一种提高分步重复精缩机制作4寸版曝光面积的方法与流程

本发明涉及半导体制版领域，具体地说是一种提高分步重复精缩机制作4寸版曝光面积的方法。

背景技术：

正常制作4寸掩模版的版架左右版架距离限制X向在76mm以内。编制程序菜单只能输入一个尺寸，代表X和Y向最大长度为同一个值，制作4寸版程序菜单最大只能输入76mm，超过76mm，机器的聚焦起始点在X向上会聚焦到版架上，引起平整度的问题，无法制作掩模版。要制作在X向最大76mm，Y向要超过76mm的掩模版，除非使用5寸版架和5寸版，制作后再裁减成4寸的，否则不能做出Y向超过76mm的4寸掩模版。

市场上需要制作在X向最大76mm，Y向80mm及以上的掩模版。4寸掩模版正常制作下只能X和Y向都在76mm以内的掩模版，Y向80mm及以上的4寸掩模版一直难于制作。

技术实现要素：

针对现有技术的不足，本发明提供一种提高分步重复精缩机制作4寸版曝光面积的方法，提高制作掩模的面积，解决了4寸版架和聚焦的限制下Y向长度不能超过76mm的问题。

本发明为实现上述目的所采用的技术方案是：

一种提高分步重复精缩机制作4寸版曝光面积的方法，包括以下步骤：

步骤1：在掩模版的曝光区域内输入曝光面积，并根据曝光面积建立坐标系；

步骤2：对初缩版按X轴和Y轴方向的步距进行曝光，得到精缩版；

步骤3：在已曝光的精缩版最上方一行向上移位，得到向上移位后的坐标；同时在已曝光的精缩版最下方一行向下移位，得到向下移位后的坐标；

步骤4：以向上移位后的坐标为原点，对向上移位后的精缩版按X轴和Y轴方向的步距进行曝光；以向下移位后的坐标为原点，对向下移位后的精缩版按X轴和Y轴方向的步距进行曝光。

所述曝光面积为76mm*76mm。

所述坐标系的原点为精缩版右上角的精缩图形的中心点；X轴为由右向左的水平方向；Y轴为由上向下的竖直方向。

所述向上移位和向下移位的移位距离为一个精缩图形Y轴方向的步距。

所述向上移位后的坐标原点为(0,-β)；所述向下移位后的坐标原点为(0,β)，其中β为一个精缩图形Y轴方向的步距。

本发明具有以下有益效果及优点：

1.提高4寸掩摸版制作面积。

2.满足市场需求，增加经济效益。

3.突破了设备的限制。

附图说明

图1是本发明的4寸版制作面积图；

图2是本发明的曝光的精缩版示意图；

图3是本发明的保留最上方一行精缩图形的精缩版示意图；

图4是本发明的保留最下方一行精缩图形的精缩版示意图。

具体实施方式

下面结合附图及实施例对本发明做进一步的详细说明。

如图1所示为本发明的4寸版制作面积图。

阴影部分代表版架，掩摸版通过真空吸附在版架下方。X轴实线部分代表限制在版架内的掩摸版尺寸76mm，Y轴实线部分长度代表4英寸掩摸版尺寸102mm。虚线内部分表示没有使用本发明专利制作的精缩版尺寸。

如图2所示为本发明的曝光的精缩版示意图。

以制作步距为2300*10000μm的图形数据的4寸版为例，采用编制三个程序菜单和移位曝光制作掩模方法，制作方法如下：

编制第一个程序。

在制作程序输入76mm限制下，排33*6个图形。阴影部分代表曝光，没有阴影部分代表不曝光。

如图3所示为本发明的保留最上方一行精缩图形的精缩版示意图。

编制第二个程序，把原来第一个程序只保留最上边的一横排图形，Y向移位-10000(表示向上移位)。阴影部分代表曝光，没有阴影部分代表不曝光。

如图4所示为本发明的保留最下方一行精缩图形的精缩版示意图。

把原来第一个程序只保留最下边的一横排图形，Y向移位+10000(表示向下移位)。阴影部分代表曝光，没有阴影部分代表不曝光。通过此方法可以制作Y向比原来76mm大的80mm的4寸掩模版。