本发明涉及显示器件技术领域，尤其涉及一种显示器件的隔离子层的制作方法、彩膜基板和显示面板。
背景技术
低温多晶硅薄膜晶体管（lowtemperaturepoly-sithinfilmtransistor，ltps-tft）具有载流子迁移率高，器件尺寸小等突出优点，是发展低功耗、高集成度显示面板的关键技术。ltps-tft阵列基板的制作需经历成膜、光刻、清洗等多道工艺，涉及多种制程机台。在生产过程中，阵列基板与制程机台的摩擦接触极易导致静电积累，引起ltps-tft膜层静电放电（electrostaticdischarge,esd）损伤，导致器件失效。为防止ltps-tft阵列基板制造过程中器件esd损伤，常用的方案是在屏幕的显示区域外围制作金属防护线路（guardring）,线路的两端使用重掺杂的多晶硅作为静电释放器件，引导静电在显示区域外释放，从而实现对显示区域半导体器件的保护。这种金属防护线路方案的缺点在于重掺杂多晶硅静电释放器件膜层结构与其他区域差别较大，从而存在台阶。当tft基板和彩膜(colorfilter,cf)基板组立完成切割时，台阶的存在导致重掺杂多晶硅静电释放器件所受光反应性间隙控制材料photospacer（ps）应力较大，造成膜层破裂。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题在于，提供一种通过改变esd防护线路中的重掺杂多晶硅层对顶位置的隔离子的高度，从而降低切割过程中静电释放器件承受压力的隔离子层的制作方法、彩膜基板及显示面板。
本发明提供一种显示器件的隔离子层的制作方法，包括：
在所述显示器件的彩膜基板的玻璃基板的非显示区上制作多个第一隔离子和第二隔离子，所述第二隔离子所处区域与所述显示器件的阵列基板的静电释放器件所处区域相对顶；
其中，使所述第二隔离子的高度小于所述第一隔离子的高度。
其中，所述静电释放器件为一重掺杂多晶硅层，所述第一隔离子与所述第二隔离子的高度差大于或等于所述重掺杂多晶硅层的厚度。
其中，所述第二隔离子远离所述玻璃基板的一面到所述阵列基板与之相对顶区域的距离等于所述第一隔离子远离所述玻璃基板的一面到所述阵列基板上与之相对顶区域的距离。
其中，在所述阵列基板的玻璃衬底的非显示区上依次制作缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层、绝缘层和钝化层，所述静电释放器件设置于所述缓冲层、栅绝缘层之间。
其中，在所述显示器件的彩膜基板的玻璃基板的非显示区上制作多个第一隔离子和第二隔离子具体为：
利用半色调掩膜工艺，在所述显示器件的彩膜基板的非显示区的玻璃基板上同时制作多个第一隔离子和第二隔离子。
本发明还提供一种彩膜基板，包括：
玻璃基板，具有显示区和非显示区；
隔离子层，制作在所述玻璃基板的非显示区域，其包括多个第一隔离子和第二隔离子，所述第二隔离子所处区域与所述显示器件的阵列基板的静电释放器件所处区域相对顶；
其中，所述第二隔离子的高度小于所述第一隔离子的高度。
其中，所述第一隔离子与所述第二隔离子的高度差大于或等于组成所述静电释放器件的重掺杂多晶硅层的厚度。
其中，采用半色调掩膜工艺在所述玻璃基板的非显示区域上同时制作所述第一隔离子和第二隔离子。
本发明还提供一种显示面板，包括：
包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，以及设置于两者之间的液晶层，
彩膜基板包括玻璃基板，在所述玻璃基板的非显示区域上设置有隔离子层，所述隔离子层包括第一隔离子和第二隔离子；
阵列基板，在所述阵列基板的非显示区域设置静电释放器件；其中，所述第二隔离子与所述静电释放器件所处区域相对顶，且所述第一隔离子的高度大于所述第二隔离子的高度。
其中，所述静电释放器件为一重掺杂多晶硅层，所述第一隔离子与所述第二隔离子的高度差大于或等于所述重掺杂多晶硅层的厚度。
其中，所述第二隔离子远离所述玻璃基板的一面到所述阵列基板与之相对顶区域的距离等于所述第一隔离子远离所述玻璃基板的一面到所述阵列基板上与之相对顶区域的距离。
其中，在所述阵列基板的玻璃衬底的非显示区上依次制作缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层、绝缘层和钝化层，所述静电释放器件设置于所述缓冲层、栅绝缘层之间。
本发明通过使得第一隔离子的位置和高度保持不变，而改变第二隔离子的高度，使得第一隔离子和第二隔离子与阵列基板不同位置膜层之间的距离保持一致，降低了切割过程中基板形变时重掺杂多晶硅释放器件区域的应力，防止切割导致的膜裂，提高了显示器件制程的稳定性和切割良率，从而提高了显示器件的制作优良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是现有技术中具备静电释放器件的显示器面板的平面示意图。
图2是图1中a-a向剖面结构意图产构造示意图。
图3是本发明实施例中的显示面板的构造示意图。
具体实施方式
以下各实施例的说明是参考附图，用以示例本发明可以用以实施的特定实施例。
图1-2示出了现有技术中具备静电释放器件的显示面板平面示意图和工艺构造示意图，显示面板10包括显示区域1，在显示区域1的外围非显示区域制作金属防护线路2，在金属防护线路2的两端3设置静电释放器件4，引导静电在显示区域外释放，其中该显示面板10包括彩膜基板5和阵列基板6，其中彩膜基板5包括玻璃基板51和在玻璃基板上制成的隔离子层，隔离子层包括多个隔离子52。阵列基板6包括玻璃衬底61、缓冲层62、其他层63以及静电释放器件64，其中其他层63包括在缓冲层62上依次形成的栅绝缘层、层间绝缘层、绝缘层和钝化层。静电释放器件64设置于缓冲层62和栅绝缘层之间。其中静电释放器件64为一重掺杂多晶硅层。由于在阵列基板6的非显示区域部分增加了静电释放器件64，因而，阵列基板6与彩膜基板5相对的一面呈现高度台阶。因而使得与静电释放器件64相对顶的隔离子承受较大的应力。
本发明实施例一提供一种显示器件的隔离子层的制作方法，具体包括：
在所述显示器件的彩膜基板的玻璃基板的非显示区上制作多个第一隔离子和第二隔离子，所述第二隔离子所处区域与所述显示器件的阵列基板的静电释放器件所处区域相对顶；
其中，使所述第二隔离子的高度小于所述第一隔离子的高度。
具体地，该静电释放器件为一重掺杂的多晶硅层，为了减小与静电释放器件相对顶的隔离子在阵列基板和彩膜基板组立切割时的压力，应使得第一隔离子与第二隔离子的高度差大于或等于该重掺杂多晶硅层的厚度，优选地，第一隔离子与第二隔离子之间的高度差等于该重掺杂多晶硅层的厚度。
具体地，该第一隔离子远离玻璃基板的一面与阵列基板上与之相对顶区域的距离等于该第二隔离子远离玻璃基板的一面与阵列基板上与之相对顶区域的距离。
具体地，在阵列基板的玻璃衬底的非显示区域上依次制作缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层、绝缘层和钝化层，该静电释放器件设置在缓冲层和栅绝缘层之间，更具体地，该重掺杂多晶硅层设置在缓冲层和栅绝缘层之间。
为了获得上述高度不同的第一隔离子和第二隔离子，本发明还利用半色调掩膜工艺制作所述隔离子层，根据半色调掩膜版不完全曝光特性同时制作所述第一隔离子和所述第二隔离子。
在制作所述隔离子层的过程中，通过调整相关制程的参数控制所述第二隔离子的高度，其中，所述相关制程包括涂布、曝光、显影。
本发明实施例二还提供一种彩膜基板，其包括：
玻璃基板，具有显示区域和非显示区域；
隔离子层，制作在所述玻璃基板的非显示区域，其包括多个第一隔离子和第二隔离子，所述第二隔离子所处区域与阵列基板的静电释放器件所处区域相对顶；
其中，所述第二隔离子的高度小于所述第一隔离子的高度。
具体地，第一隔离子与第二隔离子的高度差大于或等于组成该静电释放器件的重掺杂多晶硅层的厚度。
优选地，第一隔离子与第二隔离子的高度差等于组成该静电释放器件的重掺杂多晶硅层的厚度。
具体地，为了获得高度不同的第一隔离子和第二隔离子，还利用半色调掩膜工艺制作所述隔离子层，根据半色调掩膜版不完全曝光特性同时制作所述第一隔离子和所述第二隔离子。
本发明实施例三还提供一种显示面板，其包括相对设置的阵列基板和彩膜基板，以及设置于两者之间的液晶层，
彩膜基板包括玻璃基板，在所述玻璃基板的非显示区域上设置有隔离子层，所述隔离子层包括第一隔离子和第二隔离子；
阵列基板，在所述阵列基板的非显示区域设置静电释放器件；其中，所述第二隔离子与所述阵列基板中的静电释放器件所处区域相对顶，且所述第一隔离子的高度大于所述第二隔离子的高度。
具体地，所述静电释放器件为一重掺杂多晶硅层，所述第一隔离子与所述第二隔离子的高度差大于或等于所述重掺杂多晶硅层的厚度。
具体地，所述第二隔离子远离所述玻璃基板的一面到所述阵列基板与之相对顶区域的距离等于所述第一隔离子远离所述玻璃基板的一面到所述阵列基板与之相对顶区域的距离。
具体地，在所述阵列基板的玻璃衬底的非显示区域上依次制作缓冲层、栅绝缘层、层间绝缘层、绝缘层和钝化层，所述静电释放器件设置于所述缓冲层、栅绝缘层之间。
本发明根据半色调掩膜版的不完全曝光的特性同时制作彩膜基板上两种高度不同的隔离子，并通过调整涂布、曝光和显影等相关制程的参数从而控制第二隔离子的高度。
以下参照图3具体说明，图3中示出了本发明的显示面板对应于图1的a-a位置的剖面结构示意图。
在本实施例中，本发明的显示面板包括相对设置的彩膜基板7、阵列基板6和液晶层（图中未示出），彩膜基板7包括玻璃基板51和隔离子层，其中隔离子层包括第一隔离子54和第二隔离子53，阵列基板6包括玻璃衬底61，以及在玻璃衬底上依次制作的缓冲层62及其他层63，其他层依次包括栅绝缘层、层间绝缘层、绝缘层和钝化层，其中静电释放器件64设置在缓冲层62和栅绝缘层之间，具体地，重掺杂多晶硅层设置在缓冲层62和栅绝缘层之间，为了使得彩膜基板7和阵列基板6组立切割时，减小静电释放器件对顶位置的第二隔离子承受的压力，第一隔离子54与第二隔离子53之间的高度差h大于或等于该重掺杂多晶硅层的厚度，该第一隔离子54到阵列基板6上与之相对顶区域的距离大于或等于第二隔离子53到阵列基板6上与之相对顶位置的距离，优选地，该第一隔离子54到阵列基板6上与之相对顶区域的距离等于第二隔离子53到阵列基板6上与之相对顶区域的距离。
本发明通过使得第一隔离子的位置和高度保持不变，而改变第二隔离子的高度，使得第一隔离子和第二隔离子与阵列基板不同位置膜层之间的距离保持一致，降低了切割过程中基板形变时重掺杂多晶硅释放器件区域的应力，防止切割导致的膜裂，提高显示器件制程的稳定性和切割良率，从而提高了显示器件的制作优良率。
以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，因此依本发明权利要求所作的等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。