蚀刻剂组合物和制作用于液晶显示器的阵列基板的方法

蚀刻剂组合物和制作用于液晶显示器的阵列基板的方法
【专利摘要】公开了蚀刻剂组合物和用于液晶显示器的阵列基板的制作方法。所述蚀刻剂组合物包含贵金属化合物因而表现出催化效果，由此，通常被干法蚀刻的非晶硅层或含掺杂物的非晶硅层能够使用湿法蚀刻工艺连同上金属线一起被一步蚀刻。
【专利说明】
蚀刻剂组合物和制作用于液晶显示器的阵列基板的方法
技术领域
[0001] 本发明涉及蚀刻剂组合物和制作用于液晶显示器的阵列基板的方法。
【背景技术】
[0002] 在半导体装置中，在基板上形成金属线通常包括使用溅射法形成金属层、涂覆光 致抗蚀剂、进行曝光和显影以使光致抗蚀剂形成在选定区域、以及进行蚀刻，在上述各个单 独的工艺之前或之后进行清洗工艺。使用光致抗蚀剂作为掩模进行蚀刻工艺以使金属层留 在选定区域上，并且蚀刻工艺可以包括使用等离子体等的干法蚀刻或使用蚀刻液的湿法蚀 刻。
[0003] 这种半导体设备最近的主要问题是金属线的电阻。这是因为，就薄膜晶体管液晶 显示器(TFT-LCD)而言，在增加面板尺寸和实现高分辨率方面，目前认为解决RC信号延迟问 题很重要，而这种RC信号延迟主要由电阻引起。因此，为了减少RC信号延迟(其为增加 TFT-IXD尺寸的重要要求），有必要开发具有低电阻的材料。虽然习惯使用铬(Cr，电阻率:12.7X 10-8 Ω m)、钼(Mo，电阻率:5 X 10-8 Ω m)、铝(A1，电阻率:2 · 65 X 10-8 Ω m)及其合金，但它们很 难应用于大尺寸TFT-LCD的栅极线和数据线。
[0004] 因此，具有低电阻的新型金属层，例如，诸如铜层和铜钼层之类的铜基金属层，和 用于该新型金属层的蚀刻剂组合物受到关注和深入研究。鉴于此，韩国专利申请公开 No. 2010-0090538公开了用于蚀刻铜/钼合金双层的蚀刻剂，其包括过氧化氢、有机酸、磷酸 化合物、水溶性环胺化合物、分子中具有氮原子和羧基的水溶性化合物、含氟化合物、多元 醇表面活性剂和水。然而，这种蚀刻剂是有问题的，因为其不能用于蚀刻非晶硅层或含掺杂 物的非晶硅层。
[0005] 【引用列表】
[0006] 【专利文献】
[0007] 韩国专利申请公开No .2010-0090538

【发明内容】

[0008] 因此，针对相关技术中遇到的问题，做出了本发明，并且本发明的目的是提供蚀刻 剂组合物，其使通常被干法蚀刻的非晶硅层或含掺杂物的非晶硅层可以连同上金属线一起 使用湿法蚀刻工艺被一步蚀刻。
[0009] 本发明提供用于蚀刻铜基金属层和硅基层的蚀刻剂组合物，其包括：l〇-35wt%的 过氧化氢，0.5-5wt %的有机酸，0. l-5wt %的磷酸或磷酸盐，0 . l-5wt %的水溶性环胺化合 物，0.1 -5wt %的分子中具有氨基和羧基的水溶性化合物，0.01 -0.9wt %的氟化合物，0.01 -2wt %的贵金属化合物，和余量的水。
[0010] 在示例性实施方式中，有机酸可以包括选自乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡萄糖酸、 乙醇酸、丙二酸和戊酸组成的组中的至少一种。
[0011] 在另一个示例性实施方式中，水溶性环胺化合物可以包括氨基四唑、咪唑、吲哚、 嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、喹诺酮和吡咯啉组成的组中的至少一种。
[0012] 在又一示例性实施方式中，分子中具有氨基和羧基的水溶性化合物可以包括选自 丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸和肌氨酸组成的组中的至少一 种。
[0013] 在再一示例性实施方式中，氟化合物可以包括选自氟化铵、氟化钠、氟化钾、氟化 氢铵、氟化氢钠和氟化氢钾组成的组中的至少一种。
[0014] 在还一示例性实施方式中，贵金属化合物可以包括选自铜、银和金组成的组中的 至少一种。
[0015] 在另一示例性实施方式中，铜基金属层可以是铜或铜合金的单层、或是包括钼层 和在钼层上形成的铜层的铜钼层、包括钼合金层和在钼合金层上形成的铜层的铜钼合金 层、包括钛层和在钛层上形成的铜层的铜钛层、或包括钛合金层和在钛合金层上形成的铜 层的铜钛合金层。
[0016] 此外，本发明提供了制作用于液晶显示器的阵列基板的方法，其包括:a)在基板上 形成栅极线;b)在包括栅极线的基板上形成栅极绝缘层;c)在栅极绝缘层上形成半导体层； d)在半导体层上形成源电极和漏电极;和e)形成连接至漏电极的像素电极，其中a)包括在 基板上形成铜基金属层并使用蚀刻剂组合物蚀刻铜基金属层，从而形成栅极线，d)包括形 成铜基金属层并使用蚀刻剂组合物蚀刻铜基金属层，从而形成源电极和漏电极，并且蚀刻 剂组合物包括，基于所述组合物的总重量，l〇_35wt %的过氧化氢，0.5_5wt %的有机酸， 0. l-5wt %的磷酸或磷酸盐，0. l-5wt %的水溶性环胺化合物，0. l-5wt %的分子中具有氨基 和羧基的水溶性化合物，〇. 〇 1 -〇. 9wt %的氟化合物，0.01 -2wt %的贵金属化合物，和余量的 水。
[0017]在示例性实施方式中，阵列基板可以是薄膜晶体管(TFT)阵列基板。
[0018] 在另一示例性实施方式中，铜基金属层可以是铜或铜合金的单层、或是包括钼层 和在钼层上形成的铜层的铜钼层、包括钼合金层和在钼合金层上形成的铜层的铜钼合金 层、包括钛层和在钛层上形成的铜层的铜钛层、或包括钛合金层和在钛合金层上形成的铜 层的铜钛合金层。
[0019] 根据本发明，蚀刻剂组合物包含贵金属化合物以因此表现出催化效果，由此通常 被干法蚀刻的非晶硅层或含掺杂物的非晶硅层，能够使用湿法蚀刻工艺连同上金属线一起 被一步蚀刻。
【具体实施方式】
[0020] 本发明涉及蚀刻剂组合物和用于液晶显示器的阵列基板的制作方法。根据本发明 的蚀刻剂组合物包括贵金属化合物，因此表现出催化效果，由此，通常采用干法蚀刻的非晶 硅层或含掺杂物的非晶硅层可通过湿法蚀刻连同上金属线一起被一步蚀刻。
[0021] 在下文中，将对本发明给出详细描述。
[0022] 本发明论述了用于蚀刻铜基金属层和硅基层的蚀刻剂组合物，其包括：10_35wt% 的过氧化氢，0.5-5wt %的有机酸，0. l-5wt %的磷酸或磷酸盐，0. l-5wt %的水溶性环胺化 合物，0 . l-5wt %的分子中具有氨基和羧基的水溶性化合物，0.01-0.9wt %的氟化合物， 0.01 -2wt %的贵金属化合物，和余量的水。
[0023] 借助于根据本发明的蚀刻剂组合物，用于LCD或0LED中薄膜晶体管的线（line，即 线路）中的铜/钼合金层或铜/钛合金层以用作电路的线的形式提供。通常通过干法蚀刻形 成的硅基活性层可以使用上述蚀刻剂和贵金属的催化活性被湿法蚀刻，因此减少工艺成本 和时间。
[0024] 铜基金属层可以是铜或铜合金的单层、或是包括钼层和在钼层上形成的铜层的铜 钼层、包括钼合金层和在钼合金层上形成的铜层的铜钼合金层、包括钛层和在钛层上形成 的铜层的铜钛层、或包括钛合金层和在钛合金层上形成的铜层的铜钛合金层。
[0025] 特别地，钼合金层可以包括钼单层或钼和选自钛(Ti)、钽(Ta)、铬(Gr)、镍(Ni)、钕 (Nd)、铝(A1)、钯(Pd)和铟（In)中的至少一种，且钛合金层可以包括钛单层或钛和选自钼 (1〇)、钽〇 &)、铬(6〇、镍(附）、钕(阳）、铝以1)、钯(？(1)和铟（111)中的至少一种。
[0026] 硅基层可以包括硅或含掺杂物的非晶硅。在含掺杂物的非晶硅中，掺杂物可以包 括硼(B)或磷(P)。
[0027] 铜/钼合金层或铜/钛合金层以将钼合金层或钛合金层置于铜层上方或下方的双 层结构的形式提供，或以将钼合金层或钛合金层置于铜层上方和下方的三层结构的形式提 供。
[0028] 基板以用于TFT-LCD、TFT-0LED和触摸传感器面板(TSP)的基板举例示出。
[0029] 根据本发明的蚀刻剂组合物使显示装置中用于栅电极的栅极线和用于数据电极 的数据线能够一步蚀刻，其中栅极线和数据线包括铜层和钼合金层、或铜层和钛合金层。
[0030] 在蚀刻剂组合物中，以基于蚀刻剂组合物总重量的10-35wt%的量包含过氧化氢。 一方面，如果过氧化氢的量小于l〇wt%，蚀刻速率明显变慢，因此使该工艺很难进行，并且 不能进行充分蚀刻，不利地产生蚀刻残余物，其中的铜、钼合金层、钛合金层和硅基层不能 被有效蚀刻并且其部分可能遗留。另一方面，如果过氧化氢的量超过35wt%，很难控制蚀刻 速率，还有，在蚀刻工艺过程中，由于与诸如铜之类的金属的自由基反应而可能单独加速过 氧化氢的反应，并有爆炸的危险。
[0031 ]在蚀刻剂组合物中，以基于蚀刻剂组合物总重量的0.5_5wt%的量包含有机酸。有 机酸连同过氧化氢一起主要用于蚀刻铜层和钼合金层或铜层和钛层。有机酸具有适用于半 导体工艺和过氧化氢的纯度，并优选包含ppb级或更少的金属杂质。有机酸起调节pH的作用 以控制蚀刻铜的速率和蚀刻钼合金或钛合金的速率。当添加了有机酸时，pH被适当设置为 大约0.5-4.5的范围。
[0032]有机酸可以包括选自乙酸、丁酸、柠檬酸、甲酸、葡萄糖酸、乙醇酸、丙二酸和戊酸 中的任一种。
[0033]在蚀刻剂组合物中，以基于蚀刻剂组合物总重量的0.5_5wt%的量包含磷酸或磷 酸盐。磷酸或磷酸盐用于得到线的良好锥形轮廓（其为垂直于下层形成的角），并可降低钼 合金或钛合金与铜之间的电效应(原电池效应，galvanic effect)，从而防止钻蚀现象，其 中钼合金层或钛合金层远离铜层下方被蚀刻。一方面，如果不使用磷酸或磷酸盐，或以小于 0. lwt%的量包含磷酸或磷酸盐，则远离上铜层下方可能过度蚀刻钼合金层或钛合金层。严 重情况下，可能从基板剥落图案。另一方面，如果磷酸或磷酸盐的量超过5wt%，可能降低钼 合金层或钛合金层的蚀刻速率，并由于拖尾现象而可能发生电短路。
[0034]可以使用各种类型的磷酸盐，且磷酸盐优选选自：其中磷酸的一个、两个或三个氢 原子被碱金属或碱土金属代替的盐。磷酸盐的示例可以包括磷酸二氢钠和磷酸二氢钾等。
[0035] 在蚀刻剂组合物中，以基于蚀刻剂组合物总重量的0. l-5wt%的量包含水溶性环 胺化合物。水溶性环胺化合物起调节铜钼合金的蚀刻速率和减少图案的CD损失(条宽损失） 的作用，从而增加工艺裕量。一方面，如果不使用水溶性环胺化合物或以小于O.lwt%的量 包含水溶性环胺化合物时，很难控制蚀刻速率，且不能得到所需图案宽度，不利地增加缺陷 率以及由于低工艺裕量在大规模生产时引起问题。另一方面，如果水溶性环胺化合物的量 超过5wt%，蚀刻速率可能明显降低，因此得到的蚀刻剂不能应用于该工艺。
[0036] 可以使用各种类型的水溶性环胺化合物。优选使用选自氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌 呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、喹诺酮和吡咯啉中的任一种。
[0037] 在蚀刻剂组合物中，以基于蚀刻剂组合物总重量的0. l-5wt%的量包含分子中具 有氨基和羧基的水溶性化合物。所述分子中具有氨基和羧基的水溶性化合物在蚀刻剂贮存 过程中起防止双氧水自分解的作用。进一步地，在蚀刻大量基板的情况下，防止蚀刻性能随 被蚀刻金属离子的量的增加而改变。当含有分子中具有氨基和羧基的水溶性化合物时，双 氧水的分解速率降至大约1/10,因此保证对贮存持续时间和稳定性具有有利影响。此外，基 本上在蚀刻铜、钼合金层和钛合金层时所产生的铜离子、钼合金离子和钛合金离子通过螯 合反应而失活，因此防止由于这些离子而发生另外的反应。因此，即使当蚀刻大量的基板 时，蚀刻性能不随金属离子浓度的增加而改变。特别对于铜层，当在蚀刻剂中存在很多铜离 子时，可能经常发生钝化层被氧化变黑且不被进一步蚀刻的情况，然而，这在存在上述化合 物的情况下可得以防止。如果分子中具有氨基和羧基的水溶性化合物的量超过5wt%，可能 对蚀刻速率造成负面影响，从而蚀刻剂组合物阻碍以所需形式形成金属线，不利地引起缺 陷。
[0038] 分子中具有氨基和羧基的水溶性化合物可以选自丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨 酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸和肌氨酸。
[0039] 在蚀刻剂组合物中，以基于蚀刻剂组合物总重量的0.1-0.9wt%的量包含氟化合 物。氟化合物起去除残余物的作用，该残余物基本上是由用于蚀刻铜层和钼合金层两者的 溶液产生的，并通过氟离子的解离对实现对表面被过氧化氢氧化的硅层的蚀刻起重要作 用。还有，氟化合物通过解离用作被过氧化氢氧化的硅基活性层的主要蚀刻剂。
[0040] 通常，已知铜在低pH(2_4)下被有效蚀刻，而钼合金在弱酸性或接近中性的pH(5_ 7)下被有效蚀刻。为了同时蚀刻铜层和钼合金层，有必要对于铜层和钼合金层中的任一种 集中进行蚀刻。照此，重点放在较厚层上。由于铜层厚得多，pH较低。具有大约2-4的pH的蚀 刻剂能够以相当慢的蚀刻速率蚀刻钼合金层，同时有效蚀刻铜层。然而，由于钼合金层的性 质，可能产生小颗粒形式的残余物。因此，当产生的残余物残留在玻璃基板上或下层上时， 可能产生短路，或降低发光度。为了去除残余物，有必要将氟化合物加至蚀刻剂中。玻璃基 板、氮化硅和氧化硅层可能不利地被氟化合物所蚀刻，但其蚀刻在以非常低的浓度包含氟 化合物的条件下可得以避免。
[0041 ]在根据本发明的蚀刻剂组合物中，以0.01-0.9wt%的量添加了氟化合物。给定上 述量的范围，包括多孔硅或含掺杂物的硅的硅基活性层被蚀刻，而作为钝化层的玻璃基板、 氮化硅和氧化硅层不被蚀刻。即使当添加这样小量的氟化合物时，也可以充分去除钼合金 层的残余物。
[0042]可以使用各种类型的氟化合物，并且氟化合物可以选自氟化铵、氟化钠、氟化钾、 氟化氢铵、氟化氢钠和氟化氢钾。
[0043]在蚀刻剂中，以0. l-2wt%的量包含贵金属，贵金属用作减少活化能的催化剂以促 进硅表面被过氧化氢氧化。其表面被贵金属化合物和过氧化氢氧化的硅层被氟化合物氧 化。
[0044] -方面，如果贵金属化合物的量小于0. lwt%，其不能起金属催化剂的作用，使得 不可能蚀刻硅基活性层。另一方面，如果贵金属化合物的量超过2wt%，由于其性质加促了 与金属的自由基反应，故可能增加过氧化氢的分解。因此，由于过氧化氢的浓度降低，蚀刻 速率也可能降低，不利地失去蚀刻剂的固有功能。在激烈分解的情况下，可能发生爆炸。
[0045] 贵金属化合物可以包括选自铜、银和金组成的组中的至少一种，还可以包括铜化 合物和银化合物等。
[0046] 铜化合物优选包括硝酸铜、硫酸铜、磷酸铜、氯化铜和乙酸铜中的任一种，且银化 合物优选包括硝酸银、硫酸银和磷酸银中的任一种。
[0047] 水无特别限制，但优选包括去离子水。特别有用的是具有18ΜΩ/cm或更大的电阻 率(其是从水中去除离子的程度)的去离子水。
[0048] 如有必要，可以进一步添加典型添加剂。其示例无特别限制，但一般包括表面活性 剂、螯合剂和阻蚀剂。
[0049] 为了增加蚀刻均匀性，添加表面活性剂以减小表面张力，其种类无特别限制，只要 其能够经受住蚀刻剂并以兼容的形式提供。其示例可以包括阴离子表面活性剂、阳离子表 面活性剂、两性表面活性剂和非离子表面活性剂。优选使用的是氟基表面活性剂。
[0050] 此外，本发明论述了制作用于液晶显示器的阵列基板的方法，其包括:a)在基板上 形成栅极线;b)在包括栅极线的基板上形成栅极绝缘层;c)在栅极绝缘层上形成半导体层； d)在半导体层上形成源电极和漏电极;和e)形成连接至漏电极的像素电极，其中a)包括在 基板上形成铜基金属层并使用蚀刻剂组合物蚀刻铜基金属层，从而形成栅极线，d)包括形 成铜基金属层并使用蚀刻剂组合物蚀刻铜基金属层，从而形成源电极和漏电极，并且蚀刻 剂组合物包括，基于所述组合物的总重量，l〇_35wt %的过氧化氢，0.5_5wt %的有机酸， 0. l-5wt %的磷酸或磷酸盐，0. l-5wt %的水溶性环胺化合物，0. l-5wt %的分子中具有氨基 和羧基的水溶性化合物，〇. 〇 1 -〇. 9wt %的氟化合物，0.01 -2wt %的贵金属化合物，和余量的 水。
[0051]通过以下仅以说明本发明为出发点的实施例、比较例和测试例详细说明本发明， 但本发明不限于所述实施例、比较例和测试例并可以进行各种修改和改变。
[0052] 实施例1-23和比较例1-14:蚀刻剂组合物的制作
[0053]使用以下表1和下表2所示的量(wt%)的组分制备蚀刻剂组合物。
[0054]【表1】

[0058] 测试例1:蚀刻特性评价
[0059] 在玻璃基板（lOOmmXIOOmm)上通过分别沉积铜（Cu)、钼钛合金层(MoTi)、钛层 (Ti)和氢化非晶硅层(a-Si :H)至丨0000A厚度而制作基板。
[0060] 分别使用实施例1 -2 3和比较例1 -14中的蚀刻剂组合物蚀刻上述四个样品。在蚀刻 工艺中，使用喷雾蚀刻机(ETCHER，由SEMES制造），并且蚀刻剂组合物的温度被设置为30°C。 当温度到达30±0.1°C时，各个样品被蚀刻20s(秒）、40s、60s、80s和100s。清洗和干燥之后， 使用扫描电子显微镜（S-4700，由HITACHI制造)测定随时间的蚀刻厚度，且基于表3中的评 价标准评价。结果如下表4和下表5。
[0061 ] 测试例2: pH的评价
[0062] 使用pH计(0rion3star，由Thermoscientif ic制造)测定实施例1-23和比较例1-14 中各个蚀刻剂组合物的pH，且基于表3中的评价标准评价。结果如下表4和下表5。
[0063] 测试例3:过度蚀刻的评价
[0064]通过依次将氢化非晶硅层(a_Si:H)、掺杂磷(P)的氢化非晶硅层(n+a_Si:H)、钼钛 合金层(MoTi)和铜(Cu)沉积在玻璃基板（100mm X 100mm)上而制作基板。作为另一个样品， 通过依次将氢化非晶硅层（a-Si:H)、掺杂磷的氢化非晶硅层(n+a-Si:H)、钛层（Ti)和铜 (Cu)沉积在玻璃基板（100mm X 100mm)上而制作基板。之后，制作出每一个都具有光致抗蚀 剂(PR)的样品，该光致抗蚀剂具有通过光刻形成的预定图案。
[0065]使用实施例1 -23和比较例1 -14中的各个蚀刻剂组合物蚀刻上述两个样品。在蚀刻 工艺中，使用喷雾蚀刻机(ETCHER，由SEMES制造），并且蚀刻剂组合物的温度被设置为30°C。 当温度到达30±0.1°C时，各个样品被蚀刻60s。清洗和干燥之后，使用扫描电子显微镜（S-4700,由HITACHI制造)观察其横截面，并观察钼合金或钛是否远离上铜层下方且基于表3中 的评价标准评价。结果如下表4和下表5。
[0066] 测试例4:侧面蚀刻的评价
[0067]通过依次将氢化非晶硅层(a_Si:H)、掺杂磷的氢化非晶硅层(n+a_Si:H)、钼钛合 金层(MoTi)和铜(Cu)沉积在玻璃基板（100mmX 100mm)上而制作基板。作为另一个样品，通 过依次将氢化非晶硅层(a-Si:H)、掺杂磷的氢化非晶硅层(n+a-Si:H)、钛层(Ti)和铜(Cu) 沉积在玻璃基板（lOOmmX 100mm)上而制作基板。之后，制作出每一个都具有光致抗蚀剂 (PR)的样品，该光致抗蚀剂具有通过光刻形成的预定图案。
[0068]使用实施例1 -23和比较例1 -14中的各个蚀刻剂组合物蚀刻上述两个样品。在蚀刻 工艺中，使用喷雾蚀刻机(ETCHER，由SEMES制造），并且蚀刻剂组合物的温度被设置为30°C。 当温度到达30±0.1°C时，各个样品被蚀刻60s。清洗和干燥之后，使用扫描电子显微镜（S-4700,由HITACHI制造)观察其侧面蚀刻长度，并基于表3中的评价标准评价。结果如下表4和 下表5〇
[0069] 测试例5:残余物评价
[0070]通过依次将氢化非晶硅层(a_Si:H)、掺杂磷的氢化非晶硅层(n+a_Si:H)、钼钛合 金层(MoTi)和铜(Cu)沉积在玻璃基板（lOOmmX 100mm)上而制作基板。作为另一个样品，通 过依次将氢化非晶硅层(a-Si:H)、掺杂磷的氢化非晶硅层(n+a-Si:H)、钛层(Ti)和铜(Cu) 沉积在玻璃基板（lOOmmX 100mm)上而制作基板。之后，制作出每一个都具有光致抗蚀剂 (PR)的样品，该光致抗蚀剂具有通过光刻形成的预定图案。
[0071 ]使用实施例1 -23和比较例1 -14中的各个蚀刻剂组合物蚀刻上述两个样品。在蚀刻 工艺中，使用喷雾蚀刻机(ETCHER，由SEMES制造），并且蚀刻剂组合物的温度被设置为30°C。 当温度到达30±0.1°C时，各个样品被蚀刻60s。清洗和干燥之后，使用扫描电子显微镜（S-4700,由HITACHI制造)观察其蚀刻表面，且观察是否铜层未被完全蚀刻而有残留，并基于表 3中的评价标准进行评价。结果如下表4和下表5。
[0072] 测试例6:爆炸评价
[0073 ]当实施例1 -23和比较例1 -14中的各个蚀刻剂组合物被贮存在恒温器中时，测定其 24h的温度。观察是否产生30°C或更多的热量或激烈的反应，并基于表3中的评价标准进行 评价。结果如下表4和下表5。
[0074]【表3】

[0080]虽然处于说明目的公开了本发明的优选实施方式，但是，本领域技术人员应理解， 在不背离如所附权利要求中公开的本发明范围和精神的情况下，各种修改、添加和替代是 可能的。
【主权项】
1. 用于蚀刻铜基金属层和硅基层的蚀刻剂组合物，其包括： 基于所述组合物的总重量， 10-35wt %的过氧化氢， 0.5-5wt%的有机酸， 0. l-5wt %的磷酸或磷酸盐， 0. l-5wt %的水溶性环胺化合物， 0. l-5wt %的分子中具有氨基和羧基的水溶性化合物， 0 · 01-0 · 9wt %的氟化合物， 0.0 l-2wt %的贵金属化合物，和 余量的水。2. 根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述有机酸包括选自乙酸、丁酸、柠檬酸、 甲酸、葡萄糖酸、乙醇酸、丙二酸和戊酸组成的组中的至少一种。3. 根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述水溶性环胺化合物包括氨基四唑、咪 唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、喹诺酮和吡咯啉组成的组中的至少一种。4. 根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中分子中具有氨基和羧基的所述水溶性化 合物包括选自丙氨酸、氨基丁酸、谷氨酸、甘氨酸、亚氨基二乙酸、氨三乙酸和肌氨酸组成的 组中的至少一种。5. 根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述氟化合物包括选自氟化铵、氟化钠、 氟化钾、氟化氢铵、氟化氢钠和氟化氢钾组成的组中的至少一种。6. 根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述贵金属化合物包括选自铜、银和金组 成的组中的至少一种。7. 根据权利要求1所述的蚀刻剂组合物，其中所述铜基金属层是铜或铜合金的单层、或 是包括钼层和在钼层上形成的铜层的铜钼层、包括钼合金层和在钼合金层上形成的铜层的 铜钼合金层、包括钛层和在钛层上形成的铜层的铜钛层、或包括钛合金层和在钛合金层上 形成的铜层的铜钛合金层。8. 制作用于液晶显示器的阵列基板的方法，其包括： a) 在基板上形成栅极线； b) 在包括所述栅极线的基板上形成栅极绝缘层； c) 在所述栅极绝缘层上形成半导体层； d) 在所述半导体层上形成源电极和漏电极;和 e) 形成连接至所述漏电极的像素电极， 其中a)包括在基板上形成铜基金属层并使用蚀刻剂组合物蚀刻所述铜基金属层，从而 形成所述栅极线， d)包括形成铜基金属层并使用蚀刻剂组合物蚀刻所述铜基金属层，从而形成所述源电 极和所述漏电极，并且 所述蚀刻剂组合物包括，基于所述组合物的总重量，l〇-35wt %的过氧化氢，0.5-5wt % 的有机酸，0. l_5wt %的磷酸或磷酸盐，0. l-5wt %的水溶性环胺化合物，0. l-5wt %的分子 中具有氨基和羧基的水溶性化合物，〇. 〇 1-〇. 9wt %的氟化合物，0.0 l-2wt %的贵金属化合 物，和余量的水。9. 根据权利要求8所述的方法，其中所述阵列基板是薄膜晶体管阵列基板。10. 根据权利要求8所述的方法，其中所述铜基金属层是铜或铜合金的单层、或是包括 钼层和在钼层上形成的铜层的铜钼层、包括钼合金层和在钼合金层上形成的铜层的铜钼合 金层、包括钛层和在钛层上形成的铜层的铜钛层、或包括钛合金层和在钛合金层上形成的 铜层的铜钛合金层。
【文档编号】C23F1/24GK105970223SQ201610121213
【公开日】2016年9月28日
【申请日】2016年3月3日
【发明人】沈庆辅, 金泰完, 安基熏
【申请人】东友精细化工有限公司