显示面板及应用其的显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种显示面板及应用其的显示装置，且特别是涉及一种顶端通道的氧化物半导体显示面板，及应用其的显示装置。
【背景技术】
[0002]常用于显示面板中的薄膜晶体管(Thin-Film Transistor, TFT)通道材料包括多晶娃(polysilicon)与非晶娃(amorphous silicon, a-Si)两种，多晶娃TFT元件的载流子迁移率(mobility)较高OlOOVs/cm2)，但生产成本也偏高；非晶硅TFT元件虽然生产成本较低，但载流子迁移率也较低(〈IVs/cm2)。
[0003]如非晶氧化铟嫁锋(amorphousindium gallium zinc oxide, a-1GZO)之类的氧化物半导体(oxide semiconductor)由于其优异的电性条件,例如介于10_20Vs/cm2的载流子迁移率、临界电压变异与元件开关能力等，可作为电子通道层之用，而逐渐引起相当多的注意。然而，例如下栅极式(bottom-gate)的后通道蚀刻(back channel etch, BCE)、通道保护(channel protect, CHP),或上栅极式(top-gate)的低温多晶娃(low temperaturepolysilicon, LTPS)等现有的TFT设计，在形成通道层还需进行化学气相沉积成膜(chemical vapor deposit1n, CVD)或等离子体(plasma)之类额外的制作工艺,容易在氧化物半导体中造成氧缺陷，使启动电压Vgh漂移或次临界摆幅(subthreshold swing, SS)过大，影响氧化物半导体电子通道的特性。
【发明内容】
[0004]本发明的目的在于提供一种显示面板及其显示装置，具有良好的电子通道层特性。
[0005]为达上述目的，根据本发明的一方面，提出一种显示面板。显示面板包括薄膜晶体管基板、显示介质及对向基板。对向基板相对于薄膜晶体管基板设置。显示介质位于薄膜晶体管基板及对向基板之间。薄膜晶体管基板包括基板、第一电极层、像素电极层、第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层、通道层及保护层。第一电极层与像素电极层位于基板之上。第一绝缘层覆盖第一电极层及像素电极层。第二电极层位于第一绝缘层之上。第二绝缘层覆盖第二电极层。第一通孔及第二通孔贯穿第一绝缘层及第二绝缘层，以暴露第一电极层。通道层位于第二绝缘层层之上，并填入第一通孔及第二通孔，以与第一电极层电连接。保护层覆盖通道层。
[0006]根据本发明的另一方面，提出一种显示装置，显示装置包括显示面板及控制电路。控制电路与显示面板耦接。显示面板包括薄膜晶体管基板、显示介质及对向基板。对向基板相对于薄膜晶体管基板设置。显示介质位于薄膜晶体管基板及对向基板之间。薄膜晶体管基板包括基板、第一电极层、像素电极层、第一绝缘层、第二电极层、第二绝缘层、通道层及保护层。第一电极层与像素电极层位于基板之上。第一绝缘层覆盖第一电极层及像素电极层。第二电极层位于第一绝缘层之上。第二绝缘层覆盖第二电极层。第二绝缘层具有第一通孔及第二通孔。第一通孔及第二通孔贯穿第一绝缘层及第二绝缘层，以暴露第一电极层。通道层位于第二绝缘层之上，并填入第一通孔及第二通孔，以与第一电极层电连接。保护层覆盖通道层。
[0007]通过将通道层设计在薄膜晶体管基板的顶部，本发明的显示面板及显示装置能避免通道层的半导体特性遭到破坏，进而维持良好的电性，提升显示品质。
[0008]为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举实施例，并配合所附附图，作详细说明如下:
【附图说明】
[0009]图1为本发明一实施例的显示装置的示意图；
[0010]图2A为本发明一实施例的薄膜晶体管基板的剖视图，图2B绘示图2A的薄膜晶体管基板的上视图；
[0011]图3A-图8B为图2A的薄膜晶体管基板的一制造实施例,其中标示为A的附图为剖视图，标示于B的附图为上视图；
[0012]图9A为本发明另一实施例的薄膜晶体管基板的剖视图，图9B绘示图9A的薄膜晶体管基板的上视图。
[0013]符号说明
[0014]1:显示装置
[0015]2:显示面板
[0016]10、11:薄膜晶体管基板
[0017]20:显示介质
[0018]30:对向基板
[0019]40:背光模块
[0020]50:控制电路
[0021]100:基板
[0022]110:第一源/漏极
[0023]120:第二源/漏极
[0024]121:开口
[0025]130:像素电极层
[0026]140:第一绝缘层
[0027]150:第二电极层
[0028]160:第二绝缘层
[0029]161:第一通孔
[0030]162:第二通孔
[0031]170:通道层
[0032]180:保护层
【具体实施方式】
[0033]请参照图1，其绘示依据本发明一实施例的显示装置。显示装置I可以是一般的平面显示器，由显示面板2及控制电路50组成，控制电路50耦接于显示面板2，用以传送显示信号及调整电流输出。显示面板I有很多种类，可根据成像需不需要外加光源而分为自发光式(例如OLED)或背光式(例如IXD)。当选用背光式的显示面板I时，显示装置I可包括背光模块40，用以提供所需光源。
[0034]显示面板2为显示装置I的主要元件，包括了薄膜晶体管基板10、显示介质20以及对向基板30。薄膜晶体管基板20耦接于控制电路50，根据接受到的显示信号调整各个像素。显示介质20根据显示面板的种类而改变。举例来说，当显示面板2为IXD面板时，显不介质便为液晶层；当显不面板2为OLED面板时,显不面板便为有机发光层。对向基板30可为一般的透明基板或彩色滤光片基板(color filter)，其与薄膜晶体管基板10相对，并将显示介质20夹于两者之间。一实施例中，当对向基板30为透明基板时，彩色滤光片可形成在薄膜晶体管基板10上，或显示介质20可具有彩色显示的功能。
[0035]图2A绘示一实施例的薄膜晶体管基板的剖视图，图2B绘示图2A的薄膜晶体管基板的上视图，其中图2A为图2B的薄膜晶体管基板10于虚线A-A’处的剖面。为使附图更加清楚，图2B的上视图中忽略部分元件。薄膜晶体管基板10包括基板100、第一电极层(第一源/漏极110及第二源/漏极120)、像素电极层130、第一绝缘层140、栅极层150、第二绝缘层160、通道层170及保护层180。
[0036]以下用图3A至图SB说明图2A的薄膜晶体管基板的一制造实施例，其中标号为A的附图为剖视图，标号为B的附图为上视图。
[0037]请参照图3A及图3B，提供基板100 (图3B中忽略)，并在基板100上形成图案化的第一电极层。注意图3A的剖面沿着图3B的L形虚线A-A’裁切而成，并非一直线。第一电极层至少包括第一源/漏极110及第二源/漏极120，两者互相分开，此处第一源/漏极110围出一 C字形的凹口，而第二源/漏极120便设置在此凹口中，也就是第一源/漏极110绕过第二源/漏极120。第一源/漏极110在之后可作为数据线使用。第一电极层的材料可包括Al、Al-Nd、Moff, Cu、Cr、Au、Mo、ΜοΑΙΜο，但并不限制于此，一般用于半导体装置电极的材料皆可使用。
[0038]接着，如图4A及图4B所示，形成像素电极层130。像素电极层130与第一电极层的第二源/漏极120相连接。此外，定义开口 121贯穿像素电极层130，以暴露源极120。像素电极层为透明电极，材料可包括ITO、IZO或ZnO，但并不限制于此。
[0039]再来，如图5A及图5B所示，沉积第一绝缘层140 (图5B中忽略)覆盖薄膜晶体管基板(覆盖基板110、第一源/漏极110、第二源/漏极120及像素电极层130)，再形成第二电极层150。第二电极层150可为一栅极线，设置在第一绝缘层上，以及第一源/漏极110与第二源/漏极120之间(图5A)。第二电极层150的延伸方向与第一源/漏极110的延伸方向垂直(图5B)，其跨越第一源/漏极110与第二源/漏极120