本发明涉及显示领域，特别涉及一种盖板的处理方法、控制器、盖板处理装置及存储介质。
背景技术：
液晶显示器(liquidcrystaldisplay，lcd)是目前市场上应用最为广泛的显示产品，其生产工艺技术十分成熟，产品良率高，生产成本相对较低，市场接受度高。而tft-lcd(thinfilmtransistor-liquidcrystaldisplay，薄膜晶体管液晶显示器)面板制造行业已经发展多年，对于产品的生产流程已经十分精炼与成熟。
现阶段，人们在高亮环境中使用手机时常常饱受环境光的困扰，为此现有技术中大多对显示面板表面的盖板表面或偏光片表面进行特定的表面处理，减少显示面板表面眩光和反射，提高人们阅读的舒适度和可读性。然而，盖板表面常用的抗眩表面处理会使高解析度的面板显示画质造成一种模糊的感觉，甚至出现亮暗变化的闪烁，称之为散斑。
目前，对于盖板的处理常采用物理方式进行处理，因此导致散斑现象无法完全避免。因此，对于显示面板在抗眩抗反射与散斑之间无法找到一个最佳的平衡位置，导致此类盖板在高解析度面板上使用的频率不高，不利于小尺寸面板上的推广和应用。
技术实现要素：
本发明提供了一种盖板的处理方法、控制器、盖板处理装置及存储介质，以获得一种高解析度的抗眩盖板的方法。
为实现上述方案，本发明提供的技术方案如下：
本发明提供了一种盖板的处理方法，其中，所述处理方法包括：
控制扫描装置扫描第一盖板和第二盖板的表面以获取所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征；
根据所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征，得到所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线；
根据所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线，得到目标盖板的表面特征频率分布曲线；
根据所述目标盖板的表面特征频率分布曲线，得到所述目标盖板的表面特征。
根据本发明一优选实施例，根据所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征，得到所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线的步骤，包括：
对所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征进行傅里叶变换，得到所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线；
根据所述目标盖板的表面特征频率分布曲线，得到所述目标盖板的表面特征的步骤，包括：
对所述目标盖板的表面特征频率分布曲线进行傅里叶逆变换，得到所述目标盖板的表面特征。
根据本发明一优选实施例，根据所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线，得到目标盖板的表面特征频率分布的步骤包括：
根据所述第一盖板的表面特征频率变化分布曲线，得到所述第一盖板的表面特征频率变化分布曲线的最高点；
根据所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线，得到所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线的最高点；
获得所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线最高点连线的中点；
将所述第一盖板的表面特征频率变化分布曲线整体移动，使得所述第一盖板的表面特征频率变化分布曲线的最高点与所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线最高点连线的中点重合，得到目标盖板的表面特征频率分布曲线。
根据本发明一优选实施例，所述处理方法还包括步骤：
根据所述目标盖板的表面特征，控制加工设备对目标盖板进行处理以获得处理后的所述目标盖板。
根据本发明一优选实施例，所述加工设备为蚀刻设备，所述处理为蚀刻。
根据本发明一优选实施例，根据所述目标盖板的表面特征，控制加工设备对目标盖板进行处理以获得加工后的所述目标盖板的步骤包括：
根据所述目标盖板的表面特征控制所述加工设备对目标盖板进行抗眩表面处理；
根据所述目标盖板的表面特征控制所述加工设备对目标盖板进行抗反射表面处理；
根据所述目标盖板的表面特征控制所述加工设备对目标盖板进行抗指纹表面处理以获得加工后的所述目标盖板。
根据本发明一优选实施例，所述抗眩表面处理为利用酸性溶液对所述目标进行表面处理；所述抗反射表面处理为在所述目标盖板表面沉积至少两层反射膜层；所述抗指纹表面处理为在所述目标盖板表面涂布疏水性有机涂层。
本发明还提供了一种控制器，其中，所述控制器用于执行存储于存储器的若干指令，以实现上述盖板的处理方法。
本发明还提供了一种盖板处理装置，其中，所述盖板处理装置包括上述的控制器和存储器。
本发明还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有指令，当其在计算机上运行时，使得计算机执行上述各方面所述的方法。
本发明的有益效果：本发明通过控制扫描装置获取第一盖板和第二盖板的表面特征，对该表面特征进行傅里叶变换，得到所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线，以获得高解析度盖板的表面特征频率变化分布曲线，对获得高解析度盖板的表面特征频率变化分布曲线进行傅里叶逆变换，得到所述目标盖板的表面特征，使得加工出来的高解析度盖板实现了散斑和抗眩的平衡。
附图说明
为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明优选实施例一种盖板的处理方法步骤示意图；
图2为本发明优选实施例一种盖板的处理方法中第一盖板、第二盖板以及目标盖板的表面特征频率变化分布曲线；
图3为本发明优选实施例一种盖板的处理装置的结构框图；
图4为本发明优选实施例一种盖板的处理装置的另一结构框图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。
图1所示为本发明优选实施例一种盖板的处理方法步骤示意图，其中，所述盖板的处理方法包括：
步骤s10、控制扫描装置扫描第一盖板和第二盖板的表面以获取所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征；
在本发明优选实施例中，所述第一盖板主要为白色玻璃盖板，该白色玻璃盖板散斑较少，清晰度非常高；所述第二盖板主要为普通的抗眩盖板，抗眩能力强，但是散斑较多；
本步骤主要采用3d显微镜扫描所述第一盖板和所述第二盖板表面，获取所述第一盖板的表面特征和所述第二盖板的表面特征，所述表面特征主要为盖板表面颗粒物的形状、大小以及排列方式；盖板的表面特征不同，在体现出的功能也不同。
步骤s20、根据所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征，得到所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线；
在本步骤中，首先对所述第一盖板的表面特征和所述第二盖板的表面特征进行傅里叶变换，将盖板表面颗粒物的形状、大小或排列方式等其中一项转换成图像的灰阶，从而计算出某一灰阶在图像中出现的频率和所占的比例；如图2所示，以其中一项表面特征为例进行说明，将所述盖板表面颗粒物的大小(即颗粒物凹凸分布)进行傅里叶变换，曲线1为所述第一盖板的表面特征频率变化分布曲线，曲线2为表面特征频率变化分布曲线。
步骤s30、根据所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线，得到目标盖板的表面特征频率分布曲线；
如图2所示，在本步骤中，首先根据所述第一盖板的表面特征频率变化分布曲线，得到所述第一盖板的表面特征频率变化分布曲线的最高点a；其次，根据所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线，得到所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线的最高点b；再次，根据点a和点b，获得所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线最高点连线的中点c；最后，将所述第一盖板的表面特征频率变化分布曲线整体移动，使得所述第一盖板的表面特征频率变化分布曲线的最高点与所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线最高点连线的中点重合，得到目标盖板的表面特征频率分布曲线3；即所述曲线3为符合本发明要求的表面特征频率分布曲线。
步骤s40、根据所述目标盖板的表面特征频率分布曲线，得到所述目标盖板的表面特征；
在本步骤中，对获得的所述目标盖板的表面特征频率分布曲线进行傅里叶逆变换，该步骤由本行业专业程序获得，即可获得所述目标盖板表面颗粒物大小的分布情况；重复上述操作依次获得所述目标盖板的其他表面特征；
另外，也可以对所述第一盖板和所述第二盖板的所有表面特征同时进行傅里叶变换，虽然较上一种情况更节约时间，但是计算量较大，公式较复杂。
此外，本发明所提出的一种盖板的处理方法还包括：
步骤s50、根据所述目标盖板的表面特征，控制加工设备对目标盖板进行处理以获得处理后的所述目标盖板；
在步骤中，主要根据得到所述目标盖板的一系列表面特征，对目标盖板进行加工，得到本发明所需求的目标；在工艺上，主要利用蚀刻设备对所述目标盖板的表面进行蚀刻处理，其中，蚀刻工艺可以采用湿法蚀刻或者干法蚀刻；
在本发明实施例中，根据步骤s40中得到表面特征，得出盖板颗粒物的最佳粒径范围为3～5μm；而根据盖板颗粒尺寸、深宽比的大小以及盖板的玻璃材料等因素，本实施例采用湿法蚀刻对所述目标盖板的表面进行处理，主要包括抗眩表面处理、抗反射表面处理、抗指纹表面处理三个步骤：
(1)抗眩表面处理
所述抗眩表面处理，即主要采用以氢氟酸为主的混酸对所述目标盖板进行处理；其中，氢氟酸的质量分数为5％-10％，对所述目标盖板进行蚀刻的时间为30～60min；另外，由于酸液在盖板上的张力作用，使得在所述目标盖板上产生类似球状的凹坑微结构，微结构的粒径大小在2.8-4.5μm，该粒径大小与理论计算的最佳粒径范围较为吻合，微结构的高度在0.3-0.4μm，深宽比在0.1左右；
(2)抗反射表面处理
所述抗反射表面处理，即通过溅射等方式在所述目标盖板的表面沉积4-6层交替结构的膜层，利用光线干涉相消的原理减小盖板表面的反射率；其中，该反射膜层的材质大多采用五氧化二铌和二氧化硅，各膜层的厚度控制在20-100nm；
(3)抗指纹表面处理
所述抗指纹表面处理，即首先在盖板表面涂布一层具有疏水性功能的有机涂层，该疏水性的有机涂层主要用于抗污的作用，工艺步骤较为简单。
另外，所述目标盖板还可以采用光刻的工艺进行抗眩表面处理，即在需要在进行操作前，根据所述目标盖板的表面特征制备与所述目标盖板表面特征对应的掩膜板，再利用显影蚀刻的方式在玻璃盖板表面制备相应的表面形貌；其中，光刻的精度为1μm，通过光刻工艺在盖板表面制备出3-5μm的微结构；而后续的抗反射表面处理和抗指纹表面处理与湿法蚀刻的步骤相同。
本发明提出了一种盖板的处理方法，主要通过获扫描装置取第一盖板和第二盖板的表面特征，对所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征进行傅里叶变换，得到所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线，以获得高解析度盖板的表面特征频率变化分布曲线，对获得高解析度盖板的表面特征频率变化分布曲线进行傅里叶逆变换，得到所述目标盖板的表面特征，使得加工出来的高解析度盖板实现了散斑和抗眩的平衡。
图3所示为本发明一种盖板的处理装置的结构框图，其中，所述盖板的处理装置30包括扫描模块301、获取模块302、第一计算模块303、第二模块304以及处理模块305；
所述扫描模块301，用于扫描第一盖板和第二盖板的表面，获取所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征；
所述获取模块302，用于根据所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征，得到所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线；
所述第一计算模块303，用于根据所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线，得到目标盖板的表面特征频率分布曲线；
所述第二计算模块304，用于根据所述目标盖板的表面特征频率分布曲线，得到所述目标盖板的表面特征；
所述处理模块305，用于根据所述目标盖板的表面特征，控制加工设备对目标盖板进行处理以获得处理后的所述目标盖板。
如图4所示，所述计算模块303包括：第一获取单元3031、第二获取单元3032、第三获取单元3033以及计算单元3034；
所述第一获取单元3031，用于根据所述第一盖板的表面特征频率变化分布曲线，得到所述第一盖板的表面特征频率变化分布曲线的最高点；
所述第二获取单元3032，用于根据所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线，得到所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线的最高点；
所述第三获取单元3033，用于获得所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线最高点连线的中点；
所述计算单元3034，用于将所述第一盖板的表面特征频率变化分布曲线整体移动，使得所述第一盖板的表面特征频率变化分布曲线的最高点与所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线最高点连线的中点重合，得到目标盖板的表面特征频率分布曲线。
如图4所示，所述处理模块305包括：抗眩表面处理单元3051、抗反射表面处理单元3052以及抗指纹表面处理单元3053；
所述抗眩表面处理单元3051，用于根据所述目标盖板的表面特征对目标盖板进行抗眩表面处理，所述抗眩表面处理为利用酸性溶液对所述目标进行表面处理；
所述抗反射表面处理单元3052，用于根据所述目标盖板的表面特征对目标盖板进行抗反射表面处理，所述抗反射表面处理为在所述目标盖板表面沉积多层反射膜层；
所述抗指纹表面处理单元3053，用于根据所述目标盖板的表面特征对目标盖板进行抗指纹表面处理，所述抗指纹表面处理为在所述目标盖板表面涂布疏水性有机涂层。
本发明一种盖板的处理装置的结构示意图，所述处理装置包括所述扫描模块，用于扫描第一盖板和第二盖板的表面，获取所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征；所述获取模块，用于根据所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征，得到所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线；所述第一计算模块，用于根据所述第一盖板和所述第二盖板的表面特征频率变化分布曲线，得到目标盖板的表面特征频率分布曲线；所述第二计算模块，用于根据所述目标盖板的表面特征频率分布曲线，得到所述目标盖板的表面特征；所述处理模块，用于根据所述目标盖板的表面特征，控制加工设备对目标盖板进行处理以获得处理后的所述目标盖板；通过对第一盖板和第二盖板的表面特征进行傅里叶变换和逆变换，得到所述目标盖板的表面特征，使得加工出来的高解析度盖板实现了散斑和抗眩的平衡。
本发明还提供了一种控制器，其中，所述控制器用于执行存储于存储器的若干指令，以实现上述盖板的处理方法。
本发明还提供了一种盖板处理装置，其中，所述盖板处理装置包括上述控制器和存储器。
本发明还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质中存储有指令，当其在计算机上运行时，使得计算机执行上述各方面所述的方法。
综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。