本申请主张在2017年3月28日在韩国知识产权局提出申请的韩国专利申请第10-2017-0039301号的优先权的权利，所述韩国专利申请的公开内容全文并入本申请供参考。
本发明概念涉及一种用于极紫外光曝光的护膜(pellicle)以及一种光刻系统。
背景技术：
可将护膜以期望的(或作为另外一种选择，预定的)间隙放置在光掩模之上以帮助保护光掩模的表面不受外部微粒的影响。在微影工艺(lithographyprocess)期间，期望护膜在暴露至光时会在设定时间段或更长时间内保持不变形或不破裂。期望存在一种在微影工艺期间暴露至紫外光时能够承受长期暴露至氢等离子体的护膜。
技术实现要素：
本发明概念提供一种在极紫外光曝光环境中可使用长时间段的用于暴露到极紫外光的护膜。
本发明概念提供一种制造在极紫外光曝光环境中可使用长时间段的用于暴露到极紫外光的护膜的方法。
本发明概念提供一种在极紫外光曝光环境中可使用长时间段的用于暴露到极紫外光的光掩模总成。
根据本发明概念的示例性实施例，提供一种用于极紫外光(extremeultravioletlight，euvl)曝光的护膜，所述护膜包括：护膜膜片，包括碳系主层以及硼系增强层，所述碳系主层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述硼系增强层覆盖所述第一表面与所述第二表面中的至少一者。所述护膜还包括贴合到所述护膜膜片的框架。
根据本发明概念的示例性实施例，提供一种用于极紫外光的护膜，所述护膜包括：护膜膜片，包括碳系主层及氢等离子体耐受性化学增强层，所述碳系主层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述氢等离子体耐受性化学增强层覆盖所述第一表面与所述第二表面中的至少一者，跨越所述碳系主层与所述氢等离子体耐受性化学增强层之间的界面存在混合层，且所述混合层包含源自于所述碳系主层的组分及源自于所述氢等离子体耐受性化学增强层的组分。所述护膜还包括贴合到所述护膜膜片的框架。
根据示例性实施例，提供一种制造用于暴露到极紫外光的护膜的方法，所述方法包括：在支撑衬底上形成催化剂层；在所述催化剂层上形成硼系材料层；在所述硼系材料层上形成碳系主层；以及将所述支撑衬底及所述催化剂层移除。
根据示例性实施例，提供一种用于暴露到极紫外光的光掩模总成，所述光掩模总成包括护膜，所述护膜包括护膜膜片及贴合到所述护膜膜片的框架，所述护膜膜片包括碳系主层，所述碳系主层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述护膜膜片还包括硼系增强层，所述硼系增强层涂布在所述第一表面与所述第二表面中的至少一者。所述光掩模总成还包括光掩模，所述护膜固定到所述光掩模的表面。
根据示例性实施例，提供一种光刻系统，所述光刻系统包括：掩模版平台；掩模版，位于所述掩模版平台的第一表面上；以及护膜膜片，位于所述掩模版的第一表面上，所述护膜膜片包括碳系主层及硼系增强层，所述碳系主层具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述硼系增强层覆盖所述碳系主层的所述第一表面与所述第二表面中的至少一者。
根据示例性实施例，提供一种制造电子系统的方法，所述方法包括：将光掩模总成固定到掩模平台上，所述光掩模总成包括护膜，所述护膜包括护膜膜片及贴合到所述护膜膜片的框架，所述护膜膜片包括具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面的碳系主层，所述护膜膜片还包括涂布在所述第一表面与所述第二表面中的至少一者的硼系增强层，所述光掩模总成包括光掩模，所述护膜固定到所述光掩模的表面；利用所述光掩模来将晶片上的光致抗蚀剂层(photoresistlayer)暴露至光以形成光致抗蚀剂图案；以及利用所述光致抗蚀剂图案来处理特征层。
附图说明
通过结合附图阅读以下详细说明，将更清楚地理解本发明概念的示例性实施例，在附图中：
图1是示出根据示例性实施例的护膜的剖视图。
图2a是示出图1所示ii的放大示意图。
图2b是示出图2a中每一层的浓度分布图。
图3是示出根据另一个示例性实施例的护膜的剖视图。
图4a是示出图3所示iv的放大示意图。
图4b是示出图4a中每一层的浓度分布图。
图5是示出根据另一个示例性实施例的护膜的剖视图。
图6a是示出图5所示vi的放大示意图。
图6b是示出图6a中每一层的浓度分布图。
图7a及图7b是示出根据另一个示例性实施例的护膜的剖视图。
图8是示出根据示例性实施例的制造护膜的方法的流程图。
图9a至图9e是示出根据示例性实施例的制造护膜的方法的侧视图。
图10a包括在对形成在衬底上的石墨层进行氢等离子体处理之前及之后的透射电子显微镜(transmissionelectronmicroscope，tem)分析图像以及拉曼光谱分析(ramanspectrumanalysis)图像。
图10b包括在对形成在石墨上的b4c层进行氢等离子体处理之前及之后的透射电子显微镜(tem)分析图像以及拉曼光谱分析图像。
图11是示出能够与根据示例性实施例的护膜结合的示例性光掩模的示意性结构的平面图。
图12是示出根据示例性实施例的光掩模总成的剖视图。
图13是示出根据另一个示例性实施例的光掩模总成的剖视图。
图14是示出根据示例性实施例的集成电路装置制造设备的示意性特征的剖视图。
图15是示出利用掩模版执行的反射型光刻工艺的概念图，所述掩模版贴合有根据示例性实施例的护膜。
图16是示出制造根据示例性实施例的电子系统的方法的流程图。
图17是示出根据本发明概念示例性实施例的包括集成电路装置的电子系统的实例的方块图。
[符号的说明]
60、100、100a、100b、100c、100d、820：护膜
70：掩模版
110：护膜膜片
112：碳系主层
112pf、114pf、116pf：浓度分布
114：化学增强层/第一化学增强层
114a：层/第一层
114b：层/第二层
114m：第一化学增强层
116：化学增强层/第二化学增强层
116a：层/第三层
116b：层/第四层
116m：第二化学增强层
150：框架
160、530：粘合层
210：支撑衬底
220：催化剂层
230：硼系材料层
230a：新的硼系材料层/硼系材料层
232：残余碳系主层/层
234、252、254：层
240：碳系主层
250：硼系材料层
600a、600b：光掩模总成
800：集成电路装置制造设备
800a：掩模平台区
800b：投射光学系统区
800c：晶片平台区
800d：装载锁腔室
800e：晶片装载端口
800f：掩模装载锁腔室
800g：掩模装载端口
810：掩模平台
812：掩模平台支撑件
818：掩模固持件系统
840：投射光学系统
850：晶片平台
852：晶片吸盘
862a、862b、876a、876b、886a、886b：闸阀
864a、864b、864c、864d、864e：真空排放装置
871、872、873、874：返回手
880：光掩模载具
882：内盒
884：外盒
900：反射型光刻系统
910：光源
915：集光器
920：照明反射镜系统
921、922、923、924：照明反射镜
940：掩模版平台
960：遮罩
962：狭缝
964：板
970：投射反射镜系统
971、972、973、974、975、976：投射反射镜
980：晶片平台
990、w：晶片
1100：电子系统
1110：控制器
1120：输入/输出装置
1130：集成电路装置/存储器装置
1140：接口
1150：总线
a1、a2：箭头
ap：辅助图案区/辅助图案
b、c：线
bb：黑色边界区
cl：中心线
d：峰值强度
fr：前侧表面
fs：第一表面
ima：第一混合层/混合层
imb：第二混合层/混合层
imc：第三混合层
imd：第四混合层
ime：第五混合层
imf：第六混合层
mp：主图案区
p1：主图案元素
p2：辅助图案元素
p902、p904、p906、p908、p910、p912、p914、p915、p916：工艺
pm：光掩模/反射型光掩模
rs：第二表面
s210、s220、s230、s240：步骤
具体实施方式
在光刻中，当使用包含极紫外(extremeultraviolet，euv)光的能量束或电子束时，由热量及氢等离子体造成的护膜损坏对于批量生产来说是期望得到解决的关切问题。当未恰当地移除在光刻工艺期间施加的热量时，由积聚的热量引起的热应力可能会造成护膜损坏。另外，在光刻工艺期间，护膜可暴露至氢等离子体，且护膜表面上的结晶缺陷(crystallinedefect)可为种子点(seedpoint)，例如由氢等离子体造成的损坏可由此起始并发展的起始点。这种护膜损坏会缩短护膜的寿命。因此，需要一种更容易地散失热量并具有承受氢等离子体的表面的护膜。
根据一个或多个示例性实施例，提供一种被保护而不会由杂质造成损坏的护膜。所述护膜是通过保护或帮助保护光掩模在曝光期间不受外部缺陷元素的影响来获得。具体来说，当护膜膜片在使用极紫外光的曝光环境中能够快速散发热量并在化学上耐受氢等离子体时，可减小护膜的化学变形，且可延长护膜的寿命。另外，在将异质膜片(heterogeneousmembranes)堆叠在一起的护膜膜片中，可通过显著提高异质膜片之间的粘合强度来进一步延长护膜的寿命。
图1是示出根据示例性实施例的护膜100的剖视图。
参照图1，护膜100包括护膜膜片110及框架150。框架150可贴合到护膜膜片110且可支撑护膜膜片110。
框架150可通过粘合层160贴合到护膜膜片110。护膜膜片110在框架150上可以独立式结构(free-standingstructure)形式保持为平坦的。
护膜膜片110可包括碳系主层112及化学增强层114及116，化学增强层114及116各自涂布在碳系主层112的两个表面fs(例如是第一表面)与rs(例如是第二表面)中的至少一者。在图1中，化学增强层114及116被示出为分别形成在碳系主层112的两个表面fs与rs两者上。然而，化学增强层可只形成在碳系主层112的两个表面fs与rs中的一者上。
碳系主层112可为或可包含以碳为主要组分的发射率(emissivity)为0.4或高于0.4的材料。具体来说，碳系主层112可为或可包含sp3键的数目比sp2键明显多的材料。举例来说，碳系主层112可为由sp2键及sp3键形成的材料，其中sp3键的数目是sp2键的数目的10倍或大于10倍。作为另外一种选择，碳系主层112可只由sp2键形成或者可只包括sp2键。
在一些示例性实施例中，碳系主层112可包含石墨烯、石墨、及/或碳纳米管(carbonnanotube，cnt)。碳纳米管可包括单壁式碳纳米管(singlewallcnt，swcnt)及/或多壁式碳纳米管(multi-wallcnt，mwcnt)。然而，示例性实施例并非仅限于此。
碳系主层112可具有处于约10nm到约100nm范围内的厚度。当碳系主层112的厚度低或过低时，护膜膜片110的机械强度会劣化，且护膜膜片110可能无法保持独立式结构。另一方面，当碳系主层112的厚度高或过高时，护膜膜片110的透明度会劣化，这可能会对极紫外光光刻工艺造成不利影响。
碳系主层112可具有约0.4或大于0.4的发射率。当碳系主层112的发射率小于0.4时，碳系主层112在散热方面可能会变弱，且因此热应力在高温环境中可能会积聚在一个或多个点处。热应力可能会最终引起碳系主层112的损坏或破裂，因此可期望将热应力事先移除。当使用多晶硅(polycrystallinesilicon)代替碳系主层112时，由于多晶硅的发射率明显低(为约0.03)，因此在高温环境中热应力会集中，且因而护膜100会更容易破裂。
化学增强层114及116可为耐受氢等离子体的材料层。举例来说，化学增强层114及116中的每一者可为硼(b)系材料、硅(si)系材料、或第五周期过渡金属(5thperiodtransitionmetal)。
硼(b)系材料可包括选自元素硼、碳化硼(b4c)、氧化硼及氮化硼中的至少一者。硅(si)系材料可包括选自氧化硅、氮化硅及氮氧化硅中的至少一者。第五周期过渡金属可为选自钌(ru)、锆(zr)、及钼(mo)中的至少一者。
图2a是示出图1所示ii的放大示意图，图2b是示出图2a中每一层的浓度分布图。
参照图2a与图2b，跨越碳系主层112与化学增强层114(又称为第一化学增强层)之间的界面可存在第一混合层ima。第一混合层ima可为其中源自于碳系主层112的碳与源自于第一化学增强层114的组分(例如，硼、硅、及第五周期过渡金属)根据浓度变化(例如，浓度梯度)而以原子级混合的层。
在一些示例性实施例中，第一混合层ima的边界可被界定为存在浓度梯度的区域的边界。
如图2a与图2b所示，在碳系主层112与第一化学增强层114之间的界面中可存在碳浓度梯度。在图2a与图2b中，112pf表示碳系主层112中的碳的浓度分布，114pf表示第一化学增强层114的主要成分的浓度分布，且116pf表示化学增强层116(又称为第二化学增强层)的主要成分的浓度分布。表示碳浓度的轴的比例可不同于表示第一化学增强层114的主要成分的浓度的轴的比例及表示第二化学增强层116的主要成分的浓度的轴的比例。
由于碳系主层112的中心部分实质上由碳形成，因此从护膜膜片110的中心线cl到第一化学增强层114与碳系主层112之间的界面附近位置的区域可实质上由碳形成。碳浓度可逐渐降低，例如从中心线cl朝向第一化学增强层114与碳系主层112之间的界面附近下降。另外，源自于第一化学增强层114的组分的浓度可随着碳浓度的逐渐降低而逐渐增大。
另外，跨越碳系主层112与第二化学增强层116之间的界面在中间可存在第二混合层imb。第二混合层imb可为其中源自于碳系主层112的碳与源自于第二化学增强层116的组分(例如，硼、硅、及第五周期过渡金属)根据浓度梯度而以原子级混合的层。
如图2a与图2b所示，在碳系主层112与第二化学增强层116之间的界面中可存在碳浓度梯度。对这种浓度梯度的说明和对碳系主层112与第一化学增强层114之间的界面的浓度梯度的说明相同，且因此，在本文中将不再进行重复的说明。
如上所述，第一混合层ima及第二混合层imb是其中碳系主层112与化学增强层114及116以原子级局部地混合的层，且因此第一混合层ima与第二混合层imb可表现出良好的、或优异的粘合强度以将碳系主层112与化学增强层114及116贴合在一起。
在图2a与图2b中，两个混合层ima与imb被示出为具有相同的宽度，但混合层ima与imb的宽度可彼此不同。举例来说，护膜膜片110可具有相对于中心线cl不对称的浓度分布。在一些示例性实施例中，第一混合层ima可比第二混合层imb厚。在其他示例性实施例中，第一混合层ima可比第二混合层imb薄。
图3是示出根据另一个示例性实施例的护膜100a的剖视图。图4a是示出图3所示iv的放大示意图，图4b是示出图4a中每一层的浓度分布图。
参照图3、图4a与图4b，第一化学增强层114及第二化学增强层116可分别由两个层114a与114b以及116a与116b形成。此处，将阐述第一化学增强层114及第二化学增强层116是由硼系材料形成的化学增强层的实例。
第一化学增强层114可包括以元素硼作为主要组分的第一层114a以及以b4c作为主要组分的第二层114b。另外，第二化学增强层116可包括以元素硼作为主要组分的第三层116a以及以b4c作为主要组分的第四层116b。此处，用语“主要组分”是指重量百分比超过50％的组分。
如图4a与图4b所示，在第一层114a与第二层114b之间的整个界面中可存在硼浓度梯度。在图4b所示的图表中，由b指示的线表示硼的浓度分布，且由c指示的线表示碳的浓度分布。表示碳浓度的轴的比例可不同于表示硼浓度的轴的比例。
从第一层114a的自由表面到硼浓度梯度开始的深度可被视为元素硼层。在从硼浓度梯度开始的深度朝向护膜膜片110中心的方向上，硼浓度可逐渐降低且b4c浓度可提高。就此来说，碳浓度可升高。
在第二层114b与碳系主层112之间的整个界面中可存在碳浓度梯度。由于碳系主层112的中心部分由碳形成，因此从护膜膜片110的中心线cl到第二层114b与碳系主层112之间的界面附近的整个区域可实质上由碳形成。由于元素硼或b4c的浓度逐渐提高(例如，从第二层114b与碳系主层112之间的界面朝向第一层114a附近升高)，因此碳浓度可逐渐降低。
在第三层116a与第四层116b之间的整个界面中可存在硼浓度梯度。对这种浓度梯度的说明和对第一层114a与第二层114b之间的界面的浓度梯度的说明相同，且因此，在本文中将不再进行重复的说明。
在第四层116b与碳系主层112之间的整个界面中也可存在碳浓度梯度。对这种浓度梯度的说明和对第二层114b与碳系主层112之间的界面的浓度梯度的说明相同，且因此，在本文中将不再进行重复的说明。
在图4b中，硼浓度及碳浓度被示出为随着第三混合层imc的深度及第四混合层imd的深度线性地变化，但硼浓度及/或碳浓度的变化可遵循抛物线形状及/或可局部地具有恒定浓度的间隔。
在第三混合层imc中，由于源自于碳系主层112的碳与源自于第一层114a的硼可进行混合或形成b4c，因此碳系主层112与第一层114a之间的粘合强度可为高的。另外，在第四混合层imd中，由于源自于碳系主层112的碳与源自于第三层116a的硼可进行混合或形成b4c，因此碳系主层112与第三层116a可以强的粘合强度粘合。
图5是示出根据另一个示例性实施例的护膜100b的剖视图。图6a是示出图5所示vi的放大示意图。图6b是示出图6a中每一层的浓度分布图。
参照图5、图6a及图6b，在碳系主层112的第一表面fs上设置第一化学增强层114m，且在碳系主层112的第二表面rs上可设置第二化学增强层116m。此处，将阐述其中第一化学增强层114m及第二化学增强层116m是由硼系材料形成的化学增强层的实例。
第一化学增强层114m及第二化学增强层116m可为实质上以b4c作为主要组分的层。在第一化学增强层114m中，在其厚度方向上可存在碳浓度梯度及硼浓度梯度。在第二化学增强层116m中，在其厚度方向上可存在碳浓度梯度及硼浓度梯度。第一化学增强层114m及第二化学增强层116m可分别具有朝向自由表面下降或降低的碳浓度。第一化学增强层114m及第二化学增强层116m可分别具有远离自由表面下降或降低的硼浓度。在一些示例性实施例中，在第一化学增强层114m及/或第二化学增强层116m中在厚度方向上可不存在其中硼浓度恒定的间隔，且硼浓度可单调地变化。
如图6a与图6b所示，在第一化学增强层114m与碳系主层112之间的整个界面中可存在碳浓度梯度及/或硼浓度梯度。具体来说，碳浓度梯度及/或硼浓度梯度可存在于整个第一化学增强层114m中且进一步到达碳系主层112的一部分。就此来说，整个第一化学增强层114m可被包含在第五混合层ime中。举例来说，第五混合层ime可包括整个第一化学增强层114m以及碳系主层112的与第一化学增强层114m相邻的一部分。
在图6b所示的图表中，由b指示的线表示硼的浓度分布，且由c指示的线表示碳的浓度分布。表示碳浓度的轴的比例可不同于表示硼浓度的轴的比例。
在第二化学增强层116m与碳系主层112之间的整个界面中可存在碳浓度梯度及/或硼浓度梯度。具体来说，碳浓度梯度及/或硼浓度梯度可存在于整个第二化学增强层116m中且进一步到达碳系主层112的一部分。就此来说，整个第二化学增强层116m可被包含在第六混合层imf中。举例来说，第六混合层imf可包括整个第二化学增强层116m以及碳系主层112的与第二化学增强层116m相邻的一部分。
第一化学增强层114及114m的厚度以及第二化学增强层116及116m的厚度可为碳系主层112的厚度的约3％到约20％。在一些示例性实施例中，第一化学增强层114及114m的厚度以及第二化学增强层116及116m的厚度可处于约1nm到约10nm的范围内。
当第一化学增强层114及114m的厚度以及第二化学增强层116及116m的厚度低(例如，过低)时，使碳系主层112不受氢等离子体影响的保护可能不充分。另一方面，当第一化学增强层114及114m的厚度以及第二化学增强层116及116m的厚度高或过高时，散热不充分，且因此可能在此处积聚热应力。
图7a及图7b是示出根据另一个示例性实施例的护膜100c及100d的剖视图。
参照图7a及图7b，护膜100c及100d可实质上相同于图1所示护膜100、图3所示护膜100a、及图5所示护膜100b，只是省略了第二化学增强层116及116m。因此，在本文中将不再进行重复的说明。
在这些示例性实施例中，仅在碳系主层112的一个表面上形成化学增强层114，且因此护膜100c及护膜100d的制造可简单易行。由氢等离子体对碳系主层112造成的损坏可在与面对光掩模的表面相对的表面上而非面对光掩模的表面上造成问题。因此，即使当保护碳系主层112的化学增强层114仅形成在碳系主层112的不面对光掩模的表面上时，对碳系主层112造成损坏的问题也可减轻，例如，在最大程度上得到最小化。
图8是示出根据示例性实施例的制造护膜的方法的流程图。图9a至图9e是示出根据图8所示示例性实施例的制造护膜的方法的侧视图。
参照图8及图9a，在支撑衬底210上形成催化剂层220(s210)。
支撑衬底210可为或可包括可支撑催化剂层220的任何衬底，但示例性实施例并非仅限于此。在一些示例性实施例中，支撑衬底210可为硅(si)衬底或玻璃衬底。
催化剂层220可通过化学气相沉积(chemicalvapordeposition，cvd)、物理气相沉积(physicalvapordeposition，pvd)、原子层沉积(atomiclayerdeposition，ald)或分子层沉积(molecularlayerdeposition，mld)来形成，但示例性实施例并非仅限于此。
催化剂层220可包含金属或金属化合物。举例来说，催化剂层220可包含选自以下中的至少一者：铬(cr)、镍(ni)、铜(cu)、钌(ru)、铂(pt)、钴(co)、钛(ti)、钽(ta)、铝(al)或任何其他金属、其合金或金属化合物，例如氮化钛(tin)及氮化钽(tan)。
参照图8及图9b，在催化剂层220上形成硼系材料层230(s220)。硼系材料层230可为元素硼。
硼系材料层230可通过化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积或分子层沉积来形成，但示例性实施例并非仅限于此。
可使用硼前体(boronprecursor)(例如，硼烷、硼卤化物、硼烷卤化物及其复合物)来形成硼系材料层230。
合适的硼烷可包含由式i或式ii表示的化合物。
bnhn+x(式i)
此处，n是为1到10的整数，或者例如为2到6的整数，且x是偶数，或者例如为4、6或8。
bnhm(式ii)
此处，n是为1到10的整数，或者例如为2到6的整数，且m是为1到10的整数，或者例如为2到6但不同于n的整数。
由式i表示的硼烷中的合适的实例可包括巢型硼烷(nido-boranes)(bnhn+4)、网式硼烷(arachno-boranes)(bnhn+6)、及叶式硼烷(hypho-boranes)(bnhn+8)。由式ii表示的硼烷中的合适的实例可包括联式硼烷(conjuncto-boranes)(bnhm)。另外，可使用硼烷复合物，例如(ch3ch2)3n-bh3。
在一些示例性实施例中，合适的硼反应物可包括硼烷卤化物，具体来说，氟化物、溴化物、或氯化物。举例来说，合适的硼烷卤化物可具有处于约0.5到约1范围内的硼对卤素的比率。合适的化合物的实例是b2h5br。其他实例可包括硼/卤化物比率高的硼卤化物，例如b2f4、b2cl4、及b2br4。也可使用硼烷卤化物复合物。
在一些示例性实施例中，由式iii表示的硼卤化物可为合适的硼反应物。
bnxn(式iii)
此处，x是cl或br。当x是cl时，n为4或8到12的整数。当x是br时，n为7到10的整数。
在一些示例性实施例中，由式iv表示的碳硼烷可为合适的硼反应物。
c2bnhn+x(式iv)
由式iv表示的碳硼烷的实例可包括闭合型碳硼烷(closo-carboranes)(c2bnhn+2)、巢型碳硼烷(nido-carboranes)(c2bnhn+4)、及网式碳硼烷(arachno-carboranes)(c2bnhn+6)。
在一些示例性实施例中，由式v表示的氨基-硼烷加成物(amino-boraneadduct)可为合适的硼反应物。
r3nbx3(式v)
此处，r各自独立地为直链的或分支的c1到c10(例如，c1到c4)烷基、或h，且x是直链的或分支的c1到c10(例如，c1到c4)烷基、h或卤素。
在一些示例性实施例中，在式vi中的b上具有氨基作为一个或多个取代基的氨基硼烷可为合适的硼反应物。
r2nbr2(式vi)
此处，r各自独立地为直链的或分支的c1到c10(例如，c1到c4)烷基或者经取代或未经取代的芳基。
合适的氨基硼烷的实例为(ch3)2nb(ch3)2。
在一些示例性实施例中，合适的硼反应物可包括环硼氮烷(b3h6n3)及/或其挥发性衍生物。
在一些示例性实施例中，烷基硼或烷基硼烷可为合适的硼反应物，且烷基一般可为直链的或分支的c1到c10烷基(例如，c2到c4烷基)。
硼系材料层230的沉积可以例如在处于约200℃到约450℃或者约250℃到约400℃范围内的温度下执行。
当使用氧化硼、而非元素硼来形成硼系材料层230时，可使用o2、o3、等离子体o2、h2o、no2、no、n2o(一氧化二氮)、co2、h2o2、hcooh、ch3cooh、(ch3co)2o或其混合物来作为反应物。
当使用氮化硼、而非元素硼来形成硼系材料层230时，可使用nh3、单烷基胺、二烷基胺、三烷基胺、有机胺化合物、肼化合物、或其混合物作为反应物。
接着，参照图8及图9c，可在硼系材料层230上形成碳系主层240(s230)。
碳系主层240可通过化学气相沉积、物理气相沉积、原子层沉积、或分子层沉积来形成，但示例性实施例并非仅限于此。
用于形成碳系主层240的碳化合物可使用液相或气相的碳化合物，且可通过考虑到分子量分布、浓度、粘度、表面张力及/或介电常数来确定。在一些示例性实施例中，液相或气相的碳化合物可包含选自包括以下或由以下组成的群组中的至少一者：甲烷、乙烯、乙炔、甲基乙炔、乙烯基乙炔、乙醇、甲醇、丙醇、丙酮、二甲苯、氯仿、乙酸乙酯、二乙醚、聚乙二醇、甲酸乙酯、均三甲苯、四氢呋喃(tetrahydrofuran，thf)、二甲基甲酰胺(dimethylformamide，dmf)、二氯甲烷、己烷、苯、四氯化碳及戊烷。
具体来说，呈液相形式的碳化合物可包含选自包括以下或由以下组成的群组中的至少一者：乙醇、甲醇、丙醇、丙酮、二甲苯、氯仿、乙酸乙酯、二乙醚、聚乙二醇、甲酸乙酯、均三甲苯、四氢呋喃(thf)、二甲基甲酰胺(dmf)、二氯甲烷、己烷、苯、四氯化碳及戊烷。举例来说，呈液相形式的碳化合物可包含选自包括以下或由以下组成的群组中的至少一者：乙醇(c2h5oh)、二甲苯(c8h10)、二乙醚[(c2h5)2o]、聚乙二醇[-(ch2-ch2-o)9]、1-丙醇(ch3ch2ch2oh)、丙酮(ch3och3)、甲酸乙酯(ch3ch2cooh)、苯(c6h6)、己烷(c6h14)、及均三甲苯[c6h3(ch3)3]。
呈气相形式的碳化合物可包含选自包括以下或由以下组成的群组中的至少一者：甲烷、乙烯、乙炔、甲基乙炔、及乙烯基乙炔。
形成碳系主层240的工艺可包括以例如处于约560℃到约1100℃或约800℃到约1000℃范围内的温度进行退火的工艺。当退火温度低(例如，过低)时，通过退火工艺产生的效果可能不充分，且由b4c形成的层234可能会被制备得不充分。当退火温度高(例如，过高)时，碳系主层240的机械强度可能会劣化。
作为退火工艺的结果，可在元素硼与碳系主层240之间的界面处形成b4c。举例来说，如图9c所示，在形成碳系主层240及执行退火的工艺中，可在碳系主层240与残余硼系材料层232之间形成由b4c形成的层234。由b4c形成的层234可为在退火工艺期间在碳系主层240的一部分与硼系材料层230的一部分进行反应时形成的层。由b4c形成的层234可与残余硼系材料层232一起形成新的硼系材料层230a。
进一步参照图9d，可在碳系主层240上形成硼系材料层250。硼系材料层250可以与以上参照图9b阐述的硼系材料层230的形成方法相同的方式形成。然而，在形成图9b所示硼系材料层230时，由于不存在相邻的碳系材料，因此会形成作为由元素硼形成的层的硼系材料层230，而在形成图9d所示硼系材料层250时，则可同时形成由b4c形成的层254及由元素硼形成的层252，这是由于所述硼系材料层250是与碳系主层240相邻地形成。
根据硼系材料层250的形成条件，包含硼系材料层250的层252及254的厚度中的每一者与包含硼系材料层230a的层232及234的厚度中的每一者可彼此不同。举例来说，层232的厚度可小于层234的厚度。作为另外一种选择，层232的厚度可大于层234的厚度。
参照图8及图9e，可将支撑衬底210及催化剂层220从硼系材料层230a的下表面移除(s240)。可通过例如湿工艺(例如，湿化学工艺)来将支撑衬底210及催化剂层220从硼系材料层230a的下表面移除。在一些示例性实施例中，可以浸浴形式将贴合到硼系材料层230a的支撑衬底210及催化剂层220浸没在溶剂中。溶剂可包括金属蚀刻溶液。举例来说，溶剂可为选自以下中的至少一者：过氧化氢、磷酸、硝酸、乙酸、及环胺化合物。催化剂层220可通过溶剂而被蚀刻且因此被移除。
可对已被移除支撑衬底210及催化剂层220的剩余结构(硼系材料层230a、碳系主层240及硼系材料层250)执行冲洗工艺以移除剩余的溶剂。用于冲洗工艺的冲洗溶液可为或可包含去离子水(deionizedwater，diw)或者低浓度的硝酸及/或氢氯酸溶液。
尽管图9e未示出，然而之后可进行将框架150贴合到护膜膜片110(参见图1)的工艺。首先，为贴合框架150，可将护膜膜片110悬浮在例如去离子水等液体上，且可使框架150从去离子水的内部升起以将护膜膜片110贴合到框架150的顶表面上。
用于使护膜膜片110漂浮的液体可为或可包含醇基液体(例如，甲醇、乙醇、或异丙醇)以及去离子水。就此来说，可考虑护膜膜片110的表面特性。如果护膜膜片110的表面是疏水性的，则可通过控制以下两者的比率来对以下两者进行混合以使得可使护膜膜片110充分地平整而不会出现褶皱：去离子水，例如在室温下具有为72.7dyne(达因)/cm的表面张力的去离子水；以及乙醇，例如在室温下具有为22.4dyne/cm的表面张力的乙醇。
可通过会使框架150直接接触护膜膜片110的范德瓦耳斯力(vanderwaalsforce)或者通过粘合层160(参见图1)来将框架150结合到护膜膜片110。
根据示例性实施例的护膜即使在极紫外光曝光环境中也可使用较长的时间段。
<比较例>
在衬底上形成石墨层，且在执行氢等离子体处理之前及之后对石墨层执行透射电子显微镜(tem)分析以及拉曼光谱分析，且在图10a中示出结果。
氢等离子体处理是通过在电子回旋共振化学气相沉积(electroncyclotronresonancechemicalvapordeposition，ecr-cvd)设备中施加800w的功率以及以10mtorr的压力以50sccm的流动速率供应氢气来执行。
如图10a中的拉曼分析结果显示，与在氢等离子体处理之前的d相比，在氢等离子体处理之后的由d指示的峰值强度明显增大。这表明以下情况及/或与以下情况一致：峰值强度因由石墨(graphite)的缺陷及氢等离子体处理而引起的损坏以及因在石墨的这些被损坏区域中产生的原子振动而增大。
同样在图10a所示透射电子显微镜图像中，石墨层的一部分在氢等离子体处理之后被损坏且具有局部缺陷。
在石墨上形成由b4c形成的层，且在执行氢等离子体处理之前及之后对所述层执行透射电子显微镜分析以及拉曼光谱分析，且在图10b中示出结果。
如图10b所示拉曼分析的结果所显示，由d指示的峰值强度在氢等离子体处理之前与之后几乎没有变化。因此，石墨缺陷不会因氢等离子体处理而进一步发展。换句话说，由b4c形成的层被确认会保护石墨，或者减小石墨中的缺陷的可能性。
估计图10b中由箭头指示的峰值表示b4c。
另外，如图10b所示透射电子显微镜图像所示，石墨及由b4c形成的层被确认为即使在氢等离子体处理之后也能够得到充分维持。
图11是示出能够与根据示例性实施例的护膜结合的示例性光掩模pm的示意性结构的平面图。
图11所示光掩模pm可为或可包括反射型光掩模，以通过经由曝光将图案转移到晶片(图中未示出)上来制造集成电路(例如，半导体装置)。在一些示例性实施例中，光掩模pm可为或可包括基于在使用极紫外波长范围(例如，为约13.5nm的曝光波长)的光刻工艺中使用的多层式反射镜结构(mirrorstructure)的反射型光掩模。
光掩模pm的前侧表面fr可具有：主图案区mp，用于将主图案转移到晶片上的芯片区域上，所述主图案用于形成包括集成电路在内的单元装置；辅助图案区ap，用于将辅助图案转移到晶片上的切割道区域(scribelaneregion)；以及黑色边界区(blackborderregion)bb，环绕主图案区mp及辅助图案区ap。
在主图案区mp上可形成包括主图案的主图案元素p1，所述主图案用于将用于形成集成电路的图案转移到晶片上的芯片区域上。
在辅助图案区(ap)上可形成用于将辅助图案(例如，对齐键图案(alignkeypattern))转移到晶片上的切割道区域的辅助图案元素p2。辅助图案ap可为在集成电路的制造工艺期间使用的但不会在最终集成电路产品中保持存在的图案。举例来说，在对晶片进行切割时可将辅助图案ap移除。
黑色边界区bb是不包括用于将图案转移到晶片上的图案元素的非图案区。
图12是示出根据示例性实施例的光掩模总成600a的剖视图。
参照图12，光掩模总成600a可包括：光掩模pm；以及在光掩模pm的前侧表面fr处固定在黑色边界区bb上的护膜100。
在护膜100中的框架150的和上面贴合有护膜膜片110的表面相对的表面与光掩模pm的黑色边界区bb之间可存在粘合层530，以将护膜100固定在光掩模pm的黑色边界区bb上。
框架150的一端通过粘合层160固定到护膜膜片110以支撑护膜膜片110，且另一端通过粘合层530固定到光掩模pm的表面。
护膜100的详细特征与参照图1阐述的护膜的特征相同。
在一些示例性实施例中，粘合层530可由硅树脂、氟树脂、丙烯酸树脂或聚(苯乙烯-乙烯-丁二烯-苯乙烯)(styrene-ethylene-butadiene-styrene，sebs)系树脂形成，但示例性实施例并非仅限于此。
图13是示出根据另一个示例性实施例的光掩模总成600b的剖视图。
参照图13，光掩模总成600b包括：光掩模pm；以及在光掩模pm的前侧表面fr处固定在黑色边界区bb上的护膜100a。护膜100a的详细特征与参照图3阐述的护膜的特征相同。
在框架150的和上面贴合有护膜膜片110的表面相对的表面与光掩模pm的黑色边界区bb之间可存在粘合层530，以将护膜100a固定在光掩模pm的黑色边界区bb上。
尽管图12及图13中所示的光掩模总成600a及600b被示出为包括如图11所示的将在使用波长为约13.5nm的光的光刻工艺中使用的反射型光掩模pm，但示例性实施例并非仅限于此。举例来说，可使用透射型光掩模来代替反射型光掩模pm，所述透射型光掩模例如为在使用krf准分子激光(248nm)、arf准分子激光(193nm)、或氟(f2)准分子激光(157nm)的曝光工艺中使用的光掩模。
图14是示出根据示例性实施例的集成电路装置制造设备800的示意性特征的剖视图。图14示出包括曝光装置的集成电路装置制造设备800作为实例，所述曝光装置在投射光学系统中使用极紫外光在真空中将在光掩模(或者也被称为“掩模版”)上显示的图案图像微型化地转移到晶片。
参照图14，集成电路装置制造设备800可包括掩模平台区800a、投射光学系统区800b及晶片平台区800c。
位于掩模平台区800a中的掩模平台810可包括掩模平台支撑件812以及固定到掩模平台支撑件812的掩模固持件系统(maskholdersystem)818。掩模固持件系统818可固定光掩模pm。在一些示例性实施例中，掩模固持件系统818可包括静电吸盘(electrostaticchuck)，且掩模固持件系统818可通过静电力来吸附并保持光掩模pm。
护膜820可被固定到光掩模pm。护膜820可由具有在本发明概念的范围内从参照图1、图3、图5、图7a及图7b阐述的护膜100、100a、100b、100c及100d修改及改变而来的结构的护膜形成。
掩模平台810可在由箭头a1示出的扫描方向上移动由掩模平台支撑件812支撑且固定到掩模平台支撑件812上的光掩模pm。
用于将在光掩模pm上形成的图案转移到晶片平台区800c中的晶片w的投射光学系统840可位于投射光学系统区800b中。晶片w可被固定并保持在晶片平台850上的晶片吸盘852上。晶片吸盘852可在由箭头a2示出的扫描方向上移动晶片w。
包括掩模平台810的掩模平台区800a、上面具有投射光学系统840的投射光学系统区800b以及包括晶片平台850的晶片平台区800c可各自通过闸阀(gatevalve)862a及862b隔开。真空排放装置864a、864b及864c各自分别连接到掩模平台区800a、投射光学系统区800b及晶片平台区800c，且因此，压力可得到独立控制。
在晶片平台区800c与装载锁腔室800d之间可配备有用于载入或载出晶片w的返回手(returnhand)871。真空排放装置864d连接到装载锁腔室800d。在大气压力下，晶片w可临时存储在晶片装载端口800e中。在装载锁腔室800d与晶片装载端口800e之间可配备有用于载入或载出晶片w的返回手872。在晶片平台区800c与装载锁腔室800d之间存在闸阀876a。在装载锁腔室800d与晶片装载端口800e之间存在闸阀876b。
在掩模平台区800a的掩模平台810与掩模装载锁腔室800f之间可配备有用于载入或载出光掩模pm的返回手873。真空排放装置864e连接到掩模装载锁腔室800f。在大气压力下，光掩模pm可临时存储在掩模装载端口800g中。在掩模装载锁腔室800f与掩模装载端口800g之间配备有用于载入或载出光掩模pm的返回手874。在掩模平台区800a与掩模装载锁腔室800f之间可插入有闸阀886a。在掩模装载锁腔室800f与掩模装载端口800g之间可插入有闸阀886b。
光掩模pm通过在光掩模载具880中进行载送的方式被存储及运输，直到从外部被运输到集成电路装置制造设备800为止，且可在被容纳在光掩模载具880中的状态下被运输到掩模装载端口800g。就此来说，可有效地保护光掩模pm不会与外部环境发生不必要的接触并保护光掩模pm不受外部微粒污染。
光掩模载具880可包括：内盒(innerpod)882；以及提供用于容纳內盒882的空间的外盒(outerpod)884。内盒882与外盒884可分别由遵循国际半导体设备与材料产业协会(semiconductorequipmentandmaterialsinternational，semi)标准e152-0709的标准机械界面(standardmechanicalinterface，smif)盒形成。外盒884也可被称为“掩模版标准机械界面盒”且可在光掩模pm在两个不同的制造站点之间或在两个不同的位置之间转移时保护光掩模pm。内盒882可在将光掩模pm在真空气氛中转移或者转移到掩模平台810及掩模平台810附近的同时保护光掩模pm。当周围环境从大气状态减压到真空状态或者从真空状态改变到大气状态时，可能会造成污染微粒的旋涡，且因此，漂浮在光掩模pm周围的污染微粒可能会污染光掩模pm。内盒882可帮助保护光掩模pm不受这种环境的影响，且因此可保护光掩模pm，直到将光掩模pm转移至真空气氛中或者转移至掩模平台810及掩模平台810附近。
在半导体装置的制造工艺中的曝光工艺中，对在具有抗蚀剂层的晶片上面的光掩模(掩模版)上形成的图案进行投射曝光以在抗蚀剂层上形成潜在图案(latentpattern)，且因此通过显影工艺在晶片上形成抗蚀剂图案。然而，当在光掩模上存在杂质(例如，微粒)时，杂质也可能与图案一起被转移到晶片上且因此可能会造成图案缺陷，例如重复缺陷(repeatingdefect)。
在其上形成有超微细图案(例如，大规模集成电路(largescaleintegratedcircuit，lsi)或超大规模集成电路(verylargescaleintegratedcircuit，vlsi))的半导体装置的制造工艺中，可将在光掩模上形成的图案以缩小的尺寸投射至形成在晶片上的抗蚀剂层上，且因此可使用用于在抗蚀剂层上形成潜在图案的缩小尺寸投射曝光装置(downsizeprojectionlight-exposuredevice)。随着半导体装置的安装密度增大，需要将电路图案微型化，且对于在曝光装置中将曝光线宽度微型化的需要已增加。因此，已开发出一种使曝光波长为较短的波长的方法来提高曝光装置的分辨力(resolvingpower)性能。到目前为止，已开发出使用i线(365nm)、krf准分子激光(248nm)、arf准分子激光(193nm)、及氟(f2)准分子激光(157nm)的曝光技术，且近年来，已开发出使用极紫外光或波长为接近6.75nm到13.5nm的软x射线波段的电子射线的曝光装置。当曝光光的波长缩短至极紫外光或电子射线水平时，期望使曝光光的光路径处于高真空环境中，这是因为在大气压力下空气无法传送光。因此，期望通过以下操作来在维持真空度(vacuumdegree)的状态中对晶片或光掩模进行载入及载出：将光学系统、掩模平台、及晶片平台设置在气密性(air-tightness)比f2曝光装置的气密性高的真空腔室中；以及在晶片及光掩模中的每一者的载入/载出端口处配备装载锁腔室。
在极紫外光曝光中，可使用反射型光掩模，其中所述光掩模在其上形成有图案区作为光掩模的前侧表面上包括多反射层(multi-reflectionlayer)。
当曝光光的波长缩短到极紫外波段时，由于在极紫外范围中为透明的材料的选择是有限的，而一直在不使用护膜或者包括薄膜型护膜膜片的护膜的条件下执行曝光，薄膜型护膜膜片在曝光期间由热量造成的劣化相对严重且具有弱的抗张强度。为了满足对于极紫外范围的透明性，需要使用一种非常薄的护膜膜片来作为护膜膜片，其所需厚度或最大厚度为几十纳米级。然而，可使用具有相对高的发射率的碳系材料作为护膜膜片以减小在曝光期间由热量造成的劣化。然而，碳系材料可容易被在暴露至极紫外光的环境中出现的氢等离子体损坏。
根据本发明概念示例性实施例的集成电路装置制造设备在使用极紫外光源进行曝光时使用根据示例性实施例的护膜820来保护光掩模pm。根据示例性实施例的护膜820具有作为主层的碳系材料以及添加在碳系主层上以保护碳系主层的化学增强层。因此，可增加护膜膜片的寿命，例如，即使在暴露至极紫外光的环境中出现氢等离子体时也可充分确保所述寿命。具体来说，由于在碳系主层与化学增强层之间存在混合层，且因此碳系主层与化学增强层之间的粘合强度可得到明显提高。就此来说，可有效地防止在曝光期间由护膜层的劣化造成的错误或者降低所述错误出现的可能性，且可将具有期望形状的图案有效地转移到作为曝光对象的晶片w上的确切位置，并且可增加护膜的寿命。
图15是示出利用其上贴合有护膜60的掩模版70执行反射型光刻工艺的概念图。
参照图15，所述利用其上贴合有护膜60的掩模版70执行反射型光刻工艺的方法可包括：将其上贴合有护膜60的掩模版70安装在反射型光刻系统900的掩模版平台940上，以使得掩模版70从掩模版平台940面朝下，其中反射型光刻系统900包括光源910、照明反射镜系统920、掩模版平台940、遮罩960、投射反射镜系统970及晶片平台980。
光源910可产生极紫外光(euvl)。举例来说，光源910可使用碳等离子体产生波长为极紫外光(例如，约13.5nm)的光。光源910可包括集光器(lightcollector)915。集光器915可收集从光源910产生的极紫外光并将所述极紫外光控制成在一个方向上笔直地转送。举例来说，从光源910产生的极紫外光可通过集光器915且接着照射到照明反射镜系统920。
照明反射镜系统920可包括多个照明反射镜921、922、923及924。举例来说，照明反射镜921、922、923及924可使极紫外光聚光以减少偏离经反射照射路径的光。另外，照明反射镜921、922、923及924可例如将总体强度分布控制成均匀的。因此，所述多个照明反射镜921、922、923及924可分别包括凹形反射镜及/或凸形反射镜，以使极紫外光的路径变化。另外，照明反射镜系统920可将极紫外光塑形成方形、圆形或条形并将极紫外光传送到掩模版平台940。
掩模版平台940可在下表面上配备掩模版70并可在水平方向上移动。举例来说，掩模版平台940可在由箭头指示的方向上移动。掩模版平台940可包括静电吸盘(esc)。掩模版70可在其一个表面中包括光学图案。在图式中，掩模版70可配置在掩模版平台940的下表面上，使得其具有光学图案的表面面朝下。
遮罩960可位于掩模版平台940下方。遮罩960可包括狭缝962及板964。狭缝962可具有开孔形状(apertureshape)。狭缝962可对从照明反射镜系统920传送到掩模版平台940上的掩模版70的极紫外光的形状进行塑形。从照明反射镜系统920传送的极紫外光穿过狭缝962且可照射到掩模版平台940上的掩模版70。从掩模版平台940的掩模版70反射的极紫外光可穿过狭缝962并传送到投射反射镜系统970。板964可阻挡照射在除了狭缝962之外的区域上的极紫外光。因此，遮罩960可允许一部分极紫外光穿过狭缝962且可使用板964来阻挡一部分极紫外光。另外，从配备在掩模版平台940的下表面上的掩模版70反射的极紫外光可穿过狭缝962。
投射反射镜系统970可接收从掩模版70反射及穿过狭缝962的极紫外光并将所述极紫外光传送到晶片990。投射反射镜系统970也可包括多个投射反射镜971、972、973、974、975及976。通过投射反射镜971、972、973、974、975及976照射在晶片990上的极紫外光可包含掩模版70的光学图案的虚拟空中图像(aerialimage)信息。照射在晶片990上的极紫外光的形状可与由狭缝962塑形的形状相同。所述多个投射反射镜971、972、973、974、975及976可对各种像差(aberration)进行修正。
晶片平台980可安置晶片990并在水平方向上移动晶片990。举例来说，晶片990可在由箭头指示的方向上移动。晶片平台980可以恒定比率在与掩模版平台940的移动方向相同的方向上同时移动。举例来说，当移动比率是10:1(10％)时，在掩模版平台940向左或向右移动10μm的情形中，晶片平台980可在相同的方向上移动1μm。另外，当移动比率是5:1(20％)时，在这种情形中掩模版平台940向左或向右移动10μm，而晶片平台980可在相同的方向上移动2μm。可对所述移动比率进行各种不同的设定。举例来说，晶片平台980可以步进扫描(step-and-scan)方式移动。从投射反射镜系统970照射的极紫外光的焦点可位于晶片990的表面上。举例来说，在晶片990上形成具有恒定厚度的光致抗蚀剂层，且极紫外光的焦点可位于光致抗蚀剂层中。
在图式中，概念性地示出极紫外光传播所通过的路径以帮助理解本发明技术概念。
图16是示出根据示例性实施例的制造电子系统的方法的流程图。
参照图16，在工艺p902中，提供包括特征层的晶片。
在一些示例性实施例中，特征层可为或可包括形成在晶片上的导电层或绝缘层。举例来说，特征层可由金属、半导体或绝缘材料形成。在其他示例性实施例中，特征层可为晶片的一部分。
在工艺p904中，在特征层上形成光致抗蚀剂层。在一些示例性实施例中，光致抗蚀剂层可由用于极紫外光(6.75nm或13.5nm)的光致抗蚀剂材料形成。在其他示例性实施例中，光致抗蚀剂层可由用于f2准分子激光(157nm)的抗蚀剂、用于arf准分子激光(193nm)的抗蚀剂或用于krf准分子激光(248nm)的抗蚀剂形成。光致抗蚀剂层可由正型光致抗蚀剂或负型光致抗蚀剂形成。
在一些示例性实施例中，可在特征层上旋转涂布包含具有酸不稳定基团(acid-labilegroup)的感光性聚合物、潜在酸及/或溶剂的光致抗蚀剂组成物，以形成由正型光致抗蚀剂形成的光致抗蚀剂层。
在一些示例性实施例中，感光性聚合物可包括(甲基)丙烯酸酯系聚合物。(甲基)丙烯酸酯系聚合物可为脂肪族(甲基)丙烯酸酯系聚合物。举例来说，感光性聚合物可为聚甲基丙烯酸甲酯(polymethylmethacrylate，pmma)、聚(甲基丙烯酸叔丁酯)、聚(甲基丙烯酸)、聚(降冰片基甲基丙烯酸酯))、(甲基)丙烯酸酯系聚合物的重复单元的二元或三元共聚物、或其混合物。另外，这些感光性聚合物可能已由各种酸不稳定保护基团取代。所述保护基团可包括叔丁氧基羰基(tertbutoxycarbonyl，t-boc)、四氢吡喃基、三甲基硅烷基、苯氧基乙基、环己烯基、叔丁氧基羰基甲基、叔丁基、金刚烷基、或降冰片基。然而，示例性实施例并非仅限于此。
在一些示例性实施例中，潜在酸可由光酸产生剂(photoacidgenerator，pag)、热酸产生剂(thermoacidgenerator，tag)或其组合形成。在一些示例性实施例中，光酸产生剂可由在暴露至选自以下中的一种光时会生成酸的材料形成：极紫外光(13.5nm)、f2准分子激光(157nm)、arf准分子激光(193nm)及krf准分子激光(248nm)。光酸产生剂可由鎓盐(oniumsalt)、卤素化合物、硝基苄基酯、烷基磺酸盐、重氮萘醌、亚氨基磺酸盐、二硫化物、重氮甲烷或磺酰氧基酮形成。
在图16所示的工艺p906中，可将根据示例性实施例的光掩模总成载入到曝光装置中。
在一些示例性实施例中，所述光掩模总成可为选自参照图12阐述的光掩模总成600a及参照图13阐述的光掩模总成600b中的一者且可为从光掩模总成600a及600b修改及改变而来的光掩模总成。
在一些示例性实施例中，可将光掩模总成载入到图14所示集成电路装置制造设备800的掩模装载端口800g。
在图16所示工艺p908中，可将光掩模总成固定到掩模平台上。
在一些示例性实施例中，掩模平台可为图14所示集成电路装置制造设备800的掩模平台810。
在工艺p910中，使用光掩模将晶片上的光致抗蚀剂层暴露至光。
在一些示例性实施例中，可使用反射型曝光仪(reflection-typelight-exposuremeter)来执行曝光，但示例性实施例并非仅限于此。举例来说，在曝光中可使用透射型曝光仪。
在工艺p912中，对经曝光的光致抗蚀剂层进行显影以形成光致抗蚀剂图案。
在工艺p914中，使用光致抗蚀剂图案对特征层进行处理。
在一些示例性实施例中，根据工艺p914，可使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来对特征层进行蚀刻，且因此可形成精细的特征图案来对特征层进行处理。
在其他示例性实施例中，根据工艺p914，可使用光致抗蚀剂图案作为离子注射掩模来将杂质离子注入到特征层以对特征层进行处理。在其他示例性实施例中，根据工艺p914，可在通过在工艺p912中形成的光致抗蚀剂图案暴露出的特征层上形成单独的工艺膜以对特征层进行处理。所述工艺膜可由导电层、绝缘层、半导体层或其组合形成。
在工艺p915中，制造含有特征层的集成电路装置。
在工艺p916中，制造含有集成电路的电子装置。
图17是示出根据本发明概念实施例制造的包括集成电路装置的电子系统的实例的方块图。
参照图17，根据本发明概念实施例制造的电子系统1100可包括集成电路装置1130、控制器1110、输入/输出(input/output，i/o)装置1120、接口1140、及总线1150。
集成电路装置1130可为根据图16所示工艺制造的集成电路装置。
控制器1110、输入/输出装置1120、集成电路装置1130及/或接口1140可通过总线1150彼此连接。总线1150与用于传送数据的路径相对应。
控制器1110可包括以下中的至少一者：微处理器、数字信号处理器、微控制器、及能够执行与微处理器、数字信号处理器、及微控制器的功能相似的功能的逻辑元件。输入/输出装置1120可包括小键盘、键盘及显示装置。存储器装置1130可存储数据及/或命令。接口1140可用于将数据传送到通信网络或从通信网络接收数据。接口1140可为有线接口或无线接口。在示例性实施例中，接口1140可包括天线或者有线/无线收发器。尽管图中未示出，然而电子系统1100可包括用于改善控制器1110的工作的工作存储器且可还包括高速动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，dram)及/或静态随机存取存储器(staticrandomaccessmemory，sram)。
电子系统1100可被应用于能够在无线环境中传送及/或接收信息的所有类型的电子产品，例如个人数字助理(personaldigitalassistant，pda)、便携式计算机、网络平板、无线电话、移动电话、数字音乐播放器及存储器卡。
尽管已参照本发明概念的示例性实施例具体示出并阐述了本发明概念，然而应理解，在不背离以上权利要求书的精神及范围的条件下，可在本文中作出形式及细节上的各种变化。