极213被施加于第二栅电极221。另外，第二源电极222连接 至公共电压线（未示出）。结果，当第二TFT TR2通过来自第一漏电极213的信号被导通 时，来自公共电压线的电压通过第二漏电极223被施加于第一电极219。
[0078] 第二漏电极223包括双层结构。例如，第二漏电极223可以包括作为下层的透明 导电材料层和作为上层的金属材料层。金属材料层可以是不透明的。第二漏电极223的下 层延伸到像素区域中以形成第二透明电容器电极271b。即，第二透明电容器电极271b电连 接至第二漏电极223。另外，第一源电极212、第一漏电极213和第二源电极222可以具有 与第二漏电极223相同的结构。
[0079] 第一半导体层241和第二半导体层242以及第一透明电容器电极271a由氧化物 半导体材料形成。例如，第一半导体层241和第二半导体层242以及第一透明电容器电极 271a由铟镓锌氧化物（IGZO)形成。第一半导体层241的两端、第二半导体层242的两端以 及第一透明电容器电极271a通过氢（H2)等离子体或氩（Ar)等离子体被处理为导电的。
[0080] 存储电容器能够占据像素区域的除用于第一 TFT TRl的切换区域"SW"和用于第 二TFT TR2的驱动区域"DR"之外的整个区域。因为电容器电极（即，第一透明电容器电 极271a和第二透明电容器电极271b)是透明的，所以在不减小孔径比的情况下改进了电容 量。
[0081] 例如，第一电容器电极271a和第二电容器电极271b可以由具有高于大约70%的 透光率的铟锡氧化物（ITO)形成。然而，当用于第一电容器电极271a和第二电容器电极 271b的材料具有相同的或经改进的透射率和电特性时，它不限于此。
[0082] 图5A至图5H是例示了根据本发明的第二实施方式的用于OLED显示装置的阵列 基板的制造工艺的截面图。
[0083] 如图5A所示，氧化物材料层（未示出）形成在基板200上。氧化物材料层被图案 化以分别在切换区域"SW"、驱动区域"DR"和开口区域"0P"中形成第一半导体层241和第 二半导体层242以及第一透明电容器电极271a。第一半导体层241和第二半导体层242以 及第一透明电容器电极271a由氧化物半导体材料（例如，IGZ0)形成。当第一透明电容器 电极271a电连接到第二氧化物半导体层242时，第一透明电容器电极271a从第二氧化物 半导体层242延伸。另选地，当第一透明电容器电极271a电连接到第一漏电极213时，第 一透明电容器电极271a与第二氧化物半导体层242间隔开。
[0084] 绝缘材料层（未示出）和金属层（未示出）依次形成在包括第一半导体层241和 第二半导体层242以及第一透明电容器电极271a的基板200上。无机绝缘材料层（未示 出）和金属层（未示出）被图案化以形成第一栅绝缘图案205a、第二栅绝缘图案205b和第 三栅绝缘图案205c、第一栅电极211和第二栅电极221以及第一焊盘电极214a。结果，第 一半导体层241的两端、第二半导体层242的两端和第一透明电容器电极271a被暴露。另 外，选通线（未示出）被形成。
[0085] 在无机绝缘材料层被图案化之后，对第一半导体层241的两端、第二半导体层242 的两端和第一透明电容器电极271a执行氢等离子体或氩等离子体处理工艺，使得第一半 导体层241的两端、第二半导体层242的两端和第一透明电容器电极271a变成为导电的。 结果，改进了第一源电极212和第一漏电极213中的每一个与第一半导体层241的两端中 的每一个之间的接触特性以及第二源电极222和第二漏电极223中的每一个与第二半导体 层242的两端中的每一个之间的接触特性，并且生成了第一源电极212和第一漏电极213 中的每一个与第一半导体层241的两端中的每一个之间的欧姆接触以及第二源电极222和 第二漏电极223中的每一个与第二半导体层242的两端中的每一个之间的欧姆接触。
[0086] 接下来，绝缘材料层（未示出）形成在包括第一栅电极211和第二栅电极221以 及第一焊盘电极214a的基板200上。绝缘层被图案化以形成包括第一半导体接触孔至第 四半导体接触孔和暴露第一焊盘电极214a的第一焊盘接触孔的层间绝缘层291a。当第一 透明电容器电极271a电连接至第一漏电极213时，层间绝缘层291a还包括暴露第一透明 电容器电极271a的一部分的存储接触孔（未不出）。
[0087] 接下来，如图5B所示，第一透明导电材料层115形成在包括层间绝缘层291a的基 板200上。因为层间绝缘层291a包括第一半导体接触孔至第四半导体接触孔和第一焊盘 接触孔，所以第一透明导电材料层215接触第一半导体层241的两端、第二半导体层242的 两端和第一焊盘电极214a。例如，第一透明导电材料层215由ITO形成。
[0088] 接下来，如图5C所示，金属层216形成在第一透明导电材料层215上。金属层116 由低阻不透明金属材料（例如，铜（Cu)、Cu合金、铝（Al)、Al合金、钼（Mo)或钼-钛合金 (MoTi))形成。
[0089] 接下来，如图所示，（图5C的）金属层216和（图5C的）第一透明导电材料 层215被图案化以在切换区域"SW"中形成第一源电极212和第一漏电极213,在驱动区域 "DR"中形成第二源电极222和第二漏电极223,并且在焊盘区域"PDA"中形成第二焊盘电 极114b。第一源电极212、第一漏电极213、第二源电极222、第二漏电极223和第二焊盘电 极214b中的每一个具有双层结构。第一源电极212通过第一半导体接触孔接触第一半导 体层241的一端，并且第一漏电极213通过第二半导体接触孔接触第一半导体层241的另 一端。第二源电极222通过第三半导体接触孔接触第二半导体层242的一端，并且第二漏 电极223通过第四半导体接触孔接触第二半导体层242的另一端。第二焊盘电极214b通 过第一焊盘接触孔接触第一焊盘电极214a。
[0090] 另外，第二透明电容器电极271b形成在开口区域"0P"中。在开口区域"0P"中， 金属层216被完全去除，使得第二透明电容器电极271b具有第一透明导电材料层215的单 层结构。第二透明电容器电极271b从第二漏电极223的下层延伸。
[0091] 另外，数据线（未示出）和公共电压线形成在层间绝缘层291a上。数据线和公共 电压线中的每一个还具有双层结构。数据线与选通线交叉以限定像素区域并且连接至第一 源电极212。公共电压线与数据线间隔开并且与数据线平行。公共电压线连接至第二源电 极 222。
[0092] 使用半色调掩模来执行用于第一透明导电材料层215和金属层216的图案化工 艺，使得掩模工艺的数量不增加。
[0093] 第一源电极212、第一漏电极213、第二源电极222、第二漏电极223、数据线和公共 电压线的电阻由于第一透明导电材料层上的金属层而减小。
[0094] 接下来，如图5E所示，形成第一钝化层290a。第一钝化层290a被布置在第一源电 极212和第二源电极222、第一漏电极213和第二漏电极223、第二焊盘电极214b以及第二 透明电容器电极271b上。
[0095] 接下来，如图5F所示，第一钝化层290a被图案化，使得第一接触孔"CH1"和第二 焊盘接触孔通过第一钝化层290a而形成。第二漏电极223通过第一接触孔"CH1"被暴露， 并且第二焊盘电极214b通过第二焊盘接触孔被暴露。
[0096] 接下来，如图5G所示，滤色器"CF"形成在第一钝化层290a上。然而，能够省略滤 色器"CF"。有机绝缘层（未示出）形成在滤色器"CF"和第三焊盘电极241c上。有机绝缘 层和滤色器"CF"被图案化以形成第二钝化层290b和通过第二钝化层290b和滤色器"CF" 的第二接触孔"CH2"。另选地，可以通过第二钝化层190b、滤色器"CF"和第一钝化层190a 形成单个接触孔以暴露第二漏电极223。
[0097] 接下来，如图5H所示，通过第一接触孔"CH1"和第二接触孔"CH2"接触第二漏电 极223的第一电极219、通过第二焊盘接触孔接触第二焊盘电极214c的第三焊盘电极214c 形成在第二钝化层290b上。
[0098] 在本发明中，第一透明电容器电极271a通过与第一半导体层241和第二半导体层 242相同的掩模工艺而形成，并且第二透明电容器电极271b通过与第二漏电极223相同的 掩模工艺而形成。结果，用于制造阵列基板的掩模工艺的数量减少。另外，因为存储电容器 Cst的电极（即，第一透明电容器电极271a和第二透明电容器电极271b)是透明的，所以 电容量增加并且孔径比未减小。因为用于存储电容器的区域被用作显示区域，所以孔径比 增加。结果，即使当存储电容器Cst被形成为占据开口区域"OP"的整个区域时，也改进了 OLED显示装置的照明。
[0099] 如以上所提到的，包括本发明的阵列基板的OLED显示装置在不减小孔径比的情 况下具有经改进的电容量，并且具有与现有技术的OLED显示装置相似的色坐标。
[0100] 参照图6A，图6A是说明现有技术的OLED显示装置中的孔径比的截面图，在现有技 术的OLED显示装置的开口区域中存在单个电极（即，阳电极19)。因为由不透明金属材料 形成的存储电容器被布置在开口区域的外部区域中，所以孔径比减小。<