微影方法与流程

技术特征：

技术总结
本公开提供半导体装置的形成方法与材料。此方法包含形成光致抗蚀剂于基板上。光致抗蚀剂包含酸活性基团(ALG)连接至极性单元。此方法亦包含以射线束曝光光致抗蚀剂、烘烤光致抗蚀剂；以及对光致抗蚀剂进行显影工艺。

技术研发人员：訾安仁;张庆裕
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2016.11.29
技术公布日：2017.08.15