用于显示装置的阵列基板及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示装置，并且更具体地，涉及一种用于包括没有减小孔径比的存储 电容器的显示装置的阵列基板和一种通过减少掩模工艺的数量来制造阵列基板的方法。
【背景技术】
[0002] 阴极射线管（CRT)已被广泛地用作显示装置。然而，近来，平板显示装置（例如， 等离子体显示面板（PDP)装置、液晶显示（LCD)装置和有机发光二极管（OLED)显示装置） 代替CRT被用作显示装置。
[0003] 在这些平板显示装置当中，OLED显示装置在厚度和重量方面具有优点，因为OLED 显示装置不需要背光单元。OLED显示装置是自发射型显示装置。近来，OLED显示装置被用 于大型显示装置。
[0004] 图1是用于现有技术的OLED显示装置的阵列基板的截面图。
[0005] 如图1所示，在用于OLED显示装置的阵列基板中，选通线（未示出）和数据线32 形成在基板10上并在基板10上方。选通线和数据线32彼此交叉以限定基板10上的像素 区域。另外，公共电压线（未示出）可以形成在各个像素区域中并且与数据线32平行。
[0006] 第一薄膜晶体管（TFT) TRl和第二TFT TR2形成在选通线和数据线32的交叉部分。 第一 TFT TRl和第二TFT TR2分别用作切换元件和驱动元件。
[0007] 第一 TFT TRl包括第一半导体层17、第一栅电极11、第一源电极12和第一漏电极 13。第一栅电极11通过栅绝缘层14与第一半导体层17间隔开。层间绝缘层31覆盖第一 栅电极11并且包括暴露第一半导体层17的两端的接触孔。第一源电极12和第一漏电极 13形成在层间绝缘层31上，并且通过层间绝缘层31中的接触孔分别连接至第一半导体层 17。
[0008] 第二TFT TR2包括第一半导体层27、第二栅电极21、第二源电极22和第二漏电极 23。第二栅电极21通过栅绝缘层14与第二半导体层27间隔开。层间绝缘层31覆盖第二 栅电极21并且包括暴露第二半导体层27的两端的接触孔。第二源电极22和第二漏电极 23形成在层间绝缘层31上，并且通过层间绝缘层31中的接触孔分别连接至第二半导体层 27〇
[0009] 第一源电极12连接至数据线32,并且第二源电极22连接至公共电压线。
[0010] 第一 TFT TRl的第一漏电极13连接至第二电容器电极16,并且第二漏电极23连 接至第一电容器电极15。第二电容器电极16与第一电容器电极15交叠以形成存储电容器 Cst0
[0011] 阳电极19被形成为电连接至第二漏电极23。另外，有机发射层（未示出）和阴电 极（未示出）层叠在阳电极（19)上，使得形成用于OLED显示装置的阵列基板。
[0012] 在OLED显示装置中，来自阳电极19的空穴和来自阴电极的电子在有机发射层中 结合，使得从有机发射层发射光。当阴电极由不透明金属材料形成时，来自有机发射层的光 通过包括第一 TFT TRl和第二TFT TR2的基板10。
[0013] 用于控制像素的电流的电压被充电在存储电容器Cst中，使得电流的电平被维持 到下一帧。当存储电容器Cst的区域被增大以改进驱动安全性时，孔径比减小，因为第一电 容器电极15和第二电容器电极16由不透明金属材料形成。
[0014] 为了解决上述问题，存储电容器Cst的区域被优化成针对像素驱动具有最小电容 量。然而，因为单位面积中的像素的数量根据高分辨率而增加，所以各个像素的面积减少。 结果，非常难以在像素中形成存储电容器。另一方面，引入了多结构型存储电容器。然而， 用于多结构型存储电容器的制造工艺是复杂的，使得生产产量减小。
【发明内容】
[0015] 因此，本发明致力于基本上消除了由于现有技术的局限和缺点而导致的一个或更 多个问题的用于OLED显示装置的阵列基板及其制造方法。
[0016] 本发明的附加的特征和优点将在以下的描述中阐述，并且将部分地从本说明书变 得显而易见，或者可以通过本发明的实践学习到。本发明的目标和其它优点将通过在所撰 写的说明书及其权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。
[0017] 为了实现这些和其它优点并且根据本发明的目的，如本文所具体实现和广义描 述的，本发明提供了一种用于显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：第一薄膜晶体管 (TFT)，该第一 TFT包括第一半导体层、与该第一半导体层对应的第一栅电极、第一源电极 和第一漏电极；第二TFT，该第二TFT包括第二半导体层、与该第二半导体层对应的第二栅 电极、第二源电极和第二漏电极；第一透明电容器电极，该第一透明电容器电极连接至所述 第一漏电极；第一钝化层，该第一钝化层位于所述第一透明电容器电极上；第二透明电容 器电极，该第二透明电容器电极位于所述第一钝化层上并且连接至所述第二漏电极，该第 二透明电容器电极与所述第一透明电容器电极交叠；第二钝化层，该第二钝化层位于所述 第一钝化层和所述第二透明电容器电极上或上方；以及第一电极，该第一电极位于所述第 二钝化层上并且连接至所述第二透明电容器电极。
[0018] 在另一方面中，本发明提供了一种用于显示装置的阵列基板，该阵列基板包括：第 一薄膜晶体管（TFT)，该第一 TFT包括第一半导体层、与该第一半导体层对应的第一栅电 极、第一源电极和第一漏电极；第二TFT，该第二TFT包括第二半导体层、与该第二半导体层 对应的第二栅电极、第二源电极和第二漏电极；第一透明电容器电极，该第一透明电容器电 极连接至所述第一漏电极或所述第二半导体层；层间绝缘层，该层间绝缘层位于所述第一 透明电容器电极上；第二透明电容器电极，该第二透明电容器电极位于所述层间绝缘层上 并且连接至所述第二漏电极，该第二透明电容器电极与所述第一透明电容器电极交叠；第 一钝化层，该第一钝化层位于所述第一 TFT和所述第二TFT以及所述第二透明电容器电极 上方；以及第一电极，该第一电极位于所述第一钝化层上并且连接至所述第二漏电极。
[0019] 在另一方面中，本发明提供了一种制造用于显示装置的阵列基板的方法，该方法 包括以下步骤：形成第一半导体层和第二半导体层；分别在所述第一半导体层和所述第二 半导体层上形成第一栅绝缘图案和第二栅绝缘图案；分别在所述第一栅绝缘图案和所述第 二栅绝缘图案上形成第一栅电极和第二栅电极；在所述第一栅电极和所述第二栅电极上形 成层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形成第一源电极和第一漏电极、第二源电极和第二漏 电极以及第一透明电容器电极，该第一透明电容器电极连接至所述第一漏电极；在所述第 一透明电容器电极上形成第一钝化层；在所述第一钝化层上形成第二透明电容器电极并且 该第二透明电容器电极连接至所述第二漏电极，所述第二透明电容器电极与所述第一透明 电容器电极交叠；形成覆盖所述第一钝化层和所述第二透明电容器电极的第二钝化层；以 及在所述第二钝化层上形成第一电极并且该第一电极连接至所述第二透明电容器电极。
[0020] 在另一方面中，本发明提供了一种制造用于显示装置的阵列基板的方法，该方法 包括以下步骤：形成第一半导体层和第二半导体层以及第一透明电容器电极；分别在所述 第一半导体层和所述第二半导体层上形成第一栅绝缘图案和第二栅绝缘图案；在所述第一 栅绝缘图案和所述第二栅绝缘图案上形成第一栅电极和第二栅电极；在所述第一栅电极和 所述第二栅电极以及所述第一透明电容器电极上形成层间绝缘层；在所述层间绝缘层上形 成第一源电极和第一漏电极、第二源电极和第二漏电极以及第二透明电容器电极，该第二 透明电容器电极与所述第一透明电容器电极交叠并且连接至所述第二漏电极；形成覆盖所 述第一源电极和所述第一漏电极、所述第二源电极和所述第二漏电极以及所述第二透明电 容器电极的钝化层；以及在所述钝化层上形成第一电极并且该第一电极连接至所述第二漏 电极，其中，所述第一透明电容器电极电连接至所述第二半导体层或所述第一漏电极。
[0021] 应当理解，以上总体描述和以下详细描述这二者是示例性的和说明性的，并且旨 在提供对要求保护的本发明的进一步说明。
【附图说明】
[0022] 附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并且被并入本说明书并构成本说明书 的一部分，附图例示了本发明的实施方式，并且与本描述一起用来说明本发明的原理。
[0023] 图1是用于现有技术的OLED显示装置的阵列基板的截面图。
[0024] 图2是根据本发明的第一实施方式的用于OLED显示装置的阵列基板的截面图。
[0025] 图3A至图3H是例示了根据本发明的第一实施方式的用于OLED显示装置的阵列 基板的制造工艺的截面图。
[0026] 图4是根据本发明的第二实施方式的用于OLED显示装置的阵列基板的截面图。
[0027] 图5A至图5H是例示了根据本发明的第二实施方式的用于OLED显示装置的阵列 基板的制造工艺的截面图。
[0028] 图6A至图6C是分别说明了用于现有技术的OLED显示装置以及第一实施方式的 OLED显示装置和第二实施方式的OLED显示装置的阵列基板的差异的截面图。
[0029] 图7是示出了根据用于根据本发明的第一实施方式的OLED显示装置的阵列基板 中的存储电容器的区域的亮度的曲线图。
[0030] 图8A至图8C分别是包括具有不同区域的存储电容器的阵列基板的平面图。<