技术总结
本实用新型公开了一种基于多层介质膜上银纳米线电场模式的宽场超分辨显微成像装置，包括：玻璃基底层(1)、多层介质膜(2)、银纳米线(3)和光纤锥(4)；在多层介质表面的银纳米线存在一种的本征模式，电场主要分布在银纳米线两侧，通过光纤锥，590nm激光的可以近场激发银纳米线的模式，在光的传输过程中，光会泄露到多层介质膜中，并以一定的角度辐射下去，在基片下面用高数值孔径油浸显微物镜收集信号并在远场成像，在远场可以分辨银纳米线两侧的泄露的光信号，由于银纳米线直径在100nm以下，小于整个成像系统的分辨率，该装置实现了对银纳米线两侧光场的宽场超分辨成像。
技术研发人员：向益峰;张斗国;王茹雪;王沛;明海
受保护的技术使用者：中国科学技术大学
技术研发日：2018.07.13
技术公布日：2019.02.26