一种线性电磁执行元件掩模的制作方法

文档序号:17360880发布日期:2019-04-09 22:03阅读:369来源:国知局
一种线性电磁执行元件掩模的制作方法

本实用新型涉及一种掩模领域,特别涉及一种线性电磁执行元件掩模。



背景技术:

掩模上承载有设计图形,光线透过它,把设计图形透射在光刻胶上,掩模的性能直接决定了光刻工艺的质量,在投影式光刻机中,掩模作为一个光学元件位于会聚透镜与投影透镜之间,掩模上的图形缩小4~10倍后透射在晶圆表面,而在在半导体制造的整个流程中,其中一部分就是从版图到晶圆制造中间的一个过程,掩模,是光刻工艺不可缺少的部件,但是我们目前所掌握的掩模技术还存在着许多的问题,其中掩模的防护措施问提已经到了刻不容缓的地步了,常见的掩模无法做到有效的防潮和防尘,以及铬反射性强,容易对人的健康造成恶劣影响的问题。



技术实现要素:

本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷,提供一种线性电磁执行元件掩模,可有效做到掩模防尘和防潮,并且能有效解决铬反射性强问题。

为了解决上述技术问题,本实用新型提供了如下的技术方案:

本实用新型一种线性电磁执行元件掩模,包括掩模板,所述掩模板的下表面设置有硅晶片,所述掩模板的上表面设置有芯片,所述芯片的上表面设置有光栅格,所述掩模板的上表面涂覆有第一防尘涂料,所述第一防尘涂料的下表面设置有第一保护膜,所述第一保护膜的下表面设置有玻璃晶片,所述玻璃晶片的下表面设置有抗反射膜,所述抗反射膜的下表面设置有铬膜,所述铬膜的下表面安装有第二保护膜,所述第二保护膜的下表面涂覆有第二防尘涂料。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述铬膜为溅射铬。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述第一防尘涂料和第二防尘涂料均由聚硅氧烷聚合物材料制作而成。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述第一保护膜和第二保护膜均由硅橡胶高分子聚合物材料制作而成。

作为本实用新型的一种优选技术方案,所述玻璃晶片由合成石英玻璃材料制作而成。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果如下:

本实用新型通过在掩模板的上表面设置有防尘涂料和保护膜,可对掩模板进行有效保护,同时防尘涂料为聚硅氧烷聚合物材料制作而成,能有效对掩模板进行防尘,保护膜由硅橡胶高分子聚合物材料制作而成具有极好的防潮性,同时具有极好的韧性,能加强掩模板的强度,在铬膜的表面涂覆一层抗反射膜,极大减少了铬的反射性,既增强了掩模板的实用性也提高了安全性。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的限制。在附图中:

图1是本实用新型的整体结构示意图;

图2是本实用新型的整体结构剖视图;

图3是本实用新型的掩模板的拆分结构示意图;

图4是本实用新型的掩模板剖视图;

图中:1、掩模板;2、硅晶片;3、芯片;4、光栅格;5、第一保护膜; 6、玻璃晶片;7、抗反射膜;8、铬膜;9、第一防尘涂料;10、第二保护膜; 11、第二防尘涂料。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行说明,应当理解,此处所描述的优选实施例仅用于说明和解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。其中附图中相同的标号全部指的是相同的部件。

此外,如果已知技术的详细描述对于示出本实用新型的特征是不必要的,则将其省略。需要说明的是,下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向,词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。

实施例1

如图1-4所示,本实用新型提供一种线性电磁执行元件掩模,包括掩模板1,掩模板1的下表面设置有硅晶片2,掩模板1的上表面设置有芯片3,芯片3的上表面设置有光栅格4,掩模板1的上表面涂覆有第一防尘涂料9,第一防尘涂料9的下表面安装有第一保护膜5,第一保护膜5的下表面设置有玻璃晶片6,玻璃晶片6的下表面设置有抗反射膜7,抗反射膜7的下表面设置有铬膜8,铬膜8的下表面安装有第二保护膜10,第二保护膜10的下表面涂覆有第二防尘涂料11。

进一步的,铬膜8为溅射铬,铬是掩模最广泛应用的材料,它以溅射或蒸发的方式淀积到圆片上,尽管溅射铬比蒸发铬更具有反射性,但是溅射铬的性价比相对蒸发铬要更好一些。

第一防尘涂料9和第二防尘涂料11均由聚硅氧烷聚合物材料制作而成,该材料具有极好的防尘性,同时还具有极高的耐热性,能保证掩模板1在工作中不易粘尘和加强了耐热性,提高了掩模板1的工作性能。

第一保护膜5和第二保护膜10均由硅橡胶高分子聚合物材料制作而成,该材料具有极高的防潮性,同时密度大韧性高,能加强掩模板1的强度,并且能做到有效的防潮。

玻璃晶片6由合成石英玻璃材料制作而成,该材料成本较低,同时合成石英玻璃材料的热膨胀系数非常小,且能供宽的光投射铝区域,低的杂质含量和极少的物理缺陷。

具体的,当利用光蚀刻技术通过芯片3和掩模板1对硅晶片进行光刻时,芯片3上表面设置的光栅格4可进行线性相位光刻,铬膜8为溅射铬,铬是掩模最广泛应用的材料,它以溅射或蒸发的方式淀积到圆片上,尽管溅射铬比蒸发铬更具有反射性,但是溅射铬的生产成本更低,且稳当性更佳,故而在铬膜8的表面涂覆一层抗反射膜7,极大减少了铬膜8的反射性,既增强了掩模板1的实用性也提高了安全性,掩模板1由正反两面均涂覆有一层保护膜和防尘涂料,双面防尘和保护,可有效加强掩模板1的防潮性和防尘性,能确保掩模板1的全角度防尘和防潮,第一防尘涂料9和第二防尘涂料11由聚硅氧烷聚合物材料制作而成,该材料具有极好的防尘性,同时还具有极高的耐热性,能保证掩模板1在工作中不易粘尘和加强了耐热性,提高了掩模板1的工作性能,第一保护膜5和第二保护膜10由硅橡胶高分子聚合物材料制作而成,该材料具有极高的防潮性,同时密度大韧性高,能加强掩模板1 的强度,并且能做到有效的防潮,玻璃晶片6由合成石英玻璃材料制作而成,该材料成本较低,同时合成石英玻璃材料的热膨胀系数非常小,且能供宽的光投射铝区域,低的杂质含量和极少的物理缺陷。

本实用新型通过在掩模板1的上表面设置有防尘涂料9和保护膜5,可对掩模板1进行有效保护,同时防尘涂料9为聚硅氧烷聚合物材料制作而成,能有效对掩模板1进行防尘,保护膜5由硅橡胶高分子聚合物材料制作而成具有极好的防潮性,同时具有极好的韧性,能加强掩模板1的强度,在铬8 的表面涂覆一层抗反射膜7,极大减少了铬8的反射性,既增强了掩模板1的实用性也提高了安全性。

最后应说明的是:以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明,对于本领域的技术人员来说,其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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