1.一种基于微纳光纤的全光调制器，其特征在于，所述全光调制器包括微纳光纤和一维半导体纳米材料；
所述微纳光纤的一端为输入光纤，中部为均匀区域光纤段，另一端为输出光纤，所述输入光纤与所述均匀区域光纤段的接头处为锥形，所述均匀区域光纤段是将光纤中部去除涂覆层，对已去除涂覆层的部分进行循环拉锥操作得到的，所述输出光纤与所述均匀区域光纤段的接头处为锥形，所述一维半导体纳米材料吸附在所述均匀区域光纤段的表面。
2.根据权利要求1所述的全光调制器，其特征在于，所述一维半导体纳米材料为氧化锌纳米线。
3.根据权利要求1所述的全光调制器，其特征在于，所述一维半导体纳米材料的直径介于600纳米与800纳米。
4.根据权利要求1所述的全光调制器，其特征在于，所述均匀区域光纤段的直径为1微米。
5.根据权利要求1所述的全光调制器，其特征在于，所述均匀区域光纤段为单模光纤段。
6.根据权利要求1所述的全光调制器，其特征在于，所述输入光纤的锥形区域和所述输出光纤的锥形区域均为多模区域，所述输入光纤除所述锥形区域以外的其他区域和所述输出光纤除所述锥形区域以外的其他区域均为单模区域。
7.一种调制系统，其特征在于，所述系统包括第一激光器、光斩波器、反射镜、透镜、第二激光器和如权利要求1至5任意一项所述的全光调制器；
所述第一激光器输出的控制激光经过所述光斩波器射入所述反射镜，由所述反射镜反射所述控制激光并经所述透镜透射后，射入所述全光调制器的一维半导体纳米材料上，所述控制激光的单光子能量大于所述一维半导体纳米材料对应的禁带宽度；
所述第二激光器输出的光射入所述全光调制器的输入光纤，经射入所述一维半导体纳米材料上的所述控制激光的调制后，由所述全光调制器的输出光纤输出调制激光。
8.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述系统还包括光电探测器和示波器；
所述调制激光经过所述光电探测器转换为电信号，由所述示波器显示所述电信号的波形。
9.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述第一激光器为紫外激光器，所述控制激光的波长为266纳米。
10.根据权利要求7所述的系统，其特征在于，所述第二激光器为可调谐激光器。