干法蚀刻制备6代LTPS用PSM的制作方法

本发明涉及psm技术领域，具体为干法蚀刻制备6代ltps用psm。

背景技术：

目前fpd用mask在制备6代ltps用psm(phaseshiftmask),使用上置型的方式，先正常曝光bin(binary)区域，完成显影、蚀刻、脱膜工序后，再把半成品进行二次镀膜、二次涂光刻胶，然后再进行第二次ps(phaseshift)区域的曝光，完成显影、蚀刻、脱膜，在ps和正常曝光区域形成高度差，适当的高度差就能使周期性相邻图形(ps和bin区域)产生180度的相位差来制作psm，上置型实现psm进行二次镀膜、二次涂胶、二次光刻，这样大大加长制作周期，工序较为繁琐，产品缺陷和产品精度都受到影响，为此，我们提出干法蚀刻制备6代ltps用psm。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供干法蚀刻制备6代ltps用psm，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：干法蚀刻制备6代ltps用psm，其制作方式包括cr系材料制作psm和mosi材料制作psm；

cr系材料制作psm的制作方法包括以下步骤：

①、光刻胶整形，使光刻胶截面角度变大；

②、干法蚀刻正常区域cr；

③、蚀刻ps区域光刻胶；

④、蚀刻掉适当地glass厚度；

⑤、干法蚀刻ps区域cr；

mosi材料制作psm的制作方法包括以下步骤：

①、光刻胶整形，使光刻胶截面角度变大；

②、干法蚀刻正常区域cr；

③、干法蚀刻正常区域mosi；

④、蚀刻ps区域光刻胶；

⑤、干法蚀刻ps区域cr。

优选的，所述psm是由适当地高度差就能使周期性相邻图形(ps和bin区域)产生180度的相位差，从而到达提升分辨率，ps和正常曝光区域高度差就是材料一glass和材料二mosi的厚度d，产生180度相位差所需的厚度可有公式计算出，λ为激光波长，n为该种材料折射率。

与现有技术相比，本发明的有益效果如下：

本发明使用下置型方法，只需要对正常cr系材料分两个cell曝光即能制作出psm，下置型方法不需要进行二次镀膜和涂胶，缩短了制作psm的周期，使用mosi材料也能实现制作出psm，从而增加了psm制作材料的广泛性，进一步降低了psm的生产成本，提高了其市场竞争力，符合企业自身的利益。

附图说明

图1为本发明cr系材料制作psm流程示意图；

图2为本发明mosi材料制作psm流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图1-2，干法蚀刻制备6代ltps用psm，其制作方式包括cr系材料制作psm和mosi材料制作psm；

cr系材料制作psm的制作方法包括以下步骤：

①、光刻胶整形，使光刻胶截面角度变大；

②、干法蚀刻正常区域cr；

③、蚀刻ps区域光刻胶；

④、蚀刻掉适当地glass厚度；

⑤、干法蚀刻ps区域cr；

mosi材料制作psm的制作方法包括以下步骤：

①、光刻胶整形，使光刻胶截面角度变大；

②、干法蚀刻正常区域cr；

③、干法蚀刻正常区域mosi；

④、蚀刻ps区域光刻胶；

⑤、干法蚀刻ps区域cr，使用下置型方法，只需要对正常cr系材料分两个cell曝光即能制作出psm，下置型方法不需要进行二次镀膜和涂胶，缩短了制作psm的周期，使用mosi材料也能实现制作出psm，从而增加了psm制作材料的广泛性，进一步降低了psm的生产成本，提高了其市场竞争力，符合企业自身的利益。

psm是由适当地高度差就能使周期性相邻图形(ps和bin区域)产生180度的相位差，从而到达提升分辨率ps和正常曝光区域高度差就是材料一glass和材料二mosi的厚度d，产生180度相位差所需的厚度可有公式计算出，λ为激光波长，n为该种材料折射率。

使用时，使用下置型方法，只需要对正常cr系材料分两个cell曝光即能制作出psm，下置型方法不需要进行二次镀膜和涂胶，缩短了制作psm的周期，使用mosi材料也能实现制作出psm，从而增加了psm制作材料的广泛性，进一步降低了psm的生产成本，提高了其市场竞争力，符合企业自身的利益。

尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。

技术特征：

技术总结
本发明公开了干法蚀刻制备6代LTPS用PSM，其制作方式包括CR系材料制作PSM和MOSI材料制作PSM；CR系材料制作PSM的制作方法包括以下步骤：①、光刻胶整形，使光刻胶截面角度变大；②、干法蚀刻正常区域Cr；③、蚀刻PS区域光刻胶；④、蚀刻掉适当地Glass厚度；⑤、干法蚀刻PS区域Cr；MOSI材料制作PSM的制作方法包括以下步骤：①、光刻胶整形，使光刻胶截面角度变大。本发明使用下置型方法，只需要对正常CR系材料分两个cell曝光即能制作出PSM，下置型方法不需要进行二次镀膜和涂胶，缩短了制作PSM的周期，使用MOSI材料也能实现制作出PSM，从而增加了PSM制作材料的广泛性，进一步降低了PSM的生产成本，提高了其市场竞争力，符合企业自身的利益。

技术研发人员：熊启龙;戴海哲;谭超华;鄢红军
受保护的技术使用者：深圳清溢光电股份有限公司
技术研发日：2018.09.29
技术公布日：2018.12.21