一种使蚀刻后晶圆上介质倾斜角变小的光阻回流制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及晶圆生产领域，尤其涉及一种使蚀刻后晶圆上介质倾斜角变小的光阻回流制备方法。
【背景技术】
[0002]在传统黄光的制造工艺中，一般情况下光阻的剖面呈正梯形，倾斜角大于83度，介质蚀刻后的剖面的倾斜角也是大于83度。随着MEMS的发展，对介质蚀刻后的图形有了越来越多的要求，例如蚀刻后介质的倾斜角呈40度。
[0003]为了蚀刻后的介质剖面倾斜角达到40度，现有的解决方案有如下两种:
[0004]1.通过调整曝光时的focus(聚焦)，将光阻的剖面倾斜角调整到40度左右。蚀刻按照显影后的光阻形貌进行正常蚀刻，使介质倾斜角达到40度。光阻的倾斜角要调整到40度，需要将focus往正方向调整，当focus往正方向太多，图形的清晰度会变差，bottom⑶(底部线宽)难以保证。
[0005]2.通过减小光阻的厚度，配合蚀刻的合适的选择比将蚀刻后介质的倾斜角调整到40度，但是bottom CD(底部线宽)靠蚀刻机台的稳定性去控制，这样对光阻厚度的均匀性和蚀刻机台的稳定性有很高的要求，并且片间的均匀性也很难保证。
[0006]有鉴于上述的缺陷，本设计人，积极加以研究创新，以期创设一种使蚀刻后晶圆上介质倾斜角变小的光阻回流制备方法，使其更具有产业上的利用价值。
【发明内容】
[0007]为解决上述技术问题，本发明的目的是提供一种使蚀刻后晶圆上介质倾斜角变小的光阻回流制备方法，该方法能够将光阻的倾斜角做到30-60度之间，并且能够保证光阻的均匀性，底部线宽得到精准地控制。
[0008]本发明提出一种使蚀刻后晶圆上介质倾斜角变小的光阻回流制备方法，其特征在于:包括以下步骤:
[0009](I)在wafer(晶圆)的介质表面涂覆一层光阻；
[0010](2)对涂覆好光阻的wafer (晶圆)依照光罩的尺寸进行曝光；
[0011](3)将曝光完的wafer(晶圆)显影处理，经过曝光的光阻会与显影液发生化学反应被去除，没有曝光的光阻会留在waf er(晶圆)的介质表面，留在waf er(晶圆)介质表面的光阻剖面形貌呈梯形；
[0012](4)对留有光阻的waf er (晶圆)进行烘烤，在保持waf er (晶圆)的bottom CD (底部线宽)不变的情况下，让光阻回流，将光阻的剖面变成半圆形；
[0013](5)对烘烤后的wafer(晶圆)进行蚀刻，蚀刻选择比在正常范围内波动就可以将介质的倾斜角控制在规范内，最终得到倾斜角变小的晶圆介质。
[0014]作为本发明方法的进一步改进，步骤(I)所述的介质为Si02、Si3N4、Metal这三者中的一种。
[0015]作为本发明方法的进一步改进，步骤(4)中烘烤所用的设备为热板、干法Asher(灰化)去胶机、烘箱这三者中的一种。
[0016]作为本发明方法的进一步改进，步骤(4)中所述烘烤的温度为150?220度。
[0017]作为本发明方法的进一步改进，步骤(4)中所述烘烤的时间为I?10分钟。
[0018]作为本发明方法的进一步改进，步骤(5)中所述蚀刻选择比的正常范围为1:1?1:2。
[0019]借由上述方案，本发明至少具有以下优点:本发明方法前三种步骤是正常的黄光工艺，通过在正常黄光工艺结束后增加一步烘烤，将光阻的剖面从正梯形烘烤成半圆形，选择合适的蚀刻选择比(1:1到1:2)对介质进行蚀刻，就可以将介质的倾斜角做到40度左右。
[0020]正常黄光工艺后，通过烘烤将光阻的剖面从正梯形变成半圆形。由于黄光过程正常，黄光会选择最优条件作业，可以得到最优的图形，线宽可以得到精准地控制，调试出合适的烘烤条件后，光阻经过烘烤后蚀刻只要选择比在正常范围内波动就可以将介质的倾斜角控制在规范内。
[0021]上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
【附图说明】
[0022]图1为通过本发明方法烘烤前晶圆表面光阻的电镜图；
[0023]图2为通过本发明方法烘烤后晶圆表面光阻的电镜图。
【具体实施方式】
[0024]下面结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0025]实施例:一种使蚀刻后晶圆上介质倾斜角变小的光阻回流制备方法，其特征在于:包括以下步骤:
[0026](I)在wafer(晶圆)的介质表面涂覆一层光阻；
[0027](2)对涂覆好光阻的wafer(晶圆)依照光罩的尺寸进行曝光；
[0028](3)将曝光完的wafer(晶圆)显影处理，经过曝光的光阻会与显影液发生化学反应被去除，没有曝光的光阻会留在waf er(晶圆)的介质表面，留在waf er(晶圆)介质表面的光阻剖面形貌呈梯形；
[0029](4)对留有光阻的waf er (晶圆)进行烘烤，在保持waf er (晶圆)的bottom CD (底部线宽)不变的情况下，让光阻回流，将光阻的剖面变成半圆形；
[0030](5)对烘烤后的wafer(晶圆)进行蚀刻，蚀刻选择比在正常范围内波动就可以将介质的倾斜角控制在规范内，最终得到倾斜角变小的晶圆介质。
[0031]步骤(I)所述的介质为Si02、Si3N4、Metal这三者中的一种。
[0032]步骤(4)中烘烤所用的设备为热板、干法Asher(灰化)去胶机、烘箱这三者中的一种。
[0033]步骤(4)中所述烘烤的温度为150?220度。
[0034]步骤(4)中所述烘烤的时间为I?1分钟。
[0035]步骤(5)中所述蚀刻选择比的正常范围为1:1?1: 2。
[0036]步骤(I)?步骤(3)是正常的黄光工艺，通过在正常黄光工艺结束后增加一步烘烤，将光阻的剖面从正梯形烘烤成半圆形，选择合适的蚀刻选择比(1:1到1:2)对介质进行蚀刻，就可以将介质的倾斜角做到40度左右。
[0037]正常黄光工艺后，通过烘烤将光阻的剖面从正梯形变成半圆形。由于黄光过程正常，黄光会选择最优条件作业，可以得到最优的图形，线宽可以得到精准地控制，调试出合适的烘烤条件后，光阻经过烘烤后蚀刻只要选择比在正常范围内波动就可以将介质的倾斜角控制在规范内。
[0038]以上所述仅是本发明的优选实施方式，并不用于限制本发明，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1.一种使蚀刻后晶圆上介质倾斜角变小的光阻回流制备方法，其特征在于:包括以下步骤: (1)在wafer(晶圆)的介质表面涂覆一层光阻； (2)对涂覆好光阻的wafer(晶圆)依照光罩的尺寸进行曝光； (3)将曝光完的wafer(晶圆)显影处理，经过曝光的光阻会与显影液发生化学反应被去除，没有曝光的光阻会留在wafer(晶圆)的介质表面，留在wafer(晶圆)介质表面的光阻剖面形貌呈梯形； (4)对留有光阻的wafer (晶圆)进行烘烤，在保持waf er (晶圆)的bottomCD (底部线宽)不变的情况下，让光阻回流，将光阻的剖面变成半圆形； (5)对烘烤后的wafer(晶圆)进行蚀刻，蚀刻选择比在正常范围内波动就可以将介质的倾斜角控制在规范内，最终得到倾斜角变小的晶圆介质。2.根据权利要求1所述的一种使蚀刻后晶圆上介质倾斜角变小的光阻回流制备方法，其特征在于:步骤(I)所述的介质为Si02、Si3N4、Metal这三者中的一种。3.根据权利要求2所述的一种使蚀刻后晶圆上介质倾斜角变小的光阻回流制备方法，其特征在于:步骤(4)中烘烤所用的设备为热板、干法Asher(灰化)去胶机、烘箱这三者中的一种。4.根据权利要求3所述的一种使蚀刻后晶圆上介质倾斜角变小的光阻回流制备方法，其特征在于:步骤(4)中所述烘烤的温度为150?220度。5.根据权利要求4所述的一种使蚀刻后晶圆上介质倾斜角变小的光阻回流制备方法，其特征在于:步骤(4)中所述烘烤的时间为I?10分钟。6.根据权利要求5所述的一种使蚀刻后晶圆上介质倾斜角变小的光阻回流制备方法，其特征在于:步骤(5)中所述蚀刻选择比的正常范围为1:1?1:2。
【专利摘要】本发明公开了一种使蚀刻后晶圆上介质倾斜角变小的光阻回流制备方法，该方法通过在正常黄光工艺结束后增加一步烘烤，将光阻的剖面从正梯形烘烤成半圆形，选择合适的蚀刻选择比对介质进行蚀刻，就可以将介质的倾斜角做到40度左右。正常黄光工艺后，通过烘烤将光阻的剖面从正梯形变成半圆形。由于黄光过程正常，黄光会选择最优条件作业，可以得到最优的图形，线宽可以得到精准地控制，调试出合适的烘烤条件后，光阻经过烘烤后蚀刻只要选择比在正常范围内波动就可以将介质的倾斜角控制在规范内。
【IPC分类】H01L21/311, H01L21/3105
【公开号】CN105575797
【申请号】CN201510974649
【发明人】居碧玉
【申请人】苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年12月23日