图形化光刻胶层及其制备方法与流程

文档序号:20288299发布日期:2020-04-07 16:27阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种图形化光刻胶层的制备方法,其特征在于,所述图形化光刻胶层的制备方法包括如下步骤:

1)提供一目标材料层;

2)于所述目标材料层上形成光刻胶层;

3)基于一光掩模版对所述光刻胶层进行第一次曝光,以于所述光刻胶层内形成第一曝光区域;

4)基于所述光掩模版于失焦及超阈值曝光能量条件下对所述光刻胶层进行第二次曝光,以于所述光刻胶层内形成第二曝光区域,所述第二曝光区域顶部的宽度大于所述第二曝光区域其他部位的宽度;

5)对第二次曝光后的所述光刻胶层进行显影,以去除所述第二曝光区域内的光刻胶,从而于所述光刻胶层内形成若干个图形单元,所述图形单元的深宽比大于4,且所述图形单元顶部开口的宽度大于所述图形单元其他部位的宽度。

2.根据权利要求1所述的图形化光刻胶层的制备方法,其特征在于,步骤1)中提供的所述目标材料层包括基底。

3.根据权利要求2所述的图形化光刻胶层的制备方法,其特征在于,所述目标材料层还包括介质层,所述介质层位于所述基底的表面;步骤2)中所述光刻胶层位于所述介质层的表面。

4.根据权利要求1所述的图形化光刻胶层的制备方法,其特征在于,步骤2)中形成的所述光刻胶层包括正性光刻胶层。

5.根据权利要求1所述的图形化光刻胶层的制备方法,其特征在于,步骤3)中于聚焦及亚阈值曝光能量条件下对所述光刻胶层进行第一次曝光。

6.根据权利要求1所述的图形化光刻胶层的制备方法,其特征在于,步骤4)中形成的所述第二曝光区域上部的纵截面形状呈倒梯形;步骤5)中形成的所述图形单元上部的纵截面形状呈倒梯形。

7.一种图形化光刻胶层,其特征在于,所述图形化光刻胶层内形成有若干个图形单元,所述图形单元的深宽比大于4,且所述图形单元顶部开口的宽度大于所述图形单元其他部位的宽度。

8.根据权利要求7所述的图形化光刻胶层,其特征在于,所述图形单元上部的纵截面形状呈倒梯形。


技术总结
本发明提供一种图形化光刻胶层及其制备方法,图形化光刻胶层的制备方法包括如下步骤:1)提供一目标材料层;2)于目标材料层上形成光刻胶层;3)基于一光掩模版对光刻胶层进行第一次曝光,以于光刻胶层内形成第一曝光区域;4)基于光掩模版于失焦及超阈值曝光能量条件下对光刻胶层进行第二次曝光,以于光刻胶层内形成第二曝光区域,第二曝光区域顶部的宽度大于第二曝光区域其他部位的宽度;5)对第二次曝光后的光刻胶层进行显影,以去除第二曝光区域内的光刻胶,从而于光刻胶层内形成若干个图形单元,图形单元的深宽比大于4,且图形单元顶部开口的宽度大于图形单元其他部位的宽度。本发明可以在光刻胶层内形成顶部开口宽度增大的图形单元。

技术研发人员:李天慧;杨瑞鹏;肖德元
受保护的技术使用者:芯恩(青岛)集成电路有限公司
技术研发日:2018.09.28
技术公布日:2020.04.07
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