方向，从而拓宽VA模式LCD的视角。

技术实现要素：

本发明的实施方式提供了通过改变连接单元像素电极的连接电极的位置，而具有改善的可视性和透射率的液晶显示器(“LCD”)。

根据本发明的实施方式，LCD包括：基板，在基板上限定像素区域；以及像素电极，布置在基板上的像素区域内，其中像素电极包括：多个单元像素电极，基本以矩阵形式排列；以及连接电极，将单元像素电极彼此连接。在这样的实施方式中，在列方向上彼此邻接的相邻的单元像素电极被沿着行方向延伸的第一中间区彼此分离，在行方向上彼此邻接的相邻的单元像素电极被沿着列方向延伸的第二中间区彼此分离，并且连接电极可以布置在其中单元像素电极的角彼此面对的区域内。

在实施方式中，单元像素电极中的每一个可以包括：主干电极，包括将单元像素电极中的每一个划分为多个域的水平主干电极和垂直主干电极；以及微分支部，包括从主干电极的侧边沿一方向延伸的多个分支电极，其中布置为与其中单元像素电极的角彼此面对的区域接近的分支电极中的至少一个可以连接到连接电极。

在实施方式中，单元像素电极的微分支部可以布置在单元像素电极的域中的每一个内，分支电极布置在微分支部中，并且多个狭缝图案可以限定在分支电极之间。

在实施方式中，连接电极可以包括延伸电极和着陆(land)部分，延伸电极从分支电极中的至少一个延伸；并且着陆部分布置在延伸电极汇聚的区域上。

在实施方式中，延伸电极和分支电极中的每一个的宽度可以在约1微米(μm)到约5μm的范围内。

在实施方式中，布置在域中的分支电极或者狭缝图案可以与布置在与该域邻接的相邻域中的分支电极或者狭缝图案交替地排列。

在实施方式中，分支电极和狭缝图案可以以约4μm到约8μm的范围内的节距排列。

在实施方式中，单元像素电极的水平主干电极可以基于水平主干电极和垂直主干电极彼此相交的区域，水平地划分单元像素电极的域，单元像素电极的垂直主干电极可以基于水平主干电极和垂直主干电极彼此相交的区域，垂直地划分单元像素电极的域，并且单元像素电极的主干电极还可以包括中心电极，中心电极布置在水平主干电极和垂直主干电极彼此相交的区域内。在这种实施方式中，水平主干电极和垂直主干电极从中心电极朝向单元像素电极的每一个侧边区域逐渐变得更窄。

在实施方式中，从中心电极的侧边延伸到单元像素电极的角区域的微分支部的长度，可以在约24μm到约32μm的范围内。

在实施方式中，主干电极的宽度可以在约2μm到约5μm的范围内。

在实施方式中，通过部分地去除分支电极而形成的切角图案，可以限定在单元像素电极中的每一个的角区域内。

在实施方式中，第一中间区或者第二中间区从单元像素电极中的每一个的侧边区域朝向与单元像素电极的主干电极的端部邻接的区域可以逐渐变得更窄。

在实施方式中，分支电极的纵长方向可以与液晶分子的方位角的方向相同。

根据本发明的另一个实施方式，LCD包括：基板，在基板上限定像素区域；像素电极，布置在基板上的像素区域内；以及突起，布置在连接电极上，其中像素电极包括：多个单元像素电极，基本以矩阵形式排列；以及连接电极，将单元像素电极彼此连接。在这种实施方式中，在列方向上彼此邻接的相邻的单元像素电极被沿着行方向延伸的第一中间区彼此分离，在行方向上彼此邻接的相邻的单元像素电极被沿着列方向延伸的第二中间区彼此分离，并且连接电极布置在其中单元像素电极的角彼此面对的区域内。

在实施方式中，突起可以为圆形形状、四边形形状或者其组合。

在实施方式中，单元像素电极中的每一个可以包括：主干电极，包括将单元像素电极中的每一个划分为多个域的水平主干电极和垂直主干电极；以及微分支部，包括从主干电极的侧边沿一方向延伸的多个分支电极，其中布置为与其中单元像素电极的角彼此面对的区域接近的分支电极中的至少一个可以连接到连接电极。

在实施方式中，单元像素电极的水平主干电极可以基于水平主干电极和垂直主干电极彼此相交的区域，水平地划分单元像素电极的域，单元像素电极的垂直主干电极可以基于水平主干电极和垂直主干电极彼此相交的区域，垂直地划分单元像素电极的域，并且单元像素电极的主干电极还可以包括中心电极，中心电极布置在水平主干电极和垂直主干电极彼此相交的区域内。在这种实施方式中，水平主干电极和垂直主干电极从中心电极朝向单元像素电极的每一个侧边区域，可以逐渐变得更窄。

在实施方式中，第一中间区或者第二中间区从单元像素电极中的每一个的侧边区域向着与单元像素电极的主干电极的端部相邻的区域，可以逐渐变得更窄。

根据本发明的另一个实施方式，LCD包括：基板，在基板上限定多个像素区域；多个像素电极，布置在基板上的像素区域内；以及突起，布置在连接电极上，其中像素电极包括：第一像素电极，布置在像素区域的第一像素区域内并且包括多个单元像素电极；第二像素电极，布置在像素区域的第二像素区域内并且包括多个单元像素电极；以及连接电极，将第一像素电极或者第二像素电极的单元像素电极彼此连接。在这种实施方式中，在列方向上彼此邻接的相邻的单元像素电极被沿着行方向延伸的中间区彼此分离，在行方向上彼此邻接的相邻的单元像素电极被沿着列方向延伸的间隙彼此分离，并且连接电极布置在其中相同像素电极内的单元像素电极的角彼此面对的区域内。

在实施方式中，单元像素电极中的每一个可以包括：主干电极，包括将单元像素电极划分为多个域的水平主干电极和垂直主干电极；以及微分支部，包括从主干电极的侧边沿一方向延伸的多个分支电极，其中布置为与其中单元像素电极的角彼此面对的区域接近的分支电极中的至少一个可以连接到连接电极。

在实施方式中，连接电极可以包括从分支电极延伸的延伸电极，其中延伸电极在中间区汇聚。

在实施方式中，突起可以为圆形形状、四边形形状或者其组合。

在实施方式中，单元像素电极的水平主干电极可以基于水平主干电极和垂直主干电极彼此相交的区域，水平地划分单元像素电极的域，单元像素电极的垂直主干电极可以基于水平主干电极和垂直主干电极彼此相交的区域，垂直地划分该域，并且单元像素电极的主干电极还可以包括中心电极，中心电极布置在水平主干电极和垂直主干电极彼此相交的区域内，其中水平主干电极和垂直主干电极从中心电极朝向单元像素电极的每一个侧边区域可以逐渐变得更窄。

在实施方式中，中间区或者间隙从单元像素电极中的每一个的侧边区域朝向与单元像素电极的主干电极的端部邻接的区域，可以逐渐变得更窄。

附图说明

通过参考附图详细描述本发明的示例性实施方式，本发明的以上和其他方面将变得更加明显，在附图中：

图1是根据本发明的实施方式的液晶显示器(“LCD”)的像素的示意性平面图；

图2是沿着图1的线I‐I'所取的LCD的示意性截面图；

图3是根据本发明的可替换的实施方式的LCD的像素的平面图；

图4是图1的区域“A”的放大视图；

图5是图3的区域“B”的放大视图；

图6是图1的区域“A”的照片；

图7是图3的区域“B”的照片；

图8是示出根据本发明的实施方式的像素中的液晶的排列的单元像素电极的平面图；

图9是示出根据比较例1的像素中的液晶的排列的单元像素电极的平面图；

图10是示出根据比较例2的像素中的液晶的排列的单元像素电极的平面图；

图11是根据图8的实施方式的像素的照片；

图12是根据图9的比较例1的像素的照片；

图13是根据图10的比较例2的像素的照片；

图14是根据本发明的实施方式的LCD的像素的等效电路图；

图15是根据本发明的实施方式的LCD的平面图；

图16是沿着图15的线II‐II'所取的LCD的截面图；以及

图17是根据本发明的可替换的实施方式的LCD的平面图。

具体实施方式

通过引用下面的优选实施方式的具体描述和附图，可以更容易理解本发明以及实现本发明的方法的优点和特征。然而，本发明可以以许多不同的形式体现，并且不应该被解释为限制于本文中所阐述的实施方式。相反地，提供这些实施方式以使得本公开将详尽和完整，并且将本发明的构思完全传达给本领域内的技术人员，并且本发明将仅由所附权利要求限定。在通篇说明书中，相同参考标号表示相同元件。

本文中使用的术语仅用于描述具体实施方式的目的，并不旨在限制本发明。除非上下文另外明确指示，否则如本文中使用的单数形式“一(a)”、“一个(an)”以及“该(the)”旨在也包括复数形式。将进一步理解，当在本说明书中使用时，术语“包含(comprises)”和/或“包括(comprising)”指定了陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但并不排除存在或附加有一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合。

将理解，当一个元件或层被称为“在”另一个元件或层“上”、“连接至”或“耦接至”另一个元件或层时，其可以直接在另一个元件或层上、直接连接或耦接至另一个元件或层，或者可能存在中间元件或层。相反，当元件被称为“直接在”另一个元件或层“上”、“直接连接至”或“直接耦接至”另一个元件或层时，则不存在中间元件或层。如本文中使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或多个的任何和所有的组合。

将理解，尽管术语第一、第二等可在本文中用于描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但这些元件、部件、区域、层和/或部分不应被这些术语所限定。这些术语仅用于区分一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分。因此，以下论述的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不背离本发明的教导。

为了便于描述，在本文中“在...之下”、“在...下方”、“下部”、“在...上方”、“上部”等空间相关术语可用于描述如附图中示出的一个元件或者特征与另一个元件或者特征的关系。将理解，空间相关术语旨在包括除了图中所描绘的方位以外的使用或操作中的设备的不同方位。例如，如果图中的设备被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将随后被定向为“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在...下方”可以包括在…上方和在…下方两种方位。设备可以另外定向(旋转90度或在其他方位)，并且本文中使用的空间相关描述符应当相应地进行解释。

考虑到讨论中的测量以及与特定量(即测量系统限制)的测量相关联的误差，如本文中使用的“约”或“近似”包括所述值，并且意味着在如由本领域内的普通技术人员所确定的特定值的偏差的可接受范围内。例如，“约”可以表示在一个或多个标准偏差内，或者在所述值的±30％、20％、10％、5％内。

本文中参考作为理想化实施方式(和中间结构)的示意图的截面示图描述了实施方式。因而，例如，预期会出现因制造技术和/或容差导致的图示的形状的变化。因此，这些实施方式不应被解释为限制于本文示出的区域的具体形状，而是包括例如因制造技术导致的形状偏差。例如，被示出为矩形的注入区域将通常具有圆形或曲线特征和/或在其边缘有注入浓度的梯度，而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。同样，通过注入形成的掩埋区域(buried region)可导致在掩埋区域与从中进行注入的表面之间的区域内的某些注入。因此，在图中示出的区域实际上是示意性的，并且它们的形状并非旨在示出装置的区域的实际形状，且并非旨在限制本发明的范围。

除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。将进一步理解，诸如在通常使用的词典中定义的那些术语应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不得以理想化或者过度形式化的意义进行解释，除非本文中明确如此定义。

在下文中，将参考附图详细描述本发明的实施方式。

图1是根据本发明的实施方式的液晶显示器(“LCD”)1的像素的示意性平面图。图2是沿着图1的线I‐I'所取的LCD 1的示意性截面图。图3是根据本发明的替换实施方式的LCD的像素的平面图。图4是图1的区域“A”的放大视图。图5是图3的区域“B”的放大视图。图6是图1的区域“A”的照片。图7是图3的区域“B”的照片。

在实施方式中，LCD 1可以包括多个像素，多个像素基本以包括行和列的矩阵形式排列，并且像素彼此可以具有基本相同的结构。在图1到图7中，为了图示的方便示出了LCD 1的一个像素PX。

参考图1和图2，LCD 1的实施方式包括彼此相对的第一基板100和第二基板200，并且液晶层300布置在第一基板100和第二基板200之间。

第一基板100可以包括第一绝缘基板105、第一电极以及第一配向层(未示出)，依次布置在第一绝缘基板105的表面(例如上表面或者内表面)上；以及第一偏光板140，布置在第一绝缘基板105的相对表面(例如下表面或者外表面)上。例如，布置在第一基板100上的第一电极可以是像素电极PXE。

第二基板200可以包括第二绝缘基板205、第二电极以及第二配向层(未示出)，依次布置在第二绝缘基板205的表面(例如下表面或者内表面)上；以及第二偏光板240，布置在第二绝缘基板205的相对表面(例如上表面或者外表面)上。例如，布置在第二基板200上的第二电极可以是共用电极270。

像素PX可以是粗略的矩形。像素电极PXE可以对应于并且覆盖像素PX，并且共用电极270可以被布置为在整个第二基板200上的单个块。

在LCD中，其中可以在共用电极270中形成诸如切口部的图案，期望将共用电极270和像素电极PXE彼此配向以形成多个域。然而，在弯曲的显示装置的情况下，如果在共用电极270中形成诸如切口部的图案，那么共用电极270和像素电极PXE可能被误配向。在LCD中，其中不在共用电极270中形成诸如切口部的图案，像素电极PXE和共用电极270可以有效地彼此配向，从而有效地防止诸如不稳定结构以及响应速度和可视性降低的缺点。

第一基板100或者第二基板200可以进一步包括开关器件(未示出)、滤色器(未示出)以及遮光构件(未示出)。在实施方式中，可以省去第一偏光板140和第二偏光板240中的一个。在一些实施方式中，可以省去第一配向层和第二配向层中的任一个或者全部。

液晶层300可以包括具有负介电各向异性或者正介电各向异性的液晶。在下文中，为了描述的方便，将描述液晶层300包括具有负介电各向异性的液晶的实施方式，但不限于此。当在像素电极PXE和共用电极270之间没有生成电场时，可以将液晶层300的液晶分子302的长轴排列为与第一配向层和第二配向层的表面基本垂直。可替换地，可以将液晶分子302的长轴排列为相对于液晶层300的厚度方向具有预倾角。

当通过在像素电极PXE和共用电极270之间施加电位差，在液晶层300中生成电场时，可以将液晶分子302的长轴排列为垂直于电场。液晶分子302倾斜的程度，可以确定入射到液晶层300上的光的偏振改变的程度。通过第一偏光板140和第二偏光板240，可以将偏振的改变转换为透射率的改变。因此，可以在LCD 1上显示图像。

在实施方式中，如图1所示，布置在像素PX中的像素电极PXE可以包括单元像素电极UPXE，单元像素电极UPXE布置在多个单元像素区域UPX中的每一个内。在这种实施方式中，在像素PX中，像素电极PXE可以包括多个单元像素电极UPXE。

在单元像素区域UPX中的每一个内，布置单元像素电极UPXE并且可限定多个狭缝图案195。每一个单元像素电极UPXE可以包括主干电极192和微分支部193，以形成多个域。

在这种实施方式中，可以在相邻的单元像素电极UPXE之间限定中间区IB，以分离相邻的单元像素电极UPXE。在本文中，如图1所示，当从平面图观看时，中间区IB表示在像素PX中在单元像素电极UPXE的整体边界线之间限定的区域。

中间区IB可以包括第一中间区IB‐1和第二中间区IB‐2，第一中间区IB‐1沿着行方向或者水平方向延伸，以分离在列方向或者垂直方向上彼此相邻的单元像素电极UPXE，并且第二中间区IB‐2沿着列方向延伸以分离在行方向上彼此相邻的单元像素电极UPXE。因此，可以将包括第一中间区IB‐1或/和第二中间区IB‐2的中间区IB，限定为将像素电极PXE划分为多个单元像素电极UPXE。

在这种实施方式中，像素电极PXE还包括布置在区域(例如中心区域)内的连接电极LE，该区域内的两个或更多个单元像素电极UPXE的角布置为与插入其间的第一中间区IB‐1或者第二中间区IB‐2彼此相邻。

连接电极LE可以将单元像素电极UPXE彼此连接。例如，在一个实施方式中，如图1所示，连接单元像素电极UPXE的连接电极LE可以布置在单元像素电极UPXE的四个角彼此面对的区域内，例如在第一中间区IB‐1和第二中间区IB‐2彼此相交的区域或者范围内。

突起BA可以布置在连接电极LE上。稍后将连同像素PX中的液晶的排列一起详细描述突起BA。

单元像素电极UPXE中的每一个包括主干电极192和微分支部193，主干电极192将单元像素区域UPX划分为多个域，并且微分支部193沿彼此不同的方向从主干电极192延伸。

主干电极192可以包括垂直主干电极192b和水平主干电极192a，垂直主干电极192b垂直地划分单元像素区域UPX，并且水平主干电极192a水平地划分单元像素区域UPX。包括在单元像素电极UPXE中的每一个内的水平主干电极192a和垂直主干电极192b可以在单元像素区域UPX中限定多个域。

从主干电极192沿不同方向延伸的微分支部193，可以包括分别沿不同方向延伸的第一分支电极193a到第四分支电极193d。

单元像素区域UPX中的每一个可以包括由微分支部193的第一分支电极193a到第四分支电极193d限定的第一狭缝图案195a到第四狭缝图案195d。第一狭缝图案195a到第四狭缝图案195d以及主干电极192可以控制电场的方向。

在实施方式中，通过将如上所述的每一个单元像素区域UPX中的单元像素电极UPXE图案化，在每一个单元像素区域UPX内，液晶分子302可以以不同的平均液晶方位角排列。在这种实施方式中，一个单元像素区域UPX可以被分隔成多个域，其中具有不同的平均液晶方位角的液晶分子302沿不同的方向排列。

现在将详细描述布置在每一个单元像素区域UPX中的每一个元件。

在实施方式中，每一个单元像素区域UPX可以包括主干电极192，主干电极192具有水平主干电极192a和垂直主干电极192b。在这种实施方式中，每一个单元像素区域UPX可以包括四个域，例如，由介入其间作为边界线的水平主干电极192a和垂直主干电极192b划分的第一域Da到第四域Dd(图8中所示)。

在实施方式中，主干电极192的宽度可以在约2微米(μm)到约5μm的范围内。在一些实施方式中，可以调节主干电极192的宽度以改善对液晶的控制。在实施方式中，可以从水平主干电极192a和垂直主干电极192b彼此相交的区域朝向每一个单元像素区域UPX的外围区域，即从每一个单元像素电极UPXE的中心朝向其侧边区域，减小主干电极192的宽度。

在这种实施方式中，在水平主干电极192a和垂直主干电极192b彼此相交的区域内，主干电极192的宽度可以是但不限于约5μm。在这种实施方式中，布置在每一个单元像素区域UPX的侧边区域内的主干电极192的宽度可以是但不限于约2μm。

宽度约2μm到约5μm的主干电极192可以倾斜，因此通过控制电场的强度改善纹理。因此，可以提高可视性而不降低像素PX的透射率。宽度近似5μm或更少的主干电极192可以有效防止在第一域和第四域之间和第二域和第三域之间的边界线处的边缘场过度增加，从而使可视性和透射率的降低最小化。在这种实施方式中，宽度约5μm或更少的主干电极192可以防止液晶分子302存在于布置了主干电极192的区域内。因此，可以减小开口率的降低。

中心电极192c可以布置在水平主干电极192a和垂直主干电极192b彼此相交的区域内。中心电极192c可以比水平主干电极192a和垂直主干电极192b更宽。例如，在一个实施方式中，中心电极192c的宽度可以是约5μm到约12μm。为提高对每一个单元像素区域UPX的中心区域内的液晶的控制，可以使中心电极192c的形状类似于菱形或者八边形。

如上所述，通过主干电极192的水平主干电极192a和垂直主干电极192b，可以将每一个单元像素区域UPX划分为第一域Da到第四域Dd。

布置在每一个单元像素区域UPX内的单元像素电极UPXE包括微分支部193，微分支部193连接到主干电极192的水平主干电极192a和垂直主干电极192b，并且从水平主干电极192a和垂直主干电极192b中的每一个的至少一个侧边沿一方向延伸。微分支部193可以包括分别布置在第一域Da到第四域Dd内的第一分支电极193a到第四分支电极193d。

在实施方式中，通过去除微分支部193的端部形成的切角图案194可以限定在每一个单元像素区域UPX的每一个角区域内。可以通过部分地去除第一分支电极193a到第四分支电极193d的角区域形成切角图案194，以暴露布置在每一个单元像素电极UPXE之下的绝缘层等。布置在角区域内的切角图案194可以具有不对称的区域。

可以在每一个单元像素区域UPX的第一域Da到第四域Dd内分别布置第一狭缝图案195a到第四狭缝图案195d。可以通过去除第一分支电极193a到第四分支电极193d中的相邻的分支电极之间的间隙，形成第一狭缝图案195a到第四狭缝图案195d中的每一个，以暴露分支电极下方的层，例如绝缘层。第一狭缝图案195a到第四狭缝图案195d可以使第一分支电极193a到第四分支电极193d彼此分离。

从主干电极192的水平主干电极192a和垂直主干电极192b中的每一个的每一个侧边延伸的微分支部193可以布置在每一个单元像素区域UPX内。通过微分支部193的第一分支电极193a到第四分支电极193d，液晶分子302可以在第一域Da到第四域Dd内分别沿不同的方向排列。

微分支部193的第一分支电极193a可以布置在第一域内，并且从水平主干电极192a沿右上方向倾斜延伸。微分支部193的第二分支电极193b可以布置在第二域内，并且从水平主干电极192a沿左上方向倾斜延伸。微分支部193的第三分支电极193c可以布置在第三域内，并且从水平主干电极192a沿左下方向倾斜延伸。微分支部193的第四分支电极193d可以布置在第四域内，并且从水平主干电极192a沿右下方向倾斜延伸。

在实施方式中，第一分支电极193a和第二分支电极193b可以布置为分别与水平主干电极192a呈约45度角和约135度角。在这种实施方式中，第三分支电极193c和第四分支电极193d可以布置为分别与水平主干电极192a呈约225度角和约315度角。两个相邻的域的分支电极可以布置为彼此基本正交。

在这种实施方式中，分支电极193a到分支电极193d，例如在第一域中的第一分支电极193a，可以沿与偏光板的偏振轴呈约30度到约60度的角度的方向延伸。

因此，在每一个单元像素区域UPX中，第一狭缝图案195a到第四狭缝图案195d以及第一分支电极193a到第四分支电极193d可以对角线地延伸到主干电极192的水平主干电极192a和垂直主干电极192b，从而形成第一域Da到第四域Dd。在这种实施方式中，在每一个单元像素区域UPX内，可以以不同的平均液晶方位角排列液晶分子302，在该方位角下在第一域Da到第四域Dd内可以获得最大透射率。

从水平主干电极192a或者垂直主干电极192b的任一个侧边延伸的微分支部194可以提高在每一个单元像素电极UPXE中对液晶的控制，从而减小纹理并且提高透射率和侧面可视性。

现在将参考图2到图6详细描述根据本发明的LCD的实施方式的像素。图3到图6中示出的相同或者相似元件已由如以上用于描述图1和图2中示出的LCD的实施方式的相同参考字符标记。

参考图2到图6，在实施方式中，像素PX可以包括布置在多个单元像素区域UPX中的每一个内的单元像素电极UPXE。单元像素电极UPXE可以通过预设间隙彼此分离，以防止其间的干扰。在此，间隙被限定为中间区IB。

中间区IB从与相邻的单元像素电极UPXE的主干电极192的水平主干电极192a或者垂直主干电极192b的端部邻接的区域，朝向布置相邻的单元像素电极UPXE的切角图案194的区域可以变得更宽。在这种实施方式中，布置为与切角图案194邻接的第一中间区IB‐1或者第二中间区IB‐2的区域a2，可以比布置为与主干电极192的端部邻接的第一中间区IB‐1或者第二中间区IB‐2的区域a1更宽。

在这种实施方式中，第一中间区IB‐1或者第二中间区IB‐2从每一个单元像素电极UPXE的侧边区域，朝向与单元像素电极UPXE的主干电极192的水平主干电极192a或者垂直主干电极192b的端部邻接的区域可以逐渐变得更窄。

在这种实施方式中，随着距每一个单元像素电极UPXE的中心电极192c的距离增加，对液晶的控制可能被降低。在这种实施方式中，可以调节切角图案194和中间区IB的宽度，以控制对液晶的控制到达每一个单元像素电极UPXE中的每一个角区域。在LCD 1的这种实施方式中，可以通过调节中间区IB的宽度，控制像素PX中形成的电场的强度，从而提高对液晶的控制。

每一个单元像素电极UPXE的第一分支电极193a到第四分支电极193d可以与相邻的单元像素电极UPXE的第一分支电极193a到第四分支电极193d交替地排列。在这种实施方式中，可以将每一个单元像素电极UPXE的第一分支电极193a到第四分支电极193d的端部布置为面向相邻的单元像素电极UPXE的相应的狭缝图案。

在这种实施方式中，相邻的单元像素电极UPXE的第一分支电极193a到第四分支电极193d彼此交替地排列，可以补偿与第一分支电极193a到第四分支电极193d的端部邻接并且对应于每一个单元像素电极UPXE的第一狭缝图案195a到第四狭缝图案195d的区域，即由于缺乏像素电极PXE而不能使液晶移动的区域，从而进一步提高透射率。在这种实施方式中，交替地排列的第一分支电极193a到第四分支电极193d可以有效提高诸如控制液晶的性能。

中间区IB可以包括划分像素PX的第一中间区IB‐1和第二中间区IB‐2。在列方向上彼此相邻的单元像素电极UPXE可以被沿着行方向延伸的第一中间区IB‐1彼此分离，并且在行方向上彼此相邻的单元像素电极UPXE可以被沿着列方向延伸的第二中间区IB‐2彼此分离。在这种实施方式中，第一中间区IB‐1可以水平地划分像素PX中的单元像素电极UPXE，并且第二中间区IB‐2可以垂直地划分像素PX中的单元像素电极UPXE。

连接电极LE可以布置在其中两个或更多个单元像素电极UPXE的角隔着插入其间的第一中间区IB‐1或者第二中间区IB‐2彼此面对的区域内。连接电极LE可以将单元像素电极UPXE彼此连接。在这种实施方式中，突起BA可以布置在连接电极LE上。

参考图4和图5，连接单元像素电极UPXE的连接电极LE布置在第一中间区IB‐1和第二中间区IB‐2彼此相交的区域内。

连接电极LE可以包括着陆部分LEL和延伸电极LEE。在实施方式中，可以通过从一个第一分支电极193a、一个第二分支电极193b、一个第三分支电极193c以及一个第四分支电极193d分别延伸到着陆部分LEL的部分限定连接电极LE的延伸电极LEE。延伸电极LEE可以布置在第一中间区IB‐1和第二中间区IB‐2彼此相交的区域内。在实施方式中，如上所述，通过将第一分支电极193a到第四分支电极193d中的一个或多个延伸到着陆部分LEL形成延伸电极LEE，以将每一个单元像素电极UPXE连接到着陆部分LEL。在可替换的实施方式中，包括着陆部分LEL和延伸电极LEE的连接电极LE可以布置在单元像素电极UPXE的角彼此面对的区域内。

延伸电极LEE可以与第一分支电极193a到第四分支电极193d具有相同的宽度。例如，在一个实施方式中，第一分支电极193a到第四分支电极193d中的每一个的宽度可以在约1μm到约5μm的范围内。在实施方式中，第一分支电极193a到第四分支电极193d中的每一个的宽度可以是约2μm到约4μm。在实施方式中，从第一分支电极193a到第四分支电极193d延伸的延伸电极LEE中的每一个的宽度可以在约1μm到约5μm的范围内。

着陆部分LEL是延伸电极LEE汇聚的区域。为了容易连接单元像素电极UPXE，着陆部分LEL可以比延伸电极LEE更宽。因此，延伸电极LEE中的每一个的端部可以连接到每一个单元像素电极UPXE的第一分支电极193a到第四分支电极193d中的任一个，并且延伸电极LEE相对的端部可以连接到着陆部分LEL。

在实施方式中，延伸电极LEE可以包括连接到第一单元像素电极UPXE1的第一延伸电极LEE1、连接到第二单元像素电极UPXE2的第二延伸电极LEE2、连接到第三单元像素电极UPXE3的第三延伸电极LEE3以及连接到第四单元像素电极UPXE4的第四延伸电极LEE4。着陆部分LEL可以布置在第一延伸电极LEE1、第二延伸电极LEE2、第三延伸电极LEE3以及第四延伸电极LEE4汇聚的区域上。

突起BA可以布置在连接电极LE上。突起BA可以覆盖着陆部分LEL和延伸电极LEE。可替换地，突起BA可以覆盖着陆部分LEL和延伸电极LEE，并且与第一分支电极193a到第四分支电极193d中的至少任一个重叠。

突起BA可以布置在着陆部分LEL上，以改善对每一个单元像素电极UPXE的角区域内的液晶的控制。例如，在一个实施方式中，在每一个单元像素电极UPXE的角区域内，即在由于距每一个单元像素电极UPXE的中心电极192c的距离远而布置了连接电极LE的区域内，对液晶的控制可能低。因此，在连接电极LE周围形成的电场的强度、即在连接电极LE周围对液晶的控制可能低，因此在连接电极LE周围的液晶分子302可能不能有效地沿某个方向排列。

在实施方式中，在第一域Da到第四域Dd中的每一个内，从中心电极192c的任一个侧边延伸到像素PX的角区域(即布置了切角图案194的区域)的第一分支电极193a、第二分支电极193b、第三分支电极193c或者第四分支电极193d的长度可以等于约24μm到约32μm的可控制液晶的距离。例如，在一个实施方式中，从中心电极192c的任一个侧边，到接触第一分支电极193a、第二分支电极193b、第三分支电极193c或者第四分支电极193d的端部的切角图案194的距离可以在约26μm到约30μm的范围内。

具有如上所述的可控制液晶的长度的第一分支电极193a、第二分支电极193b、第三分支电极193c或者第四分支电极193d中的任一个可以进一步延伸，以连接到延伸电极LEE中的一个。因此，由于延伸电极LEE，布置连接电极LE的区域可能位于远离中心电极192c。因此，在布置了连接电极LE的区域内对液晶的控制可能弱。

在这种实施方式中，第一分支电极193a、第二分支电极193b、第三分支电极193c或者第四分支电极193d中的任一个与延伸电极LEE中的每一个之间生成的电场的强度可以彼此类似，因此在第一分支电极193a、第二分支电极193b、第三分支电极193c或者第四分支电极193d中的任一个与延伸电极LEE中的每一个之间的液晶分子302，可能不能有效地沿某个方向排列。

在布置了连接电极LE的区域上布置的突起BA，可以确定位于突起BA周围的液晶分子302的排列方向。因此，在不稳定的纹理生成之后，突起BA可以防止液晶分子302的延迟恢复或者不恢复，从而提高透射率和侧面可视性。稍后将描述液晶分子302的排列。

参考图4到图7，突起BA可以为圆形或者四边形。

首先，参考图4和图6，可以在形成黑色柱状间隔件BCS的过程中形成具有圆形形状的突起BA。例如，在一个实施方式中，当形成黑色柱状间隔件BCS时，可以使用着陆部分LEL作为对准键形成突起BA。可以使用相同的掩模同时形成突起BA和黑色柱状间隔件BCS。

参考图6，由于液晶分子302垂直于圆形突起BA的表面排列，所以圆形突起BA可以提供某个倾斜角。因此，在电场作用下，液晶分子302可以容易地沿所提供的倾斜角的方向排列。

然而，由于圆形突起BA的形状，液晶分子302中的一些可以沿受第一偏振板140和第二偏振板240的偏振轴影响的方向排列。因此，在圆形突起BA周围可以生成纹理。因此，由于第一偏振板140和第二偏振板240的影响，在圆形突起BA周围可能发生光的泄漏。然而，由于圆形突起BA，因为很少液晶分子302沿受第一偏振板140和第二偏振板240影响的方向排列，所以可以有效地最小化光的泄漏的影响。

圆形突起BA可以有效防止在不稳定的纹理生成之后液晶分子302的延迟恢复或者不恢复，从而提高透射率和侧面可视性。

参考图5和图7，具有四边形形状的突起BA可以布置在连接电极LE上。在这种实施方式中，可以通过一般刻蚀工艺形成四边形突起BA。在刻蚀工艺中，所形成的图案的形状可能在图案的边缘区域内塌陷。

在实施方式中，其中四边形突起BA形成为四边形图案，四边形突起BA的形状可以变得与圆形突起BA的形状类似。

因此，在这种实施方式中，可以进一步在四边形形状的每一个角区域内放置补丁掩模M，以在连接电极LE上形成四边形突起BA的过程中保持四边形形状。

通过将受第一偏光板140和第二偏光板240影响的液晶分子302的数量最小化，如上所述形成的四边形突起BA可以有效防止光的泄漏。在这种实施方式中，四边形突起BA可以有效防止在生成不稳定的纹理之后液晶分子302的延迟恢复或者不恢复，从而提高透射率和侧面可视性。

图8是示出根据本发明的实施方式的像素中的液晶的排列的单元像素电极的平面图。图9是示出根据比较例1的像素中的液晶的排列的单元像素电极的平面图。图10是示出根据比较示例2的像素中的液晶的排列的单元像素电极的平面图。图11是根据图8的实施方式的像素的照片。图12是根据图9的比较例1的像素的照片。图13是根据图10的比较示例2的像素的照片。图8到图11中示出的相同或者相似元件，已由如以上使用的描述图1到图7中示出的LCD的实施方式的相同参考字符标记，并且其任何重复的具体描述在下文中将被省略或者简化。

现在将参考图8到图13描述单元像素区域UPX中的液晶分子302的排列或者运动。参考图8到图13，通过将数据电压施加到像素电极PXE并且将共用电压施加到共用电极270，可以在像素电极PXE和共用电极270之间的液晶层300中生成电场。

响应于在包括液晶分子302的液晶层300中生成的电场，可以通过共用电极270和像素电极PXE生成边缘场(F1‐F4)。如图8和图9所示，使液晶分子302移动的边缘场(F1‐F4)可以包括：第一水平电场F1，沿第一方向的水平电场分量；第二水平电场F2，沿第二方向的水平电场分量；第三水平电场F3，沿第三方向的水平电场分量；以及第四水平电场F4，沿第四方向的水平电场分量。

当在液晶层300中生成电场时，可以沿从单元像素电极UPXE的两侧(例如左侧和顶侧)朝向单元像素区域UPX的内部的方向生成第一水平电场F1和第二水平电场F2，并且第一水平电场F1和第二水平电场F2使液晶分子302沿第一指向矢301a和第二指向矢301b的方向移动。在这种实施方式中，可以沿从十字形主干电极192的水平主干电极192a和垂直主干电极192b朝向单元像素区域UPX的外部的方向生成第三水平电场F3和第四水平电场F4，并且第三水平电场F3和第四水平电场F4使液晶分子302沿第三指向矢301c和第四指向矢301d的方向移动。

在此，沿第一指向矢301a到第四指向矢301d的方向移动的液晶分子302可以沿基本平行于第一偏光板140和第二偏光板240的偏振轴的方向倾斜，并且液晶分子302可以沿单元像素区域UPX的域内的四个方向倾斜。

更具体地，在一个单元像素区域UPX中，位于与单元像素电极UPXE的边缘邻接的液晶分子302的第一指向矢301a和第二指向矢301b可以分别垂直于单元像素电极UPXE的边缘。此外，在单元像素电极UPXE中，位于与主干电极192的水平主干电极192a和垂直主干电极192b邻接的液晶分子302的第三指向矢301c和第四指向矢301d，可以分别垂直于主干电极192的水平主干电极192a的边缘和垂直主干电极192b的边缘。

在一个单元像素区域UPX中，通过单元像素电极UPXE的边缘以及主干电极192的水平主干电极192a的边缘和垂直主干电极192b的边缘生成的边缘场(F1‐F4)，可以将液晶分子302初始移动为沿第一指向矢301a到第四指向矢301d的方向排列。

因此，通过由电极生成的粗略平行于第一偏光板140和第二偏光板240的偏振轴的边缘场(F1‐F4)，液晶分子302初始可以沿第一指向矢301a到第四指向矢301d的方向排列。

沿第一指向矢301a到第四指向矢301d的方向排列的液晶分子302可以在单元像素区域UPX内彼此碰撞，以沿使第一指向矢301a到第四指向矢301d的调节最小化的方向重新排列。第一指向矢301a到第四指向矢301d重新排列的方向可以是对应于指示第一指向矢301a到第四指向矢301d的方向的矢量的和的方向。

因此，液晶分子302的重新排列方向，即对应于指示第一指向矢301a到第四指向矢301d的方向的矢量的和的方向，可以是类似于第一分支电极193a、第二分支电极193b、第三分支电极193c或者第四分支电极193d在第一域Da到第四域Dd中的每一个内延伸的方向。因此，在一个单元像素区域UPX的第一域Da到第四域Dd中的每一个内，液晶分子302可以以不同的平均液晶方位角排列。

可以在第一分支电极193a、第二分支电极193b、第三分支电极193c或者第四分支电极193d中形成第一指向矢301a第四指向矢301d，第一分支电极193a、第二分支电极193b、第三分支电极193c或者第四分支电极193d布置在第一域Da到第四域Dd中的每一个内的第一狭缝图案195a、第二狭缝图案195b、第三狭缝图案195c或者第四狭缝图案195d之间。

在第一域Da到第四域Dd中的每一个内，通过扭曲电场，第一分支电极193a、第二分支电极193b、第三分支电极193c或者第四分支电极193d的侧边可以生成垂直于其的水平分量，并且液晶分子302倾斜的方向可以通过边缘场(F1‐F4)确定。因此，液晶分子302初始趋于沿垂直于第一分支电极193a、第二分支电极193b、第三分支电极193c或者第四分支电极193d的侧边的方向倾斜。

在此，通过相邻的第一分支电极193a、第二分支电极193b、第三分支电极193c或者第四分支电极193d的侧边生成的电场的水平分量具有相反方向，并且在第一分支电极193a、第二分支电极193b、第三分支电极193c或者第四分支电极193d之间的间隙基本是小的。因此，趋于沿相反方向倾斜的液晶分子302，可以沿平行于第一分支电极193a、第二分支电极193b、第三分支电极193c或者第四分支电极193d的纵长方向的方向倾斜。

如上所述，通过如当前实施方式中的两个阶段，液晶分子302可以沿平行于第一分支电极193a、第二分支电极193b、第三分支电极193c或者第四分支电极193d的纵长方向的方向倾斜。然而，例如，液晶分子302也可以通过在基板上的形成步骤，沿平行于第一分支电极193a、第二分支电极193b、第三分支电极193c或者第四分支电极193d的纵长方向的方向倾斜。在这种情况下，该步骤可以促使液晶分子302沿平行于第一分支电极193a、第二分支电极193b、第三分支电极193c或者第四分支电极193d的纵长方向的方向预倾。

如果如上所述在单元像素区域UPX中形成第一狭缝图案195a到第四狭缝图案195d，那么通过边缘场(F1‐F4)的作用，液晶分子302可以沿第一指向矢301a到第四指向矢301d的方向排列。由于它们之间的碰撞，沿第一指向矢301a到第四指向矢301d的方向排列的液晶分子302，可以在第一域Da到第四域Dd中的每一个内沿一方向重新排列。重新排列的液晶分子302可以以与偏振轴呈45度的角度倾斜，从而实现最大透射率。

液晶分子302的这种运动可以促使液晶分子302在第一域Da到第四域Dd中的每一个内沿不同的方向排列。在第一域Da到第四域Dd中的每一个内，例如在第一域Da内，液晶分子302可以沿类似于任一个方向的方向排列。在这种实施方式中，不是所有的液晶分子302可以在第一域Da内沿相同方向排列，但是液晶分子302可以在第一域Da内沿类似于任一个方向的方向排列。在任一个域内沿类似于任一个方向的方向排列的液晶分子302的排列方向，将在下文中被限定为平均液晶方位角。

返回参考图8到图10，在实施方式中，在单元像素区域UPX的第一域Da内的液晶分子302的指向矢可以从水平主干电极192a沿右上方向倾斜排列，从而形成在‘a’方向上的第一域Da的平均液晶方位角。

在这种实施方式中，在单元像素区域UPX的第二域Db内的液晶分子302的指向矢可以从水平主干电极192a沿左上方向倾斜排列，从而形成在‘b’方向上的第二域Db的平均液晶方位角。

在这种实施方式中，在单元像素区域UPX的第三域Dc内的液晶分子302的指向矢可以从水平主干电极192a沿左下方向倾斜排列，从而形成在‘c’方向上的第三域Dc的平均液晶方位角。

在这种实施方式中，在单元像素区域UPX的第四域Dd内的液晶分子302的指向矢可以从水平主干电极192a沿右下方向倾斜排列，从而形成在‘d’方向上的第四域Dd的平均液晶方位角。

在这种实施方式中，每一个域的平均液晶方位角的方向a、b、c或者d，可以类似于第一分支电极193a、第二分支电极193b、第三分支电极193c或者第四分支电极193d的延伸方向或者纵长方向。

因此，液晶可以被控制为在第一域Da到第四域Dd内沿着第一分支电极193a到第四分支电极193d的纵长方向，以不同的方向排列，使得可以提高LCD 1的侧面可视性。

在布置了主干电极192的水平主干电极192a或者垂直主干电极192b的区域内，可以通过调节水平主干电极192a或者垂直主干电极192b的宽度，控制施加至单元像素电极UPXE的边缘场(F1‐F4)的强度。在这种实施方式中，可以通过调节在水平主干电极192a和垂直主干电极192b彼此相交的区域内布置的中心电极192c的大小，控制响应时间。在布置了主干电极192的区域内可能不生成边缘场(F1‐F4)。

在本发明的实施方式中，如图8和图11所示，像素PX可以包括在多个单元像素区域UPX中的每一个内布置的单元像素电极UPXE。单元像素电极UPXE可以通过与中间区IB的预设距离彼此分离或者彼此隔开，中间区IB包括第一中间区IB‐1和第二中间区IB‐2，并且连接单元像素电极UPXE的连接电极LE可以布置在第一中间区IB‐1和第二中间区IB‐2彼此相交的区域内。在这种实施方式中，突起BA可以布置在连接电极LE上。

在图9和图12中示出的比较例1中，像素PX可以包括布置在多个单元像素区域UPX中的每一个内的单元像素电极UPXE。单元像素电极UPXE可以通过与中间区IB的预设距离彼此分离，中间区IB包括第一中间区IB‐1和第二中间区IB‐2，并且第一中间区IB‐1和第二中间区IB‐2中的每一个可以包括连接单元像素电极UPXE的多个连接桥LE‐C。在比较例1中，可以将连接桥LE‐C中的每一个布置为与相邻的主干电极192的水平主干电极192a的端部或者垂直主干电极192b的端部邻接。

在图10和图13中示出的比较例2中，每一个主干电极192或者中间区IB可以倾斜或者具有非均匀宽度。

在比较例1和比较例2中，连接桥LE‐C布置在邻接的水平主干电极192a或者邻接的垂直主干电极192b之间，以连接水平主干电极192a的端部或者垂直主干电极192b的端部。

在比较例1和比较例2中，连接桥LE‐C可以布置在第一单元像素电极UPXE1和第二单元像素电极UPXE2之间，并且连接桥LE‐C可以布置在水平主干电极192a之间。

在比较例1和比较例2中，连接桥LE‐C可以布置在第二单元像素电极UPXE2和第三单元像素电极UPXE3之间，并且连接桥LE‐C可以布置在垂直主干电极192b之间。

在比较例1和比较例2中，连接桥LE‐C可以布置在第三单元像素电极UPXE3和第四单元像素电极UPXE4之间，以及第四单元像素电极UPXE4和第一单元像素电极UPXE1之间。

现在将详细描述布置在第一单元像素电极UPXE1和第二单元像素电极UPXE2之间的连接桥LE‐C上的液晶的运动。

如上所述，通过像素电极PXE和共用电极270生成边缘场，并且液晶分子302沿垂直于边缘场的方向倾斜，并且液晶分子302在每一个域内沿平均液晶方位角的方向排列。

然而，位于某些区域内的液晶分子302，例如在布置了连接桥LE‐C、单元像素电极UPXE的侧边以及主干电极192的区域内的液晶分子302可以不沿平均液晶方位角的方向倾斜，可以沿例如约45度或者约135度的预设方向倾斜。

与液晶分子302沿预设方向倾斜的区域相比，以上提及的区域由于更低的透光率而对亮度贡献较小。这种区域统称为非透射区域。

现在将参考图12和图13描述非透射区域。参考图12和图13，在布置了连接桥LE‐C的区域内，控制液晶分子302的电场和与其相对的电场类似。因此，在连接桥LE‐C的区域内，液晶分子302可以不移动。

为了描述的方便，单元像素电极UPXE的主干电极区域被定义为第三区域Z，布置了连接桥LE‐C的区域被定义为第二区域Y，以及根据发明的实施方式在连接电极LE上布置了突起BA的区域被定义为第一区域X。

在第三区域Z中，即在比较例1中的单元像素电极UPXE的主干电极区域内，可以如图9和图12所示生成纹理。在比较例1中，中间区IB的第一中间区IB‐1和第二中间区IB‐2可以具有均匀宽度，并且主干电极192的水平主干电极192a和垂直主干电极192b可以具有均匀宽度。

由于第一中间区IB‐1和第二中间区IB‐2具有均匀宽度，在单元像素电极UPXE的主干电极区域内，具有不同强度的水平电场可以彼此碰撞，从而生成纹理。

在比较例1中，中心电极192c、水平主干电极192a以及垂直主干电极192b具有基本彼此相同的宽度。因此，从中心电极192c至第一分支电极193a到第四分支电极193d的距离可以不同。因此，在单元像素电极UPXE的主干电极区域内，水平电场分量可以具有不同的强度。

在比较例1中，在布置了切角图案194的每一个区域与布置了连接桥LE‐C的第二区域Y之间的距离可以不同，因此建立不同的水平电场分量。具有不同强度的水平电场分量可以彼此碰撞以生成纹理。

参考图10和图13，在比较例2中，可以通过将单元像素电极UPXE的水平主干电极192a的宽度和垂直主干电极192b的宽度调节为非均匀，使在第三区域Z即单元像素电极UPXE的主干电极区域内的纹理的生成最小化，并且可以通过调节第一中间区IB‐1和第二中间区IB‐2的宽度为非均匀，使纹理的生成最小化。

如图10和图13所示，主干电极192的宽度从主干电极192的中心电极192c朝向单元像素电极UPXE的每一个侧边区域可以减小。与中心电极192c邻接的水平主干电极192a或者垂直主干电极192b的宽度可以是b2，并且与单元像素电极UPXE的每一个侧边区域邻接的水平主干电极192a或者垂直主干电极192b的宽度可以是b1。在此，b2可以大于b1。

此外，第一中间区IB‐1的宽度或者第二中间区IB‐2的宽度可以从切角图案194朝向连接桥LE‐C减小。如图10和图13所示，布置为与切角图案194邻接的第一中间区IB‐1或者第二中间区IB‐2的宽度可以是a2，并且布置为与连接电极LE‐C邻接的第一中间区IB‐1或者第二中间区IB‐2的宽度可以是a1。在此，a2可以大于a1。

如上所述，通过调节水平主干电极192a和垂直主干电极192b的宽度以及第一中间区IB‐1或者第二中间区IB‐2的宽度为非均匀，可以最小化从中心电极192c至第一分支电极193a到第四分支电极193d的距离，因此允许生成类似的水平电场分量。因此，使第三区域Z(即单元像素电极UPXE的主干电极区域)中的纹理生成基本最小化。

在布置了连接桥LE‐C的第二区域Y中，在邻接的单元像素电极UPXE的侧边区域内生成的第一水平电场F1和第三水平电场F3可以具有类似的强度。在第二区域Y中，由于具有类似强度的第一水平电场F1和第三水平电场F3以相反方向作用，从而彼此抵消。在此，第二水平电场F2和第四水平电场F4也可以作用，以控制布置在第二区域Y中的液晶分子302沿平行于水平主干电极192a的纵长方向的方向排列。可替换地，以上电场的力可以以其他方式作用。

因此，由第一水平电场F1移动的第一指向矢301a或者由第三水平电场F3移动的第三指向矢301c可以存在于第二区域Y中。可替换地，施加到连接桥LE‐C的水平电场可以彼此抵消，因此使液晶分子302垂直于表面。

如上所述，具有第一指向矢301a或者第三指向矢301c的液晶分子302可以存在于第二区域Y中，并且通过不能沿平行于第一偏光板140和第二偏光板240的偏振轴的方向透射光，第一指向矢301a或者第三指向矢301c可以降低亮度。

由于仅第一水平电场F1的分量或者第三水平电场F3的分量的强度存在于第二区域Y中，第一指向矢301a或者第三指向矢301c可以在第二区域Y中排列。在此，可以将第一指向矢301a或者第三指向矢301c重新排列的矢量，即第二水平电场F2和第四水平电场F4具有类似的强度。因此，第二水平电场F2的强度和第四水平电场F4的强度可以彼此抵消。因此，可以将第一指向矢301a或者第三指向矢301c重新排列的矢量可以是无关紧要的。因此，液晶分子302可以沿平行于水平主干电极192a或者垂直主干电极192b的纵长方向的方向排列。

因此，在通过边缘场(F1‐F4)移动的液晶分子302中，布置在第二区域Y中的一些液晶分子302可以在基本平行于第一偏光板140和第二偏光板240的偏振轴的方向上，具有第一指向矢301a。此外，由于电场不能到达第二区域Y，未恢复的液晶分子302可以存在于第二区域Y中，从而生成纹理。所生成的纹理可以引起透射率降低。

响应于施加到第一基板100和第二基板200的电压，当液晶分子302的排列方向是与第一偏光板140和第二偏光板240的偏振轴呈约45度时，LCD 1可以具有最大透射率。

然而，如上所述，布置在第二区域Y和第三区域Z中的液晶分子302可以沿类似于第一偏光板140和第二偏光板240的偏振轴的方向。因此，由于液晶分子302沿类似于第一偏光板140和第二偏光板240的偏振轴的方向，所以在像素PX的第二区域Y中的LCD 1的透射率会降低。就是说，在第二区域Y或者第三区域Z中，由液晶分子302与第一偏光板140和第二偏光板240的偏振轴形成的角度基本不同于约45度，从而降低透光率。

在本发明的实施方式中，参考图8和图11，像素PX可以包括布置在多个单元像素区域UPX中的每一个内的单元像素电极UPXE。单元像素电极UPXE可以通过中间区IB以预设距离彼此分离，中间区IB包括第一中间区IB‐1和第二中间区IB‐2。

在这种实施方式中，连接单元像素电极UPXE的连接电极LE可以布置在其中两个或更多个单元像素电极UPXE的角隔着插入其间的第一中间区IB‐1或者第二中间区IB‐2彼此面对的区域内。此外，突起BA可以布置在连接电极LE上。

在这种实施方式中，当连接电极LE如图8所示布置时，中间区IB和主干电极192可以在第一区域X中倾斜，因此允许电场到达布置连接电极LE的区域。因此，液晶分子302可以沿类似于平均液晶方位角的方向a、b、c以及d的方向排列。

在这种实施方式中，连接电极LE和突起BA如图8所示布置，通过水平电场排列的液晶分子302和可以通过促使液晶分子302彼此碰撞而将液晶分子302重新排列的矢量可以存在于第一区域X中。在此，矢量通过突起BA形成。

因此，在布置突起BA的第一区域X中，通过边缘场排列的液晶分子302可以彼此碰撞，以沿类似于平均液晶方位角的方向a、b、c和d的方向重新排列。

在这种实施方式中，参考图8，在与布置突起BA的第一区域X邻接的第一单元像素电极UPXE1到第四单元像素电极UPXE4的区域内，除第一水平分量到第四水平分量以外的水平分量可以通过突起BA形成。突起BA可以控制周围的液晶，从而使液晶分子302移动。

在实施方式中，突起BA可以是如图8所示的四边形突起BA。然而，也可以通过圆形突起生成相同的水平电场分量。在下文中，将通过将四边形突起BA的右表面限定为第一表面、上表面限定为第二表面、左表面限定为第三表面以及下表面限定为第四表面，来描述四边形突起BA。

例如，在一个实施方式中，突起BA的第一表面可以提供控制右向的液晶的第一分量f1。在这种实施方式中，突起BA的第二表面到第四表面可以分别提供控制液晶的第二分量f2到第四分量f4。

在这种实施方式中，突起BA的第一表面可以包括第一单元像素电极UPXE1和第四单元像素电极UPXE4中的任一个的域。现在将详细描述在这样的实施方式中的第一单元像素电极UPXE1内的液晶分子302的移动。

突起BA的第一表面可以与第一单元像素电极UPXE1的第三域Dc部分地重叠，以提供第一分量f1到第三域Dc。在此，第一分量f1可以与第一单元像素电极UPXE1中的第四水平电场F4碰撞，从而重新排列液晶分子302。就是说，突起BA可以形成能将位于连接电极LE周围的液晶分子302重新排列的矢量。因此，液晶分子302可以彼此碰撞，以在类似于平均方位液晶角(a、b、c和d)的方位角排列。

鉴于此，布置在第一单元像素电极UPXE1的第三域Dc中的液晶分子302可以沿平均液晶方位角的方向c排列。

在比较例1和比较例2中，液晶分子302沿与布置连接桥LE‐C的区域内的偏振轴水平的方向排列，从而降低透射率。在本发明的实施方式中，单元像素电极UPXE包括连接电极LE和突起BA，连接电极LE连接单元像素电极UPXE并且突起BA布置在连接电极LE上，并且连接电极LE布置在其中两个或更多个单元像素电极UPXE的角隔着插入其间的第一中间区IB‐1或者第二中间区IB‐2彼此面对的区域内，使得连接电极LE和突起BA可以最小化在连接电极LE周围无规律排列的液晶分子302，从而使透射率的降低最小化。

在实施方式中，如上所述，像素PX包括倾斜的主干电极192、连接多个单元像素电极UPXE的连接电极LE以及布置在连接电极LE上的突起BA，在每一个单元像素电极UPXE的侧边区域内和布置连接电极LE的区域内可以改善纹理的生成。

因此，在LCD 1中的连接电极LE和布置在连接电极LE上的突起BA可以控制位于连接电极LE上的液晶分子302沿平均液晶方位角的方向a、b、c和d排列，从而提高LCD 1的透射率和侧面视角。

图14是根据本发明的实施方式的LCD的像素的等效电路图。图15是根据本发明的实施方式的LCD 1的平面图。图16是沿着图15的线II‐II'所取的LCD 1的截面图。

在图14到图16中，为描述的简便，示出像素PX和与像素PX对应的栅极线GL、数据线DL、分压参考线RL。然而，在这种实施方式中，多个像素PX可以以行和列的矩阵排列，并且像素PX可以布置在沿着行方向延伸的多个栅极线121和沿着列方向延伸的多个数据线171的相交处附近。

在根据本发明的LCD 1的实施方式中，将电压施加到像素电极PXE和共用电极270之间。所施加的电压改变液晶分子302的行为，从而改变液晶的折射率以显示期望的灰度级。

在这种实施方式中，由于卓越的暗特性(dark characteristics)，LCD 1具有高对比度。在这种实施方式中，由于LCD 1使用负液晶(negative liquid crystals)，根据液晶分子302的行为的液晶的透射率可以基于观看LCD 1的方向变化。就是说，由于LCD 1的透射率根据观看LCD 1的方向变化，所以可以限制其视角。

在这种实施方式中，为提高LCD 1的视角，可以通过在第一基板100和第二基板200中的每一个上形成电极图案，而形成液晶分子302以不同的方向排列的多个域。例如，在这种实施方式中，电极图案可以是像素电极PXE或者共用电极270。

域(例如第一域Da到第四域Dd)的形成，可以根据视角的方向最小化液晶的折射率的差异，从而提高可视性。然而，虽然第一域Da到第四域Dd可以根据视角的方向最小化液晶的折射率的差异，但是由于向错线，因为第一域Da到第四域Dd降低在像素PX的侧边上的光效率，所以在像素PX的侧边上可能发生灰度曲线的扭曲。当实现亮状态和暗状态时，由于一些液晶分子302沿匹配第一偏光板140和第二偏光板240的偏振轴的方向排列，该向错线被建立。

在实施方式中，为提高在像素PX的侧边上的光效率，可以通过改变电极图案(PXE、270)减小低灰度级范围(暗状态)和高灰度级范围(亮状态)内的灰度曲线的扭曲。在这种实施方式中，可以通过降低高灰度级和低灰度级之间的透射率的差异，最小化伽玛曲线的扭曲，从而提高可视性。

在下文中，将详细描述具有已提高的可视性的LCD 1的实施方式。

参考图14到图16，LCD 1的实施方式可以包括彼此面对的第一基板100和第二基板200，以及布置在第二基板200和第一基板100之间的液晶层300。

第一基板100或者第二基板200还可以包括开关器件(QH、QL、QC)、滤色器1800以及遮光构件330。可以省去第一偏光板140和第二偏光板240中的一个。

在下文中将详细描述第一基板100和第二基板200中的每一个。

在这种实施方式中，第一基板100可以包括第一绝缘基板105、第一开关器件QH、第二开关器件QL以及第三开关器件QC。在这种实施方式中，第一基板100可以包括栅极线121、分压参考线131、数据线171以及电连接到第一开关器件QH、第二开关器件QL和第三开关器件QC的像素电极PXE。像素电极PXE包括第一子像素电极PXEH和第二子像素电极PXEL。

第一基板100包括多个栅极导体，并且栅极导体包括栅极线121、分压参考线131以及布置在第一绝缘基板105上的第一存储电极135、136和第二存储电极138、139。例如，第一绝缘基板105可以包括玻璃(诸如钠钙玻璃或者硼硅酸盐玻璃)或者塑料，或者由玻璃或者塑料制成。

栅极线121和分压参考线131可以沿着一个方向(例如水平方向)延伸并且传输栅极信号。栅极线121可以包括第一栅电极124H和通过其突出部限定的第二栅电极124L，并且第二栅电极124L位于第一子像素电极PXEH和第二子像素电极PXEL之间。栅极线121还可以包括向上突出的第三栅电极124c。在此，第一栅电极124H和第二栅电极124L可以彼此连接，从而将形成的一个突起限定为单个整体的单元。

在这种实施方式中，还可以提供不同于栅极线121的降压栅极线。

分压参考线131可以沿着水平方向延伸并且传送预设电压(诸如共用电压)。分压参考线131可以包括第一存储电极135和136，并且还可以包括向下延伸的第二存储电极138和139。

在实施方式中，第一垂直存储电极135可以沿着布置在像素PX的上部的第一子像素电极PXEH的垂直边缘形成。在这种实施方式中，第二垂直存储电极138可以沿着布置在像素PX的下部的第二像素电极PXEL的垂直边缘形成。第二水平存储电极139可以位于第二像素电极PXEL的水平边缘和第一像素电极PXEH的水平边缘之间，并且第一水平存储电极136和第二水平存储电极139可以沿着两个水平边缘布置。

在这种实施方式中，第一垂直存储电极135和第一水平存储电极136可以沿着第一像素电极PXEH的边缘布置，以至少与第一像素电极PXEH的部分重叠，并且第二垂直存储电极138和第二水平存储电极139可以沿着第二像素电极PXEL的边缘布置，以至少与第二像素电极PXEL的部分重叠。

在实施方式中，如图15所示，位于像素PX的上部的第一水平存储电极136与位于像素PX的下部的第二水平存储电极139彼此分离。在这种实施方式中，两个水平存储电极136和139可以电连接到竖直邻接的像素PX中的它们的对应部，从而以环形包围一个像素PX中的第一子像素电极PXEH和第二子像素电极PXEL。

栅极线121、分压参考线131以及第一存储电极135、136和第二存储电极138、139可以包括相同材料或者由相同材料形成，并且布置在相同层中。栅极线121、分压参考线131以及第一存储电极135、136和第二存储电极138、139可以包括铝(Al)基金属诸如铝和铝合金、银(Ag)基金属诸如银和银合金、铜(Cu)基金属诸如铜和铜合金、钼(Mo)基金属诸如钼和钼合金、铬(Cr)、钛(Ti)或者钽(Ta)，或者由以上制成。

在这种实施方式中，栅极线121、分压参考线131以及第一存储电极135、136和第二存储电极138、139可以具有多层结构，该多层结构包括具有彼此不同的物理特性的两个导电层(未示出)。例如，在一个实施方式中，两个导电层中的一个可以包括低电阻率金属诸如铝基金属、银基金属或者铜基金属，或者由以上制成，以降低栅极线121的信号延迟或者电压降。

栅极绝缘层115可以布置在第一绝缘基板105的整个表面上，以覆盖布置在其上的栅极线121、分压参考线131以及第一存储电极135、136和第二存储电极138、139。栅极绝缘层115可以包括例如氧化硅(SiOx)或者氮化硅(SiNx)，或者由以上制成。

第一半导体层154H、第二半导体层154L以及第三半导体层154c可以布置在栅极绝缘层115上。至少第一半导体层154H、第二半导体层154L以及第三半导体层154c的部分可以分别与第一栅电极124H、第二栅电极124L以及第三栅电极124c重叠。在实施方式中，第一半导体层154H、第二半导体层154L以及第三半导体层154c可以包括氧化物半导体诸如非晶硅、多晶硅或者氧化锌(ZnO)，或者由以上制成。

多个欧姆接触构件163H、165H、163L、165L、163c以及165c可以布置在第一半导体层154H、第二半导体层154L以及第三半导体层154c上。在这种实施方式中，欧姆接触构件163H、165H、163L、165L、163c以及165c可以布置在相应的第一半导体层154H、第二半导体层154L以及第三半导体层154c上。

多个数据导体布置在栅极绝缘层115和欧姆接触构件163H、165H、163L、165L、163c以及165c上。在实施方式中，数据导体包括数据线171，数据线171包括第一源电极173H和第二源电极173L、第一漏电极175H、第二漏电极175L、第三源电极173c以及第三漏电极175c。数据导体和位于数据导体之下的第一半导体层154H、第二半导体层154L以及第三半导体层154c和欧姆接触构件163H、165H、163L、165L、163c以及165c可以使用相同的掩膜同时形成。在实施方式中，数据线171包含宽端部(未示出)用于连接到另一层或者外部驱动电路。

数据导电层布置在第一半导体层154H、第二半导体层154L以及第三半导体层154c上。数据导电层可以包括沿着垂直方向延伸以与栅极线121相交的数据线171。

数据线171可以传输数据信号并且沿着竖直方向延伸以与栅极线121和分压参考线131相交。数据线171可以包括第一源电极173H和第二源电极173L，第一源电极173H和第二源电极173L朝向第一栅电极124H和第二栅电极124L延伸并且彼此连接。

数据导电层可以包括：连接至数据线171的第一源电极173H和第二源电极173L；第一漏电极175H，面向第一源电极173H并且与第一源电极173H分离；第二漏电极175L，面向第二源电极173L并且与第二源电极173L隔开；第三源电极173c，电连接到第二漏极175L；以及第三漏电极175c，面向第三源电极173c并且与第三源电极173c隔开。

第一漏电极175H的端部和第二漏电极175L的端部可以被第一源电极173H和第二源电极173L部分地包围。第二漏电极175L的宽端部还可以延伸以形成以类似U形弯折的第三源电极173c。第三漏电极175c的宽端部可以与参考电极137重叠以被连接到第三接触孔185c，并且第三漏电极175c的另一端部可以被第三源电极173c部分地包围。

在实施方式中，除了第一源电极173H、第二源电极173L以及第三源电极173c与第一漏电极175H、第二漏电极175L以及第三漏电极175c之间的沟道区，第一半导体层154H、第二半导体层154L以及第三半导体层154c可以具有与数据导体(171、175H、175L、175c)和在数据导体之下的欧姆接触构件163H、165H、163L、165L、163c以及165c基本相同的平面形状。在这种实施方式中，第一半导体层154H、第二半导体层154L以及第三半导体层154c可以包括没有被数据导体(171、175H、175L、175c)覆盖的暴露部分，诸如第一源电极173H、第二源电极173L以及第三源电极173c与第一漏电极175H、第二漏电极175L以及第三漏电极175c之间的部分。

数据线171可以直接接触第一半导体层154H、第二半导体层154L以及第三半导体层154c，从而形成欧姆接触。数据线171可以是包括低电阻率材料或者由低电阻率材料制成的单层，连同第一半导体层154H、第二半导体层154L以及第三半导体层154c一起用作欧姆接触。例如，数据线171可以由Cu、Al或者Ag制成。

为连同第一半导体层154H、第二半导体层154L以及第三半导体层154c一起提高欧姆接触特性，数据线171可以是单层结构或者多层结构，该结构包括Ni、Co、Ti、Ag、Cu、Mo、Al、Be、Nb、Au、Fe、Se或者Ta，或者由以上制成。例如，在一个实施方式中，多层可以包括双层诸如Ta/Al、Ni/Al、Co/Al、Mo(Mo合金)/Cu、Ti(Ti合金)/Cu、TiN(TiN合金)/Cu、Ta(Ta合金)/Cu或者TiOx/Cu，以及三层诸如Ti/Al/Ti、Ta/Al/Ta、Ti/Al/TiN、Ta/Al/TaN、Ni/Al/Ni或者Co/Al/Co。

第一栅电极124H、第二栅电极124L以及第三栅电极124c、第一源电极173H、第二源电极173L以及第三源电极173c、以及第一漏电极175H、第二漏电极175L以及第三漏电极175c可以分别连同第一半导体层154H、第二半导体层154L以及第三半导体层154c一起，共同地限定第一薄膜晶体管(“TFT”)QH、第二薄膜晶体管(“TFT”)QL以及第三薄膜晶体管(“TFT”)QC。TFT的沟道可以形成在第一半导体层154H、第二半导体层154L以及第三半导体层154c中，分别在第一源电极173H、第二源电极173L以及第三源电极173c与第一漏电极175H、第二漏电极175L以及第三漏电极175c之间。

钝化层180可以布置在数据导体(171、175H、175L、175c)和第一半导体层154H、第二半导体层154L以及第三半导体层154c的暴露部分上。钝化层180可以包括无机层或者有机层，或者由以上制成。可替换地，钝化层180可以具有包括下部无机层和上部有机层的双层结构，以便保护第一半导体层154H、第二半导体层154L以及第三半导体层154c。可替换地，钝化层180可以具有包括无机层、无机层上布置有机层、以及有机层上布置另一个无机层的三层结构。在实施方式中，在钝化层180中使用的有机层可以是滤色器1800。

在实施方式中，如图16所示，钝化层180的下钝化层180p可以布置在数据导体(171、175H、175L、175c)和第一半导体层154H、第二半导体层154L以及第三半导体层154c的暴露部分上。下钝化层180p可以包括无机绝缘材料诸如氮化硅或者氧化硅，或者由以上制成。

钝化层180的有机层可以形成在下钝化层180p上。在此，有机层可以是滤色器1800。滤色器1800可以沿着相邻的数据线171之间的竖直方向延伸。每一个滤色器1800可以显示红色、绿色以及蓝色三原色中的一个。每一个滤色器1800可以布置在数据线171上与数据线171重叠。

钝化层180的上钝化层180q可以布置在由滤色器1800和开口暴露的下钝化层180p的部分上。上钝化层180q可以防止滤色器1800的隆起(lifting)并且抑制从滤色器1800引入的诸如溶剂的有机物质对液晶层300的污染，从而有效防止诸如在屏幕驱动期间建立的余像的缺点。上钝化层180q可以包括无机绝缘材料或者有机材料(诸如氮化硅或者氧化硅)，或者由以上制成。

分别暴露第一漏电极175H的端部和第二漏电极175L的端部的第一接触孔185H和第二接触孔185L，可以限定在下钝化层180p、滤色器1800以及上钝化层180q中。

像素电极PXE布置在上钝化层180q上。像素电极PXE可以通过第一接触孔185H和第二接触孔185L连接到第一漏电极175H和第二漏电极175L。像素电极PXE可以包括透明导体(诸如氧化铟锡(“ITO”)或者氧化铟锌(“IZO”))，或者由以上制成。响应于通过已被施加数据电压的第一漏电极175H和第二漏电极175L接收的电压，像素电极PXE连同布置在第二基板200上的共用电极270一起生成电场，从而使布置在第一基板100和第二基板200之间的液晶层300的液晶分子302移动或者旋转。

像素电极PXE可以通过由栅极信号控制的TFT接收数据电压。换言之，如图15中布置的第一子像素电极PXEH和第二子像素电极PXEL可以通过第一接触孔185H和第二接触孔185L连接到第一漏电极175H和第二漏电极175L，并且分别从第一漏电极175H和第二漏电极175L接收数据电压。

像素电极PXE可以布置在由栅极线121和数据线171限定的每一个像素PX中。

像素电极PXE可以包括第一子像素电极PXEH和第二子像素电极PXEL，第一子像素电极PXEH和第二子像素电极PXEL通过栅极线121分离并且位于像素区域的上部和下部，以在列方向上彼此相邻。

布置在一个像素PX中的第一子像素电极PXEH和第二子像素电极PXEL可以改善视角。像素电极PXE基本与以上描述的相同。

第二基板200包括面向第一基板100的第二绝缘基板205和共用电极270。共用电极270可以布置在第二基板200上，第二基板200包括透明玻璃或者塑料，或者由以上制成。

在实施方式中，如图16所示，遮光构件330和滤色器1800布置在第一基板100中，但不限于此。在可替换的实施方式中，遮光构件330和滤色器1800可以可选地布置在第二基板200中。在这种实施方式中，遮光构件、滤色器、保护层以及第二配向层可以布置在第二基板200中。在下文中，滤色器1800和遮光构件330布置在第一面板100上的情况已在以上描述。

布置在第一基板100中的滤色器1800和遮光构件330可以防止弯曲显示装置中的配线的未对准(misalignment)，并且在连同第二配向层一起确定配向方向时，可以防止引起液晶的未对准的向错线的发生。

在实施方式中，其中遮光构件、滤色器、保护层以及第二配向层布置在第二基板200上，多个颜色的多个滤色器可以布置在第二基板200上，并且遮光构件可以布置在滤色器之间的边界线处。滤色器可以过滤某些波长的光，并且可被称为黑矩阵的遮光构件可以防止光的泄漏以及滤色器的颜色混合。

在实施方式中，保护层和第二配向层可以布置在第二基板200中。在这种实施方式中，保护层可以布置在第二绝缘基板205的整个表面上，以覆盖滤色器和布置在滤色器上的遮光构件。在这种实施方式中，保护层可以包括绝缘材料或者由绝缘材料制成，并且提供平坦表面。可替换地，可以省去保护层。

共用电极270可以布置在保护层上。第二配向层可以布置在共用电极270上并且可以是垂直配向层。可替换地，可以省去第二配向层。共用电极270可以是在第二绝缘基板205上的整个表面电极。

现在将参考图14来描述以上描述的LCD 1的实施方式的操作。参考图14，LCD 1的实施方式的像素PX可以包括：可以形成为TFT的第一开关器件QH、第二开关器件QL以及第三开关器件QC，以及可以形成为由液晶层300构成的介电质的第一液晶电容器C1和第二液晶电容器C2。

第一开关器件QH和第二开关器件QL可以具有连接到数据线DL的源极(即输入端子)和连接到栅极线GL的栅极(即控制端子)。第三开关器件QC可以具有连接到栅极线GL的栅极(即控制端子)。

在第二开关器件QL的漏极和第三开关器件QC的源极之间的接触点可以连接到第二液晶电容器C2的第二子像素电极PXEL，并且第一开关器件QH的漏极(即输出端子)可以连接到第一液晶电容器C1的第一子像素电极PXEH。第一液晶电容器C1和第二液晶电容器C2的其他端子可以连接到共用电极270。第三开关器件QC的漏极(即输出端子)可以连接到存储电极线。第二子像素电极PXEL可以通过第三开关器件QC电连接到分压参考线RL。

当栅极导通信号Von被发送到栅极线GL时，连接到栅极线GL的第一开关器件QH、第二开关器件QL和第三开关器件QC可以被导通。施加到数据线DL的数据电压经由导通的第一开关器件QH，传送到第一子像素电极PXEH，并且施加到第二子像素电极PXEL的电压，可以被串联连接到第二开关器件QL的第三开关器件QC分压。因此，施加到第二子像素电极PXEL的电压小于施加至第一子像素电极PXEH的电压。

在这种实施方式中，在第一液晶电容器C1中充电的电压可以不同于在第二液晶电容器C2中充电的电压。由于在第一液晶电容器C1中充电的电压不同于在第二液晶电容器C2中充电的电压，在第一子像素PXH和第二子像素PXL中的液晶分子可以以不同的角度倾斜。因此，两个子像素PXH和PXL可以具有彼此不同的亮度。

因此，通过将在第一液晶电容器C1中充电的电压和在第二液晶电容器C2中充电的电压调节为彼此不同，从侧面观看的图像可以尽可能地基本上接近从前面观看的图像，从而提高LCD 1的侧面可视性。

在实施方式中，如图14所示，提供连接到第二液晶电容器C2和分压参考线RL的第三开关器件QC，使在第一液晶电容器C1中充电的电压与在第二液晶电容器C2中充电的电压彼此不同。在根据本发明的LCD的可替换的实施方式中，第二液晶电容器C2可以连接到降压电容器。

现在将返回参考图1到图8和图15，详细描述像素电极PXE。参考图1到图8和图15，像素PX可以是粗略的矩形。像素电极PXE可以对应于并且覆盖像素PX，并且共用电极270可以布置为在整个第二基板200上的单个块。

当通过在像素电极PXE和共用电极270之间施加电位差，而在液晶层300中生成电场时，液晶分子302的长轴可以垂直于电场排列。液晶分子302倾斜的程度可以确定入射到液晶层300上的光的偏振改变的程度。通过第一偏光板140和第二偏光板240，偏振的改变可以转换为透射率的改变。因此，可以在LCD 1上显示图像。

在这种实施方式中，为改善显示图像的LCD 1的视角，可以通过在像素电极PXE和共用电极270中形成图案来形成多个域。

当通过对第一域Da到第四域Dd中的每一个内的液晶分子302的排列方向取平均而获得的排列方向被限定为平均方位角时，平均方位角可以是由通过第一域Da到第四域Dd中的每一个内的电场建立的矢量与通过液晶的碰撞建立的矢量的和表示的方向。

就是说，在第一域Da到第四域Dd中的每一个内，液晶分子302可以以类似于第一分支电极193a、第二分支电极193b、第三分支电极193c或者第四分支电极193d延伸方向的方位角排列。在第一域Da到第四域Dd中的每一个内，当从平面图观察时，液晶分子302可以以对应于由箭头a、b、c或者d表示的方向的平均方位角排列。

特别地，液晶分子302可以以基本平行于四个部分的方向的方向排列，在四个部分处，沿不同方向延伸的像素电极PXE的边缘彼此会合，朝向主干电极192的水平主干电极192a和垂直主干电极192b中的每一个的中心部分。因此，在第一域Da到第四域Dd中的每一个内的液晶分子302的指向矢可以通过沿类似于第一分支电极193a、第二分支电极193b、第三分支电极193c或者第四分支电极193d延伸方向的方向的电场排列，并且液晶分子302可以沿场生成电极的每一个区域内的总共四个方向倾斜。

在实施方式中，如上所述，液晶分子302的平均方位角可以确定为类似于在第一域Da到第四域Dd中的每一个内的第一分支电极193a、第二分支电极193b、第三分支电极193c或者第四分支电极193d延伸方向的方向。

因此，由于在这种实施方式中像素PX的第一分支电极193a到第四分支电极193d沿四个方向延伸，所以液晶分子302也可以沿四个方向倾斜。在这种实施方式中，液晶分子302可以沿如上所述的各种方向倾斜，可以增大LCD 1的标准视角。

为了连接各自具有如上所述多个域的单元像素电极UPXE，提供了连接电极LE。然而，如上所述，在连接电极LE中形成的水平电场，可以促使位于连接电极LE上的液晶分子302沿受第一偏光板140和第二偏光板240影响的方向排列，从而降低透射率。

在本发明的实施方式中，连接单元像素电极UPXE的连接电极LE布置在如下区域内：其中两个或更多个单元像素电极UPXE的角隔着插入其间的第一中间区IB‐1或者第二中间区IB‐2彼此面对。在这种实施方式中，突起BA布置在连接电极LE上。因此，连接电极LE和突起BA可以最小化在连接电极LE周围不规则排列的液晶分子302，从而将透射率的降低最小化。

在LCD 1中的连接电极LE和布置在连接电极LE上的突起BA可以控制位于连接电极LE上的液晶分子302沿平均液晶方位角的方向a、b、c以及d排列，从而提高LCD 1的透射率和侧面视角。

图17是根据本发明的可替换的实施方式的LCD 2的平面图。除了像素电极PXE，图17的LCD 2与以上描述的LCD的实施方式基本相同。图17中示出的相同或者相似元件，已被以上用来描述图1到图8和图14到图16中示出的LCD的示例性实施方式的相同参考字符标记，并且其中的任何重复的具体描述在下文中将被省去或者简化。

参考图17，在实施方式中，布置在LCD 2的像素PX中的像素电极PXE包括多个单元像素电极UPXE。

在像素PX中，单元像素电极UPXE沿着垂直方向排列，并且限定了将单元像素电极UPXE水平分离的中间区IB。中间区IB可以平行于水平主干电极192a延伸，并且可以与根据以上参考图1到图8和图14到图16描述的实施方式的第一中间区IB‐1相同。

基于水平主干电极192a和垂直主干电极192b彼此相交的区域，水平主干电极192a可以将每一个单元像素电极UPXE的域水平分离，并且垂直主干电极192b可以将每一个单元像素电极UPXE的域垂直分离。在此，中心电极192c可以布置在水平主干电极192a和垂直主干电极192b彼此相交的区域内。水平主干电极192a和垂直主干电极192b从中心电极192c朝向每一个单元像素电极UPXE的每一个侧边区域可以逐渐变得更窄。

在这种实施方式中，TFT连接到每一个像素电极PXE。连接到第一TFT的像素电极PXE将被称为第一像素电极PXE1，并且连接到第二TFT的像素电极PXE将被称为第二像素电极PXE2。

第一像素电极PXE1和第二像素电极PXE2通过预设间隙T彼此分离，以防止其间的干扰。根据图1到图8的先前实施方式，间隙T可以起到与第二中间区IB‐2类似的作用。在此，第二中间区IB‐2可以是沿垂直方向延伸的区域，以将第一像素电极PXE1和第二像素电极PXE2垂直分离。

中间区IB或者间隙T从每一个单元像素电极UPXE的侧边区域朝向与主干电极192的端部相邻的区域逐渐变得更窄。然而，在图17中，为了便于示出，间隙T不是渐缩的。

第一像素电极PXE1和第二像素电极PXE2中的每一个包括第一单元像素电极UPXEa、第二单元像素电极UPXEb以及第三单元像素电极UPXEc。第一单元像素电极UPXEa、第二单元像素电极UPXEb以及第三单元像素电极UPXEc通过连接电极LE‐1连接。在实施方式中，如图17所示，第一单元像素电极UPXEa、第二单元像素电极UPXEb以及第三单元像素电极UPXEc的垂直主干电极192b可以彼此连接，但不限于此。在可替换的实施方式中，第一单元像素电极UPXEa、第二单元像素电极UPXEb以及第三单元像素电极UPXEc的垂直主干电极192b可以断开或者彼此隔开。

在实施方式中，连接电极LE‐1可以布置在其中两个或更多个单元像素电极UPXE的角隔着插入其间的中间区IB和间隙T彼此面对的区域内。在这种实施方式中，连接电极LE‐1可以将单元像素电极UPXE彼此连接。

在这种实施方式中，连接电极LE‐1可以布置在中间区IB上而不是间隙T上。然而，本发明不限于此。由于第一像素电极PXE1和第二像素电极PXE2连接到不同的TFT以接收不同的信号，所以它们彼此不相连。

突起BA‐1可以布置在其中中间区IB和间隙T彼此相交，并且其中布置了连接电极LE‐1的区域上。

布置在中间区IB和间隙T彼此相交的区域上的突起BA‐1可以使在连接电极LE‐1周围生成的纹理最小化。

因此，在LCD 2中的连接电极LE‐1和布置在连接电极LE‐1上的突起BA‐1，可以控制位于连接电极LE‐1上的液晶分子302沿平均液晶方位角的方向a、b、c以及d排列，从而提高LCD 2的透射率和侧面视角。

根据本发明的实施方式，通过在单元像素电极的角彼此面对的区域内放置连接单元像素电极的连接电极并且在连接电极上放置突起，可以提高可视性和透射率。

然而，本发明的效果不局限于本文中所阐述的效果。通过参考权利要求，本发明的以上和其他效果对于本发明所属领域内的普通技术人员将变得更明显。

上述是对本发明的说明，而不应解释为对其限制。尽管已描述了本发明的几个实施方式，但是本领域内的普通技术人员将很容易理解，不实质背离本发明的新颖教导和优点而对实施方式作出许多变型是可能的。因此，所有这些变型旨在包括在如权利要求所限定的本发明的范围内。因此，应理解上述是对本发明的说明而不应解释为限制于所公开的具体实施方式，并且对所公开的实施方式及其他实施方式作出的变型旨在包括在所附权利要求的范围内。本发明由权利要求限定，其中包含权利要求的等同物。