一种用于超辐射发光二极管的级联装置的制作方法

本实用新型涉及光电设备技术领域，尤其是涉及一种用于超辐射发光二极管的级联装置。

背景技术：

超辐射发光二极管(SLD)近年来迅速发展，它是介于激光器(LD)和发光二极管(LED)之间的一种半导体光电器件，具有输出功率高，光谱宽度宽等特点，极其适合用于诸如光学相干层析(OCT)成像系统和光纤陀螺仪(FOG)等应用。但在很多应用中，单个超辐射发光二极管(SLD)往往功率或带宽达不到使用要求。现有解决办法是采用泵浦源，利用光纤激光器原理制作光源，但存在光束质量不好，过程复杂等诸多弊端。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于克服上述技术不足，提出一种用于超辐射发光二极管的级联装置，解决现有技术中单个超辐射发光二极管输出功率和带宽不足、光束质量差的技术问题。

为达到上述技术目的，本实用新型的技术方案提供一种用于超辐射发光二极管的级联装置，包括盒体及置于盒体内的控制电路、光纤束、光纤合束器和光纤法兰；所述盒体设有多个容纳超辐射发光二极管的工位；所述控制电路具有与所述工位对应的多组，每组控制电路对应连接一个超辐射发光二极管；所述光纤束一端的端头与所述工位的数量相适应，用于与每个工位的超辐射发光二极管对应连接，所述光纤束另一端的端头经所述光纤合束器后与光纤法兰连接。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果包括：通过多个超辐射发光二极管与光纤合束器的配合使用，将多路宽带光合在一起，以提高输出功率和增大光谱宽度，克服了传统方法中光源质量不好的缺陷，方便实用。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图；

图2是控制电路的原理框图；

图3是控制电路的电路结构示意图；

图4是第一超辐射发光二极管发出的宽带光的光谱图；

图5是第二超辐射发光二极管发出的宽带光的光谱图；

图6是经本实用新型合并后的宽带光的光谱图。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。

本实用新型提供了一种用于超辐射发光二极管的级联装置，如图1所示，包括盒体1及置于盒体1内的控制电路2、光纤束3、光纤合束器4和光纤法兰5。所述盒体1起保护和固定内部零部件的作用，其内部设有两个容纳第一超辐射发光二极管6和第二超辐射发光二极管7的工位1.1。所述控制电路2具有与所述工位1.1对应的多组，每组控制电路2对应连接一个超辐射发光二极管。所述光纤束3一端的端头与所述工位1.1的数量相适应，即两个，用于与每个工位1.1的超辐射发光二极管对应连接，所述光纤束3另一端的端头经所述光纤合束器4后与光纤法兰5连接。光纤束3用于将多束宽带光合为一束，光纤束3可盘绕固定于模块盒体1，保证光导的同时有利于盒体1内零件的合理布局。光纤法兰5将合为一束的宽带光向外输出。

工作原理：置于盒体1内各自工位1.1上的两个超辐射发光二极管(第一超辐射发光二极管6和第二超辐射发光二极管7)分别在各自连接的控制电路2的控制下发光，光纤束3将两路宽带光有向导出，并在光纤合束器4的作用下合并为一束，最后经光纤法兰5向外导出，提高了输出功率和增大了光谱宽度。

超辐射发光二极管1的光谱图如图4所示，超辐射发光二极管2的光谱图如图5所示，经本案提供的级联装置作用后的宽带光的光谱图如图6所示，可见3dB带宽和功率均有不同程度的增加。

作为优选的，每个所述工位1.1均设有热沉，可辅助散热。

作为优选的，所述光纤法兰5是FC/APC光纤连接器。

作为优选的，如图2和图3所示，所述控制电路2包括用于驱动超辐射发光二极管的驱动电路2.1，和用于控制超辐射发光二极管内部制冷器的温度控制电路2.2。驱动电路2.1为超辐射发光二极管提供稳定的电源；温度控制电路2.2可配合超辐射发光二极管内部的半导体制冷器(TEC)来稳定器件温度，避免环境温度变化引起超辐射发光二极管的性能变化。

以上所述本实用新型的具体实施方式，并不构成对本实用新型保护范围的限定。任何根据本实用新型的技术构思所做出的各种其他相应的改变与变形，均应包含在本实用新型权利要求的保护范围内。