1.一种硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器，其特征在于包括基底层(1)、中央矩形硅波导(2)、左一长矩形硅波导(3)、左二长矩形硅波导(4)、左三长矩形硅波导(5)、中一短矩形硅波导(6)、中二短矩形硅波导(7)、中三短矩形硅波导(8)、下一长矩形硅波导(9)、下二长矩形硅波导(10)、右一长矩形硅波导(11)、倒L形硅波导(12)、右二长矩形硅波导(13)、L形硅波导(14)、信号输入端(15)、第一信号输出端(16)、第二信号输出端(17)；基底层(1)左侧中央设有中央矩形硅波导(2)，中央矩形硅波导(2)上部与左一长矩形硅波导(3)、左二长矩形硅波导(4)、左三长矩形硅波导(5)、中一短矩形硅波导(6)、中二短矩形硅波导(7)、中三短矩形硅波导(8)相连，中央矩形硅波导(2)下部与下一长矩形硅波导(9)、下二长矩形硅波导(10)相连，右一长矩形硅波导(11)的右端与倒L形硅波导(12)的左端相连，右二长矩形硅波导(13)的右端与L形硅波导(14)的左端相连；中央矩形硅波导(2)的左端设有信号输入端(15)，倒L形硅波导(12)的右端设有第一信号输出端(16)，L形硅波导(14)的右端设有第二信号输出端(17)，信号从信号输入端(15)输入，第一信号输出端(16)输出TE波，第二信号输出端(17)输出TM波，获得偏振分束性能。
2.根据权利要求1所述的一种硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器，其特征在于所述的基底层(1)的材料为二氧化硅，折射率为1.5，其长度为22～24μm，宽度为16～18μm，厚度为9～10μm。
3.根据权利要求1所述的一种硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器，其特征在于所述的中央矩形硅波导(2)的长度为16～18μm，宽度为1～1.5μm，厚度为0.4～0.5μm。
4.根据权利要求1所述的一种硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器，其特征在于所述的左一长矩形硅波导(3)的左侧与基底层(1)左侧边缘的距离为2～2.5μm；左一长矩形硅波导(3)与左二长矩形硅波导(4)之间、左二长矩形硅波导(4)与左三长矩形硅波导(5)之间的距离相等均为1～1.5μm，左一长矩形硅波导(3)与左三长矩形硅波导(5)的尺寸参数相同，长度均为6～6.5μm，宽度均为1～1.5μm，厚度均为0.4～0.5μm，左二长矩形硅波导(4)的长度为7～7.5μm，宽度为1～1.5μm，厚度为0.4～0.5μm。
5.根据权利要求1所述的一种硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器，其特征在于所述的中一短矩形硅波导(6)与左三长矩形硅波导(5)之间、中一短矩形硅波导(6)与中二短矩形硅波导(7)之间、中二短矩形硅波导(7)与中三短矩形硅波导(8)之间的距离相等均为2～2.5μm，中一短矩形硅波导(6)与中三短矩形硅波导(8)的尺寸参数相同，长度和宽度均为2～2.5μm，厚度均为0.4～0.5μm，中二短矩形硅波导(7)的长度为2.5～3μm，宽度为2～2.5μm，厚度为0.4～0.5μm。
6.根据权利要求1所述的一种硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器，其特征在于所述的下一长矩形硅波导(9)的左侧与基底层(1)左侧边缘的距离为3～3.5μm，下一长矩形硅波导(9)与下二长矩形硅波导(10)之间的距离为1～1.5μm，下一长矩形硅波导(9)与下二长矩形硅波导(10)的尺寸参数相同，长度均为7～7.5μm，宽度均为1～1.5μm，厚度均为0.4～0.5μm。
7.根据权利要求1所述的一种硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器，其特征在于所述的右一长矩形硅波导(11)与右二长矩形硅波导(13)位于中央矩形硅波导(2)两侧，右一长矩形硅波导(11)与中央矩形硅波导(2)之间的距离为3～3.5μm，右二长矩形硅波导(13)与中央矩形硅波导(2)之间的距离为0.4～0.5μm，右一长矩形硅波导(11)与右二长矩形硅波导(13)的尺寸参数相同，长度均为11～13μm，宽度均为1～1.5μm，厚度为0.4～0.5μm。
8.根据权利要求1所述的一种硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器，其特征在于所述的倒L形硅波导(12)的底端与右一长矩形硅波导(11)的右端相连，倒L形硅波导(12)的总长度为5.5～6μm，总宽度为4.5～5μm，宽度为1～1.5μm，厚度为0.4～0.5μm。
9.根据权利要求1所述的一种硅阵列结构的太赫兹波偏振分束器，其特征在于所述的L形硅波导(14)的顶端与右二长矩形硅波导(13)的右端相连，L形硅波导(14)的总长度为8～9μm，总宽度为4.5～5μm，宽度为1～1.5μm，厚度为0.4～0.5μm。