br>【具体实施方式】
[0031] 现在将详细地参照优选实施方式，其示例被例示在附图中。
[0032] 图2是根据本发明的第一实施方式的用于OLED显示装置的阵列基板的截面图。
[0033] 如图2所示，显示区域"A"和非显示区域"NA"被限定在用于OLED显示装置的阵列 基板的基板中。显示区域"A"中的多个像素中的每一个包括用于作为切换元件的第一 TFT TRl的切换区域"SW"、用于作为驱动元件的第二TFT TR2的驱动区域"DR"以及用于存储电 容器Cst的开口区域"OP"。另外，用于选通焊盘和/或数据焊盘的焊盘区域"PDA"被限定 在非显示区域"NA"中。
[0034] 第一 TFT TRl包括基板100上的第一半导体层141、在第一半导体层141上方并且 与第一半导体层141对应的第一栅电极111、在第一栅电极111上方的第一源电极112以及 在第一栅电极111上方的第一漏电极113。第一栅电极111通过第一栅绝缘图案105a与 第一半导体层141间隔开。层间绝缘层191a被形成为覆盖除两个端部之外的第一栅电极 111和第一半导体层141。层间绝缘层191a包括分别暴露第一半导体层141的两个端部的 第一半导体接触孔和第二半导体接触孔。第一源电极112和第一漏电极113被布置在层间 绝缘层191a上，并且分别通过第一半导体接触孔和第二半导体接触孔电连接至第一半导 体层141。
[0035] 第二TFT TRl包括基板100上的第二半导体层142、在第二半导体层142上方并且 与第二半导体层141对应的第二栅电极121、在第二栅电极121上方的第二源电极122以及 在第二栅电极121上方的第二漏电极123。第二栅电极121通过第二栅绝缘图案105b与 第二半导体层142间隔开。层间绝缘层191a被形成为覆盖除两个端部之外的第二栅电极 121和第二半导体层142。层间绝缘层191a包括分别暴露第二半导体层142的两个端部的 第三半导体接触孔和第四半导体接触孔。第二源电极122和第二漏电极123被布置在层间 绝缘层191a上，并且分别通过第三半导体接触孔和第四半导体接触孔电连接至第二半导 体层142。
[0036] 第一钝化层190a形成在第一 TFT TRl和第二TFT TRl上以及在层间绝缘层191a 上或上方，并且包括暴露第二漏电极123的第一接触孔"CH1"。
[0037] 存储电容器Cst包括层间绝缘层191a上的第一透明电容器电极171a和第一钝化 层190a上的第二透明电容器电极171b。第二透明电容器电极171b与第一透明电容器电极 171a交叠。
[0038] 在焊盘区域"PDA"中，第三栅绝缘图案105c和第一焊盘电极114a形成在基板100 上。包括暴露第一焊盘电极114a的第一焊盘接触孔的层间绝缘层191a形成在第一焊盘电 极114a上。通过层间绝缘层191a中的第一焊盘接触孔电连接至第一焊盘电极114a的第 二焊盘电极114b形成在层间绝缘层191a上。包括暴露第二焊盘电极114b的第二焊盘接 触孔的第一钝化层190a形成在第二焊盘电极114b上，并且通过第一钝化层190a中的第二 焊盘接触孔电连接至第二焊盘电极114b的第三焊盘电极114c形成在第一钝化层190a上。
[0039] 另外，在切换区域"SW"、驱动区域"DR"和开口区域"0P"中，滤色器"CF"被布置在 第一钝化层190a上。第二钝化层190b形成在滤色器"CF"上。第二钝化层190b和滤色器 "CF"包括暴露第二透明电容器电极171b的第二接触孔"CH2"。
[0040] 作为阳电极的第一电极119被布置在第二钝化层190b上。第一电极119通过第二 接触孔"CH2"接触第二透明电容器电极171b。另外，有机发射层（未示出）和阴电极（未 示出）被层叠在第一电极119上以形成有机发光二极管。可以封装包括第一 TFT TRl和第 二TFT TR2、存储电容器Cst以及有机发光二极管的阵列基板以形成OLED显示装置。
[0041] 第一 TFT TRl的第一栅电极111和第一源电极112分别连接至选通线（未示出） 和数据线（未示出）。第一 TFT TRl的第一漏电极113连接至第二TFT TR2的第二栅电极 121。结果，当第一 TFT TRl通过到第一栅电极111的信号被导通时，来自数据线的信号通 过第一源电极112和第一漏电极113被施加于第二栅电极121。另外，第二源电极122连接 至公共电压线（未示出）。结果，当第二TFT TR2通过来自第一漏电极113的信号被导通 时，来自公共电压线的电压通过第二漏电极123被施加于第一电极119。
[0042] 第一漏电极113包括双层结构。例如，第一漏电极113可以包括作为下层的透明 导电材料层和作为上层的金属材料层。金属材料层可以是不透明的。第一漏电极113的下 层延伸到像素区域中以形成第一透明电容器电极171a。另外，第一源电极112、第二源电极 122和第二漏电极123可以具有与第一漏电极113相同的结构。
[0043] 第二透明电容器电极171b通过第一钝化层190a中的第一接触孔"CH1"电连接至 第二漏电极123。结果，第二透明电容器电极171b从第二漏电极123接收电压。第二透明 电容器电极171b延伸到像素区域中以与第一透明电容器电极171a交叠。结果，第一透明 电容器电极171a、第二透明电容器电极171b和它们之间的第一钝化层190a构成存储电容 器Cst。即，存储电容器是透明的。
[0044] 存储电容器能够占据像素区域的除用于第一 TFT TRl的切换区域"SW"和用于第 二TFT TR2的驱动区域"DR"之外的整个区域。因为电容器电极（即，第一透明电容器电极 171a和第二透明电容器电极171b)是透明的，所以在无需减小孔径比的情况下改进了电容 量。
[0045] 例如，第一电容器电极171a和第二电容器电极171b可以由具有高于大约70%的 透光率的铟锡氧化物（ITO)形成。然而，当用于第一电容器电极171a和第二电容器电极 171b的材料具有相同的或经改进的透射率和电特性时，它不限于此。
[0046] 第一半导体层141和第二半导体层142由低温多晶硅（LTPS)或氧化物半导体材 料形成。
[0047] 图2示出了共面型第一 TFT TRl和第二TFT TR2。然而，它不限于此。例如，可以 使用底栅型TFT。
[0048] 图3A至图3H是例示了根据本发明的第一实施方式的用于OLED显示装置的阵列 基板的制造工艺的截面图。
[0049] 如图3A所示，第一半导体层141和第二半导体142形成在基板100上并且分别形 成在切换区域"SW"和驱动区域"DR"中。绝缘材料层（未示出）和金属层（未示出）依次 形成在包括第一半导体层141和第二半导体层142的基板100上。无机绝缘材料层（未示 出）和金属层（未示出）被图案化以形成第一栅绝缘图案l〇5a、第二栅绝缘图案105b和第 三栅绝缘图案l〇5c、第一栅电极111和第二栅电极121以及第一焊盘电极114a。另外，选通 线（未示出）被形成。例如，栅绝缘图案l〇5a、105b和105c可以由氧化硅或氮化硅形成， 并且第一栅电极111和第二栅电极121以及第一焊盘电极114a可以由低阻金属材料（例 如，铜（Cu) ,Cu合金、铝（Al)、Al合金、钼（Mo)或钼-钛合金（MoTi))形成。
[0050] 接下来，绝缘材料层（未示出）形成包括第一栅电极111和第二栅电极121以及 第一焊盘电极114a的基板100上。绝缘层被图案化以形成包括第一半导体接触孔至第四 半导体接触孔和暴露第一焊盘电极114a的第一焊盘接触孔的层间绝缘层191a。
[0051] 接下来，如图3B所示，第一透明导电材料层115和金属层116依次形成在包括层 间绝缘层191a的基板100上。因为层间绝缘层191a包括第一半导体接触孔至第四半导体 接触孔和第一焊盘接触孔，所以第一透明导电材料层115接触第一半导体层141的两端、第 二半导体142的两端和第一焊盘电极114a。例如，第一透明导电材料层115由ITO形成， 并且金属层116由低阻不透明金属材料（例如，铜（Cu)、Cu合金、错（Al)、A1合金、钼（Mo) 或钼-钛合金（MoTi))形成。
[0052] 接下来，如图3C所示，（图3B的）金属层116和（图3B的）第一透明导电材料 层115被图案化以在切换区域"SW"中形成第一源电极112和第一漏电极113,在驱动区域 "DR"中形成第二源电极122和第二漏电极123,并且在焊盘区域"PDA"中形成第二焊盘电 极114b。第一源电极112、第一漏电极113、第二源电极122、第二漏电极123和第二焊盘电 极114b中的每一个具有双层结构。第一源电极112通过第一半导体接触孔接触第一半导 体层141的一端，并且第一漏电极113通过第二半导体接触孔接触第一半导体层141的另 一端。第二源电极122通过第三半导体接触孔接触第二半导体层142的一端，并且第二漏 电极123通过第四半导体接触孔接触第二半导体层142的另一端。第二焊盘电极114b通 过第一焊盘接触孔接触第一焊盘电极114a。
[0053] 另外，第一透明电容器电极171a形成在开口区域"0P"中。在开口区域"0P"中，金 属层116被完全去除或蚀刻，使得第一透明电容器电极171a具有第一透