掩模工艺和掩模板组的制作方法

本公开的实施例涉及一种掩模工艺和掩模板组。

背景技术

随着通信技术的不断发展，4g和5g通信技术也逐渐成为市场的主流。并且，随着人们对于手机轻薄化的追求，行业各界对于天线的体积的小型化以及低成本也越来越重视。

与传统的喇叭天线、螺旋天线和阵子天线等相比，液晶天线具有小型化、宽频带、多波段以及高增益等特点，是一种更适合当前技术发展方向的天线。另一方面，液晶天线和薄膜晶体管液晶显示器(tft-lcd)均包括成膜、曝光、刻蚀、对盒及灌注液晶等工艺，因此，液晶天线的制作工艺与薄膜晶体管液晶显示器的制作工艺可相互兼容。

技术实现要素：

本公开实施例提供一种掩模工艺和掩模板组。该掩模工艺直接通过将第二掩模板与机台对位，可避免曝光机无法识别adc(自动变形控制automaticdistortioncontrol，adc)图案的准确中心位置而导致的无法自动对位的问题；并且，该掩模工艺利用图像传感器通过第一套刻补正图案和第二套刻补正图案分别对第一掩模板和第二掩模板进行补正，从而可保证第二掩模板的对位精度。由此，该掩模工艺可解决现有的产线设备无法对液晶天线等具有厚膜层的产品进行自动对位的问题，不用对产线设备进行改造便可实现对液晶天线等具有厚膜层的产品的自动对位，从而可实现液晶天线等具有厚膜层的产品的量产，并可降低成本；另外，该掩模工艺也没有增加额外的工艺步骤，从而降低对产能的影响。

本公开至少一个实施例提供一种掩模工艺，其包括：将第一掩模板与承载待图案化的基板的机台对位；利用所述第一掩模板在所述待图案化的基板上形成第一层结构和第一套刻补正图案；利用图像传感器和所述第一套刻补正图案进行补正；将第二掩模板与所述机台对位；利用所述第二掩模板在所述待图案化的基板上形成第二层结构和第二套刻补正图案；以及利用所述图像传感器和所述第二套刻补正图案进行补正。

例如，在本公开一实施例提供的掩模工艺中，所述第一层结构的厚度大于所述第二层结构的厚度的5倍。

例如，在本公开一实施例提供的掩模工艺中，所述第一掩模板包括第一掩模图案和位于所述第一掩模图案周边的第一对位标记和第一套刻补正标记，所述承载待图案化的基板的机台包括第二对位标记，将所述第一掩模板与所述承载待图案化的基板的机台对位包括：利用所述第一对位标记和所述第二对位标记将所述第一掩模板与所述承载待图案化的基板的机台对位。

例如，在本公开一实施例提供的掩模工艺中，利用所述第一掩模板在所述待图案化的基板上形成所述第一层结构和所述第一套刻补正图案包括：利用所述第一掩模板进行图案化工艺以在待图案化的基板上形成与所述第一掩模图案对应的所述第一层结构和与所述第一套刻补正标记对应的所述第一套刻补正图案。

例如，在本公开一实施例提供的掩模工艺中，所述第二掩模板包括第二掩模图案和位于所述第二掩模图案周边的第三对位标记和第二套刻补正标记，将所述第二掩模板与所述承载待图案化的基板的机台对位包括：利用所述第三对位标记和所述第二对位标记将所述第一掩模板与所述承载待图案化的基板的机台对位。

例如，在本公开一实施例提供的掩模工艺中，利用所述第二掩模板在所述待图案化的基板上形成所述第二层结构和所述第二套刻补正图案包括：利用所述第二掩模板进行图案化工艺以在待图案化的基板上形成与所述第二掩模图案对应的所述第二层结构和与所述第二套刻补正标记对应的所述第二套刻补正图案。

例如，在本公开一实施例提供的掩模工艺中，利用所述图像传感器和所述第一套刻补正图案进行补正包括：利用所述图像传感器获取所述第一套刻补正图案的图像；以及根据所述图像的变形情况调整曝光机的参数；利用所述图像传感器和所述第二套刻补正图案进行补正包括：利用所述图像传感器获取所述第二套刻补正图案的图像；以及根据所述图像的变形情况调整曝光机的参数。

例如，在本公开一实施例提供的掩模工艺中，所述第二掩模板还包括自动形变控制标记，所述掩模工艺还包括：利用所述第二掩模板进行掩模工艺以在待图案化的基板上形成与所述自动形变控制标记对应的自动变形控制图案。

本公开至少一个实施例提供一种掩模板组，其包括：第一掩模板，包括第一掩模图案和位于所述第一掩模图案周边的第一对位标记和第一套刻补正标记；以及第二掩模板，包括第二掩模图案和位于所述第二掩模图案周边的第三对位标记和第二套刻补正标记，所述第一掩模图案和所述第二掩模图案依次被配置为形成半导体器件的第一层结构和第二层结构，所述第一对位标记和所述第三对位标记被配置为与承载待图案化的基板的基台上的第二对位标记分别对准，所述第一套刻补正标记和所述第二套刻补正标记分别被配置为对套刻精度进行补正。

例如，在本公开一实施例提供的掩模板组中，所述第一层结构的厚度大于所述第二层结构厚度的5倍。

例如，在本公开一实施例提供的掩模板组中，所述第二掩模板还包括：自动形变控制标记。

例如，在本公开一实施例提供的掩模板组中，所述第一对位标记包括沿第一方向延伸的两个平行的第一横向条状标记和沿第二方向延伸的两个平行的第一竖向条状标记，所述第二对位标记包括沿所述第一方向延伸的第二横向条状标记和沿所述第二方向延伸的第二竖向条状标记，所述第一方向与所述第二方向相互垂直；所述第三对位标记包括沿第一方向延伸的两个平行的第三横向条状标记和沿第二方向延伸的两个平行的第三竖向条状标记；所述第一套刻补正标记的形状包括矩形框，所述第二套刻补正标记的形状包括矩形框。

附图说明

为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例，而非对本公开的限制。

图1为一种薄膜晶体管液晶显示器的基板上的adc图案的截面和液晶天线的基板上的adc图案的截面的尺寸对比示意图；

图2a为一种薄膜晶体管液晶显示器的基板上的adc图案的示意图；

图2b为一种掩模板上的adc标记的示意图；

图2c为一种薄膜晶体管液晶显示器产品进行对位的示意图；

图3a为一种液晶天线的基板上的adc图案的示意图；

图3b为一种掩模板上的adc标记的示意图；

图3c为一种液晶天线产品进行对位的示意图；

图4为根据本公开一实施例提供的一种掩模工艺的流程图；

图5为根据本公开一实施例提供的一种掩模工艺所形成的基板在未补正和补正后的两种情况下的对比示意图；

图6为根据本公开一实施例提供的一种第一掩模板的平面示意图；

图7为根据本公开一实施例提供的一种第二掩模板的平面示意图；

图8为根据本公开一实施例提供的一种承载待图案化的基板的基台的平面示意图；

图9为根据本公开一实施例提供的一种第一对位标记和第三对位标记的图案示意图；

图10为根据本公开一实施例提供的一种第二对位标记的图案示意图；以及

图11为本公开一实施例提供的一种第一套刻补正标记和第二套刻补正标记的示意图。

具体实施方式

为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。

目前，液晶天线的制作工艺与薄膜晶体管液晶显示器的制作工艺可以相互兼容。然而，考虑到液晶天线的信号强度以及功耗等因素，在液晶天线的制作工艺中，需要将薄膜晶体管液晶显示器的制作工艺中的铝(al)、钼(mo)等金属材料替换为铜(cu)，并且cu膜层的厚度达到了微米级别。液晶天线的制作工艺中的cu膜层的厚度高出薄膜晶体管液晶显示器的制作工艺中的al、mo等金属膜层的厚度近十倍。此时，需要制作的膜层的厚度的增加对刻蚀工艺产生了较大的影响，在刻蚀工艺(例如湿法刻蚀工艺)后会产生较大的关键尺寸偏差(cdbias)。图1示出一种薄膜晶体管液晶显示器的基板上的adc图案的截面和液晶天线的基板上的adc图案的截面的尺寸对比示意图。如图1所示，相对于薄膜晶体管液晶显示器的基板01上形成厚度约为的金属膜层02，由于液晶天线的基板03上的金属膜层04的厚度较大(例如，)，刻蚀所形成的关键尺寸偏差无法避免。而较大的cdbias会导致掩模工艺中用于对位的自动变形控制(automaticdistortioncontrol，adc)图案过粗，即自动变形控制图案中的线宽较大(如图1所示)，从而导致曝光机无法确认adc图案的准确的中心位置。曝光机无法实现自动对位，需要工程师进行手动对位，因此难以满足量产的需求。

图2a为一种薄膜晶体管液晶显示器的基板上的adc图案的示意图；图2b为一种掩模板上的adc标记的示意图；图2c为一种薄膜晶体管液晶显示器产品进行对位的示意图。在通常的薄膜晶体管液晶显示器的掩模工艺中，在将第一掩模板与承载基板的机台进行对位之后，先利用第一掩模板同时在基板上形成厚度约为的金属膜层和如图2a所示的adc图案02，然后再进行第二掩模板的对位过程。在第二掩模板的对位过程中，如图2c所示，曝光机(例如佳能曝光机)将基板上如图2a所示的adc图案02的“一横一竖”移动至第二掩模板上如图2b所示的adc标记14的“两横两竖”中心，从而实现第二掩模板的自动对位。需要说明的是，上述的两个掩模板(第一掩模板和第二掩模板)为用于形成薄膜晶体管液晶显示器中的不同膜层的掩模板；另外，图2a所示的adc图案02的左半部分的图案用于图像传感器定位该adc图案，即曝光机可先通过该图案寻找到adc图案，便于曝光机将该adc图案迅速定位，图2a所示的adc图案02的右半部分的图案用于对位，即用于将掩模板与基板对位。

图3a为一种液晶天线的基板上的adc图案的示意图；图3b为一种掩模板上的adc标记的图案；图3c为一种液晶天线产品进行对位的示意图。由于液晶天线的产品的金属膜层的厚度较大(例如，)，如图3a所示，在基板上形成的adc图案04的“一横一竖”过粗，即自动变形控制图案中的线宽较大(如图3a所示)。先在将第一掩模板与承载基板的机台进行对位之后，先利用第一掩模板同时在基板上形成厚度约为的金属膜层和如图3a所示的adc图案04，然后再进行第二掩模板的对位过程。然而，在第二掩模板的对位过程中，如图3c所示，曝光机无法识别如图3a所示的adc图案04的中心，无法将基板上如图3a所示的adc图案04的“一横一竖”移动至另一张掩模板10上如图3b所示的adc标记14的“两横两竖”中心，导致无法实现自动对位。

本公开实施例提供一种掩模工艺和掩模板组。该掩模工艺包括：将第一掩模板与承载待图案化的基板的机台对位；利用第一掩模板在待图案化的基板上形成第一层结构和第一套刻补正图案；利用图像传感器和第一套刻补正图案进行补正；将第二掩模板与机台对位；利用第二掩模板在待图案化的基板上形成第二层结构和第二套刻补正图案；以及利用图像传感器和第二套刻补正图案进行补正。该掩模工艺直接通过将第二掩模板与机台对位，而非将第二掩模板与形成有adc图案的基板进行对位，可避免曝光机无法识别adc图案的准确中心位置而导致的无法自动对位的问题；并且，该掩模工艺利用图像传感器通过第一套刻补正图案和第二套刻补正图案分别对第一掩模板和第二掩模板进行补正，从而可保证第二掩模板的对位精度。由此，该掩模工艺不用对产线设备进行改造便可实现对液晶天线等具有厚膜层的产品的自动对位，从而可实现液晶天线等具有厚膜层的产品的量产，并可降低成本；另外，该掩模工艺也没有增加额外的工艺步骤，从而可降低对产能的影响。

下面，结合附图对本公开实施例提供的掩模工艺和掩模板组进行详细的说明。

图4为根据本公开一实施例提供的一种掩模工艺的流程图。如图4所示，该掩模工艺包括以下步骤s101-s106。

步骤s101：将第一掩模板与承载待图案化的基板的机台对位。

例如，待图案化的基板可包括衬底基板和整层设置的金属层。衬底基板可包括玻璃基板、石英基板、塑料基板，金属层可为铜层，本公开实施例在此不作限制。需要说明的是，为了便于进行光学对位，衬底基板可为透明基板。

例如，可通过承载待图案化的基板的机台上的机台旋转控制(stagerotationcontrol，src)标记与第一掩模板上的src标记以将第一掩模板与承载待图案化的基板的机台对位。

步骤s102：利用第一掩模板在待图案化的基板上形成第一层结构和第一套刻补正图案。

例如，利用第一掩模板在待图案化的基板(包括衬底基板和整层设置的金属层)上形成对应的光刻胶图案，再以该光刻胶图案为掩模通过刻蚀工艺将多余的金属层去除，从而图案化金属层以同时形成第一层结构和第一套刻补正图案。

步骤s103：利用图像传感器和第一套刻补正图案进行补正。

例如，利用图像传感器获取基板上形成的第一套刻补正图案的图像，然后通过比较第一套刻补正图案的图像与标准的第一套刻补正图案来调整曝光机的参数，从而进行补正，以提高套刻精度(overlayprecision)。需要说明的是，当曝光机参数调整之后，可存储调整后的参数以提高同一批次的后续产品的套刻精度，也可去除当前的光刻胶图案，重新进行曝光显影以形成新的光刻胶图案，从而提高当前产品的套刻精度。

步骤s104：将第二掩模板与机台对位。

例如，可通过承载待图案化的基板的机台上的机台旋转控制(stagerotationcontrol，src)标记与第二掩模板上的src标记以将第二掩模板与承载待图案化的基板的机台对位。

步骤s105：利用第二掩模板在待图案化的基板上形成第二层结构和第二套刻补正图案。

步骤s106：利用图像传感器和第二套刻补正图案进行补正。

例如，利用图像传感器获取基板上形成的第二套刻补正图案的图像，然后通过比较第二套刻补正图案的图像与标准的第二套刻补正图案来调整曝光机的参数，从而进行补正，以提高套刻精度(overlayprecision)。

当使用本实施例提供的掩模工艺制作具有较厚膜层的产品时，先将第一掩模板与承载待图案化的基板的机台对位；利用第一掩模板在待图案化的基板上形成厚度较厚的第一层结构和第一套刻补正图案。由于第一层结构的厚度较厚，会对刻蚀工艺产生了较大的影响，在刻蚀工艺后会产生较大的关键尺寸偏差(cdbias)。而较大的cdbias会导致掩模工艺中用于对位的自动变形控制(automaticdistortioncontrol，adc)图案过粗，即adc图案中的线宽较大，从而导致曝光机无法确认adc图案的准确的中心位置。曝光机无法实现自动对位，需要工程师进行手动对位。本实施例提供的掩模工艺直接通过将第二掩模板与机台对位，而非将第二掩模板与形成有adc图案的基板进行对位，可避免曝光机无法识别adc图案的准确中心位置而导致的无法自动对位的问题。另外，本实施例提供的掩模工艺利用图像传感器通过第一套刻补正图案和第二套刻补正图案分别对第一掩模板和第二掩模板的套刻精度进行补正，从而可避免不良的发生。由此，该掩模工艺不用对产线设备进行改造便可实现对液晶天线等具有厚膜层的产品的自动对位，从而可实现液晶天线等具有厚膜层的产品的量产，并可降低成本；另外，该掩模工艺也没有增加额外的工艺步骤，从而降低对产能的影响。

图5为根据本公开一实施例提供的一种掩模工艺所形成的基板在未补正和补正后的两种情况下的对比示意图。如图5所示，当未利用图像传感器通过第一套刻补正图案或第二套刻补正图案进行补正时，基板上形成的图案与标准图案的偏移较大；而利用图像传感器通过第一套刻补正图案或第二套刻补正图案进行补正后，基板上形成的图案与标准图案的偏移较小，从而可避免各种不良的发生。需要说明的是，图5所示的偏移量为放大20000倍的情况。

例如，在一些示例中，第一层结构的厚度大于第二层结构的厚度的5倍。

例如，在一些示例中，第一层结构的厚度大于第二层结构的厚度的10倍。例如，考虑到液晶天线的信号强度以及功耗等因素，液晶天线的制作工艺中的铜膜层的厚度(例如，)大于薄膜晶体管液晶显示器的制作工艺中的al、mo等金属膜层的厚度(例如，)的10倍。因此，该掩模工艺适于制作液晶天线产品。

图6为根据本公开一实施例提供的一种第一掩模板的平面示意图。图7为根据本公开一实施例提供的一种第二掩模板的平面示意图。图8为根据本公开一实施例提供的一种承载待图案化的基板的基台的平面示意图。

例如，在一些示例中，如图6和图8所示，第一掩模板110包括第一掩模图案111和位于第一掩模图案111周边的第一对位标记112和第一套刻补正标记113，承载待图案化的基板210的机台200包括第二对位标记202，上述的将第一掩模板与承载待图案化的基板的机台对位包括：利用第一对位标记112和第二对位标记202将第一掩模板110与承载待图案化的基板210的机台200对位。由于第一对位标记112在第一掩模板110上的位置是固定的，第二对位标记202在机台200上的位置是固定的，当第一对位标记112和第二对位标记202对准时，第一掩模板110和机台200也是对准的。需要说明的是，利用第一对位标记和第二对位标记将第一掩模板与承载待图案化的基板的机台对位的具体方式可采用所使用的曝光机内置的方式。例如，可先将第一对位标记和第二对位标记对准，以将掩模板上的坐标系与机台上的坐标系进行计算和转换，从而获取第一掩模板上的图案相对于机台上的坐标系中的坐标，然后再将第一掩模板移动到设定位置进行曝光、显影等步骤。

例如，第一掩模图案111可用于形成上述的第一层结构，第一层结构可为液晶天线中的铜层。第一对位标记112和第一套刻补正标记113位于第一掩模图案111的周边，从而可避免第一对位标记112和第一套刻补正标记113对第一层结构的影响。

例如，在一些示例中，上述利用第一掩模板110在待图案化的基板上形成第一层结构和第一套刻补正图案包括：利用第一掩模板110进行图案化工艺以在待图案化的基板上形成与第一掩模图案111对应的第一层结构和与第一套刻补正标记113对应的第一套刻补正图案。可通过图像传感器获取第一套刻补正图案的图像，然后通过比较第一套刻补正图案的图像与标准的第一套刻补正图案来调整曝光机的参数，从而进行补正，以提高套刻精度(overlayprecision)。需要说明的是，上述的图案化工艺可包括曝光、显影、刻蚀等步骤。

例如，第一掩模图案111的形状可根据实际需要形成的膜层进行设计，而第一套刻补正标记113的形状可采用矩形框。当然，本公开实施例包括但不限于此，第一套刻补正标记也可采用其他形状。

例如，在一些示例中，如图7和8所示，第二掩模板120可包括第二掩模图案121和位于第二掩模图案121周边的第三对位标记122和第二套刻补正标记123，上述的将第二掩模板与承载待图案化的基板的机台对位包括：将第三对位标记122和第二对位标记202对位以将第二掩模板120与承载待图案化的基板的机台200对位。由于第三对位标记122在第二掩模板120上的位置是固定的，第二对位标记202在机台200上的位置是固定的，当第三对位标记122和第二对位标记202对准时，第二掩模板120和机台200也是对准的；而第一掩模板110与机台200也是对准的，因此，第二掩模板120与第一掩模板110也是对准的。需要说明的是，利用第三对位标记和第二对位标记将第二掩模板与承载待图案化的基板的机台对位的具体方式可采用所使用的曝光机内置的方式。例如，可先将第三对位标记和第二对位标记对准，以将掩模板上的坐标系与机台上的坐标系进行计算和转换，从而获取第二掩模板上的图案相对于机台上的坐标系中的坐标，然后再将第二掩模板移动到设定位置进行曝光、显影等步骤。

例如，在一些示例中，上述的利用第二掩模板在待图案化的基板上形成第二层结构和第二套刻补正图案包括：利用第二掩模板120进行图案化工艺以在待图案化的基板上形成与第二掩模图案121对应的第二层结构和与第二套刻补正标记123对应的第二套刻补正图案。可通过图像传感器获取第二套刻补正图案的图像，然后通过比较第二套刻补正图案的图像与标准的第二套刻补正图案来调整曝光机的参数，从而进行补正，以提高套刻精度(overlayprecision)。需要说明的是，上述的图案化工艺可包括曝光、显影、刻蚀等步骤。

例如，在一些示例中，利用图像传感器和第一套刻补正图案进行补正包括：利用图像传感器获取第一套刻补正图案的图像；以及根据图像的变形情况调整曝光机的参数。例如，可通过比较第一套刻补正图案的图像与标准的第一套刻补正图案来获取图像的变形情况。

例如，在一些示例中，利用图像传感器和第二套刻补正图案进行补正包括：利用图像传感器获取第二套刻补正图案的图像；以及根据图像的变形情况调整曝光机的参数。例如，可通过比较第二套刻补正图案的图像与标准的第二套刻补正图案来获取图像的变形情况。

例如，在一些示例中，如图7所示，第二掩模板120还包括自动形变控制标记124，掩模工艺还包括：利用第二掩模板120进行图案化工艺以在待图案化的基板上形成与自动形变控制标记124对应的自动变形控制图案。当第二掩模板形成的第二层结构厚度较小时，不会产生自动变形控制图案过粗的问题，因此后续使用的掩模板可利用形成的自动变形控制(automaticdistortioncontrol，adc)图案与第二掩模板进行自动对位。需要说明的是，自动形变控制标记124的具体形状可参见图2a和2b示出的自动形变控制标记。

本公开一实施例还提供一种掩模板组。该掩模板包括第一掩模板和第二掩模板。如图6所示，第一掩模板110包括第一掩模图案111和位于第一掩模图案111周边的第一对位标记112和第一套刻补正标记113。如图7所示，第二掩模板120包括第二掩模图案121和位于第二掩模图案121周边的第三对位标记122和第二套刻补正标记123。第一掩模图案111和第二掩模图案121依次被配置为形成半导体器件的第一层结构和第二层结构，第一对位标记112和第三对位标记122被配置为与承载待图案化的基板的基台上的第二对位标记分别对准，第一套刻补正标记113和第二套刻补正标记123被配置为对套刻精度进行补正。

例如，如图8所示，该机台200包括第二对位标记202。由于第一对位标记112在第一掩模板110上的位置是固定的，第二对位标记202在机台200上的位置是固定的，当第一对位标记112和第二对位标记202对准时，第一掩模板110和机台200也是对准的。由于第三对位标记122在第二掩模板120上的位置是固定的，当第三对位标记122和第二对位标记202对准时，第二掩模板120和机台200也是对准的；而第一掩模板110与机台200是对准的，因此，第二掩模板120与第一掩模板110也是对准的。

当使用本实施例提供的掩模板组制作具有较厚膜层的产品时，先通过第一对位标记112和第二对位标记202将第一掩模板110与承载待图案化的基板的机台200对位；然后利用第一掩模图案111和第一套刻补正标记113在待图案化的基板上形成厚度较厚的第一层结构和第一套刻补正图案；然后直接通过第三对位标记122和第二对位标记202将将第二掩模板120与机台200对位，从而可避免曝光机无法识别adc图案的准确中心位置而导致的无法自动对位的问题。另外，还可利用图像传感器通过第一套刻补正标记113形成的第一套刻补正图案和第二套刻补正标记123形成的第二套刻补正图案分别对第一掩模板110和第二掩模板120的套刻精度进行补正，从而可提高套刻精度，避免不良的发生。由此，该掩模板组不用对产线设备进行改造便可实现对液晶天线等具有厚膜层的产品的自动对位，从而可实现液晶天线等具有厚膜层的产品的量产，并可降低成本。

例如，如图6所示，第一掩模板110包括六个第一对位标记112，对称地分布在第一掩模图案111的两侧。当然，本公开实施例包括但不限于此，第一对位标记112的数量和位置可根据实际情况进行设置。

例如，如图6所示，第一掩模板110包括八个第一套刻补正标记113，对称地分布在第一掩模图案111的两侧。当然，本公开实施例包括但不限于此，第一套刻补正标记113的数量和位置可根据实际情况进行设置。

例如，如图7所示，由于第一掩模板110和第二掩模板120分别要与机台200进行对位，因此第二掩模板120上的第三对位标记122的位置设置地较第一对位标记112更靠外，即各第三对位标记122与第二掩膜图案121的距离比第一对位标记112与第一掩膜图案111的距离大。图7中虚线框示出了图6中第一对位标记112和第一套刻补正标记113对应的位置。第三对位标记122和第二套刻补正标记123与上述的虚线框不重叠，从而可避免第一套刻补正图案和第二套刻补正图案重叠。

例如，在一些示例中，如图7所示，第二掩模板120还包括：自动形变控制标记124。由此，可通过第二掩模板120在待图案化的基板上形成与自动形变控制(automaticdistortioncontrol，adc)标记124对应的自动变形控制图案。当第二掩模板形成的第二层结构厚度较小时，不会产生自动变形控制图案过粗的问题，因此后续使用的掩模板可利用形成的自动变形控制(automaticdistortioncontrol，adc)图案与第二掩模板进行自动对位。

图9为根据本公开一实施例提供的一种第一对位标记和第三对位标记的图案示意图。图10为根据本公开一实施例提供的一种第二对位标记的图案示意图。

例如，在一些示例中，如图9和10所示，第一对位标记112包括沿第一方向延伸的两个平行的第一横向条状标记1122和沿第二方向延伸的两个平行的第一竖向条状标记1124，第二对位标记202包括沿第一方向延伸的第二横向条状标记2022和沿第二方向延伸的第二竖向条状标记2024，第一方向与第二方向相互垂直。通过将第二对位标记202的“一横一竖”，即沿第一方向延伸的第二横向条状标记2022和沿第二方向延伸的第二竖向条状标记2024移动至第一对位标记112的“两横两竖”，即沿第一方向延伸的两个平行的第一横向条状标记1122和沿第二方向延伸的两个平行的第一竖向条状标记1124的中心，从而实现自动对位。需要说明的是，图10示出了两组第二对位标记202，分别表示在膜层上形成的凹入膜层的第二对位标记和利用膜层形成的凸出与机台表面的第二对位标记；因此，相应地，图9示出了两组第一对位标记112或第三对位标记122；另外，图9和图10示出的两组第一对位标记、两组第二对位标记或者两组第三对位标记构成上述的机台旋转控制(stagerotationcontrol，src)标记。

例如，在一些示例中，如图9和10所示，第三对位标记122包括沿第一方向延伸的两个平行的第三横向条状标记1222和沿第二方向延伸的两个平行的第三竖向条状标记1224，第一方向与第二方向相互垂直。通过将第二对位标记202的“一横一竖”，即沿第一方向延伸的第二横向条状标记2022和沿第二方向延伸的第二竖向条状标记2024移动至第三对位标记122的“两横两竖”，即沿第一方向延伸的两个平行的第三横向条状标记1222和沿第二方向延伸的两个平行的第三竖向条状标记1224的中心，从而实现自动对位。

图11为本公开一实施例提供的一种第一套刻补正标记和第二套刻补正标记的示意图。如图11所示，第一套刻补正标记113的形状包括矩形框，第二套刻补正标记123的形状包括矩形框。

例如，在一些示例中，第一层结构的厚度大于第二层结构厚度的5倍。

例如，在一些示例中，第一层结构的厚度大于第二层结构的厚度的10倍。例如，考虑到液晶天线的信号强度以及功耗等因素，液晶天线的制作工艺中的铜膜层的厚度(例如，)大于薄膜晶体管液晶显示器的制作工艺中的al、mo等金属膜层的厚度(例如，)的10倍。

有以下几点需要说明：

(1)本公开实施例附图中，只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。

(2)在不冲突的情况下，本公开同一实施例及不同实施例中的特征可以相互组合。

以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。