本发明是有关于一种偏光膜，且特别是有关于一种用于上发光式主动有机发光二极管的偏光膜。
背景技术：
在有机发光二极管的技术领域中，主动有机发光二极管(activematrixorganiclight-emittingdiode，amoled)被广泛应用于显示设备中。其中，上发光式主动有机发光二极管(top-viewoled)的结构中，因其开口率较高，且不受薄膜晶体管数目增加的影响，故较为常见。但因其结构中具有高反射率的金属层，而需于封装盖板外贴附圆偏光片降低外界光反射，以防止影响对比。
然而，圆偏光片的价格昂贵，因此使得显示设备的制造成本也跟着提高，且现有的圆偏光片的光穿透率过低，因而衍生出发光二极管的亮度不足的问题。
技术实现要素：
有鉴于此，本发明提供一种偏光膜，其能够取代实质偏光片的作用，而能简便地达成降低外界光反射的影响的效果，以降低制作成本。
本发明的偏光膜设置于基板上，包括：无机氮化硅层、设置于无机氮化硅层上的无机氧化硅层、以及设置于无机氧化硅层上的金属层，且无机氧化硅层为富含硅的氧化硅层。
在本发明的一实施例中，上述的金属层含有钼。
在本发明的一实施例中，上述的偏光膜更包括：设置于金属层上的钝化层。
在本发明的一实施例中，上述的钝化层为无机氧化硅层。
在本发明的一实施例中，上述的偏光膜在波长440nm的光源下的穿透率为39％以上，在波长550nm的光源下的穿透率为44％以上，在波长610nm的光源下的穿透率为44％以上。
在本发明的一实施例中，上述的金属层的厚度为50至
在本发明的一实施例中，上述的金属层的厚度为50至
在本发明的一实施例中，上述的无机氧化硅层的厚度为25至
在本发明的一实施例中，上述的钝化层的厚度为50至
本发明也提供一种偏光膜的制造方法，包括：
于基板上积层无机氮化硅层的步骤、
于无机氮化硅层上积层无机氧化硅层的步骤、以及
于无机氧化硅层上积层金属层的步骤，
且无机氧化硅层为富含硅的氮化硅层。
在本发明的一实施例中，上述的积层无机氧化硅层的步骤是透过化学气相沉积法进行。
在本发明的一实施例中，上述的偏光膜的制造方法更包括：
于金属层上积层钝化层的步骤。
本发明另提供一种显示元件，包括：薄膜晶体管基板、设置于薄膜晶体管基板上的有机电致发光层、设置于有机电致发光层上的基板、以及如上述的偏光膜，设置于基板上，且位于基板与有机电致发光层之间。
基于上述，本发明的偏光膜能够取代实质偏光片的作用，而能简便地达成降低外界光反射的影响的效果，以降低制作成本。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。
附图说明
图1是本发明的一实施例的偏光膜的剖面图。
图2是本发明的另一实施例的偏光膜的剖面图。
图3a至图3d是本发明的偏光膜的制造方法的流程图。
图4是本发明的一实施例的显示元件的剖面图。
其中，附图标记：
1：基板
12：无机氮化硅层
14：无机氧化硅层
16：金属层
18：钝化层
20、21：偏光膜
30：薄膜晶体管基板
40：有机电致发光层
50：支撑体
100：显示元件
hv：外部入射光源
t：内部出射光源
具体实施方式
本文的示意图仅是用以示意本发明部分的实施例。因此，示意图中所示的各个元件的形状、数量及比例大小不应被用来限制本发明。举例来说，示意图中的各膜层的实际厚度以及形状仅是用来作为示意，并不代表本发明的各膜层的实际厚度以及形状一定要如图中所示。
图1是本发明的偏光膜的剖面图。本发明的偏光膜20可设置于基板1上，偏光膜20包括：无机氮化硅层12、设置于无机氮化硅层12上的无机氧化硅层14、以及设置于无机氧化硅层14上的金属层16，且无机氧化硅层14为富含硅的氧化硅层。
基板1的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或其他可以透光的材质。在本实施例中，基板1例如为用于有机发光二极管的封装的封装盖板。
偏光膜20设置在基板1的一表面上。在本实施例中，偏光膜20设置在基板1的下表面上，以做为发光二极管的封装盖板的抗反射层。
偏光膜20在波长440nm的光源下的穿透率为39％以上，在波长550nm的光源下的穿透率为44％以上，在波长610nm的光源下的穿透率为44％以上。藉由将偏光膜20对特定光源的穿透率设为上述范围，能够大幅提升偏光膜20的对于内部出射光源t的整体穿透率，同时也能降低外部入射光源hv的反射率。
无机氮化硅层12设置于基板1上，无机氮化硅层12的设置方法例如是采用化学气相沉积法(chemicalvapordeposition，cvd)在基板1上沉积无机氮化硅层12。藉由设置无机氮化硅层12，可做为外部入射光源hv进入抗反射层的折射/反射的薄膜干涉。
无机氧化硅层14设置于无机氮化硅层12上，无机氧化硅层14的设置方法例如是采用化学气相沉积法在无机氮化硅层12上沉积做为无机氧化硅层14的富含硅的氧化硅层。
在一实施例中，无机氧化硅层14的厚度为25至
金属层16设置于无机氧化硅层14上，金属层16中所使用的金属例如是钼(mo)。金属层16的设置方法例如是采用溅镀沉积技术。且例如是在0.215～0.744w/cm2的溅镀功率下进行金属层16的溅镀制程。藉由设置金属层16，可做为偏光膜的抗反射层，而能够阻挡来自外部入射光源hv的光反射。在一实施例中，金属层16的厚度可为50至
在一实施例中，如同本案图2所示，偏光膜21更包括设置于金属层16上的钝化层18。钝化层18例如是无机氧化硅层。钝化层18的设置方法例如是采用化学气相沉积法在金属层16上沉积做为钝化层18的无机氧化硅层。藉由设置钝化层18，可保护偏光膜21的结构，避免在进行发光二极管的封装时对偏光层21造成损伤，而造成偏光膜21的功能丧失。在一实施例中，钝化层18的厚度为50至
以下说明本发明的偏光膜的制造方法。图3a至图3d为本案的偏光膜的制造方法的流程图。在此必须说明的是，以下省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明可参考前述实施例，下述实施例不再重复赘述。
首先，如图3a所示，于基板1上透过化学气相沉积法沉积无机氮化硅层12。
接着，如图3b所示，于无机氮化硅层12上透过化学气相沉积法沉积做为无机氧化硅层14的富含硅的氧化硅层。
最后，如图3c所示，于无机氮化硅层14上透过低功率的溅镀沉积技术沉积含有钼的金属层16。
另外，也可如图3d所示，在金属层16的积层步骤之后，更可于金属层16上透过化学气相沉积法沉积做为钝化层18的无机氧化硅层。
以上述方法制得的附有偏光膜的封装盖板，相较于目前量产所使用的附有圆偏光片的封装盖板而言，其光穿透率由约44％提升至52％，大幅增加发光二极管的出光效率，且其反射率也能够维持与现有量产品相同的水平。
图4为本发明的一实施例的显示元件的剖面图。本发明的显示元件100包括：薄膜晶体管基板30、有机电致发光层40、基板1以及偏光膜21。
薄膜晶体管基板30以及有机电致发光层40可依据需求设置。有机电致发光层40设置于薄膜晶体管基板30上。
基板1即做为显示元件100的封装盖板，故可参照前述说明，使用玻璃、石英、有机聚合物或其他可以透光的材质。
偏光膜21设置于基板1上，且位于基板1与有机电致发光层40之间。更具体来说，偏光膜21设置于基板1的下表面上。
偏光膜21即为本发明的偏光膜，如前述说明，偏光膜21包括：无机氮化硅层12、设置于无机氮化硅层12上的无机氧化硅层14、设置于无机氧化硅层14上的金属层16以及设置于金属层16上的钝化层18，且无机氧化硅层14为富含硅的氧化硅层。图4中以偏光膜21为例说明，但本发明不以此为限，偏光膜21也可使用不具有钝化层18的偏光膜20。
此外，为避免封装过程发生损伤，本发明的显示元件100中，可依据需求在有机电致发光层40上设置支撑体50，但本发明并不以此为限，显示元件100中也可不设置支撑体50。
综上所述，本发明的偏光膜能够取代实质偏光片的作用，以降低制作成本。同时，本发明的偏光膜的光穿透率也优于现有的偏光片，而能简便地达成降低外界光反射的影响的效果。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。