硅和铌酸锂混合集成光调制器及其制备方法与流程

本发明涉及光学调制技术领域，更具体地，涉及一种硅和铌酸锂混合集成光调制器及其制备方法。

背景技术：

硅基光子学平台是当下最好的集成光学平台。硅基光子学平台由于其与传统cmos工艺兼容，具有高折射率差，使得硅基光子学平台具有易于大规模制作、易于集成两大优势。硅基平台十分适合制作无源器件，但是硅的基本特性导致实现一些有源器件有巨大的挑战。硅本身是中心对称的晶体结构，因此硅没有线性电光效应，而线性电光效应是目前高性能光调制器所需的。硅基调制器需要依靠等离子体色散效应，通常利用离子注入形成pn结的方式实现，通过改变pn结的载流子浓度来改变硅波导的折射率，进而实现对光波振幅的调制。不过这种方式在改变硅波导的折射率的同时，也会改变硅波导的损耗，是在牺牲消光比的基础上实现高带宽，这使得硅基调制器在长距离数字光通信系统中的应用受到限制，此外，由于载流子效应本身是一个非线性过程，因此硅基调制器的线性度远远比不上传统的铌酸锂器件，而未来的5g移动通信系统，微波光子学，以及下一代光纤通信的应用中，线性度的要求越来越高。

综上所述，尽管硅基光子器件有非常大的技术优势，但是基于载流子效应的硅基调制器在性能上仍然无法与商用的铌酸锂调制器相比拟。铌酸锂材料具有优越的线性电光效应，是高性能光调制器的首选材料。

技术实现要素：

本发明针对现有硅基调制器消光比不高、线性度受限、插入损耗大等问题，提出一种硅和铌酸锂混合集成光调制器，该光调制器通过结合硅和铌酸锂这两种材料的优点，来提高硅基光调制器的性能，具有高消光比，高线性度，低插入损耗的优点。

为实现以上发明目的，采用的技术方案是：

一种硅和铌酸锂混合集成光调制器，包括绝缘体上硅基光波导结构、光学分束结构、硅楔形波导光学模式转换结构、键合介质层、铌酸锂波导、信号金属电极和接地金属电极，其中绝缘体上硅基光学结构与光学分束结构的输入端连接，光学分束结构的两个输出端分别通过硅楔形波导光学模式转换结构与铌酸锂波导连接；所述信号金属电极设置在光学分束结构的两个输出端相对的一侧；接地金属电极设置在光学分束结构两个输出端相背的一侧；所述硅基光学结构、光学分束结构、硅楔形波导光学模式转换结构、铌酸锂波导、信号金属电极和接地金属电极设置在键合介质层内。

在具体使用的时候，光学分束结构将硅基光学结构中的光束分成两束完全相等的光束通过硅楔形波导光学模式转换结构将光束逐步耦合进入铌酸锂波导中。在信号金属电极上加电压，将接地金属电极接地，由于普克尔斯效应铌酸锂波导的折射率发生变化，两条铌酸锂波导之间产生折射率差∆n，从而使两束相等的光之间产生相位差。将两束光通过硅楔形波导光学模式转换结构逐步耦合进入硅波导,通过光学分束结构两束光发生干涉，实现光束强度调制。

优选地，所述硅基光波导结构的数量为2，所述光学分束结构的数量为2，所述铌酸锂波导的数量为2，2个硅基光波导结构分别与2个光学分束结构的输入端连接；2个光学分束结构的2个输出端分别通过硅楔形波导光学模式转换结构与2个铌酸锂波导的左右两端连接。

优选地，所述接地金属电极的数量为2个，2个接地金属电极分别设置在光学分束结构两个输出端相背的一侧。

同时，本发明还提供了一种以上硅和铌酸锂混合集成光调制器的制备方法，其具体的方案如下：

1)绝缘体上硅薄膜的基片上利用光刻刻蚀技术制作硅基光学结构；

2)在所述步骤1）得到的硅基光学结构上旋涂苯并环丁烯；

3)将绝缘体-埋氧层-铌酸锂薄膜的晶片贴在所述步骤2）得到的绝缘体-埋氧层-硅基光学结构-苯并环丁烯复合材料上，高温退火，得到硅铌酸锂组合基片；

4)利用一系列机械化学手段将所述步骤3）得到的硅铌酸锂组合基片上位于铌酸锂薄膜上方的埋氧层和绝缘体去掉，得到硅铌酸锂薄膜组合基片；

5)在所述步骤4）得到的组合基片上利用光刻和刻蚀手段制作铌酸锂波导；

6)在所述步骤5）得到的结构中利用金属剥离工艺，镀上粘附层和金电极，得到硅铌酸锂混合集成光学调制器。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

1）本发明将铌酸锂和硅混合集成在一起，把铌酸锂的线性电光效应引入到硅基平台上，通过结合硅和铌酸锂这两种材料的优点，来提高光调制器的性能。

2）采用了干法刻蚀铌酸锂材料的工艺，提高了电场和光场的相互作用，可以实现高效率的调制器。

附图说明

图1是本发明的一种硅铌酸锂混合集成调制器的光学器件的三维示意图。

图2是本发明的一种硅铌酸锂混合集成调制器的光学器件的俯视图。

图3是本发明的一种硅楔形波导光学模式转换结构示意图。

具体实施方式

附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；

以下结合附图和实施例对本发明做进一步的阐述。

实施例1

参照图1~3，本发明提供的一种硅和铌酸锂混合集成光调制器包括：绝缘体上硅基光波导结构1、光学分束结构2、硅楔形波导光学模式转换结构3、键合介质层4、铌酸锂波导5、信号金属电极6、接地金属电极7；

其中绝缘体上硅基光波导结构1与光学分束结构2的输入端连接，光学分束结构2的两个输出端分别通过硅楔形波导光学模式转换结构3与铌酸锂波导5连接；所述信号金属电极6设置在光学分束结构2的两个输出端相对的一侧；接地金属电极7设置在光学分束结构2两个输出端相背的一侧；所述硅基光学结构1、光学分束结构2、硅楔形波导光学模式转换结构3设置在键合介质层4内，铌酸锂波导5、信号金属电极6和接地金属电极7设置在键合介质层4上方。

光学分束结构2将硅基光学结构1中的光束分成两束完全相等的光束通过模式转换结构3将光束逐步耦合进入铌酸锂波导5中。在信号金属电极6上加电压，将接地金属电极7接地，由于普克尔斯效应铌酸锂波导的折射率发生变化，两条铌酸锂波导5之间产生折射率差∆n，从而使两束相等的光之间产生相位差。将两束光通过模式转换结构3逐步耦合进入硅波导,同过光学分束结构2两束光发生干涉，实现光束强度调制。

本发明制作硅铌酸锂混合集成调制器的具体工艺步骤如下：

1)绝缘体上硅薄膜的基片上利用光刻刻蚀技术制作硅基光学结构；

2)在所述步骤1）得到的硅基光学结构上旋涂苯并环丁烯；

3)将绝缘体-埋氧层-铌酸锂薄膜的晶片贴在所述步骤2）得到的绝缘体-埋氧层-硅基光学结构-苯并环丁烯复合材料上，高温退火，得到硅铌酸锂组合基片；

4)利用一系列机械化学手段将所述步骤3）得到的硅铌酸锂组合基片上位于铌酸锂薄膜上方的埋氧层和绝缘体去掉，得到硅铌酸锂薄膜组合基片；

5)在所述步骤4）得到的组合基片上利用光刻和刻蚀手段制作铌酸锂波导；

6)在所述步骤5）得到的结构中利用金属剥离工艺，镀上粘附层和金电极，得到硅铌酸锂混合集成光学调制器。

显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明权利要求的保护范围之内。