本发明实施例涉及声表面波滤波器制造领域,特别涉及一种声表面波滤波器的前道晶圆光刻方法。
背景技术:
目前声表面波滤波器前道晶圆的光刻工艺流程为:在晶圆表面涂上一层光刻胶并烘干,将烘干后的晶圆传送至光刻机里面;光线透过透镜和掩膜版把掩膜版上的图形投影到晶圆表面的光刻胶上,曝光,激起化学反应;对曝光后的晶圆进行第二次烘烤,令光化学交联反应更充分;将显影液喷涂到晶圆表面的光刻胶上,使得曝光图形显影;显影后,掩膜版上的图形就被留在光刻胶上。
目前声表面波滤波器有两种结构,一种是平行的叉指换能器实现谐振功能,另一种是垂直的叉指换能器实现电容功能。前道晶圆设计掩膜版上有垂直密集线条和水平密集线条,然而,光刻机的x-双极照明对于垂直线条提供了最好的分辨率,但对水平线条提供的分辨率不好;y-双极照明对于水平线条提供了最好的分辨率,但对垂直线条提供的分辨率不好。导致高频率的声表面波滤波器制作困难。
技术实现要素:
为了解决现有技术的问题,本发明实施例提供了一种声表面波滤波器的前道晶圆光刻方法。该技术方案如下:
第一方面,提供了一种声表面波滤波器的前道晶圆光刻方法,该方法包括:
制作水平掩膜版和垂直掩膜版,所述水平掩膜版上仅包括垂直线条,所述垂直掩膜版上仅包括水平线条,所述水平掩膜版上的垂直线条和所述垂直掩膜版上的水平线条共同构成光刻图形;
利用所述水平掩膜版对晶圆曝光,利用所述垂直掩膜版对经过一次曝光的晶圆进行二次曝光;
或,
利用所述垂直掩膜版对晶圆曝光,利用所述水平掩膜版对经过一次曝光的晶圆进行二次曝光。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是:
通过将光刻图形分为垂直方向和水平方向,制作仅包括垂直线条的水平掩膜版和仅包括水平线条的垂直掩膜版,利用水平掩膜版和垂直掩膜版进行两次曝光,在每次曝光时都可以根据分辨率要求和光刻图形要求调整曝光的照明条件,解决了光刻曝光过程中无法同时满足水平方向和垂直方向都具有高分辨率的问题;达到了令光刻机无论在水平方向还是垂直方向都可以达到最优分辨率的效果。
此外,由于两次曝光过程中,晶圆在工作台上不移动,故两次曝光之间的对准误差小;两次曝光实用相同的光刻胶层使两次工艺简单。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是根据一示例性实施例示出的一种声表面波滤波器的前道晶圆光刻方法的流程图;
图2是根据一示例性实施例示出的一种光刻图形的示意图;
图3是根据一示例性实施例示出的一种垂直掩膜版的示意图;
图4是根据一示例性实施例示出的一种水平掩膜版的示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
请参考图1,其示出了本发明一个实施例提供的声表面波滤波器的前道晶圆光刻方法的流程图。如图1所示,该声表面波滤波器的前道晶圆光刻可以包括以下步骤:
步骤101,制作水平掩膜版和垂直掩膜版。
水平掩膜版上仅包括垂直线条,垂直掩膜版上仅包括水平线条。水平掩膜版上的垂直线条和垂直掩膜版上的水平线条共同构成光刻图形。
在制作掩膜版时,根据预先设计的光刻图形,按x/y方向拆分光刻图形,将光刻图形分为仅含有垂直线条的图形和仅含有水平线条的图形;根据拆分后的图形分别制作掩膜版。
步骤102,利用水平掩膜版对晶圆曝光,利用垂直掩膜版对经过一次曝光的晶圆进行二次曝光;或,利用垂直掩膜版对晶圆曝光,利用水平掩膜版对经过一次曝光的晶圆进行二次曝光。
在晶圆表面涂上一层光刻胶并烘干,将烘干后的晶圆传送至光刻机中,光刻机实现xy双极照明。
在一种情况下,先利用水平掩膜版对晶圆曝光,即光刻机的x-双极照明发出的光线透过透镜和水平掩膜版,把水平掩膜版上垂直线条构成的图形投影到晶圆表面的光刻胶上,实现一次曝光;再利用垂直掩膜版对经过一次曝光的晶圆进行二次曝光,即将水平掩膜版替换为垂直掩膜版,光刻机的y-双极照明发出的光纤透过透镜和垂直掩膜版,把垂直掩膜版上的水平线条构成的图案投影到晶圆表面的光刻胶上,实现二次曝光。
在显影后,水平掩膜版上的图形和垂直掩膜版上的图形都留在晶圆上的光刻胶上,共同构成光刻图形。
综上所述,本发明实施例通过将光刻图形分为垂直方向和水平方向,制作仅包括垂直线条的水平掩膜版和仅包括水平线条的垂直掩膜版,利用水平掩膜版和垂直掩膜版进行两次曝光,在每次曝光时都可以根据分辨率要求和光刻图形要求调整曝光的照明条件,解决了光刻曝光过程中无法同时满足水平方向和垂直方向都具有高分辨率的问题;达到了令光刻机无论在水平方向还是垂直方向都可以达到最优分辨率的效果。
此外,由于两次曝光过程中,晶圆在工作台上不移动,故两次曝光之间的对准误差小;两次曝光实用相同的光刻胶层使两次工艺简单。
在一个例子中,设计的光刻图形如图2所示,将光刻图形按x/y方向拆分为仅含有垂直线条的图形和仅含有水平线条的图形,并制作对应的掩膜版;如图3所示,垂直掩膜版110中仅包括水平线条111,如图4所示,水平掩膜版120中仅包括垂直线条121,在利用垂直掩膜版110和水平掩膜版120进行二次曝光后,晶圆表面的光刻胶上留下的图形就是如图2所示的光刻图形。
需要说明的是:上述本发明实施例序号仅仅为了描述,不代表实施例的优劣。
以上所述仅为本发明的较佳实施例,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。