平板显示装置的压接结构和压接方法与流程

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种平板显示装置的压接结构和压接方法。

背景技术：

近年来，随着信息技术、无线移动通讯和信息家电的快速发展与应用，人们对电子产品的依赖性与日俱增，更带来各种显示技术及显示装置的蓬勃发展。平板显示装置具有完全平面化、轻、薄、省电等特点，因此得到了广泛的应用。目前主要的平板显示装置包括液晶显示器(Liquid crystal displays，简称LCD)、等离子体显示器(Plasma display panel，简称PDP)、场致发射显示器(Field emission displays，简称FED)、有机电致发光显示器(Organic light-emitting diode displays，简称OLED)等。

异方性导电胶膜(Anisotropic Conductive Film，简称ACF)是一种含有导电粒子的热硬化或热可塑性的树脂薄膜，所述导电粒子之间具有一定的间隙。在各种平板显示装置的制造过程中，通常利用ACF将芯片(IC)、柔性电路板(flexible circuit board，简称FPC)等电子器件固定在显示面板上，并与显示面板实现电性导通。

请结合参考图1和图2，其为现有技术的平板显示装置在模组工艺后的结构示意图。如图1和图2所示，平板显示装置的显示面板10具有用于压接芯片和柔性电路板的台阶边，在模组工艺过程中，先将异方性导电胶膜13涂布于显示面板10的台阶边上，再利用一定压力和温度将芯片11、柔性电路板12等电子器件压接在显示面板10上形成模组，由于所述异方性导电胶膜13的导电粒子15在挤压后紧密接触，使得所述芯片11、柔性电路板12等电子器件的压接端子10b与显示面板10的压接端子10a在垂直方向(即Z轴方向)上实现电性导通，同时，在水平方向上导电粒子15之间仍然具有一定的间隙，因此相邻的电极之间不导通。

然而，在实际制造过程中发现，ACF的导电粒子在树脂薄膜中并不是完全均匀的，ACF的部分位置会出现导电粒子密集的现象。而且，ACF经过挤压之后会出现导电粒子向两侧移动的现象，导致水平方向的导电粒子更加密集。请参考图3，其为现有技术的平板显示装置在模组工艺后出现导电粒子密集的结构示意图。如图3所示，异方性导电胶膜13在经过挤压之后，其导电粒子15在压接端子的两侧聚集，造成ACF横向导通(即水平方向导通)，使得相邻的压接端子之间短路。

基此，如何解决现有的平板显示装置在制造过程中容易出现ACF横向导通的问题，成了本领域技术人员亟待解决的一个技术问题。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种平板显示装置的压接结构和压接方法，以解决现有的平板显示装置在制造过程中容易出现ACF横向导通的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种平板显示装置的压接结构，所述平板显示装置的压接结构包括：多个第一压接端子、多个第二压接端子以及设置于所述多个第一压接端子与多个第二压接端子之间的异方性导电胶膜；

其中，所述多个第一压接端子之间均形成有第一绝缘结构，所述第一绝缘结构的一侧具有多个第一凹坑，所述多个第二压接端子之间均形成有第二绝缘结构，所述第二绝缘结构的一侧具有多个第二凹坑，所述多个第一凹坑与多个第二凹坑的位置一一相对，且所述第一凹坑与第二凹坑共同形成一容纳空间，所述容纳空间用于容纳至少一个所述异方性导电胶膜的导电粒子。

可选的，在所述的平板显示装置的压接结构中，所述容纳空间为球形容纳空间，所述球形容纳空间的直径大于所述导电粒子的直径。

可选的，在所述的平板显示装置的压接结构中，所述容纳空间为椭球形容纳空间，所述椭球形容纳空间的最小直径大于所述导电粒子的直径。

可选的，在所述的平板显示装置的压接结构中，所述第一绝缘结构与第二绝缘结构采用的材料相同，均为有机材料、氮化硅或氧化硅。

可选的，在所述的平板显示装置的压接结构中，所述第一凹坑与第二凹坑均通过转印工艺或刻蚀工艺制成。

可选的，在所述的平板显示装置的压接结构中，所述第一凹坑与所述第二凹坑的形状和尺寸均相同。

可选的，在所述的平板显示装置的压接结构中，所述显示面板为液晶显示面板或有机电致发光显示面板。

本发明还提供一种平板显示装置的压接方法，所述平板显示装置的压接方法包括：

提供一显示面板，所述显示面板具有多个第一压接端子；

在所述多个第一压接端子之间形成第一绝缘结构，所述第一绝缘结构具有多个第一凹坑；

将异方性导电胶膜涂布在所述第一绝缘结构和多个第一压接端子上；

提供一芯片或柔性电路板，所述芯片或柔性电路板具有多个第二压接端子，

在所述多个第二压接端子之间形成第二绝缘结构，所述第二绝缘结构具有多个第二凹坑；以及

将所述芯片或柔性电路板压接在所述显示面板上，使得所述多个第一凹坑与多个第二凹坑的位置一一相对，且所述第一凹坑与第二凹坑共同形成一球形空间。

可选的，在所述的平板显示装置的压接方法中，所述第一绝缘结构与第二绝缘结构采用的材料相同，均为有机材料、氮化硅或氧化硅。

可选的，在所述的平板显示装置的压接方法中，所述第一凹坑与第二凹坑均通过转印工艺或刻蚀工艺制成。

在本发明提供的平板显示装置的压接结构和压接方法中，采用绝缘材料制作第一绝缘结构和第二绝缘结构，使得导电粒子在压接时卡在所述第一绝缘结构和第二绝缘结构配合形成的容纳空间内，避免导电粒子密集而导致ACF横向导通。

附图说明

图1是现有技术的平板显示装置在模组工艺后的结构示意图；

图2是图1中区域A的放大示意图；

图3是现有技术的平板显示装置在模组工艺后出现导电粒子密集的结构示意图；

图4是本发明实施例一的平板显示装置的压接结构的结构示意图；

图5是本发明实施例二的平板显示装置的压接结构的结构示意图；

图6是本发明实施例三的平板显示装置的压接结构的结构示意图；

图7是本发明其他实施例的平板显示装置的压接方法的流程图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本发明提出的平板显示装置的压接结构和压接方法作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。

【实施例一】

请参考图4，其为本发明实施例一的平板显示装置的压接结构的结构示意图。如图4所示，所述平板显示装置的压接结构200包括：位于显示面板20上的多个第一压接端子20a、位于芯片和/或柔性电路板22上的多个第二压接端子20b、以及设置于所述多个第一压接端子20a与多个第二压接端子20b之间的异方性导电胶膜；所述多个第一压接端子20a之间均形成有第一绝缘结构30a，所述第一绝缘结构30a的一侧具有多个第一凹坑，所述多个第二压接端子20b之间均形成有第二绝缘结构30b，所述第二绝缘结构30b的一侧具有多个第二凹坑，所述多个第一凹坑与多个第二凹坑的位置一一相对，且所述第一凹坑与第二凹坑共同形成一容纳空间，所述容纳空间用于容纳至少一个所述异方性导电胶膜的导电粒子25。

具体的，所述第一绝缘结构30a与第二绝缘结构30b的位置相对，且相互面对的一侧均设置有多个凹坑，所述第一绝缘结构30a的第一凹坑与所述第二绝缘结构30b的第二凹坑共同形成一容纳空间。

本实施例中，所述第一绝缘结构30a的多个第一凹坑和所述第二绝缘结构30b的多个第二凹坑均为接近半球形的弧形凹坑。因此所述第一绝缘结构30a的第一凹坑和所述第二绝缘结构30b的第二凹坑共同形成一球形容纳空间，所述球形容纳空间的直径一般大于ACF的导电粒子25的直径。

本实施例中，所述导电粒子25的直径为3μm，所述球形容纳空间的直径大于3μm。例如，所述球形容纳空间的直径为3.5μm、4μm、4.5μm、5μm、6μm或8μm。

本实施例中，所述第一绝缘结构30a与第二绝缘结构30b采用有机材料或其他易于得到凹坑的绝缘材料，例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。

本实施例中，所述第一凹坑与第二凹坑均通过转印工艺或刻蚀工艺制成，且所述第二凹坑与所述第一凹坑的形状和尺寸均相同。

优选的，所述第一绝缘结构30a与第二绝缘结构30b采用的材料相同。

如图4所示，在所述平板显示装置的压接结构200中，所述第一压接端子20a与第二压接端子20b之间的导电粒子25由于挤压而紧密接触，Z轴方向(图中虚线箭头所示)实现电性导通，所述第一压接端子20a与第二压接端子20b旁边的导电粒子25被卡在所述第一绝缘结构30a与第二绝缘结构30b之间，由于球形容纳空间的限制，所述导电粒子25在水平方向上不互相接触，因此能够彻底避免ACF横向导通问题。与此同时，由于所述第一绝缘结构30a与第二绝缘结构30b具有波浪状曲面，ACF的横向附着力得以增加，由此提高了所述压接结构200的可靠性。

本实施例中，每个球形容纳空间容纳一个导电粒子25。在其他实施例中，每个球形容纳空间容纳两个，甚至多个导电粒子25。

本实施例中，所述第一绝缘结构30a与第二绝缘结构30b的厚度根据所述第一压接端子20a与第二压接端子20b的高度以及导电粒子25的直径进行设置，只要能够避免所述导电粒子25在压接时被压破即可。

【实施例二】

请参考图5，其为本发明实施例二的平板显示装置的压接结构的结构示意图。如图5所示，所述平板显示装置的压接结构200包括：位于显示面板20上的多个第一压接端子20a、位于芯片和/或柔性电路板22上的多个第二压接端子20b、以及设置于所述多个第一压接端子20a与多个第二压接端子20b之间的异方性导电胶膜；所述多个第一压接端子20a之间均形成有第一绝缘结构30a，所述第一绝缘结构30a的一侧具有多个第一凹坑，所述多个第二压接端子20b之间均形成有第二绝缘结构30b，所述第二绝缘结构30b的一侧具有多个第二凹坑，所述多个第一凹坑与多个第二凹坑的位置一一相对，且所述第一凹坑与第二凹坑共同形成一容纳空间，所述容纳空间用于容纳至少一个所述异方性导电胶膜的导电粒子25。

本实施例中，所述第一绝缘结构30a的第一凹坑与所述第二绝缘结构30b的第二凹坑均为弧形凹坑，且共同形成一椭球形容纳空间，所述椭球形容纳空间的最小直径大于导电粒子25的直径。

由于椭球形容纳空间的限制，所述导电粒子25在水平方向上不互相接触，因此能够彻底避免ACF横向导通问题。与此同时，由于所述第一绝缘结构30a与第二绝缘结构30b具有波浪状曲面，ACF的横向附着力得以增加，由此提高了所述压接结构200的可靠性。

【实施例三】

请参考图6，其为本发明实施例三的平板显示装置的压接结构的结构示意图。如图6所示，所述平板显示装置的压接结构200包括：位于显示面板20上的多个第一压接端子20a、位于芯片和/或柔性电路板22上的多个第二压接端子20b、以及设置于所述多个第一压接端子20a与多个第二压接端子20b之间的异方性导电胶膜；所述多个第一压接端子20a之间均形成有第一绝缘结构30a，所述第一绝缘结构30a的一侧具有多个第一凹坑，所述多个第二压接端子20b之间均形成有第二绝缘结构30b，所述第二绝缘结构30b的一侧具有多个第二凹坑，所述多个第一凹坑与多个第二凹坑的位置一一相对，且所述第一凹坑与第二凹坑共同形成一容纳空间，所述容纳空间用于容纳至少一个所述异方性导电胶膜的导电粒子25。

本实施例中，所述第一绝缘结构30a的第一凹坑与所述第二绝缘结构30b的第二凹坑的横截面为均为梯形凹坑，且共同形成一多边形容纳空间。

由于多边形容纳空间的限制，所述导电粒子25在水平方向上不互相接触，因此能够彻底避免ACF横向导通问题。与此同时，由于所述第一绝缘结构30a与第二绝缘结构30b的表面具有凹凸起伏，ACF的横向附着力得以增加，由此提高了所述压接结构200的可靠性。

相应的，本发明还提供了一种平板显示装置的压接方法。请参考图7，其为本发明实施例的平板显示装置的压接方法的流程图。如图7所示，所述平板显示装置的压接方法包括：

步骤一：提供一显示面板，所述显示面板具有多个第一压接端子；

步骤二：在所述显示面板的多个第一压接端子之间形成第一绝缘结构，所述第一绝缘结构具有多个第一凹坑；

步骤三：将异方性导电胶膜涂布在所述第一绝缘结构和多个第一压接端子上；

步骤四：提供一芯片或柔性电路板，所述芯片或柔性电路板具有多个第二压接端子，

步骤五：在所述多个第二压接端子之间形成第二绝缘结构，所述第二绝缘结构具有多个第二凹坑；

步骤六：将所述芯片或柔性电路板压接在所述显示面板上，使得所述多个第一凹坑与多个第二凹坑的位置一一相对，且所述第一凹坑与第二凹坑共同形成一容纳空间。

下面将结合具体实施例和附图4-6，对本发明进行详细阐述。

首先，提供一显示面板20，所述显示面板20具有一台阶边，所述台阶边上排布有多个第一压接端子20a。

接着，在所述显示面板20的多个第一压接端子20a之间形成第一绝缘结构30a，所述第一绝缘结构30a具有多个第一凹坑。所述多个第一凹坑是通过转印工艺或刻蚀工艺形成的。

然后，将异方性导电胶膜涂布在所述第一绝缘结构30a和多个第一压接端子20a上。

之后，提供一芯片(或柔性电路板)22，所述芯片(或柔性电路板)22具有多个第二压接端子20b。

此后，在所述多个第二压接端子20b之间形成第二绝缘结构30b，所述第二绝缘结构30b具有多个第二凹坑。所述多个第一凹坑也是通过转印工艺或刻蚀工艺形成的。

其中，所述多个第一凹坑与所述多个第二凹坑的位置一一对应，且所述第一凹坑与所述第二凹坑的形状和尺寸均相同。

本实施例中，所述第一凹坑与所述第二凹坑均为接近半球形的弧形凹坑。在其他实施例中，所述第一凹坑与所述第二凹坑的截面形状可以是三角形、四边形、五边形等，只要所述第一凹坑与所述第二凹坑共同形成的容纳空间能够限制ACF的导电粒子在水平方向上的位置，使导电粒子互相不接触即可。

最后，利用一定压力和温度将所述芯片(或柔性电路板)22压接在所述显示面板20上，形成模组。此时，所述第一凹坑与第二凹坑共同形成一球形容纳空间，压接端子旁边的导电粒子25被卡在所述球形容纳空间内。

至此，形成所述平板显示装置的压接结构200。

本实施例中，所述显示面板20为液晶显示面板或OLED显示面板。相应的，所述平板显示装置为液晶显示装置或OLED显示装置。

在其他实施例中，步骤四所提供的芯片(或柔性电路板)22不但具有多个第二压接端子，而且多个第二压接端子之间形成有第二绝缘结构，在此情况下可以省略步骤五。

综上，在本发明实施例提供的平板显示装置的压接结构和压接方法中，采用绝缘材料制作第一绝缘结构和第二绝缘结构，使得导电粒子在压接时卡在所述第一绝缘结构和第二绝缘结构配合形成的容纳空间内，避免导电粒子密集而导致ACF横向导通。

上述描述仅是对本发明较佳实施例的描述，并非对本发明范围的任何限定，本发明领域的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。