蚀刻装置的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种蚀刻装置，其可实现以下效果：第一，即使提高蚀刻液体的喷射压力，所形成的电路图案也不会发生不匀的情况，并且能够改善蚀刻精度；第二，其能够简单容易且无障碍地实现。该蚀刻装置(6)比如被用于在电子电路基板的制造工程中，对在传送带(4)上水平运送的基板材(B)喷射蚀刻液A而进行蚀刻处理。而且，具有阻液辊(3)和挡液部(12)。阻液辊(3)阻止蚀刻液(A)在基板材(B)的上面于前后的运送方向(E)流动、限制为左右流动。挡液部(12)对越过阻液辊(3)而飞散、溢出的蚀刻液(A)进行限制，由此限制流向前后方向。阻液辊(3)、挡液部(12)设置在所运送的基板材(A)的上侧，挡液部(12)设置在阻液辊(3)上。
【专利说明】
蚀刻装置
技术领域
[0001 ]本发明涉及一种蚀刻装置。比如，涉及一种在电子电路基板的制造工序中的蚀刻工序所使用的蚀刻装置。【背景技术】
[0002]比如，在印刷线路板以及其它的电子电路基板中，作为代表的制造工序如下。
[0003]首先，在覆铜层压板构成的基板材的外表面上，涂布或贴覆感光性抗蚀剂。然后， 以电路的负型膜覆盖并曝光，将电路形成部分以外的抗蚀剂以显影的方式溶解去除。由此， 将露出的电路形状部分以外的铜箔以蚀刻方式溶解去除，将电路形成部分的抗蚀剂以剥离方式进行溶解去除。
[0004]通过探索这样的制程，以基板材外表面所剩下的铜箔来形成电子电路，从而制造电子电路基板。
[0005]而且，在用于蚀刻工序的蚀刻装置中，对于以传送带进行水平运送的基板材，从喷嘴喷射蚀刻液，由此，对基板材进行蚀刻处理(参照后述的图3)。
[0006]在蚀刻装置中，所喷射的蚀刻液在基板材外表面向左方向或向右方向(相对前后的运送方向为垂直的方向)流动，将基板材进行蚀刻处理后，从左右两侧流下、排出。由此， 喷射到基板材的蚀刻液依次被更新为新鲜的液体。
[0007]与此相对，如果基板材外表面上发生蚀刻液的液体存留或滞留，则会妨碍更新，导致蚀刻精度降低。而且，特别在基板材上面的中央部附近容易发生这样的液体存留或滞留。
[0008]因此，以促进蚀刻液的更新、克服存留、克服滞留为目标，在蚀刻装置中，采用了喷嘴倾斜设置和阻液辊的结构。
[0009]即，在现有的蚀刻装置1的代表例中，如图3 (2)中所示的那样，阻止所喷射的蚀刻液A在基板材B外表面于前后方向流动，使其于左右方向流动，将喷嘴2以向左方向和向右方向交替倾斜而设置，如图1(4)、图2(2)所示的那样，作为间隔辊采用阻液辊3。
[0010]而且，这些通常用在基板材B的上侧(在基板材B的下面，所喷射的蚀刻液A不会产生液体存留或滞留，在蚀刻处理后直接自然落下、因自重而落下)。
[0011]作为如此设置的现有的蚀刻装置1，比如可以例举出下述专利文献1、2所示的例子。
[0012][专利文献]
[0013][专利文献1]日本特开2011-23378号公报
[0014][专利文献2]日本特开2011-23379号公报
【发明内容】
[0015][发明要解决的技术问题]
[0016]那么，在上述现有的基板材B的蚀刻装置1中，发现具有下述问题。
[0017]首先，在所形成的电路C图案中，图4(2)中显示有截面为矩形的理想例子。在图4(3)中，显示与其接近的截面构成的良好的例子。图4(4)中，显示截面呈大幅倾斜的梯形的不好的例子。图中，L为电路宽度、T为顶面宽度、S为电路间空间、H为电路深度。
[0018]那么，为了得到图4(3)所示的良好的电路C图案，比如图1(4)、图3中，从喷嘴2 所喷射的蚀刻液A的喷射压有提高的必要。鉴于电路C的精细化、高密度化、蚀刻精度提高等原因，如此的高压化的例子在最近越发增多。在图中标号4为传送带、标号5为传送带的轮。
[0019]S卩，在低压时，比如喷射压为0.18MPa的场合，容易形成截面如图4(4)所示的不好的图案的电路C(电路宽度L 30iim、顶面宽度T 20iim)。与此相对，在喷射压为0.20MPa 以上的高压时，比如喷射压为〇.25MPa时，则会形成截面如图4(3)那样接近矩形的良好的图案的电路C (电路宽度L 30iim、顶面宽度T 25iim)。
[0020]但是，在图1(4)、图2(2)中所示的现有的蚀刻装置11中，发现会产生下述问题， 艮P，如果提高喷射压，以更强的喷射压、更强的喷射冲击进行蚀刻处理的话，所形成的电路C 图案会产生不匀。特别是，发现在基板材B的上面也如此。
[0021]关于该问题，可进行更详细的说明。如果提高喷射压，则会发生喷射于基板材B的蚀刻液A飞越阻液辊3而飞散、溢出的状况。
[0022]S卩，在基板材B的上面，在喷射压不足0.20MPa时，会在阻液辊3之间稳定地保持蚀刻液A的基准水位，在喷射压为0.20MPa以上时，因压反射而比基准水位更向上溅起、飞散，或因压波动而比基准水位更向上溢出。
[0023]由此，蚀刻液A会发生向前后方向E流出的状况(参照图1 (4)中的实线显示)。
[0024]其结果是，关于该喷嘴2的喷射对象区域的基板材B，进行蚀刻处理的蚀刻液A会发生不足。对此，关于前后所邻接的喷嘴2的喷嘴对象区域的基板材B，成为发生蚀刻液A 的液体存留或滞留的原因。
[0025]如此，产生蚀刻处理过于不足、快慢不一，在所形成的电路C中发生不匀(在基板材B的下面，蚀刻液A在蚀刻处理后直接自然落下、因自重落下，所以不会产生该问题)。
[0026]在基板材B上面的电路C中，图4(4)所示的不好的图案截面被混杂在一起，导致形成图案的蚀刻速率和蚀刻因子的低下、标准偏差或面内分布的恶化。
[0027]如此，在现有的基板材B的蚀刻装置1中，如果谋求喷射压的高压化，则电路C图案中会产生不匀，蚀刻精度会产生问题。[〇〇28]鉴于该实际情况，为了解决上述现有例子的问题，得到了本发明的蚀刻装置。
[0029]而且，本发明以提案下述蚀刻装置为目的，第一，改善蚀刻精度；第二，其能够简单容易且无障碍地实现。
[0030]为了解决该问题的本发明的技术手段为如下内容。[0031 ] 关于技术方案1，内容如下。
[0032]—种蚀刻装置，该蚀刻装置对在传送带上运送的板状部件喷射来自于喷嘴的蚀刻液，从而进行蚀刻处理。而且，上述蚀刻装置具有阻液辊和挡液部。
[0033]上述传送带具有上下的轮组，将上述板状部件进行夹持并进行水平运送。
[0034]在上述传送带的周围设置有多个上述喷嘴，至少在上述传送带上侧设置的多个喷嘴以相对上述传送带的运送方向以向左方向或向右方向而倾斜的方式设置。
[0035]上述阻液辊由比上述轮直径小的直行辊构成，在喷雾区的前后端部成对，与上述轮邻接设置，该喷雾区形成在:并列设置于上述传送带的运送方向上的前后的上述轮之间。
[0036]由此，上述阻液辊对从上述喷嘴向上述板状部件喷射的上述蚀刻液进行限制，以使其在上述板状部件的外表面向左右的宽度方向流动。
[0037]上述挡液部在与上述轮不干涉的位置，与上述各阻液辊的上方邻接设置。[〇〇38]由此，上述挡液部对越过阻液辊向前后流出的上述蚀刻液进行限制。
[0039]上述阻液辊和挡液部至少设置在所运送的上述板状部件的上侧。[〇〇4〇] 关于技术方案2,内容如下。
[0041]技术方案2的蚀刻装置涉及技术方案1所述的蚀刻装置，其特征在于，上述挡液部由棒状材料构成，以与上述阻液辊间隔开的方式设置。
[0042]关于技术方案3,内容如下。
[0043]技术方案3的蚀刻装置涉及技术方案1所述的蚀刻装置，其特征在于，上述挡液部由直行辊构成，以与上述阻液辊接触的方式设置。
[0044]关于技术方案4,内容如下。
[0045]技术方案4的蚀刻装置涉及技术方案1至3任意一项所述的蚀刻装置，其特征在于，至少在上述传送带上侧设置的多个上述喷嘴，沿上述传送带的运送方向以交替的方式设置向左方向的喷嘴和向右方向的喷嘴。
[0046]技术效果
[0047]本发明因为由该方案构成，具有如下效果。[〇〇48](1)蚀刻装置中，对在传送带上运送的基板材等的板状部件喷射来自于喷嘴的蚀刻液，进行蚀刻处理。
[0049](2)所喷射的蚀刻液在基板材等的板状部件上向左方向或向右方向流动后，从左右两侧流下、排出。
[0050](3)对如此的蚀刻液的流动进行支持，采用喷嘴倾斜设置和阻液辊。
[0051](4)那么，在蚀刻装置中，因为提高了蚀刻精度，在蚀刻液的喷射压高压化需求对应方面表现优秀。
[0052](5)但是，如果喷射压高压化，所喷射的蚀刻液根据压反射，比基于阻液辊的基准水位更向上溅起、飞散，根据压波动，容易比基准水位更向上溢出。
[0053]由此，蚀刻液会有越过阻液辊而向前后流出的危险，成为了发生电路图案的不匀的原因。
[0054](6)因此，本发明的蚀刻装置中采用挡液部，从而限制如此的蚀刻液的飞散、溢出、流动。
[0055](7)由此，即使对蚀刻液的喷射压进行高压化，这些也可以确实地得以限制、回避。
[0056](8)因此，比如防止电路图案的不匀的发生。即，根据喷射压的高压化，形成了截面接近矩形的电路，并且因采用了挡液部，可以回避截面呈大幅倾斜的梯形的电路的发生、混杂。
[0057](9)而且，挡液部由简单的构造形成，容易实现上述功能。又，不会发生使喷射区域狭窄、与轮接触或干涉等，可以无障碍地进行使用。
[0058](10)那么，本发明的蚀刻装置发挥如下的效果。
[0059]【第一效果】
[0060]第一，可以改善蚀刻精度。即，在本发明的蚀刻装置中，采用了挡液部，即使对喷射压进行高压化的情况下，也可以防止蚀刻液越过阻液辊而飞散、溢出而流出的情况。特别是，在基板材等的板状部件上面，能可靠地防止上述情况的发生。
[0061]由此，通过提高蚀刻液的喷射压，比如，会均一地得到接近矩形的电路图案。关于所形成的电路图案，如前述的该种现有技术那样，如果提高喷射压，则能够防止不匀的发生。
[0062]即使在高喷射压的情况下，例如，蚀刻速率和蚀刻因子也会得到提高，标准偏差和面内分布会变得优良化，蚀刻精度会得到大幅改善。
[0063]【第二效果】[〇〇64]第二，而且，其可以简单容易且没有障碍地被实现。即，本发明的蚀刻装置所采用的挡液部首先由简单的构造而形成，在成本方面也是优异的。[〇〇65]而且，挡液部在与轮不干涉的位置与阻液辊邻接设置，从而容易实现上述第一效果。与此同时，挡液部不会使喷射区域狭窄，在空间方面优异的同时，不会与传送带的轮接触、干涉等，可无障碍的采用。[〇〇66]如此，完全解决了此种现有技术所存在的问题等的本发明所发挥的效果显著而且巨大。【附图说明】[〇〇67] 图1(1)、图1(2)、图1(3)为表示本发明的蚀刻装置中发明实施方式的说明，为要部的侧视图。而且，图1 (1)表不第一例、图1 (2)表7K第二例、图1 (3)表7K第三例。图1 (4) 表示关于现有技术的蚀刻装置的说明，为要部的侧视图。
[0068] 图2(1)为本发明的蚀刻装置中发明实施方式的说明，为上述第一例的要部的俯视图。图2(2)为现有技术相关的蚀刻装置的说明，为要部的俯视图。[〇〇69] 图3(1)、图3(2)为蚀刻装置的说明，图3(1)为示意性的侧视图，图3(2)为示意性的主视图。
[0070]图4 (1)?图4 (4)为电子电路基板的说明，图4 (1)为放大的俯视说明图。图4 (2)、 图4(3)、图4(4)为形成电路的放大截面说明图。图4(2)为理想的例子；图4(3)为良好的例子；图4(4)为不好的例子。【具体实施方式】
[0071]以下，对于本发明的实施方式，参照附图进行详细说明。
[0072]【关于电子电路基板D等】
[0073]与本发明相关的基板材B的蚀刻装置6使用在电子电路基板D的制造工序中。因此，首先，对于作为前提的电子电路基板D及其制造方法，参照图4进行一般的说明。
[0074]印刷线路板等的电子电路基板D以小型轻量化、极薄化、柔性化等的进展而引人注目，所形成的电子电路C也在精细化、高密度化方面变得显著。
[0075]而且，该制造工序所使用的基板材B以500mm x 400mm或600mm x 500mm的尺寸， 壁厚0.06mm?1.6mm的尺寸为代表。
[0076]对于所形成的电子电路C，通常其电路宽度(底部宽度)L为5 y m?80 y m，电路间空间S为5iim?80iim，电路深度(电路高度)H为12 i! m?35 i! m。
[0077] 而且，本发明中，电路深度(电路高度)H与电路间空间S或电路宽度L的比H/S 或H/L在超过0.5的场合，即精细化、高密度化的电路C图案中，作为代表性而适用。
[0078]采用基板材B进行制造的电子电路基板D划分为硬质的刚性基板类型和膜状的柔性基板类型。又，虽然以在内外两面形成有电路C的两面基板类型为代表，但是仅在一个面形成电路C的单面基板类型也可以考虑，进而，多层基板以及其它各种类型也可以广泛地使用在本发明中。
[0079] 作为该类型的电子电路基板D的制造方法，减去法(湿法)(参照前述的【背景技术】的现有技术部分)、半加成法、其它各种制造方法为公众所知，本发明适用于此类的各种制造方法。
[0080]关于电子电路基板D等，如以上那样记载。
[0081]【蚀刻装置6】
[0082]接着，对于蚀刻装置6，参照图3进行一般说明。
[0083] 与本发明相关的蚀刻装置6使用在电子电路基板D的制造工序中的蚀刻工序中。 而且，对在腔体7内以传送带4进行运送的基板材B，从喷嘴2喷射蚀刻液A进行蚀刻处理。
[0084]传送带4由上下的一组轮5构成，夹持基板材B沿前后的运送方向E进行水平运送。
[0085]喷嘴2相对于如此被水平运送的基板材B，在图示的例子中，从上下喷射蚀刻液A， 对基板材B的内外、上下的外表面进行蚀刻处理。将露出的铜箔部分以蚀刻液A(氯化铜、 氯化铁、其它腐蚀液)进行溶解去除。
[0086]由此，多个喷嘴2设置于前后的运送方向E、左右的宽度方向F、上下方向G的上下。而且，如图示那样，上侧的喷嘴2以向左方向和向右方向交替而倾斜的方式进行设置。 [〇〇87] 该喷嘴2的倾斜设置是为了促进喷射到基板材B上的蚀刻液A的更新、克服存留、 克服滞留而采用的(请参照上述【背景技术】的现有技术部分)。关于喷嘴2的喷射压，也参照前述内容(请参照发明要解决的技术问题部分)。
[0088]蚀刻处理后的蚀刻液A，在向储液槽8流下、回收、储存后，经过泵9、过滤器、配管 10等，供向喷嘴2,以进行循环供给、再次使用。
[0089] 关于蚀刻装置6的一般的说明，如以上所述。[〇〇9〇]【关于阻液辊3】[〇〇91] 接着，对于阻液辊3,参照图1、图2进行说明。
[0092]在该蚀刻装置6中，在前后的轮5之间所形成的喷射区域11，即蚀刻液A的喷射间隔空间中，在其前后端部配设有各自的阻液辊3。
[0093]阻液辊3在各自的喷射区域11中，以各自的前端部和后端部成对的方式设置，和轮5 —起与基板材B接触旋转。
[0094] 该阻液辊3由直行辊构成，在左右方向相对轴而设置，在图示的例子中带有驱动， 该直行辊比轮5 (比如直径32mm)直径小(例如直径16mm)。[〇〇95] 而且，关于喷射区域11前后的轮5,阻液辊3邻接设置于其前或后，但以与该轮5 存在前后间隙而间隔开的方式设置。
[0096]阻液辊3作为前后的间隔辊使用。S卩，从喷嘴2向基板材B喷射的蚀刻液A在基板材B外表面特别是沿上面，向前后的运送方向E流动的状态被阻液辊3阻止，由此，蚀刻液A在基板材B的外表面特别是上面，在左右的宽度方向F流动。
[0097]如此，阻液辊3是为了促进喷射到基板材B上的蚀刻液A的更新、克服存留、克服滞留而采用(请参照上述【背景技术】的现有技术部分)。
[0098]而且，阻液辊3通常如图示那样，用在被运送的基板材B的上侧(在下面，所喷射的蚀刻液A自然落下、因自重落下)。
[0099]关于阻液辊3,如以上所述。
[0100]【关于挡液部12】
[0101] 接着，对于挡液部12,参照图1 (1)、图1 (2)、图1 (3)、图2 (1)等进行说明。
[0102]在该蚀刻装置6中，挡液部12与阻液辊3邻接设置，而且设置于与轮5不干涉的位置。挡液部12分别与根据前述在喷射区域11的前端部和后端部成对设置的阻液辊3邻接设置。由此，挡液部12也前后成对。
[0103]而且，通常如图示那样，阻液辊3设置在被运送的基板材B的上侧，与此相伴，挡液部12邻接设置在如此的阻液辊3上。
[0104]又，如此，邻接设置在阻液辊3上的挡液部12相对前述的阻液辊3所邻接设置的轮5,以与阻液辊3同样存在前后间隙而间隔开的方式设置。
[0105]而且，挡液部12所具有的上下尺寸可限制存在有越过阻液辊3而飞溅的可能性、 溢出可能性的蚀刻液A，从而限制蚀刻液A越过阻液辊3的流出。
[0106]S卩，挡液部12具有限制被喷射到基板材B的蚀刻液A越过阻液辊3而飞溅、溢出， 且发挥此种限制功能所充分必须的上下方向G的高度尺寸。也就是说，具有在阻液辊3的高度尺寸基础上附加了若干而得到的高度尺寸。[〇1〇7]如此，喷射到基板材B的蚀刻液A向前后流出的情况被挡液部12所限制，由此，将蚀刻液A返回到基于阻液辊3等的左右的宽度方向F。
[0108]【图示例子的挡液部12】[〇1〇9]关于图示例子的挡液部12,记载如下。
[0110] 在第一例中，记载如下。关于图1(1)、图2(1)所示的第一例子的挡液部12由棒状材料构成，以与阻液辊3间隔开的方式设置。
[0111]S卩，该第一例中的挡液部12由蚀刻装置6的腔体7的左右框之间所架设的棒框架构成，在上侧的阻液辊3上仅存在稍许的上下间隔而间隔开设置，整体覆盖于阻液辊3上。
[0112] 在第二例中，记载如下。关于图1 (2)所示的第二例的挡液部12与第一例子同样， 由腔体7的左右框之间所架设的棒框架构成，在上侧的阻液辊3上间隔开设置，但与轮5邻接一侧不覆盖于阻液辊上。
[0113] 第二例的挡液部12因为采用了该构造，故在将阻液辊3与邻接轮5之间的前后间隙的距离尺寸设定为较窄的场合，具有可确实防止与轮5相干涉的优点。在阻液辊3上设定位置的挡液部12通过与阻液辊3的轮5侧接近设置，可以确实回避与轮5相干涉的危险。
[0114] 在第三例中，记载如下。关于图1(3)所示的第三例的挡液部12由直行辊构成，与阻液辊3接触而设置。
[0115]S卩，该第三例中的挡液部12在图示的例子中，由与阻液辊3相同的直行辊构成，在腔体7的左右框之间被轴支。而且，虽然邻接设置于阻液辊3上，但相对于阻液辊3并非如第一例、第二例那样间隔开，而是上下接触而构成，具有可将蚀刻液A的前后流出完全限制的优点。
[0116]对此，第一例、第二例的挡液部12与第三例的挡液部12相比，具有构成简单、架设安装且容易的优点；以及因为是固定架设，所以可发挥稳定的功能的优点。
[0117]进而，第一例、第二例的挡液部12对于进行极薄化、柔性化的基板材B、且进行精细化、高密度化的该电路C，具有完全不需要加载重量负荷的优点。
[0118]关于挡液部12,如以上所述。
[0119]【作用等】
[0120]本发明的蚀刻装置6如以上说明那样构成。因此，作用如下。
[0121](1)在蚀刻装置6中，对在传送带4上所运送的基板材B，由前后左右设置的多个喷嘴2喷射蚀刻液A，由此蚀刻处理基板材B的外表面(参照图3)。
[0122](2)所喷射的蚀刻液A在基板材B外表面向左右的宽度方向F，即向左方向或向右方向流动后，从基板材B的左右两侧流下、排出。
[0123](3)对如此的蚀刻液A于基板材B的外表面的流动、特别是于基板材B上面的流动进行支持，采用喷嘴2的倾斜设置(参照图3(2))和阻液辊3(参照图1、2)。
[0124]S卩，在基板材B上面，采用了喷嘴2倾斜设置和阻液辊3的结构，防止蚀刻液A的存留、滞留的发生，从而可谋求更新新鲜的蚀刻液A。
[0125](4)那么，在蚀刻装置6中，鉴于电路C的精细化、高密度化、蚀刻精度提高等，对于由喷嘴2喷射的蚀刻液A，喷射压的高压化需求在最近更加旺盛。
[0126]S卩，为了得到接近图4(3)所示的矩形的截面良好的电路C图案，将喷射压比如高压化为0.20MPa以上，由此，以更强的喷射压、更强的喷射冲击进行蚀刻处理的需求更加旺盛。
[0127](5)但是，如果喷射压进行高压化，则喷射到基板材B上面的蚀刻液A越过阻液辊 3而飞溅、溢出而流出的状况会容易发生。
[0128]如此，蚀刻液A根据压反射，在阻液辊3所形成的基板材B的基准水位以上发生溅起、飞散，根据压波动会产生向基准水位以上溢出的危险。该部分会产生越过阻液辊3而向前后方向E流出的危险(参照图1(4)的现有技术的实线显示)。
[0129]如果蚀刻液A向前后流出，则关于该喷嘴2的喷射对象区域的基板材B，会发生蚀刻液A少于设定量的情况。对此，在前后邻接喷嘴2的喷射对象区域的基板材B根据流入的蚀刻液A会发生液体存留或滞留。
[0130]以此为起因，所形成的电路C图案会发生不匀，会出现如下情况:产生、混杂图 4(4)所示那样的截面呈大幅倾斜的梯形的电路C。
[0131](6)因此，在本发明的蚀刻装置6中采用挡液部12(参照图1(1)、图1(2)、图1(3); 图2(1)等)。
[0132]挡液部12在喷射压上升的场合，限制越过阻液辊3而发生飞散、溢出的蚀刻液A， 由此，返回到基于阻液辊3等的向左右的流动(参照图1(1)、图1(2)、图1(3)中的实线表示)。
[0133](7)通过采用如此的挡液部12,若采用该蚀刻装置6,即使对蚀刻液A的喷射压进行高压化，也能够回避上述蚀刻液A的量的不足、液体存留或滞留等的发生。
[0134](8)因此，通过采用该蚀刻装置6,对于基于蚀刻处理而形成的电路C图案，防止不匀的发生。
[0135]S卩，通过蚀刻液A的喷射压的高压化，也就是强的喷射压、更强的冲击，如图4(3) 所示那样，能够得到截面接近矩形的电路C图案。
[0136]与此同时，通过采用挡液部12,可以回避图4(4)所示的截面呈大幅倾斜的梯形的电路C的发生、混杂。
[0137]根据以上，可以仅均一地得到截面接近矩形的电路C。
[0138](9)又，该蚀刻装置6所采用的挡液部12由棒状材料、直行辊制成，由简单的结构构成(参照图1(1)、图1(2)、图1(3);图2(1)等)。
[0139]又，挡液部12在与传动带4的轮5不干涉的位置，在阻液辊3上邻接设置。由此， 不会使喷射区域11变狭窄，不会与轮5接触或干涉等，可以无障碍地进行使用。
[0140]关于本发明的作用等，如上所述。
[0141]【关于日本特开平6-320094号公报】
[0142]在此，对日本特开平6-320094号公报进行事先陈述。
[0143](a)在该公报中，显示有上下两排的阻液辊85(参照其图5等)。而且，首先，在喷射压较低的场合，喷射到处理部件11 (基板材)的流体35 (蚀刻液)借助该上下两排的直行辊制的阻液辊85被保持在规定的基准水位35’(其图5的状态)。
[0144]对此，本发明的第三例(参照图1(3))中也同样在喷射压较低的场合，根据一排 (一个)的直行辊制的阻液辊3,而将喷射后的蚀刻液A保持在基准水位(图中的虚线表示)。
[0145]不管是如该公报那样的直行辊制的阻液辊85为两排(两个)、还是本发明的第三例那样直行辊制的阻液辊3为一排(一个)均没有关系，该公报与本发明相同。在喷射压较低的场合，蚀刻液(35, A)均保持在基准水位。
[0146](b)对此，喷射压在被高压化的场合，在该公报中，越过两排的上侧的阻液辊85， 流体35 (蚀刻液)向前后流出(在该图5中没有示出)。
[0147]S卩，根据压反射的溅起飞散或根据压波动的溢出，流体35 (蚀刻液)越过两排的阻液辊85所形成的图示的基准水位，越过上侧的阻液辊85向前后流出。在该公报中，上下两排的阻液辊均为阻液辊85,上侧的直行辊也为阻液辊85。
[0148]与此相对，本发明的第三例中，喷射压在被高压化的场合，通过阻液辊3上的挡液部12而将要如此溅起飞散或溢出的蚀刻液A进行限制，不会向前后流出(参照图1 (1)、图 1(2)、图1(3)的实线表示)。
[0149]在本发明的第三例中，上侧的直行辊为挡液部12,并非阻液辊3。
[0150](c)在该公报中，如上所述那样，第一流体35(蚀刻液)以向前后流出为前提。因此，接着采用邻接喷射的第二流体(比如水)，将如此流出的第一流体洗涤、除去(参照例如第 0014、0022、0029 栏)。
[0151]S卩，在该公报中，没有采用如本发明的第三例那样的挡液部12,故在允许第一流体 35(蚀刻液)向前后流出的同时，作为流出后的对策，与本发明不同，采用了第二流体。
[0152]与此相对，在本发明的第三例中，对在该公报中允许的前后流出的流体本身进行了限制。由此，如该公报中那样的流出后对策是不需要的。
[0153](d)如此，该公报与本发明的第三例在技术思想、前提、作用等上均不同。由此，该公报的上侧阻液辊85与本发明的第三例的挡液部12在由直行辊构成、结构、功能等多方面均不同。在本发明的第三例中，具有前述那样独特的构成、功能。
[0154]关于日本特开平6-320094号公报，如以上所述。
[0155]【关于本发明的适用】
[0156]那么，关于本发明的蚀刻装置6、以及该蚀刻装置6所适用的蚀刻工序，其不限于适用于如上的实施例记载说明的电子电路基板D的制造装置、制造工序。
[0157]例如，也可适用于金属板的制造装置或制造工序，即将金属板进行蚀刻而得到金属部件的制造中。
[0158]总之，本发明广泛适用于一般的板状部件的蚀刻。
[0159]符号的说明
[0160]1 ?蚀刻装置(现有例)
[0161]2?喷嘴
[0162]3.阻液辊
[0163]4.传送带
[0164]5.轮
[0165]6?蚀刻装置(本发明)
[0166]7.腔体
[0167]8.储液槽
[0168]9?泵
[0169]10.配管
[0170]11.喷射区域
[0171]12.挡液体
[0172]A.蚀刻液
[0173]B.基板材
[0174]C.(电子)电路
[0175]D.电子电路基板
[0176]E?前后方向(运送方向)
[0177]F?左右方向(宽度方向)
[0178]G.上下方向
[0179]H.电路深度
[0180]L.电路宽度
[0181]S.电路间空间
[0182]T.顶面宽度。
【主权项】
1.一种蚀刻装置，该蚀刻装置对在传送带上运送的板状部件喷射来自于喷嘴的蚀刻 液，从而进行蚀刻处理，其特征在于，上述蚀刻装置具有阻液辊和挡液部，上述传送带具有上下的轮组，将上述板状部件进行夹持并进行水平运送，在上述传送带的周围设置有多个上述喷嘴，至少在上述传送带上侧设置的多个喷嘴以 相对上述传送带的运送方向以向左方向或向右方向而倾斜的方式设置，上述阻液辊由比上述轮直径小的直行辊构成，在喷雾区的前后端部成对，与上述轮邻 接设置，该喷雾区形成在:并列设置于上述传送带的运送方向上的前后的上述轮之间，由此，上述阻液辊对从上述喷嘴向上述板状部件喷射的上述蚀刻液进行限制，以使其 在上述板状部件的外表面向左右的宽度方向流动，上述挡液部在与上述轮不干涉的位置，与上述各阻液辊的上方邻接设置，由此，上述挡液部对越过上述阻液辊向前后流出的上述蚀刻液进行限制，上述阻液辊和挡液部至少设置在所运送的上述板状部件的上侧。2.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，上述挡液部由棒状材料构成，以与上 述阻液辊间隔开的方式设置。3.根据权利要求1所述的蚀刻装置，其特征在于，上述挡液部由直行辊构成，以与上述 阻液辊接触的方式设置。4.根据权利要求1?3任意一项所述的蚀刻装置，其特征在于，至少在上述传送带的上 侧设置的多个上述喷嘴，沿上述传送带的运送方向以交替的方式设置向左方向的喷嘴和向 右方向的喷嘴。
【文档编号】C23F1/08GK105986269SQ201510087925
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年2月26日
【发明人】柴本强, 桥原宪, 桥原一宪
【申请人】新光电气工业株式会社, 东京化工机株式会社